「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(316ページ目) - Weblio英語例文検索

The special help desks set up in the offices of Japan Finance Corporation (JFC), Shoko Chukin Bank (Shoko Chukin), credit guarantee corporations, chambers of commerce and industry, federations of societies of commerce and industry, the Federations of Small Business Associations, branches of SMRJ, and Bureaus of Economy, Trade and Industry across the Japan will provide fine-grained business and financial advice to SMEs and other businesses affected by the Great East Japan Earthquake. (Continuation) (See p. 192.) 例文帳に追加

全国の（株）日本政策金融公庫（以下「日本公庫」という）、（株）商工組合中央金庫（以下「商工中金」という）、信用保証協会、商工会議所、商工会連合会、中小企業団体中央会、中小機構支部及び経済産業局に設置している特別相談窓口において東日本大震災による被災中小企業者等からの経営・金融相談等にきめ細かく対応する。（継続）（p.194参照） - 経済産業省

A field effect transistor uses carbon nanotubes as channels, wherein the drain electrode and the source electrode are connected in series with a plurality of carbon nanotubes, and carbon nanotubes 1, in contact with the gate via a gate insulating layer, are doped to have an n-type or a p-type, and carbon nanotubes 2, in contact with the source and drain electrodes, are doped in a complementary fashion with the carbon nanotubes 1.例文帳に追加

本発明に係る電界効果型トランジスタは、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接しているカーボンナノチューブ１がｎ型またはｐ型にドーピングされて、ソースおよびドレイン電極と接触しているカーボンナノチューブ２がカーボンナノチューブ１とは相補的にドーピングされていることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for preparing a transistor having a semiconductor containing source and drain regions and a channel formation regions, a gate insulated film in contact with the semiconductor, and a gate electrode in contact with the gate insulated film; the source and drain regions are formed by adding N or P type impurities in the semiconductor and then radiating an Nd: YAG laser beam onto the semiconductor having the impurities added therein.例文帳に追加

ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む半導体、該半導体に接したゲート絶縁膜並びに該ゲート絶縁膜に接したゲート電極を有するトランジスタの作製方法において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、半導体にＮ型もしくはＰ型の不純物を添加した後、前記不純物が添加された半導体にＮｄ：ＹＡＧレーザー光を照射して形成されることを特徴とするトランジスタの作製方法。 - 特許庁

In a semiconductor device which provides a P channel transistor having a silicon germanium layer 132 in a gate electrode 115, and an N channel transistor having the silicon germanium layer 132 in a gate electrode 114, the gate electrode is composed of a laminating structure between the silicon germanium layer 132 and a silicon layer 133 formed on each silicon germanium layer, and a spread preventing layer 134 preventing the spread of germanium is formed in each silicon layer 133.例文帳に追加

ゲート電極１１５にシリコン・ゲルマニウム層１３２を有するＰチャネルトランジスタとゲート電極１１４にシリコン・ゲルマニウム層１３２を有するＮチャネルトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記ゲート電極は、前記シリコン・ゲルマニウム層１３２と、前記各シリコン・ゲルマニウム層上に形成したシリコン層１３３との積層構造からなり、前記各シリコン層１３３中にゲルマニウムの拡散を防止する拡散防止層１３４が形成されているものである。 - 特許庁

The flame-retardant resin composition comprises (A) 100 pts.wt. thermoplastic resin excluding a polyphenylene ether resin, (B) 1-30 pts.wt. polyphenylene ether resin, and (C) 5-25 pts.wt. ammonium polyphosphate having a weight ratio (N/P) of the nitrogen content to the phosphorus content in the molecule of ≥0.60.例文帳に追加

（Ａ）ポリフェニレンエーテル系樹脂を除く熱可塑性樹脂１００重量部、（Ｂ）ポリフェニレンエーテル系樹脂１〜３０重量部、（Ｃ）分子中に含まれている窒素含有量とリン含有量の重量比（Ｎ／Ｐ）が０．６０以上のポリリン酸アンモニウム５〜２５重量部を含有する難燃性樹脂組成物 - 特許庁

A conductive region as a carrier collecting region can be formed deeper by providing a p-well 108 of the same conductivity type as a collector region 110 in the region just under the collector region 110, and thereby the region can be increased for collecting carriers released from an emitter region 112.例文帳に追加

コレクタ領域１１０の直下の領域にコレクタ領域１１０と同じ導電型を有するＰウェル１０８を設けることによって、キャリア収集領域となる導電領域を深くし、エミッタ領域１１２から放出されるキャリアを収集することが可能な領域を増大させた。 - 特許庁

A preheating apparatus 28 stops a heater block 13 with a molded product 1 placed thereon in a tunnel cover 14 installed at a preheating position R while the heater block 13 is transferred from a receiving position P to a delivery position Q by a transfer mechanism 29, and preheats the molded product 1 intensively.例文帳に追加

プリヒート装置２８は、被成形品１を載置したヒータブロック１３が移送機構２９により受取位置Ｐから引渡し位置Ｑへ移送される間にプリヒート位置Ｒに設けられたトンネルカバー１４内で停止させて被成形品１を集中的に予備加熱する。 - 特許庁

A reflection region section 30 and non-reflection region section 31 of a predetermined width are arranged alternatively circumferentially on the optical modulation track 29, and the radial length in the radial direction of the reflection region section 30 is gradually reduced with clockwise motion from the reference position P.例文帳に追加

光学変調トラック２９には所定幅の反射領域部３０と非反射領域部３１とが交互に円周方向に配置されており、反射領域部３０の放射状方向である径方向の長さは、基準位置Ｐから時計方向に進むにつれ漸減されている。 - 特許庁

When the cut-off belt is cut off and opened and then closed again, the end boards 1 and the side boards 2 are folded along the rule lines 14 and 15 to draw an opening of the body section 12, and the opening is covered with the cap 13 to protect foods in the bag P from dust and moisture.例文帳に追加

切離帯を切り取って開封した後、再閉止する際、罫線１４、１５に沿いに端板１及び側板２を折り曲げて胴部１２の開口を絞り、その開口部にキャップ１３を被せることにより、袋Ｐ内の食品を埃や湿気から保護できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for activating and forming a second principal surface side p+ collector layer 8 of a substrate by a low temperature heat treatment (anneal furnace) which does not detrimentally affect the existence of the metallic film of a first principal surface side gate and the emitter electrode of the substrate in an n-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

ｎ型半導体基板７における該基板の第１主面側ゲート及びエミッタ電極の金属膜の存在に対し、悪影響を及ぼさない低温熱処理（アニール炉）による該基板の第２主面側ｐ^＋ コレクタ層８を活性化し形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a manner, since transfer material P being not discharged is prevented from coming into contact with a separating pawl 11, the device is allowed to prevent the separating pawl 11 from carrying potential by being triboelectrified, and to also prevent the toner being not transferred from aggregating on the separating pawl 11.例文帳に追加

これにより、非除電の転写材Ｐが分離爪１１に接触することが無くなるので、分離爪１１が摩擦帯電して電位を持つことを防止し、また転写されなかったトナーが分離爪１１に凝集し付着していくことも防止することができる。 - 特許庁

The side faces have quadratic surfaces 13a, 13b the cross-sectional shapes of which in the longitudinal direction show two kinds of quadratic curves opposing to each other with convexes facing outward, having the same reference point P and asymmetry with respect to a common axis AX passing over the reference point.例文帳に追加

側面は、長手方向の断面形状が、互いに外向きに凸面を向けて対向するとともに、一致する基準点Ｐを有し、さらに基準点を通る共通の軸ＡＸに対して対称な、２種類の２次曲線形状をなす、２次曲面１３ａ、１３ｂを有する。 - 特許庁

The protection tape P is integrally peeled with the peeling tape T from a direction where a groove (d) by dicing, which forms a pattern on the semiconductor wafer W, and a peeling line (h) becoming a boundary where the protection tape is peeled from the semiconductor wafer are not matched in a protection tape peeling process.例文帳に追加

半導体ウエハＷ上のパターンを形成するダイシングによる溝ｄと半導体ウエハから保護テープが剥離される境目となる剥離ラインｈとが保護テープ剥離過程で一致しない方向から保護テープＰを剥離テープＴと一体にして剥離してゆく。 - 特許庁

When a shift lever is determined to be drawn off from P (Yes in step S1), a hybrid ECU obtains the rotational condition of a rotor shaft of a second motor generator MG2 (step S2), and calculates a feedback torque to be generated by a first motor generator MG1 based on the obtained rotational condition (step S3).例文帳に追加

ハイブリッドＥＣＵは、シフトレバーがＰ抜きされたと判断すると（ステップＳ１でＹｅｓ）、第２モータジェネレータＭＧ２のロータシャフトの回転状態を取得し（ステップＳ２）、取得した回転状態に基づいて第１モータジェネレータＭＧ１により発生させるフィードバックトルクを算出する（ステップＳ３）。 - 特許庁

The subject X-ray diagnostic imaging equipment is provided with examination history database 12 recording examination information including positioning data such as an X-ray imaging position and an angle relative to a subject P and X-ray imaging conditions, and creates an examination protocol specific to the subject based on the examination information recorded in the examination history database.例文帳に追加

被検体Ｐに対するＸ線撮影位置、角度などのポジショニングデータおよびＸ線撮影条件を含む検査情報を記録する検査履歴データベース１２を備え、この検査履歴データベースに記録された検査情報を基に、当該被検体に固有の検査プロトコルを作成する。 - 特許庁

The high glossiness transparent toner (HC) or the low glossiness transparent toner (LC) is selected by a control part in accordance with the measured glossiness, and the see-through toner image for the see-through image is formed with the selected transparent toner, so that the see-through image can be discriminated, irrespective of the type of the recording material P.例文帳に追加

この光沢度に応じて制御部によって高光沢透明トナー（ＨＣ）か低光沢透明トナー（ＬＣ）かを選択し、選択された透明トナーによって、透かし画像用の透明トナー像を形成することで、記録材Ｐの種類に拘わらず、透かし画像の判別が可能となる。 - 特許庁

Thus, a control signal serially transmitted on a power line 100 is demodulated by the voltage superimposition multiplex interface part 121, the demodulated serial signal is converted into the parallel signal in the communication control part 122, and the parallel signal is inputted from an input port P into the CPU 11.例文帳に追加

これにより、電源線１００上をシリアル伝送されてきた制御信号が電源重畳多重インタフェース部１２１で復調され、この復調シリアル信号を通信制御部１２２でパラレル信号とし、このパラレル信号を入力ポートＰからＣＰＵ１１内に入力する。 - 特許庁

The reason why large current density is possible is that, under the prescribed voltage drop at both ends of the dielectric layer, effective negative electron affinity is realized at the 'cold' electrons of quasi-equilibrium condition that are accumulated in the depletion layer of the p region adjacent to the dielectric layer.例文帳に追加

高電流密度が可能となるのは、誘電体層の両端の所定の電圧降下のもとで、有効な負の電子親和力が、誘電体層に隣接したｐ領域の空乏層に蓄積された準平衡状態の「冷」電子について実現されるからである。 - 特許庁

The manufacturing method of polyethylene terephthalate comprises causing polyethylene terephthalate manufactured using Ti as the catalyst to adhere onto the surface of granular polyethylene terephthalate in an amount of 1,000-15,000 ppm based on polyethylene terephthalate so that the reduced amount of P atom is 3-50 ppm when the surface of the pellet is washed with water or acetone.例文帳に追加

Ｔｉを触媒として製造したポリエチレンテレフタレートを、ペレット表面を水またはアセトンで洗浄した場合にＰの減少量が３〜５０ｐｐｍの範囲になるように、粒状ポリエチレンテレフタレートの表面に、ポリエチレンテレフタレートに対して１０００〜１５０００ｐｐｍとなるように付着させる。 - 特許庁

To provide a storage device and a frame disusing method by which storage capacity is secured while minimizing the deterioration of picture quality of contents information by setting the disuse priority of I frames lower than that of P frames and disusing frames in accordance with the disuse priority.例文帳に追加

Ｉフレームの廃棄優先度を、Ｐフレームの廃棄優先度よりも低く設定し、廃棄優先度に応じてフレームを廃棄することにより、コンテンツ情報の画質の劣化を最小限に抑えながら、記憶容量を確保することができる記憶装置及びフレーム廃棄方法を提供すること。 - 特許庁

To output working oil of sufficient quantity and hydraulic pressure speedily at the time when a shift lever is operated to a travelling range in the case of stopping actuation of an electric oil pump to output the working oil for speed change and lubrication of a transmission at the time when the shift lever is operated to a P range.例文帳に追加

シフトレバーがＰレンジに操作されている時には、変速機の変速や潤滑用の作動油を出力する電動オイルポンプの作動を停止する場合に、シフトレバーが走行レンジへ操作された時に速やかに十分な量、油圧の作動油を出力できるようにする。 - 特許庁

Ions, having polarity opposite to that of the impurity ions composing a p-type well 3, are implanted to form a first channel region 5b in the edge part of a gate electrode 7n and a second channel region 12, which gives influence only on the shallow region of an n--type semiconductor region 8.例文帳に追加

ｐ型ウェル３を構成する不純物イオンとは逆の極性を持つイオンをイオン注入にて打ち込み、ゲート電極７ｎの端部の第１チャネル領域５ｂおよびｎ^-型半導体領域８の浅い領域のみに影響を与える第２チャネル領域１２を形成する。 - 特許庁

This breaker device A is composed of a housing 10 installed along the outer faces of batteries B, a pair of fixed electrodes 16 installed in the housing 10 and connected to the posts P of the batteries B, a movable supporter 20, and movable electrodes 32, 33 installed on the movable supporter 20.例文帳に追加

ブレーカ装置Ａは、バッテリーＢの外面に沿って取り付けられるハウジング１０、ハウジング１０に設けられるとともにバッテリーＢのポストＰに接続される一対の固定電極１６と、可動支持体２０と、可動支持体２０に設けた可動電極３２，３３とを備えて構成される。 - 特許庁

The development processor 10 comprises: a loading part 12 for loading a cartridge P storing a film F; a developing part 14 for performing development processing on the film F; and a drying part 16 provided in the downstream side of the developing part 14 and for drying the film F from the developing part 14.例文帳に追加

現像処理装置１０は、フィルムＦを収納するパトローネＰが装填される装填部１２、フィルムＦに現像処理を施す現像部１４、および現像部１４の下流側に設けられ現像部１４からのフィルムＦを乾燥させる乾燥部１６を備える。 - 特許庁

When reproduction is performed at VCR section 13, a reproduction video signal from the VCR section 13 is outputted to a display through a TBC circuit provided in a DVD recorder section 14 and a video signal processing circuit including an image quality regulating circuit, an OSD circuit and an I/P conversion circuit.例文帳に追加

ＶＣＲ部１３による再生を行う場合、ＶＣＲ部１３からの再生映像信号は、ＤＶＤレコーダ部１４に備えられているＴＢＣ回路と画質調整回路とＯＳＤ回路とＩ／Ｐ変換回路とを含む映像信号処理回路を介して表示装置へ出力される。 - 特許庁

Therefore, the generation of a low concentration region can be prevented in the vicinity of an interface between the n-type active region 121 and the p-type active region 122 even if the region 121 and the region 122 are mixed so as to be mutually contacted (butting diffusion).例文帳に追加

従って、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２とが互いに接するように混在する場合（バッティングディフュージョン）においても、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２との界面付近に低濃度領域が生じることを防ぐことができる。 - 特許庁

Sheets P carried on supporting surfaces of four pieces of the carrier belts 8 are peeled from the outer peripheral surface of the carrier belt 8 by running on the large diametrical region 62 from their head ends in order as the belt rollers 6, 7 rotate after the time when the head ends arrive at the large diametrical region 62.例文帳に追加

４本の搬送ベルト８の支持面上を搬送されてきた用紙Ｐは、その先端が大径領域６２に到達したときから、ベルトローラ６、７が回転するのに連れて、先端から順次大径領域６２に乗り上げて搬送ベルト８の外周面から剥離していく。 - 特許庁

Since an InP barrier layer 15 is p-type and acts as a potential barrier toward electrons, electron injection from the layer 16-1 is suppressed, and optical phase modulation based on an electrooptic effect is carried out by applying voltage to a core layer 13 in the state of little generation of a leak electric current.例文帳に追加

ＩｎＰバリア層１５はｐ形であり、電子に対するポテンシャルバリアとして働くので、層１６−１からの電子注入が抑制され、リーク電流の発生が少ない状態でコア層１３に電圧を印加して、電気光学効果に基づく光位相の変調を行うことができる。 - 特許庁

Then, an n-type GaN layer 3 made of group III nitride semiconductor, a p-type GaN layer 4 and an n-type GaN layer 5 are grown in this order from the n-type GaN layer 7 exposed from the opening 9 of the insulation film mask 8, forming a mesa lamination part 15 with npn structure.例文帳に追加

そして、この絶縁膜マスク８の開口部９から露出するｎ型ＧａＮ層７から、III族窒化物半導体からなるｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が、この順に成長させられてｎｐｎ構造からなるメサ状積層部１５が形成される。 - 特許庁

The apparatus 3 for diagnostic assistance is structured so that visible light and excitation light are irradiated from the tip of a probe P according to the timing when an image signal processing circuit 24 of a light source processor device 2 in an endoscopic system receives a red image signal and a green image signal.例文帳に追加

内視鏡システムの光源プロセッサ装置２の映像信号処理回路２４が赤色画像信号及び緑色画像信号を受信するタイミングに合わせて可視光及び励起光をプローブＰの先端から放射するように、診断補助用装置３を構成する。 - 特許庁

The method is to fire glass frit containing glass power whose softening point lies not more than 620°C, wherein the pressure P of the atmosphere in which the firing is conducted is over 10^4 Pa while the water content of the atmosphere is 2.0 g/m^3 or less.例文帳に追加

軟化点が６２０℃以下であるガラス粉末を含有するガラスフリットを焼成する方法であって、該焼成を行う雰囲気の圧力Ｐが１０^4Ｐａ以上であり、かつ、該雰囲気の水の含有量が２．０ｇ／ｍ^3以下であることを特徴とするガラスフリット焼成方法。 - 特許庁

A two-component curable resin composition is provided which comprises (A) a halogenation product of a copolymer of a p-alkylstyrene and a 4-8C isomonoolefin which is liquid at normal temperature and (B) a compound having at least two groups selected from among prim-amino, see-amino, thiol, acid anhydride, and carboxyl groups in the molecule.例文帳に追加

（ａ）常温で液状である、Ｃ_4 〜Ｃ_8 のイソモノオレフィンとｐ−アルキルスチレンとの共重合体のハロゲン化物および（ｂ）分子内に１級アミン、２級アミン、チオール基、酸無水物基、カルボキシル基を２つ以上もつ化合物からなる二液型硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The pixel circuit P includes the electro-optical element E having a grayscale, corresponding to a drive current IDR flowing through a path r1, a drive transistor TDR disposed in the path r1 and controlling the drive current IDR according to the potential VG at the gate, and a capacitive element CA having electrodes a1 and a2.例文帳に追加

画素回路Ｐは、経路ｒ1に流れる駆動電流ＩDRに応じた階調となる電気光学素子Ｅと、経路ｒ1上に配置されてゲートの電位ＶGに応じて駆動電流ＩDRを制御する駆動トランジスタＴDRと、電極ａ1およびａ2を有する容量素子ＣAとを具備する。 - 特許庁

This simple footwear S includes: a single-layered cloth sock body 1 covering a foot of a user P; a protection sole 2 providing protection in close contact with at least the bottom side of the sock body 1; and an inner sole 3 attachably/detachably positioned on the inner bottom of the sock body 1.例文帳に追加

簡易靴Ｓは、使用者Ｐの足を被覆する単層布状の靴下本体１と、当該靴下本体１の少なくとも底面側に密着して保護する保護ソール部２と、前記靴下本体１の内部底面に着脱可能に位置付けたインナーソール部３とを具備するものである。 - 特許庁

A steering assist force controller 15 is constituted in such a manner that an assist coefficient K is set to a large value if tire pneumatic pressure P is within the proper range and is low and the assist coefficient is quickly reduced and a steering assist force is quickly reduced if tire pneumatic pressure is reduced exceeding the proper scope.例文帳に追加

操舵アシスト力制御装置（１５）は、タイヤ空気圧が適正範囲内にあればアシスト係数（Ｋ）をタイヤ空気圧（Ｐ）が低いほど大きい値に設定する一方、タイヤ空気圧が適正範囲を越えて低下したときにはアシスト係数を急減させて操舵アシスト力を急激に低下させる。 - 特許庁

A capacity element 15 is formed with an independent n-type area 16 in the silicon substrate 11, pn junction is formed of the n-type area 16 and the p-type silicon substrate 11, and a depletion layer capacity C12 of an independent depletion layer 17 formed at the joint of the pn junction is used.例文帳に追加

その容量素子１５は、シリコン基板１１内に独立のｎ型領域１６を設け、このｎ型領域１６とｐ型のシリコン基板１１とでｐｎ接合を形成し、そのｐｎ接合の接合部に形成される独立の空乏層１７の空乏層容量Ｃ１２を利用するようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing the AFI type aluminophosphate is the method for manufacturing the AFI type aluminophosphate of the particulates, in which at the time of performing hydrothermal synthesis of aqueous starting raw materials including a P source, an Al source, an Fe source, and a template, the raw materials are stirred at a stirring line speed of ≥0.05 m/s.例文帳に追加

また、ＡＦＩ型鉄アルミノフォスフェートの製造方法は、上記の微粒子のＡＦＩ型鉄アルミノフォスフェートの製造方法であり、Ｐ源、Ａｌ源、Ｆｅ源およびテンプレートを含む水性出発原料を水熱合成するに際し、０．０５ｍ／ｓ以上の攪拌線速で攪拌する。 - 特許庁

The effective power flows P from the plurality of individual VQC devices 202 are inputted into the central VQC device 101, and with these inputs a reference voltage which becomes an optimum targeted voltage of the individual VQC device 202 in each block is calculated and transmitted to the individual VQC device 202.例文帳に追加

中央ＶＱＣ装置１０１は複数の個別ＶＱＣ装置２０２からの有効電力潮流Ｐを入力し、それに基づいて各ブロック内の個別ＶＱＣ装置２０２の最適目標電圧である基準電圧を算出し、個別ＶＱＣ装置２０２に伝達する。 - 特許庁

An engaging section B engaged with an engaging section A formed at the side end of a wall panel 20 constituting the prefabricated room is formed at a hollow columnar joint member 1 for connecting the wall panels 20, 20 to each other, and part of a pipe P is housed in the joint member 1.例文帳に追加

ユニットルームを構成する壁パネル２０の側端部に形成された係合部Ａに係合させる係合部Ｂを、壁パネル同士２０、２０を連結するための中空柱状の連結部材１に設け、配管Ｐの一部を、その連結部材１に収納して取り付ける構造としている。 - 特許庁

To firmly combine both ducts 11 and 13 under an assembled state to a vehicle without increasing manufacturing costs when the vent duct 11 and the defroster duct 13 which are arranged in an instrument panel P are connected with a thin hinge 15 and integrally molded by blow-molding.例文帳に追加

インストルメントパネルＰの内部に配設されるベントダクト１１及びデフロスタダクト１３を薄肉ヒンジ１５により連結してブロー成形により一体成形する場合に、製造コストを増加させることなく、両ダクト１１，１３を車両への組み付け状態でしっかりと結合させる。 - 特許庁

The terminal box for solar cell modules has a pair of terminal boards 20, 20 disposed for connecting electrodes a of a solar cell module M in a box body 11, a reverse current blocking bypass diode 3 provided between both terminal boards and an outer connecting cable P connected to both terminal boards.例文帳に追加

ボックス本体１１内に、太陽電池モジュールＭの電極ａ接続用の対の端子板２０、２０を配設し、その両端子板間に逆流防止用バイパスダイオード３を設け、両端子板に外部接続用ケーブルＰを接続した太陽電池モジュール用端子ボックスである。 - 特許庁

The signal changeover controller 7 compares voltages of control signals g-in outputted from reception circuits 1-3 and outputs a control signal (p) to a signal changeover circuit 6 so as to select a reception circuit, e.g. the reception circuit 1, that generates the lowest control voltage, for example.例文帳に追加

信号切り替え制御器７では、各受信回路１〜３から出力される制御信号ｇ〜ｉの電圧を比較し、例えば最も低い制御電圧を発生している受信回路、すなわち受信回路１を選択するように制御信号ｐを信号切り替え器６に出力する。 - 特許庁

The variation in the hue of the color of the toner caused by having the toner of the station before being mixed into the developing device of the next station due to influence of retransfer attached to a photoreceptor drum of the next station when the toner transferred to transfer material P on a transfer belt 15 at the station before reaches the next station is controlled.例文帳に追加

前のステーションで転写ベルト１５上の転写材Ｐに転写されたトナーが、次のステーションに到達したときに次のステーションの感光ドラムに付着する再転写の影響により、次のステーションの現像器に前のステーションのトナーが混入して起こる色味の変動を抑制する。 - 特許庁

In NMISQN and PMISQP each equipped with the gate insulating film 7 made of high-k material, channels are made at a position deeper than a contacting interface between the gate insulating film 7 and a p-type semiconductor layer 2a or an n-type semiconductor layer 2b.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ材料で形成されるゲート絶縁膜７を有するＮＭＩＳＱＮとＰＭＩＳＱＰにおいて、その動作時にチャネルがゲート絶縁膜７とＰ型半導体層２ａまたはＮ型半導体層２ｂとの接触界面よりも深い位置に形成されるようにする。 - 特許庁

Further, a switch SW composed of a P channel transistor connected between the anode (node NA) and cathode (node NC) of the boost capacitor is provided as a potential control means which holds the anode (node NA) at the potential of the cathode (node NA) when the boosting circuit is in operation.例文帳に追加

更に、この昇圧回路の動作時に前記ブースト容量のアノード（ノードＮＡ）の電位をカソード（ノードＮＣ）の電位と一致させる電位制御手段として、アノード（ノードＮＡ）とカソード（ノードＮＣ）との間に接続されたＰチャネルトランジスタからなるスイッチＳＷが設けられている。 - 特許庁