「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(318ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for manufacturing a solar cell 100, a metal mask M3 has two openings H3 corresponding to a formation pattern of two island-shaped n-type amorphous semiconductor layers 12n_1, and an opening H4 corresponding to a formation pattern of a p-type amorphous semiconductor layer 12p.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池１００の製造方法において、メタルマスクＭ３は、２本の島状ｎ型非晶質半導体層１２ｎ_１の形成パターンに応じた２つの開口部Ｈ３と、ｐ型非晶質半導体層１２ｐの形成パターンに応じた開口部Ｈ４とを有する。 - 特許庁

Spent nuclear fuel tube is finely cut one by one to a size of 1 to 2 mm by using a crashing machine 1 having a feeder 7 for sending one to a few tubes P of spent nuclear fuel made of austenitic stainless steel in which spent fuel is as-charged and a plurality of blades 4 and 5.例文帳に追加

使用済核燃料が充填されたままのオーステナイト系ステンレス鋼製の使用済核燃料管Ｐを１〜数本ずつ送るフィーダ７と回転される複数の刃物４、５を備えた破砕機１を用いて使用済核燃料管を１本ずつ１〜２ｍｍの大きさに微細に剪断する。 - 特許庁

Surfaces of the high-resistance SiC layer 2, p-type well region 3, and source region 6 are in smooth conditions by impurity-activation annealing with a carbon film that has been deposited or MCP, and the surface of the channel layer 5x that is subsequently grown by epitaxy is further smoothed.例文帳に追加

高抵抗ＳｉＣ層２とｐウェル領域３とソース領域６の表面は、カーボン膜を堆積した状態での不純物の活性化アニールやＭＣＰによって平滑な状態にあり、その後エピタキシャル成長されたチャネル層５ｘの表面はさらに平滑化されている。 - 特許庁

Further, a laser radiation part including a laser head 40 and a condenser lens 24 is driven in directions of X, Y, Z and θ by the control of a control part 50, the wafer 13 is irradiated with a laser beam P over the expanding tape 15, and the inside or front surface of the wafer 13 is modified.例文帳に追加

さらに、レーザーヘッド４０及びコンデンスレンズ２４を含むレーザー照射部を、制御部５０の制御によってＸＹＺθ方向へ駆動させ、ウェハ１３に対してエキスパンドテープ１５越しにレーザー光Ｐを照射して、該ウェハ１３の内部又は表面の改質を行う。 - 特許庁

The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加

このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁

An N- layer 32 having an N-type impurity diffused to a low concentration is provided right below the insulating layer 14, and a second P+ region 34 formed by implanting ions etc., and a second N+ region 36 are formed in the N- layer 32 to obtain a second photodiode 30.例文帳に追加

絶縁層１４の直下にＮ型不純物を低濃度に拡散させたＮ−層３２が設けられ、Ｎ−層３２中にイオン等を注入して形成された第２のＰ＋領域３４および第２のＮ＋領域３６が形成され、第２のフォトダイオード３０とされている。 - 特許庁

A releasing member 31 is inserted between it and the housing 1 to be displaced toward the fitting projection 11 on the outside surface of the insertion piece 9, and a downward slope surface 31c formed toward the fitting projection 11 is brought into contact with a housing corner P in the opening.例文帳に追加

解除部材３１は、挿入片９の外側面上にてその係止突起１１に向けて変移可能に筐体１との間に差し込まれ、その係止突起１１に向けて形成した下り斜面３１ｃを開口部における筐体角部Ｐに当接している。 - 特許庁

Thus, the output circuit can be operable at a higher speed and a source-drain voltage between a third P-channel MOS transistor 71 and a third N-channel MOS transistor 72 of the over-voltage protection circuit caused at a change in an output signal OUT can be decreased.例文帳に追加

これにより，より高速に動作することが可能になり，さらに，出力信号ＯＵＴの変化時にかかる過電圧保護回路の第３のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ７１，および第３のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ７２のソース−ドレイン間電圧を小さくできる。 - 特許庁

A back electrode 14 is formed on the second principal surface 20b such that it has contact with both the p-type collector area 9 and the n-type cathode region 10, and has a titanium layer 11, a nickel layer 12 and a gold layer 13 laminated in turn from the side of the second principal surface 20b.例文帳に追加

裏面電極１４は、ｐ型コレクタ領域９およびｎ型カソード領域１０との双方に接するように第２主面２０ｂ上に形成され、かつ第２主面２０ｂ側から順に積層されたチタン層１１、ニッケル層１２および金層１３を有している。 - 特許庁

In the light-emitting diode having an n-type semiconductor layer, an active layer consisting of thirty or fewer of quantum well layers, and a p-type semiconductor layer as a semiconductor multilayer structure on a substrate, a flat portion and a plurality of holes are formed on the surface of the semiconductor multilayer structure.例文帳に追加

基板上に少なくともｎ型半導体層、３０層以下の量子井戸層から成る活性層、ｐ型半導体層を半導体積層構造として有する発光ダイオードにおいて、半導体積層構造の表面に平坦部分と複数の穴を形成する。 - 特許庁

Each image compression section 15 of image pickup devices CA-CD generates not only an I frame by inplane coding and P and B frames by interframe coding, and a transmission image processing section 18 outputs an image signal configured only with the I frame in the normal state.例文帳に追加

撮像装置ＣA〜ＣDの各画像圧縮部１５は、面内符号化によるＩフレームだけでなく、フレーム間符号化によるＰフレーム及びＢフレームも生成しているが、送信画像処理部１８は、通常時においては、Ｉフレームのみを用いて構成した画像信号を出力する。 - 特許庁

Part feed moving tables 29, 30 mounting respective part cassettes 33 orthogonally to the containing/removing direction of the series of electronic parts are moved in the arranging direction of the part cassettes 33 and stopped at a part feed area P facing a part inserting mechanism section 7.例文帳に追加

各パーツカセット３３を電子部品連３の出入方向に対し直交方向に配列して積載した部品供給移動台２９，３０を、パーツカセット３３の配列方向に向け移動させて、部品挿入機構部７に対向する部品供給エリアＰに停止させる。 - 特許庁

A first Zr oxide film 32, which is a lower layer part of a gate insulating film, is formed on a p-type silicon substrate 30 by sputtering, using a Zr target 10 where a Zr oxide layer 11 is formed on a surface in an atmosphere of Ar gas inside a chamber.例文帳に追加

チャンバー内をＡｒガスの雰囲気にしながら、表面部にＺｒ酸化物層１１が形成されたＺｒターゲット１０を用いてスパッタリングを行なうことにより、ｐ型シリコン基板３０上にゲート絶縁膜の下層部となる第１のＺｒ酸化物膜３２を形成する。 - 特許庁

In a signal processing circuit 200 detecting light receiving signals a and b of the p-polarization component and s-polarization component of the light reflected from an image carrier to which toner is adhered and inputting the detected light receiving signals a and b, signal processing for obtaining a polarization degree by a polarization degree converter 203 is performed.例文帳に追加

トナーが付着された像担持体からの反射光のＰ偏光成分とＳ偏光成分の受光信号ａ，ｂを検出し、検出される受光信号ａ，ｂを入力する信号処理回路２００で偏光度変換器２０３で偏光度を求める信号処理を行う。 - 特許庁

A hot plate tray 50 carrying many food P, sequentially continuously carried between the baking areas A to D by a controlled delivery action while both ends supported on chain conveyors 40 and 40, and the food on the hot plate tray 50 is baked in the areas.例文帳に追加

多数の食材Ｐを載せた鉄板トレー５０は、チェーンコンベア４０、４０上にその両端を支持されながら、その制御された送り動作によって、各焼成領域Ａ〜Ｄ間を順次連続的に搬送され、鉄板トレー５０上の食材は各領域内で焼成処理を受ける。 - 特許庁

This mounting gauge 20 comprises an abutting portion 29 abutting on an opening edge E of the frame 2 and a supporting portion 21 for supporting the lock device body 3 to be mounted on the inner face S1 of the frame 2 at a preset depth position P in the direction of the depth of the frame 2 from the abutting portion 29.例文帳に追加

本発明の取付ゲージ２０は、フレーム２の開口縁Ｅに当接する当接部２９と、フレーム２の内面Ｓ１に取り付けられるロック装置本体３を当接部２９から当該フレーム２の奥行き方向所定深さ位置Ｐにおいて支持する支持部２１と、を備えている。 - 特許庁

A work gear spindle 18 demarcates a reference surface by the axis and the reference axis O, and can adjust an angle position with the pivot axis P orthogonal to the reference surface as the center on machining individual bevel gears, and does not change the angle position in machining.例文帳に追加

ワークギヤ・スピンドル（１８）は、その軸線及び基準軸線（Ｏ）により基準面を画定し、加工される個々のベベルギヤについて、前記基準面に直交する回転軸線（Ｐ）を中心にして角度位置が調整可能であって、しかも加工中に、その角度位置が変更されることがない。 - 特許庁

The contact and separation means brings the claw 6 into contact with the roller 4 when the toner image is detected on the surface of the sheet P in contact with the roller 4, and separates the claw 6 from the roller 4 when the toner image is not detected.例文帳に追加

接離は、ニップ部Ｎを通過する記録用紙Ｐの加圧ローラ４に接触する面上にトナー像が検知された場合には加圧分離爪６を加圧ローラ４の表面に接触させ、トナー像が検知されない場合には加圧分離爪６を加圧ローラ４の表面から離間させる。 - 特許庁

A reflector unit 50 consisting of reflectors 52 extending along the opposite sides of the light emitting diode array being fabricated by surface mounting a plurality of light emitting diode elements 9 in an array and a frame 51 for supporting the reflector is mounted on a printed wiring board P.例文帳に追加

複数の発光ダイオード素子９を列状に表面実装することにより作り出される発光ダイオードアレイの両側に沿って延びる反射体５２とこの反射体を支持する枠体５１とからなる反射体ユニット５０が前記プリント配線基板Ｐ上に実装されている。 - 特許庁

Thereafter, a returning means 18 is made to appear in the clearance G so as not to enter a carrier locus of the sheet P1 when this clearance G is formed, and the other sheet P entering this clearance G with the delivered sheet P1 is pushed back to the sheet loading parts 11, 19.例文帳に追加

そして、この隙間Ｇが形成されるときに戻し手段１８をシートＰ１の搬送軌跡に入らないように隙間Ｇに出現させ、送り出されるシートＰ１と共にこの隙間Ｇに入り込んだ他のシートＰをシート積載部１１，１９に押し戻すようにする。 - 特許庁

In addition, a base 7 mounted across the left wall 4 and the right wall 5, a lengthwise cushioning material 8 to be mounted on the base 7 and the bottom tray 1, and a breadthwise cushioning material 9 mounted on the front wall 2 and the rear wall 3 are provided inside the box P.例文帳に追加

また、この梱包箱Ｐ内には、その左壁４と右壁５に跨るように取り付けられる受け台７と、この受け台７や底側トレー１に取り付けられる長手部用緩衝材８と、前壁２や後壁３に取り付けられる短手部用緩衝材９とが設けられている。 - 特許庁

In a P mode, the microprocessor 101 outputs a command to the pulse interval generating circuit 102 to set the interval (rate) of the pulse light to High (20000 pps), while outputing a command to the laser drive circuit 104 to set the peak power of the pulse light to Low (3W).例文帳に追加

Ｐモードにおいて、マイクロプロセッサ１０１は、パルス間隔生成回路１０２に指令を出力してパルス光の間隔（レート）をＨｉｇｈ（２００００ ｐｐｓ）にセットするとともに、レーザ駆動回路１０４に指令を出力してパルス光のピークパワーをＬｏｗ（３Ｗ）にセットする。 - 特許庁

To make apparent segregation coefficient large with a simple means, to make the specific resistance of a silicon single crystal uniform and to improve the yield so as to obtain a silicon wafer having a desired specific resistance in the longitudinal direction of a p-type rod-shaped silicon single crystal obtained by doping boron as a main dopant.例文帳に追加

ボロンを主添加剤とするｐ型の棒状シリコン単結晶の長さ方向に所要の比抵抗値を有するシリコンウェーハを得るため、できるだけ簡便な手段で見かけの偏析係数を大きくして、シリコン単結晶の比抵抗値を均一にして歩留りを向上させる。 - 特許庁

When the light source unit 20 is turned clockwise or counterclockwise around its center section at the approximately same angle θ, the light-distributing patterns P are switched to the light-distributing pattern PL for left-side traveling and the light-distributing pattern PR for right-side traveling in left-right symmetry.例文帳に追加

光源ユニット２０を、その中心部分を中心に時計回り、または反時計回りに略同一の角度θに回動すると、配光パターンＰが左側走行用配光パターンＰＬと、右側走行用配光パターンＰＲとに左右対称的に切り替えられる。 - 特許庁

When a detection server 5 detects an activity event by a user object P in a working space α according to the detection of an ID tag 3, a collaborative working space server 13 and a personal activity history server 2 hold the activity event so that every object can be referred to from another object.例文帳に追加

作業空間αにおける利用者オブジェクトＰによる活動イベントをＩＤタグ３の検出に基づいて検出サーバ５で検出すると、当該活動イベントを共同作業空間サーバ１３及び個人活動履歴サーバ２でオブジェクト毎に他のオブジェクトから参照可能に保持する。 - 特許庁

In an oil supply device 1, a first oil passage 21 transporting oil discharged from a mechanical oil pump 2 and a second oil passage 22 transporting oil discharged from an electrical oil pump 3 are connected to collecting passage 23 at a part (connection point) P corresponding to each downstream side opening end.例文帳に追加

オイル供給装置１において、機械式オイルポンプ２から吐出されるオイルを移送する第１オイル通路２１と、電動式オイルポンプ３から吐出されるオイルを移送する第２オイル通路２２とは、各々の下流側開口端にあたる部位（接続点）Ｐで集合通路２３に接続される。 - 特許庁

The aluminum alloy material superior in corrosion resistance has corrosion resistant films such as an anodized film, a fluorinated film, a composite film formed by Ni-P plating and fluorination, and a composite film formed by anodizing and fluorination, on the surface of the base alloy material with the above composition.例文帳に追加

また、耐食性に優れたアルミニウム合金材は、上記組成の合金母材の表面に、陽極酸化処理皮膜、フッ化処理皮膜、Ｎｉ−Ｐメッキ処理とフッ化処理による複合皮膜、陽極酸化処理とフッ化処理による複合皮膜等の耐食性皮膜が形成されている。 - 特許庁

A mean cycle calculating means 25 finds the moving average Ta of the detected bit cycles Tb successively and a variation tendency value calculating means 26 finds the moving average of deviation in the detected bit cycles Tb successively as a variation tendency value P showing the tendency of variation of the bit cycles.例文帳に追加

平均周期算出手段２５は検出されたビット周期Ｔｂの移動平均Ｔａを順次求め、変動傾向値算出手段２６は、検出されたビット周期Ｔｂの偏差の移動平均をビット周期の変動の傾向を表す変動傾向値Ｐとして順次求める。 - 特許庁

An initial printing controlling means for printing on the first ticket 19 while positioning the printing position based on a paper conveyance distance from the initial position in the initial state with a roll paper P set with the first ticket 19 positioned at a preset initial position, is provided.例文帳に追加

ロール紙Ｐがセットされた初期状態である場合に、一枚目のチケット１９が予め設定される初期位置に位置合せされているものとし、該初期位置からの紙搬送距離に基づいて印字位置を位置決めしつつ、一枚目のチケット１９に印字を行う初期印字制御手段を設ける。 - 特許庁

The area of the p+type impurity layer 3 per a unit area of a SiC semiconductor device can enlarge and both of improvement of surge withstand and reduction of resistance value can be achieved, because the resistance value in forward direction can be reduced.例文帳に追加

そして、順方向における抵抗値の低減が図れることで、ＳｉＣ半導体装置の単位面積当りのｐ^+型不純物層３の面積を大きく取ることができ、サージ耐量の向上と順方向における抵抗値の低減の両立を図ることが可能となる。 - 特許庁

A semiconductor laser element array 8 mounted on the sub-mount 6 has a structure of laminating a semiconductor layer 2 having two ridge parts 13 on a substrate 11, and an Au plating layer 14 is formed on a surface of a (p) type electrode 3 formed in an upper part of the respective ridge parts 13.例文帳に追加

サブマウント６に実装された半導体レーザ素子アレイ８は、基板１１上に２個のリッジ部１３を有する半導体層２が積層された構造を有し、各リッジ部１３の上部に形成されたｐ型電極３の表面にはＡｕメッキ層１４が形成されている。 - 特許庁

At turn-off time, the P MOS transistor 5 forcibly cuts off the emitter current flowing in the carrier extraction from the bipolar transistor 2, so the carrier extraction from the bipolar transistor 7 is started immediately without being affected by the turn-off delay time of the bipolar transistor 2.例文帳に追加

ターンオフ時には、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５のオフによりバイポーラトランジスタ２のキャリア引き抜きの間流れて来得るエミッタ電流を強制的に遮断するから、バイポーラトランジスタ２のターンオフ遅延時間の影響を受けず、直ちにバイポーラトランジスタ７からのキャリア引き抜きが開始される。 - 特許庁

In this constitution, although the user P can easily handle the protection sole 2 as an article that can protect the sole of the foot from contamination and the like, this footwear can sufficiently compatibly fulfill the wearing comfort as the shoe and the functions as the shoe by the simple constitution.例文帳に追加

斯かる構成により、簡易靴Ｓは、保護ソール部２が足の裏を汚れ等から保護し得るものとして使用者Ｐが簡単に取り扱うことができるにも関わらず、靴としての履き心地と、靴としての機能を十分に両立し得るものを、簡単な構成で実現したものとなっている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type semiconductor element with which the surface of a polysilicon layer can be oxidized selectively and, in addition, can suppress the threshold voltage fluctuation of a semiconductor element caused by post-oxidation as much as possible, when the post- oxidation is performed on a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極に対する後酸化を行うとき、ポリシリコン層の表面を選択的に酸化することができ、しかも、後酸化に起因した半導体素子の閾値電圧の変動を出来る限り抑制し得るｐ形半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a p-gate HFET is prepared by conducting a vapor-phase Zn diffusion to an epitaxial wafer, the diffusion depth of Zn is controlled at a change in a temperature of the diffusion coefficient of Zn to a compound semiconductor wafer such as GaAs, AlGaAs or the like.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハに気相Ｚｎ拡散を行ってｐ−ｇａｔｅＨＦＥＴを作成する場合、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体ウェーハに対するＺｎの拡散係数が温度によって変化することに着目し、Ｚｎの拡散深さを制御する。 - 特許庁

A "p" clad layer is grown on the active layer having the semiconductor layer containing In at first temperature (800 to 900°C), and then while only nitrogen gas and ammonia gas are circulated, a laminate of a semiconductor is heat-treated at second temperature (900 to 1,000°C) higher than the first temperature.例文帳に追加

Ｉｎを含む半導体層を備える活性層の上にｐクラッド層を第１の温度（８００〜９００℃）で成長させ、その後、窒素ガスとアンモニアガスのみを流通させながら、第１の温度より高い第２の温度（９００〜１０００℃）で半導体の積層体を熱処理する。 - 特許庁

The gate electrode 7 is made via a gate insulating film 6 on the element formation region of the main surface of a p-type semiconductor substrate 1, and then semiconductor regions to serve as the source and the drain are made, self-alignedly to the gate electrode, in the element-forming regions of the substrate.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１主面の素子形成領域上にゲート絶縁膜６を介してゲート電極７を形成した後、基板の素子形成領域にソース及びドレイン領域となる半導体領域１４，１５をゲート電極に対して自己整合的に形成する。 - 特許庁

A control unit 30, in its stabilization control, makes a printing unit 2 form a plurality of toner images, and determines the intensity of the beam B radiated by the optical scanner 6 at the time of formation of a toner image on a sheet P, on the basis of detection signals according to the toner concentration of the plurality of toner images.例文帳に追加

制御部３０は、安定化制御において、印刷部２に複数のトナー画像を形成させ、複数のトナー画像のトナー濃度に応じた検知信号に基づいて、用紙Ｐへのトナー画像の形成時に光走査装置６が放射するビームＢの強度を決定する。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZnO oxide semiconductor layer which can significantly increase the carrier concentration of a p-type layer in the ZnO oxide semiconductor layer and a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device having a superior property of light emission by improving a crystal state of the ZnO oxide.例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法、およびＺｎＯ系酸化物の結晶性を向上させて発光特性の優れた半導体発光素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The distributed feedback type semiconductor laser element has at least an n-conductivity type clad layer 3, an active layer 5 and a p-conductivity type clad layer 12 on a semiconductor substrate 1, and has the diffraction-grating structure 10 composed of an n-conductivity type diffraction grating layer 8 in the clad layer 12.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、半導体基板１上に少なくともｎ導電型のクラッド層３と活性層５とｐ導電型のクラッド層１２とを有し、ｐ導電型のクラッド層１２中にｎ導電型の回折格子層８からなる回折格子構造１０を備えている。 - 特許庁

Moreover, the permissible frequency bandwidth of the antenna A1 can be maximized by preparing the capacitor C1 in the center part of the metal wiring p composing a T-shaped top part shared by the first and the second folded dipole antennas, namely, opposite to a feeding unit O.例文帳に追加

また、第１のフォールデッドダイポールと第２のフォールデッドダイポールによって共有されるＴ字形の上部を構成する金属配線ｐの中央部、即ち給電部Ｏの反対側に容量Ｃ１を設けることにより、当該アンテナＡ１の許容周波数帯域幅を最大にすることができる。 - 特許庁

The method for treating dust comprises the steps of: filtering the exhaust gas to be discharged from the electric furnace X by a dust collector S; forming the dust to be discharged from the dust collector S into a dust pellet by using a pelletizer P; and returning the molded dust pellet to an electric furnace facility by pneumatic transportation to treat the returned dust pellet in the electric furnace X.例文帳に追加

電気炉Ｘから排出される排ガスを集塵機Ｓで濾過することにより該集塵機Ｓから排出されるダストを、造粒機Ｐによってダストペレットに成形し、このダストペレットを気体輸送で電気炉設備に戻して電気炉Ｘで処理する。 - 特許庁

The determination of the big win or the like is executed in a short period of time despite the dimension of the updating range of the random number values so as to prevent a fraud using "a dangling board" or the like without interfering with the control of the game of a Pachinko machine P and widen the updating range of the random number values.例文帳に追加

よって、大当たり等の判定を乱数値の更新範囲の大きさに拘わらず短時間で行うことができるので、パチンコ機Ｐの遊技の制御に支障を来すことなく、「ぶら下げ基板」等を用いた不正行為を防止するため、乱数値の更新範囲を広げることができる。 - 特許庁

The packaging mechanism unit 1 has a folding die 24 by an arc-shaped opening frame with its inner periphery curved outwardly so that the packaging member P is corner-folded in an outwardly curved manner from an upper surface side of the formed food to right and left, front and rear faces by the projecting movement of the projecting mechanism unit 21.例文帳に追加

該包装機構部１は、突き上げ機構部２１の突き上げ移動により成形食品の上面側から左右前後面にかけて包装部材Ｐを外向き湾曲状に角折りするよう内周を外側へ湾曲した弧状開口枠による折り込み型２４を備える。 - 特許庁

This ultrasonic diagnosis equipment is so constituted that random patterns of sub arrays SA(n) in a two-dimensional array 2 are different between the adjoining sub arrays, transmission circuits P(n, i) are connected to transmission transducers X of the sub arrays SA(n), and receiving sub beam formers RB(n) are connected to the receiving transducers R of the sub array SA(n).例文帳に追加

２次元アレイ２内のサブアレイＳＡ（ｎ）のランダムパターンが隣接するサブアレイで異なり、サブアレイＳＡ（ｎ）の送信トランスデューサＸに送信回路Ｐ（ｎ、ｉ）が接続され、サブアレイＳＡ（ｎ）の受信トランスデューサＲに受信サブビームフォーマＲＢ（ｎ）が接続される。 - 特許庁