「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(321ページ目) - Weblio英語例文検索

The cement admixture comprises: as essential constituents, a polymer (P) containing, as an essential constitutive unit, a constitutive unit (I) originating in polyoxyalkylene-based monomer (I-M) having an average addition mole number of oxyalkylene group of 1-300; an ascorbic acid-based compound (AsA-D); and sulfate ion (SO_4^2-).例文帳に追加

オキシアルキレン基の平均付加モル数が１〜３００のポリオキシアルキレン系単量体（I−Ｍ）由来の構成単位（I）を必須の構成単位として含む重合体（Ｐ）、アスコルビン酸系化合物（ＡｓＡ−Ｄ）、及び硫酸イオン（ＳＯ_４^２−）を必須の構成要素としてなるセメント混和剤。 - 特許庁

This embedded magnet type synchronous motor is composed of an embedded magnet type rotor 1 where the number of poles is P and a stator 4 which has three-phase stator winding where winding is wound into distributed winding, and the numbers of slots 5 of the stator 4 is in the relation of S=4.5P.例文帳に追加

極数がＰである埋込磁石形のロータ１と、分布巻きに巻線が巻回された三相のステータ巻線を有するステータ４から構成され、ステータ４のスロット５の数ＳがＳ＝４．５Ｐの関係にあることを特徴とする埋込磁石形同期電動機としたものである。 - 特許庁

There are disclosed a nitride semiconductor light-emitting element including a substrate for growth of a sapphire substrate on which unevenness processing is performed, an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type nitride semiconductor layer, a transparent conductive layer and a reflection layer of a dielectric in this order, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

表面に凹凸加工が施されたサファイア基板からなる成長用基板、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層、透明導電層および誘電体からなる反射層をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

The workpiece aligning apparatus includes: a base body 2 which has a fixed wall part 24 with a cylindrical inner circumferential wall surface 24i and a hopper chamber 30; a rotation ring 4 disposed rotatably around a center line P; and a work discharging part 36 for discharging the workpiece 1 aligned in the correct posture.例文帳に追加

本装置は、筒形状の内周壁面２４ｉをもつ固定壁部２４とホッパー室３０とを有する基体２と、中心線Ｐの回りで回転可能に設けられた回転リング４と、正姿勢に整列されたワーク１を排出させるワーク排出部３６とを有する。 - 特許庁

In this method, a carrier signal (S1) is transmitted to a subject (P) by connecting an RL electrode (18) and a combined signal (SC) having an electrical-activity portion (EAP) and a carrier-signal portion (CSP) is sensed by at least one signal sensing electrode (12, 14 or 16) attached to the subject.例文帳に追加

本方法では、ＲＬ電極（１８）を接続することによってキャリヤ信号（Ｓ１）を対象（Ｐ）に送り、対象に取り付けられた少なくとも一つの信号検知電極（１２、１４、１６）によって、電気的アクティビティ成分（Ｅ_AP）とキャリヤ信号成分（Ｃ_SP）をもつ合成信号（Ｓ_C ）を検知する。 - 特許庁

The silicon carbide material for the monolithic refractory excellent in driability and corrosion resistance is the one wherein the surfaces of the silicon carbide material are coated with an oxide film mainly consisting of at least one oxide of Si, Ti, Al, Mg, Ca, Pb, Zr, B, P, Na, K, or Li.例文帳に追加

炭化けい素原料の粒子の表面がＳｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｂ、Ｐ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉの酸化物の１種又は２種以上を主成分とする酸化物で被覆されていることを特徴とする乾燥性と耐食性に優れた不定形耐火物用炭化けい素原料。 - 特許庁

Relating to this developing device adopting the reversal rotation developing roller 10, a crossing angle θ is set to the obtuse angle, more preferably setting to 100 to 120 degree, then, the opposing gap between the developing roller 10 and the layer thickness regulating member 30 at the layer thickness regulating point P, is set in the range of 0.5 to 1 mm.例文帳に追加

逆回転現像ローラ１０を用いた現像装置において、交差角度θを鈍角、より好ましくは１００〜１２０度に設定し、また、層厚規制点Ｐでの現像ローラ１０と層厚規制部材３０との対向間隔を、０．５ｍｍ以上、１ｍｍ以下の範囲に設定する。 - 特許庁

After the oscillation energy of the excimer laser is set, the high-voltage power supply 54 is controlled so as to keep its set charging voltage constant independently of variations in detection results obtained from a photodiode 52, whereby an a-Si film 57 is annealed with the set uniform energy, and thus a p-Si film 58 that is uniformly crystallized can be obtained.例文帳に追加

設定後は、フォトダイオード５２の検出結果の変動に拘わらず、高圧電源５４を設定した充電電圧値を保持するよう高圧電源５４を制御することによりａ−Ｓｉ膜５７を均一な設定エネルギーでアニールし、均一に結晶化されたｐ−Ｓｉ膜５８を得る。 - 特許庁

A photoreceptor drum 10, a primary transfer roller 20 and a carrier removing roller 30 are separately arranged in this order along the moving direction of an intermediate transfer belt B1 so as to apply tension to the intermediate transfer belt B1 from the directions Q, P and Q of the intermediate transfer belt B1.例文帳に追加

感光体ドラム１０、一次転写ローラ２０、キャリア除去ローラ３０は、それぞれ、中間転写ベルトＢ１の移動方向に沿ってこの順に、中間転写ベルトＢ１のＱ方向、Ｐ方向、Ｑ方向から中間転写ベルトＢ１に張力を付与するように配される。 - 特許庁

At this time, the sorting clamper 81, the first roller table 61 and a truck for product 55 are synchronously moved by a controller 12, the products P only are fallen from the gap between the first roller table 61 and the second roller table 67 and are accumulated in the truck for the product 55 waiting thereunder.例文帳に追加

この時、制御装置１２は仕分けクランパ８１と第一のローラテーブル６１と製品用台車５５を同期して移動させ、第一のローラテーブル６１と第二のローラテーブル６７の間から製品Ｐのみが落下して、下に待機している製品用台車５５に集積される。 - 特許庁

In an OFF state, for 0 V of the gate electrode 20 and source electrode 21, the voltage to be from several hundreds V to several K V is applied to the drain electrode 22, and the high voltage is applied to a depletion layer of the low-density N type epitaxial layer 11 below the P type well layer 12 to disconnect between the source electrode 21 and drain electrode 22.例文帳に追加

ＯＦＦ時は、ゲート電極２０及びソース電極２１の０Ｖに対して、ドレイン電極２２に数１００Ｖ〜数ＫＶが印加され、Ｐ型ウェル層１２下の低濃度Ｎ型エピ層１１の空乏層にその高電圧が加わり、ソース電極２１及びドレイン電極２２間が遮断される。 - 特許庁

A pair of registration rollers 26A and 26B is held on an apparatus body, disposed on a side opposite to a photosensitive unit 12 with respect to a virtual plane S1, and a nip point P between the pair of registration rollers 26A and 26B is located in a part overlapping a belt unit 30 when viewed from a tensioning and laying direction.例文帳に追加

一対のレジストローラ２６Ａ、２６Ｂは、装置本体に保持されているとともに、仮想平面Ｓ１に対して感光ユニット１２と反対側に配設され、かつ、一対のレジストローラ２６Ａ、２６Ｂのニップ点Ｐが、張架方向から見て、ベルトユニット３０と重なる部位に位置している。 - 特許庁

A field oxide film 2, isolating the active region of a MOSFET is formed in a region on the surface of a p-type silicon substrate 1, a gate electrode is formed via a gate oxide film, ions are implanted into an arsenic ion implantation layer 5, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a n-type diffused layer 6.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上の表面の領域にＭＯＳＦＥＴの活性領域を分離するフィールド酸化膜２を形成し、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、ヒ素イオン注入層５にイオン注入し熱処理を行いｎ型拡散層６を形成する。 - 特許庁

The backing paper comprises an acrylic resin having ≥20°C and ≤100°C glass transition temperature in paper, has a Stockigt sizing degree of ≥20 seconds and ≤120 seconds and ≥20N/m and ≤35N/m paper interlayer strength measured according to B method of JIS P 8139 (peel strength test method of combination board layer).例文帳に追加

紙中にガラス転移温度が20℃以上100℃以下のアクリル系樹脂を含有させ、ステキヒトサイズ度が20秒以上120秒以下で、かつＪＩＳ Ｐ ８１３９（板紙のすき合わせ層の剥離強さ試験方法）のＢ法に準じて測定した紙層間強度が20Ｎ／ｍ以上35Ｎ／ｍ以下の範囲とする。 - 特許庁

A cleaning device that becomes movable when a recording sheet P passes through an inversion pass 47 and slides and frictions on a lens surface 61 of a density sensor 60 for measuring density of toner on a face for which detection is to be performed, in the case where double-side printing is performed, is provided to the third housing part 56 of a transfer unit 50.例文帳に追加

両面印刷が実行された場合に、反転路４７を記録用紙Ｐが通過する際に可動して、被検出面上のトナーの濃度を測定する濃度センサ６０のレンズ面６１を摺擦する清掃装置を転写ユニット５０の第３筐体部５６に設けた。 - 特許庁

Thus, the position or depth of a focus corresponding to the pattern PA is set to an arbitrary value for exposure, and hence all patterns PA are accurately formed in the desired shape when each of the plurality of patterns PA with the different depth shape is formed on the substrate P.例文帳に追加

したがって、深さ形状の異なる複数のパターンＰＡのそれぞれを基板Ｐに形成する際、パターンＰＡに応じたフォーカス位置あるいは焦点深度をそれぞれ任意の値に設定して露光するので、全てのパターンＰＡをそれぞれ精度良く所望の形状にすることができる。 - 特許庁

The predetermined width b and the predetermined pitch p of the area 16 are so set that a visible area is formed to show the peripheral face of a stack of any kind of coins through the area 16 in a packaged condition where the sheet is wrapped around the coins.例文帳に追加

透明化域16の所定幅ｂおよび所定ピッチｐは、包装する重積硬貨のいずれの金種についてもその重積硬貨の周囲に巻回した包装状態で透明化域16を通じて重積硬貨の周面が可視し得る可視化域が形成される値に設定する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Sn-P copper alloy sheet which can meet the recent demand for higher efficiency and higher speed in a press forming process for manufacturing connection parts such as automotive terminal-connector and has a satisfactory strength-ductility balance and also has excellent stress relaxation resistance and electric conductivity.例文帳に追加

前記高効率化、高速化した自動車用端子・コネクタなどの接続部品を製造するプレス成形工程に対応し、強度−延性バランスに優れ、同時に、耐応力緩和特性と導電率にも優れさせるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系の銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The effective carrier lifetime in the p-type a-Si layer 5 and the n-type a-Si layer 7 is drastically reduced, thereby the optical modulator can respond to frequency higher than by one digit or more compared with a conventional carrier injection type optical modulator having a pin diode structure without a drain.例文帳に追加

ｐ型ａ−Ｓｉ層５とｎ型ａ−Ｓｉ層７における実効的なキャリア寿命が大幅に短縮されるので、ドレインのない従来のｐｉｎダイオード構造キャリア注入型光変調器と比べて一桁以上高い周波数まで応答させることができる。 - 特許庁

At a GPS satellite 100 and a PL transmitter 200, carrier waves in L1, L2, and L5 wave bands are modulated by an SOC modulation system and a BOC modulation system on the basis of C/A and P codes, and positioning signals up to twelve kinds are generated and emitted into space.例文帳に追加

ＧＰＳ衛星１００およびＰＬ送信機２００において、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ５波帯の搬送波をＣ／ＡコードおよびＰコードに基づきＳＯＣ変調方式、およびＢＯＣ変調方式で変調して最大で１２通りの測位信号を生成し、空間に放射する。 - 特許庁

In the apparatus, dew condensation is generated when the direction of an air flow is changed when air containing much vapor produced because a sheet material P is heat-pressed by a fixing device 38, is discharged from an exhaust port 48 to the outside of the apparatus by an air flowing from a suction fan.例文帳に追加

定着装置３８がシート材Ｐを加熱圧着することで生じる水蒸気を多く含んだ空気を、吸気ファンからの空気流によって排気口４８から装置外に排出する場合に、空気の流れる方向が変化すると、そこで結露が生じること考えられる。 - 特許庁

In the delay circuit where a plurality of inverter circuits are serially connected, ferroelectric capacitors 13a-13c are respectively parallelly connected to inverters 11a-11c serially connected between a first potential and a second potential and provided with an n-type transistor and a p-type transistor.例文帳に追加

複数のインバータ回路が直列接続された遅延回路において、第１電位と第２電位との間に直列に接続されたｎ型トランジスタとｐ型トランジスタとを有するインバータ１１ａ〜１１ｃに強誘電体キャパシタ１３ａ〜１３ｃをそれぞれ並列接続する。 - 特許庁

A control unit of an image forming apparatus sets a pattern area on a recording medium P, and specifies coordinates of the pattern area on a predetermined plane when the pattern area is arranged on the plane with a certain position in the set pattern area matching the center of the plane.例文帳に追加

画像形成装置の制御部は、記録媒体Ｐにおいてパターン領域を設定し、設定されたパターン領域内のある位置と予め決められた平面の中心とを合わせて、パターン領域が平面上に配置された場合の、平面におけるパターン領域の座標を特定する。 - 特許庁

A refrigerant flow reducing means P reducing a flow rate of the refrigerant which passes a needle fitting and insertion clearance 17 formed between a needle fitting and insertion hole 16 and a needle 2 fitted and inserted therein and flows from a refrigerant flow passage 9 side into an internal space 30 side of a case 3 is provided in a valve body 1.例文帳に追加

弁本体１に、ニードル嵌挿孔１６とこれに嵌挿されたニードル２との間に形成されるニードル嵌挿隙間１７を通って冷媒流路９側からケース３の内部空間３０側へ流入する冷媒の流量を低下させる冷媒流量低下手段Ｐを設ける。 - 特許庁

Three or more P channel transistors M1 to M3 are serially connected in their sources and drains, and the source at one end is connected to a power source whose voltage is higher than the voltage of a signal to be output from a core, and the drain at the other end is connected to an output node which outputs the status of the signal.例文帳に追加

ＰチャネルのトランジスタＭ１〜Ｍ３は、ソースとドレインとにおいて３以上直列接続され、一端にあるソースがコアから出力される信号の電圧より高電圧の電源に接続され、他端にあるドレインが信号の状態を出力する出力ノードに接続される。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode, at least an n-type foundation layer (4), a strain relaxing layer (11), an InGaN buffer layer (12), a light emitting layer (6) which contains an InGaN quantum well and has a peak wavelength of 440 nm or more and p-type layers (6, 7) are laminated on a substrate (1).例文帳に追加

基板(１)上に少なくとも、ｎ型下地層(４)と、歪緩和層(１１)と、ＩｎＧａＮバッファ層(１２)と、ＩｎＧａＮ量子井戸を含む発光のピーク波長が４４０ｎｍ以上である発光層(６)と、ｐ型層(６，７)とが積層されている窒化物半導体発光ダイオーである。 - 特許庁

Even when water is accumulated in the pit P, the float 17 is vertically moved according to the water level W, the opening of the flexible pipe 16 (the upper face opening of the float 17) is invariably located above the water level W, and accumulated water (polluted water) is prevented from entering the pipeline 1 via the air valve V from the flexible pipe 16.例文帳に追加

ピットＰ内に溜水しても、フロート１７はその水位Ｗにつれて昇降し、常に、フレキシブル管１６の開口（フロート１７の上面開口）を水位Ｗより上方に位置させるため、溜水（汚染水）がフレキシブル管１６から空気弁Ｖを介して管路１に入り込むことはない。 - 特許庁

The method for manufacturing a solar cell comprises (i) a step for forming a multilayer film 10 including a compound layer containing Zn, Mg and O and a p-type semiconductor layer 12 functioning as a light absorbing layer, and (ii) a step for heat-treating the multilayer film 10 at a temperature in a range of 150°C-250°C.例文帳に追加

（ｉ）ＺｎとＭｇとＯとを含む化合物相１３と、光吸収層として機能するｐ形半導体層１２とを含む多層膜１０を基板２０上に形成する工程と、（ii）多層膜１０を１５０℃〜２５０℃の範囲内の温度で熱処理する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this mounting structure of the spark plug 100 to the cylinder head SH, a sealing agent 25 for transmitting the heat of the main metal fittings 1 to the cylinder head SH is interposed between the tip part 12 of the main metal fitting 1 and the inner wall surface of the corresponding tip part 36 of the plug-hole P.例文帳に追加

そして、このスパークプラグ１００とシリンダーヘッドＳＨとの取付構造では、主体金具１の先端部１２とプラグホールＰの先端対応部３６の内壁面との間に、主体金具１の熱をシリンダーヘッドＳＨに伝達するためのシール剤２５を介在させている。 - 特許庁

A movable cabinet 1 is installed between a stool 2 in a toilet and a wall 3 located on a side of the stool and is provided with a partition plate 12 dividing the internal space of the cabinet 1 into front and rear sections to provide double-sided storage parts P, Q allowing utensils to be taken out from the longitudinal direction of the cabinet 1.例文帳に追加

トイレ内の大便器２と大便器側方の壁３との間に設置する移動式収納庫１であり、収納庫１の内部空間を前後に分ける仕切り板１２を設け、収納庫１の前後方向から用具を取り出せる両面使いの収納部Ｐ，Ｑを設けた。 - 特許庁

A stopper 71 is provided to stop (store) balls P put out at the occurrence of power failure in a stage prior to subtraction made by remaining prize ball number counters 33c, 53a or a dispensed ball put-out counter 53b after being detected by a prize ball counting switch 66 or a dispensed ball counting switch 67.例文帳に追加

ストッパ７１を備えることにより、停電発生時に払い出されていた球Ｐを賞球カウントスイッチ６６又は貸球カウントスイッチ６７で検出されて残賞球数カウンタ３３ｃ，５３ａ又は貸球払出カウンタ５３ｂで減算される前の段階で駐止（貯留）しておくことができる。 - 特許庁

This hexagonal panel P is formed in a hexagonal shape on the periphery by a pair of opposite sides 11 and 11 parallel to the center line C and two pairs of oblique lines 12, 12; 12, 12 defined at an angle α of 120° up to the center line C from the respective distal ends of the opposite sides 11.例文帳に追加

六角形パネルＰは、中心線Ｃに平行な一対の対辺１１，１１と、該対辺１１の各先端から中心線Ｃまで１２０°の角度αをもって画定された二対の斜辺１２，１２；１２，１２とによって周囲が六角形に形成されている。 - 特許庁

For example, when the angular frequency of the applied AC voltage is ω, by detecting a component which is changed by an angular frequency 2ω from among the capacitance signal with a lock-in amplifier (LCD) 17 and finding a position whose value takes an extreme value, the p-n junction position can be specified with high sensitivity and with high accuracy.例文帳に追加

たとえば、印加交流電圧の角周波数がωの場合、容量信号のうち角周波数２ωで変化する成分をロックインアンプ（ＬＡＤ）１７で検出し、その値が極値を取る位置を求めることにより、ｐ−ｎ接合位置を高感度・高精度に特定できる。 - 特許庁

The ascending and descending body 21 is provided with air chucks 10L, 10R having pinching claws 11 and, according as the bag neck winding-in mechanism 8R moves back and forth, the pinching claws 11 advance to a bag mouth 6 of a bag package P to pinch both ends of the bag mouth 6 at an advances position.例文帳に追加

昇降体２１には、挟み爪１１を備えたエアチャック１０Ｌ，１０Ｒが設けられており、袋首部巻込み機構８Ｒが進退することにより、挟み爪１１が袋包装体Ｐの袋口部６に進出し、進出位置において袋口部６の両端を挟む。 - 特許庁

A dichroic mirror 3 separates B illumination light from G illumination light and R illumination light in the illumination light composed of p- polarized light from a light source part, and the B illumination light is passed through a polarizing surface 4a of a 1st PBS4 and reflected to B-LCD7B to obtain s-polarized light.例文帳に追加

光源部からのｐ偏光光からなる照明光はダイクロイックミラー３でＢ照明光をＧ照明光及びＲ照明光から分離させ、Ｂ照明光は第１ＰＢＳ４の偏光面４ａを透過させた上で、Ｂ−ＬＣＤ７Ｂに反射させ、Ｓ偏光光とする。 - 特許庁

A doping dipole structure constituted of an N-type high density delta doped layer 132 and a P-type high density delta doped layer 131 which are adjacent to each other at most 20 nm is periodically formed in an undoped layer 133 which is to be irradiated with a light, thereby turning the band structure of a light absorbing layer into a sawtooth type.例文帳に追加

少なくとも２０ｎｍ以下に近接したｎ型高濃度デルタドープ層とｐ型高濃度デルタドープ層とからなるドーピングダイポール構造を、光照射を受けるアンドープ層に周期的に形成することにより光吸収層のバンド構造を鋸歯状にする。 - 特許庁

A focus data creating part 3 creates focus data relative to the transmission of inside the two-dimensional array 2 and focus data relative to the receiving of the inside of the sub arrays SA(n), and the data are stored in data storage means D(n, i) and supplied to the transmission circuits P(n, i) and the receiving sub beam formers RB(n).例文帳に追加

フォーカスデータ発生部３は、２次元アレイ２の内部の送信に関する相対のフォーカスデータと、サブアレイＳＡ（ｎ）の内部の受信に関する相対のフォーカスデータを発生し、データ記憶手段Ｄ（ｎ、ｉ）に記憶され、送信回路Ｐ（ｎ、ｉ）と受信サブビームフォーマＲＢ（ｎ）に供給される。 - 特許庁

In the light emitting device 30 including a semiconductor light emitting element 1 and a wavelength converting member such as a phosphorus material or the like, reflecting layers 10c, 20c are provided on the outermost surface layers of a type p pad electrode 10a and a type n pad electrode 20a provided on the same surface side of the semiconductor light emitting element 1.例文帳に追加

半導体発光素子１と蛍光体等の波長変換部材を有する発光装置３０において、半導体発光素子１の同一面側に設けられるｐ型パッド電極１０ａ及びｎ型パッド電極２０ａの最表面層に、反射層１０ｃ、２０ｃを設ける。 - 特許庁

In a region with a given length from each edge face of the semiconductor laser element 100, a part with a given depth from the p-type contract layer 9 to the n-type GaN layer 4 is removed by etching to form a step part 300 with a flat side face 41 and a bottom face 42.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００の両端面から所定幅の領域においてｐ−コンタクト層９からｎ−ＧａＮ層４の所定深さまでがエッチングにより除去され、平坦な側面４１および底面４２を有する段差部３００が形成されている。 - 特許庁

Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.例文帳に追加

さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁

Transfer paper P with a copied image formed on it is ejected outside the apparatus, by providing a sensor 13 detecting the existence of the document D on a paper ejecting tray 12 in the automatic document feeder 2 and having the removal of the document D on the paper ejecting tray 12 detected by the sensor 13.例文帳に追加

自動原稿送り装置２の排紙トレイ１２上の原稿Ｄの有無を検知するセンサ１３を設け、排紙トレイ１２上の原稿Ｄが取り除かれたことがセンサ１３によって検知されることにより、複写画像が形成された転写紙Ｐが装置外に排出させる。 - 特許庁

A protection cover 1 is formed by a cover body 3 in an air mat shape to seal the inner space tightly by sealing the periphery of an airtight cloth 2 and a belt 5 provided on the cover body 3 so that the cover body 3 can be fixed with the belt 5 by winding the cover body 3 around the gas pipe P.例文帳に追加

気密布２の周縁部が封止されて内部空間が密封されるエアマット状のカバー本体３と、このカバー本体３に設けられるベルト５によって保護カバー１を形成し、カバー本体３をガス管Ｐの周囲に巻いてベルト５で固定できるようにする。 - 特許庁

In pouring a liquid into a container B from a nozzle passage 2 connected to a mouth P of the container B, the liquid to be filled which is supplied from the nozzle passage 2 is revolved around the axis center of the nozzle passage 2, also diffused toward an outer periphery and revolved down along an internal surface of the container.例文帳に追加

容器Ｂの口部Ｐに接続されたノズル通路２から容器Ｂ内に液体を注入するに際し、ノズル通路２から供給される充填液を、ノズル通路２の軸心周りに旋回させるとともに外周側に拡散させ、容器この内面に沿って旋回流下させる。 - 特許庁

The cord reinforced layer 30 is molded by winding the corrugated steel cord 32 with the amplitude (a) gradually increasing, around a cylindrical molding drum 35 for several times as it is, and the amplitude (a) of the corrugated steel cord 32 in the cord reinforced layer 30 is increased as it separates axially from a set point P of a bead core 12.例文帳に追加

振幅ａが徐々に増大する波状スチールコード32を円筒状の成形ドラム35にそのまま複数回巻き付けることでコード補強層30を成形し、該コード補強層30における波状スチールコード32の振幅ａをビードコア12のセット位置Ｐから軸方向に離隔するに従い大とする。 - 特許庁

A movable platen glass 60 is an approximately pyramid-shaped which is supported to be rotated and in which a plurality of reading faces f1-f4 are formed, and the movable platen glass 60 is rotated, thereby switching which one of the reading faces f1-f4 is to be located at a reading position P.例文帳に追加

可動プラテンガラス６０は，回転可能に支持され，複数の読取り面ｆ１〜ｆ４が形成された略四角柱状であり，該可動プラテンガラス６０を回転させることにより，読取り面ｆ１〜ｆ４のいずれを読取り位置Ｐに位置させるかを切り替え可能に構成されている。 - 特許庁