「w.」に関連した英語例文の一覧と使い方(502ページ目) - Weblio英語例文検索

The coolant supply devices 42, 44 are respectively disposed on both sides in the axial direction of the wire with the work 28 held between them, and controlled by a controller so that the coolant is supplied from the coolant supply devices 42, 44 located on the downstream side of the work in the driving direction according to the driving direction of the wire W.例文帳に追加

これらの冷媒供給装置４２，４４はそれぞれ、ワーク２８を挟んでワイヤ軸方向両側に配備されており、ワイヤＷの駆動方向に応じて当該駆動方向におけるワーク下流側に位置する冷媒供給装置４２，４４からのみ冷媒が供給されるようにコントローラにより制御される。 - 特許庁

To transmit a signal without distortion even if the number of times of multiplexing is increased and to reduce the consumption current by reducing the current of an amplifier circuit when the number of multiplexing is small in a semiconductor integrated circuit for communication that constructs a radio communication system of a code multiplex system such as a W-CDMA (wideband code division multiple access).例文帳に追加

Ｗ−ＣＤＭＡのような符号多重化方式の無線通信システムを構成する通信用半導体集積回路において、多重数を多くしても歪みなく信号を送信できるとともに多重数が少ない時は増幅回路の電流を少なくして消費電流を減らすことができるようにする。 - 特許庁

The circulating pump 31 is installed in the rear of a filter case 20 which holds a lint filter 25 through the front of the external box, the circulating pump 31 is attached sloping back downward from the filter case 20 at the angle θ at which a pump vane 37 sinks even at the time of the lowest water level W while the circulating pump 31 circulates the water.例文帳に追加

循環ポンプ３１を、リントフィルタ２５を外箱の前方より収容するフィルタケース２０の後部に設け、そのフィルタケース２０から循環ポンプ３１を、該循環ポンプ３１が水を循環させるときの中で、最低水位Ｗとなるときにもポンプ羽根３７が水没する角度θ、後下がりに傾斜させて設けた。 - 特許庁

The lamp body side terminal 40 comprises an electric wire pressure connecting part 41 capable of pressure connecting an electric wire W; and an elastic contact part 42 elastically contacting the stationary contact parts 24 of the socket side terminals 20a, 20b attached to the bulb socket 10 as the bulb socket 10 is attached to an attachment opening 32.例文帳に追加

ランプボディ側端子４０は、電線Ｗを圧接可能な電線圧接部４１と、バルブソケット１０が取付開口３２に装着されるのに伴って、そのバルブソケット１０に装着されたソケット側端子２０ａ，２０ｂの固定接触部２４に対して弾性接触される弾性接触部４２とを備えている。 - 特許庁

The metallocene compound is represented by the general formula: (Cp)_zMR_wX_y (wherein Cp represents an unsubstituted or substituted cyclopentadienyl ring, M represents a IVB or VB-group transition metal, R represents a hydrocarbyl group having 1-20C, X represents a halogen, 1≤z≤3, 0≤w≤3 and 0≤y≤3).例文帳に追加

メタロセン化合物は、一般化学式（Ｃｐ）zＭＲwＸyにより表され、ここで、Ｃｐは未置換または置換シクロペンタジエニル環を表し、ＭはＩＶＢまたはＶＢ族の遷移金属を表し、Ｒは、１から２０までの炭素原子を有するヒドロカルビル基を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、１≦ｚ≦３、０≦ｗ≦３、０≦ｙ≦３である。 - 特許庁

This load port 1 comprises a mounting stage 7 for receiving and placing the open cassette 6 in which a wafer W is loaded, which is arranged in a clean room 2, and 2 front side door 13 for opening/closing so as to separate the mounting stage 7 from the clean room 2, and the front door is constituted of transparent or semitransparent materials.例文帳に追加

クリーンルーム２内に配置され、ウェハＷを装填したオープンカセット６を受け取って載置する載置台７と、該載置台７をクリーンルーム２に対して離隔するように開閉される前側ドア１３とを具備するとともに、前側ドア１３が、透明または半透明の材料から構成されているオープンカセット用ロードポートを提供する。 - 特許庁

The calculation device 82 determines a target exhaust resistance Rr when the measured power generation output W is output from a relation map M, determines chimney effect Z using a structure of an exhaust pipe 22 and the measured exhaust temperature T, and determines the exhaust resistance R determined by adding the chimney effect Z to the exhaust pressure P.例文帳に追加

算出手段８２は、測定した発電出力Ｗを出力するときの目標排気抵抗Ｒｒを関係マップＭより求めると共に、排気管２２の構造及び測定した排気温度Ｔを用いて煙突効果Ｚを求め、かつ排気圧力Ｐに煙突効果Ｚを加算して求めた排気抵抗Ｒを求める。 - 特許庁

When the nuclear reactor is decommissioned, laser beam for cutting is oscillated by the laser oscillator 1 outside the unclear reactor, introduced into the nuclear reactor by the optical fiber 3, and condensed by the cutting head 4, and the leaser beam irradiates the machine to be cut in the nuclear reactor equipment W to cut with the cutting gas blasted.例文帳に追加

原子炉を解体するにあたり、原子炉の外部においてレーザ発振器１を用いて切断加工のためのレーザ光を発振し、レーザ光を光ファイバ３で原子炉の内部に導き、加工ヘッド４でレーザ光を集光し、切断対象の原子炉機器Ｗに対して照射し、かつ切断ガスを吹き付けて切断する。 - 特許庁

In the apparatus for producing the semiconductor single crystal, a forced cooling tube 11 for circulating a cooling fluid W is arranged above a raw melt so as to surround the semiconductor single crystal 3 being pulled from the raw melt stared in a crucible, and the single crystal is grown by a Czochralski method while removing radiant heat from the semiconductor single crystal 3 by the forced cooling tube 11.例文帳に追加

半導体単結晶の製造装置は、原料融液の上方において、ルツボに収容した原料融液から引き上げられる半導体単結晶３を取り囲む形で、冷却流体Ｗを流通させる強制冷却筒１１が配置され、強制冷却筒１１により引き上げた半導体単結晶３からの輻射熱を除去しつつチョクラルスキー法により単結晶を育成するものである。 - 特許庁

The removing tool is provided with a plurality of masking members 11 which are arranged in parallel and at equal intervals in accordance with a plurality of passage grooves 21 in the workpiece fixing jig 2 and are formed in width W that can cover groove base parts 21a of the passage grooves 21 and with supporting members 12 supporting both ends of the masking members 11.例文帳に追加

被加工物固定用治具２における多数の通路用溝２１に対応させて平行且つ等間隔に配列され、通路用溝２１の溝底部２１ａを被覆可能な幅Ｗに形成された多数のマスキング部材１１と、それらのマスキング部材１１の両端を支持する支持部材１２とを有する。 - 特許庁

When the trolley 21 passes through a guide rail 11 for cable releasing operation, the cable gripping device 1 releases a cable to prevent the vertically swinging member and the right and left swinging member from swinging upward to prevent them from interfering with the cable W so that the carrier 20 can be conveyed along the horizontal curve-like path CR with a friction roller type driving device FD.例文帳に追加

トロリ２１が放索操作ガイドレール１１を通過すると、握索装置１が放索状態となり、上下揺動部材及び左右揺動部材が上方へ揺動して索条Ｗと干渉しないようになり、キャリア２０を水平カーブ状経路ＣＲに沿ってフリクションローラ式駆動装置ＦＤにより搬送することができる。 - 特許庁

The workpiece holding device 1, for performing the centering chucking of a workpiece W with a plurality of chuck claws 9 arranged at equal intervals and angles, includes: side plates 8 on which the chuck claws 9 are turnably mounted; sliding members 7 on which the side plates 8 are mounted; and a scroll chuck body 6 for simultaneously sliding the respective sliding members 7 in a radial direction.例文帳に追加

等間隔角度で配設された複数のチャック爪９によりワークＷをセンタリングチャックするワーク保持装置１において、チャック爪９を回動自在に装着したサイドプレート８と、サイドプレート８を装着したスライド部材７と、スライド部材７の各々を半径方向に同時にスライドさせるスクロールチャック本体６とを備える。 - 特許庁

The lever shaft 4 of a dial lock 3 provided integrally on the manhole cover 1 is engaged with an engaging member 7 provided on the cover receiving frame 2 to lock the manhole cover 1 on the cover receiving frame 2, and the manhole cover 1 is unlocked by reading the unlocking code information from the ID chip 11 provided on the manhole cover 1 by the R/W terminal machine 10.例文帳に追加

マンホール蓋１に一体的に設けられたダイヤル錠３のレバーシャフト４が蓋受枠２に設けられた係合部材７に係合してマンホール蓋１が蓋受枠２に施錠され、Ｒ／Ｗ端末機10によりマンホール蓋１に設けられたＩＤチップ11から解錠符号情報を読み取って解錠するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

In manufacturing a retaining seal material for a catalyst converter 1 for exhaust emission control and also manufacturing the catalyst converter 1, the non-expansive seal mat 2 is impregnated with water component W as a binder of low-temperature solidifying medium, so that the seal mat itself 2 has low friction owing to an ice phase film formed when the binder is turned into ice by cooling.例文帳に追加

本発明に係る排気ガス浄化用触媒コンバータ１の保持用シール材および排気ガス浄化用触媒コンバータ１の製造方法では、無膨張性シールマット２に低温凝固媒体のバインダーとして水成分Ｗを含浸させているので、このバインダーが冷却により氷化した氷層膜により無膨張性シールマット２自体が低摩擦となる。 - 特許庁

A cylindrical grinder 1 is equipped with a rotary dresser 21 rotating around an axis parallel to a horizontal axis direction of a workpiece w chucked by a headstock 2 and a tailstock 3 on the right side facing the tailstock, and includes a whetstone forming mechanism having a coarse single-stone diamond edge 22 and a fine single-stone diamond edge 23 toward a whetstone base 10.例文帳に追加

主軸台２と心押台３によりチャックされたワ−クｗの水平軸方向に平行な軸回りに回転するロ−タリ−ドレッサ２１を心押台に対向する右側に設け、粗単石ダイヤモンド刃２２と精単石ダイヤモンド刃２３を砥石台１０側に向けて備える砥石成形機構を備える円筒研削装置１。 - 特許庁

Since laser beams can be irradiated in both the longitudinal direction of the laser beam source unit 10 and the direction orthogonal thereto, a laser beam machining apparatus can be installed without any running-out of the workpiece in the width direction with respect to a conveying line L even when the printing is performed on either the top face or the side face of a workpiece W.例文帳に追加

そのため、レーザ光をレーザ光源ユニット１０の長手方向並びにこれと直交する方向のいずれの方向へも照射出来るから、ワークＷの上面或いは側面のいずれの面に印字等する場合であっても搬送ラインＬに対して幅方向の飛び出しなく同レーザ加工装置を設置することが出来る。 - 特許庁

A multiplayer film, whose main composition is W having a mechanical strength larger than a wiring 18B whose main conductive layer is an Al alloy film and a bonding pad BP, is formed in an opening 21B formed in a silicon oxide 19, 20, and a multiplayer film 22B is interposed between the wiring 18B and the bonding pad BP.例文帳に追加

酸化シリコン膜１９、２０に形成された開口部２１Ｂ内において、Ａｌ合金膜を主導電層とする配線１８ＢおよびボンディングパッドＢＰに比べて機械的強度の強いＷを主成分とする積層膜２２Ｂを形成し、配線１８ＢとボンディングパッドＢＰとの間に積層膜２２Ｂが介在する形状とする。 - 特許庁

Further, the capacitor 102 is provided with an SiO_2 layer 118 for electrically insulating the upper electrode 107 and wiring 105, a contact hole 103a to form a W-plug 113 for electrically connecting an impurity layer 117 and the lower electrode 111, and a contact hole 103b for electrically connecting the lower electrode 111 and wiring 105.例文帳に追加

さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁

When forming, for example, the surface of a lower electrode for a capacitor on the surface of a semiconductor wafer W which is an object to be processed, a process of depositing a HSG polysilicon film (rugged polysilicon film) 16 non-selectively and a process of doping an impurity such as phosphorus into the polysilicon film are conducted continuously in one and the same processing container 28.例文帳に追加

被処理体である半導体ウエハＷの表面に例えばキャパシタ用の下部電極の表面を形成する場合、非選択でＨＳＧポリシリコン膜（ラグドポリシリコン膜）１６を堆積させる工程と、このポリシリコン膜中に不純物、例えばリンをドープさせる工程とを、同一の処理容器２８内で連続的に行なう。 - 特許庁

The plurality of trough rollers 15a and 15b are arranged so that a conveyer belt Wa unwound from a winding roller 8 is supported like a trough and a trough angle αis gradually increased toward a leading-in dedicated device 16 of the conveyer belt installed on the leading-in side Zy of the belt body W on the base plate 12.例文帳に追加

複数本のトラフローラ１５ａ，１５ｂは、前記巻出しロール８から巻出されたコンベヤベルトＷａを樋状に支持しながら、かつベースプレート上１２のベルト本体Ｗの引込み側Ｚｙに設置したコンベヤベルトの引込み専用装置１６に向かってトラフ角度αが除々に大きくなるように配設されている。 - 特許庁

In sound insulating panels 1a, 1b stacked in the vertical direction, the rain W on an outer surface 11 of the upper sound insulating panel 1a is uniformly distributed and led to an inner surface 12 of the lower sound insulating panel 1b along a water passage 6 provided in a lower frame 4 of the vertically adjacent upper sound insulating panel 1a.例文帳に追加

上下に積み重ねられた防音パネル１ａ，１ｂにおいて、上下に隣接する上段の防音パネル１ａの下枠材４に設けた水の通り道６を伝わせて、上段の防音パネル１ａの外側の面１１上に降った雨水Ｗを均一に分散させて下段の防音パネル１ｂの内側の面１２上に導くようにする。 - 特許庁

The material 9 allows representation of a deeper tint and a silky finish, which cannot be represented in surface treatment of metal, so as to improve the designability; and the gap S can prevent the damage to the material 9 from being caused by the deflection W of the wall surface 8, so as to enhance the durability.例文帳に追加

前記窯業系外壁材９により金属の表面処理では出すことのできない深みのある色合いと艶やかな仕上げを表現することができ、意匠性の向上が図れると共に、前記隙間Ｓにより壁面８の撓みＷに起因する窯業系外壁材９の破損を防止することができ、耐久性の向上が図れる。 - 特許庁

An etching processing device 20 for etching an object in an evacuated atmosphere comprises a processing bath 21, where a carried-in semiconductor wafer W is etched, and a vacuum pump 30, which provided on the lower side of a susceptor 22 of the processing bath 21 while being coaxial with the processing bath 21, sucks the exhaust of the processing bath 21 for evacuation.例文帳に追加

真空雰囲気で被処理体にエッチング処理を施すエッチング処理装置２０は、搬入された半導体ウエハＷにエッチング処理を施すための処理容器２１と、この処理容器２１のサセプタ２２の下方側に処理容器２１と同軸的に配置され、処理容器２１内の排気を吸引して真空引きするための真空ポンプ３０とを具備する。 - 特許庁

The cathode electrode 6 for plating the wafer for supplying plating current to the wafer 2 by coming into contact with the end edge 10 of the wafer consists of a base layer 13 formed of Au, an intermediate layer 14 formed of Ti and a wafer contact layer 15 formed of any one among TiN, WN, TaN, W and Ta.例文帳に追加

ウェーハ２の縁端部１０と接触しめっき電流を供給するためのウェーハめっき用カソード電極６において、カソード電極６は、Ａｕにより形成されたベース層１３と、Ｔｉにより形成された中間層１４と、ＴｉＮ、ＷＮ、ＴａＮ、Ｗ、Ｔａのいずれか１つにより形成されたウェーハ接触層１５とからなるものとした。 - 特許庁

Substrate treatment equipment is provided with a reaction tube 30 which forms a substrate treatment region for treating a wafer W, the furnace throat flange 4 which supports the reaction tube 30, a gas supply line 7 which is arranged in the furnace throat flange 4 and supplies gas inside the reaction tube 30, and an electrode 32a and a ground electrode 32b which generate plasma.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェーハＷを処理する基板処理領域を形成する反応管３０と、反応管３０を支持する炉口フランジ４と、炉口フランジ４に設けられて反応管３０内にガスを供給するガス供給管７と、プラズマを生成する電極３２ａとアース電極３２ｂとを備える。 - 特許庁

The ceramic masher roll is used for flattening the flashes and burrs generated at both ends of the trimmed metallic bands, At least the portions to mash the metallic band are composed of a sintered compact composed of silicon nitride as a principal component and the thermal conductivity at ordinary temperature of the sintered compact is ≥50 W/(mxK).例文帳に追加

トリミングした金属帯の両端部に生じたバリ部や返り部を押し潰して平坦化するのに用いられるセラミックス製マッシャーロールであって、少なくとも金属帯を押し潰す部分が窒化ケイ素を主成分とする焼結体からなり、該焼結体の常温における熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを特徴とする。 - 特許庁

This cathode includes a polycrystalline 1 or a porous substance, having a high-melting point consisting of, for instance, W and an emissive material 2, in which at least one material selected from among a group of hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, ceric oxide and titanium oxide is dispersed into the polycrystalline substance, with the content being 0.1 to 3 weight %.例文帳に追加

たとえばＷからなる高融点金属材料の多結晶体１または多結晶多孔質体と、その多結晶体１中に、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化セリウム、および酸化チタンの群れから選ばれる少なくとも１種が０.１〜３０重量％分散されたエミッタ材２とからなっている。 - 特許庁

To provide double glazing applicable to a standard sash frame used in a general home and having 100 mm thickness, having sound insulation class T-3 according to JIS A4706:2000 and having ≤2.08 W/m^2×K heat transmission coefficient required to the area III based on Ministry of Land, Infrastructure and Transport notification No. 378.例文帳に追加

一般住宅で使用される厚さ１００ｍｍの標準サッシ用枠に適用できる、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に規定されるＴ−３等級の遮音性能を有し、国土交通省告示第３７８号のIII地域に対して要求される熱貫流率が、２．０８Ｗ／ｍ^２・Ｋ以下の複層ガラスを提供する。 - 特許庁

A machining head 26 for rotationally driving a machining tool 27 is mounted to a support shaft 21 pivotably mounted to the tool support base 18, a spring force of a tension coil spring 36 is applied to the machining tool 27 through an oscillating lever 34 mounted to the support shaft 21, and the workpiece W is energized by pressing force in the oscillating direction.例文帳に追加

工具支持台１８に揺動自在に装着された支持軸２１には加工工具２７を回転駆動する加工ヘッド２６が装着され、支持軸２１に取り付けられた揺動レバー３４を介して引っ張りコイルばね３６のばね力が加工工具２７に加えられ、ワークＷに対して揺動方向の押し付け力が付勢される。 - 特許庁

To provide a method of reducing the thickness of a hot slab by which yield can be improved due to the reduction of width correcting work such as an edger and the reduction of trimming by reducing a width spread W at the reduction in a thickness direction and a width distribution ΔW while holding excellent productivity when performing the reduction in the thickness direction by a thickness reducing press.例文帳に追加

板厚圧下プレスによってスラブの板厚方向圧下を行うに際して、良好な生産性を保持しつつ、板厚方向圧下時の幅広がりＷ、幅分布ΔＷを低減して、エッジャー等の幅修正加工の縮小化やトリム代の低減による歩留まり向上を可能とする熱間スラブの板厚圧下方法を提供する。 - 特許庁

The inter-node relation may be represented w ith the advance notification relation (which TN is executed is associated with which other node existing at the downstream of the node is executed, without fail) and/or a task-dependent branch relation (the association of the BN and the TN for outputting a variable value to be referred to in executing the BN).例文帳に追加

ノード間関係としては、先行通知関係（どのＴＮが実行される場合にそのノードの下流に存在するどの別のノードが必ず実行されることになるか）、及び／又は、タスク依存分岐関係（ＢＮと、そのＢＮの実行において参照される変数値を出力するＴＮとの対応付け）がある。 - 特許庁

The device is provided with a water pan 9 capable of storing water W, a guide pipe 10 for guiding the dust-containing air to the water pan 9, a pass partition 11 dividing the water pan 9 and a baffle board 12 on which the dust-containing air flowing from the upper side of the baffle board is blown.例文帳に追加

粉塵補捉除去機構８は、水Ｗを蓄え可能なウォータパン９と、ウォータパン９に粉塵含有空気を水中に案内するための案内パイプ１０と、ウォータパン９を区画する仕切り板１１と、仕切り板１１の上方から流れる粉塵含有空気が吹き付けられるための邪魔板１２とを備える。 - 特許庁

The residual ozone s remaining in the injection water w after the sterilization cleaning by the ozone s is separated by using a deaeration tank 20 and the ozone separated in the deaeration tank 20 is reused as sterilizer for sterilizing the drinking water, food container, etc., used in the ship or as a deodorizer for deodorizing the food warehouse, toilet, etc.例文帳に追加

オゾンｓにより殺菌浄化後の注入水ｗの中に残存している残存オゾンｓを脱気タンク２０を用いて分離し、該脱気タンク２０で分離したオゾンｓを、船舶内で使用する飲料水や食料コンテナ等を殺菌する殺菌剤、あるいは糧食倉庫やトイレ等を脱臭する脱臭剤として再利用する。 - 特許庁

In the instrument for foot massage, integrated and engaging massage arms enables massage of insides of intervening Achilles' tendons of the upper ankles or their peripheries, which is effective to soothe feet, by the heals which is alternately weighted in grounding by usual walking and stepping, and treading W-shaped bottoms and plates.例文帳に追加

通常の歩行や足踏みによって片側ずつ交互に接地時に加重されたかかとが、Ｗ字の底部の踏みつけプレートを踏むことで、一体化された揉みほぐしアームが連動して狭まりながら足の疲労回復に効果のあるくるぶし上部のアキレス腱内側やその周辺を揉みほぐすことができる足のマッサージ用器具。 - 特許庁

The display controller 50 includes a memory 90 where the transmitted multimedia processing program is loaded, a built-in CPU 70 for carrying out a software processing portion assigned to software processing in multimedia processing, based on the multimedia processing program, and an H/W accelerator 80 for carrying out hardware processing assigned to hardware processing in the multimedia processing.例文帳に追加

表示コントローラ５０は、送信されたマルチメディア処理用プログラムがロードされるメモリ９０と、マルチメディア処理用プログラムに基づいてマルチメディア処理のうちソフトウェア処理に割り当てられたソフトウェア処理部分を実行する内蔵ＣＰＵ７０と、マルティメディア処理のうちハードウェア処理に割り当てられたハードウェア処理部分を実行するＨ／Ｗアクセラレータ８０を含む。 - 特許庁

The bit string 51 includes the 1st bit strings W consecutive for bit number over bit number for parallel processing and the 3rd bit string Y, the 2nd bit strings X consecutive for bit number over bit number for parallel processing and the 4th bit string Z.例文帳に追加

ビット列５１は、第１のビット列Ｗを、前記並列処理時のビット数以上のビット数を持つビット列が形成される個数連続させ、その後に第３のビット列Ｙを付加し、その後に、第２のビット列Ｘを、前記並列処理時のビット数以上のビット数を持つビット列が形成される個数連続させ、その後に第４のビット列Ｚが付加してあるビット列である。 - 特許庁

The even write signal generation circuit generates an even write address signal WA-W while using 0 as an initial value and 126 as a maximum address together with an even write enable signal WE-E with an externally supplied write enable signal WE (= main clock MC) as reference and supplies it to the SRAM 2.例文帳に追加

偶数ライト信号生成回路は、外部から供給されるライトイネーブル信号ＷＥ（＝メインクロックＭＣ）を基準に、０を初期値とし１２６を最大アドレスとする偶数ライトアドレス信号ＷＡ＿Ｗを偶数ライトイネーブル信号ＷＥ＿Ｅとともに生成して、ＳＲＡＭ２に供給する。 - 特許庁

In this lithographic printing original plate, an image recording layer including thermally amalgamable self-water-dispersible resin particulates and allowing to be written through infrared laser exposure is provided on an aluminum board having a hydrophilic film obtained by being electrochemically roughening treated in a hydrochloric acid-containing aqueous solution and having the thermal conductivity of 0.05 to 0.5 W/mk.例文帳に追加

塩酸を含有する水溶液中で電気化学的粗面化処理され、熱伝導率が０．０５〜０．５Ｗ／ｍＫである親水膜を有するアルミニウム基板上に、熱により合体する自己水分散性樹脂微粒子を含有し、赤外線レーザー露光により書き込み可能な画像記録層を有する平版印刷用原板。 - 特許庁

In the screw type grindstone 11 formed in a barrel shape with the diameter becoming gradually smaller as it goes from the axial intermediate portion toward both axial ends to be meshed with a workpiece W angled by an axial angle Σ during machining the workpiece, the helix angle of the grindstone is set corresponding to the length from the axial intermediate portion.例文帳に追加

ワーク加工時に、該ワークＷに対して軸角Σが与えられた状態で噛み合わされるために、その軸方向中間部から軸方向両端部に向かうに従って、その径が漸次小さくなるような樽形に形成されるねじ状砥石１１において、砥石ねじれ角をその軸方向中間部からの長さに応じて設定する。 - 特許庁

Plaster 2 and micro-capsules 3 having a liquid 32 containing hinokitiol are at least contained in the raw material of the tabular wall panel 1 stuck and applied on the wall W of a building, and the micro-capsules 3 have capsule bodies 31 capable of discharging the liquid 32 into the inside by a collapse due to at least a change with time.例文帳に追加

建築物の壁Ｗに貼り付けて施工される板状の壁パネル１の原材料に、漆喰２と、ヒノキチオールを含有する液体３２を内蔵するマイクロカプセル３とを少なくとも含有させ、マイクロカプセル３に、少なくとも経時変化により崩壊することで内部の液体３２を放出し得るカプセル本体３１を具備させた。 - 特許庁

A degating part 5 is adapted such that the cavity plate 1 is clamped with an upper clamp unit A and a lower clamp unit B, and the scrap 25 and a work W are separated from the cavity plate 1 by pressing the scrap 25 and the package part 24 through a transparent hole in the cavity plate 1.例文帳に追加

ディゲート部５はキャビティプレート１が上クランプユニットＡ及び下クランプユニットＢによりクランプされ、キャビティプレート１の透孔を通じてスクラップ部２５及びパッケージ部２４を押動することにより、スクラップ部２５及びワークＷをキャビティプレート１から各々分離させる。 - 特許庁

The wastewater treatment agent comprising an inorganic flocculant or based on the inorganic flocculant and containing a polymer flocculant is added to and mixed with O/W type emulsion wastewater to form macro flocs, and the emulsion wastewater is treated through oil-water separation treatment for removing and separating the macro flocs and the clarification treatment of the separated, formed water after the removal of the macro flocs.例文帳に追加

Ｏ／Ｗ型のエマルション廃水に無機凝集剤からなる又は無機凝集剤を主体として高分子凝集剤を含有する廃水処理剤を添加混合してマクロフロックを生成させて、該マクロフロックを除去分離する油水分離処理、及び、マクロフロック除去後の分離生成水の清澄化処理を経て、エマルション系廃水を処理する方法。 - 特許庁

By forming a modification region P inside a wafer W at a part other than a dicing street S and near the semiconductor element E inside the semiconductor device D, gettering effect is obtained and the traverse rupture strength of the chip C is improved, without imparting distortions to the periphery of the individual chip C, where the semiconductor device D is formed.例文帳に追加

改質領域ＰをダイシングストリートＳ以外の箇所であって半導体装置Ｄ内の半導体素子Ｅの近傍であるウェーハＷ内部へ形成することにより、ゲッタリング効果を得ると共に半導体装置Ｄが形成された個々のチップＣの周囲に歪みを与えずチップＣの抗折強度向上が可能となる。 - 特許庁

Wherein, W is the additional quantity (mass ppm) of REM; T.[O] is the total oxygen quantity (mass ppm) contained in the molten steel before adding REM and ΔO is the predicted quantity (mass ppm) oxygen increased in the molten steel in the interval from after adding REM to the reaching to the tundish.例文帳に追加

０．０２５×（Ｔ．[Ｏ]＋ΔＯ）＜Ｗ＜０．０５×（Ｔ．[Ｏ]＋ΔＯ）・・・（１）[但し，Ｗ：ＲＥＭの添加量（質量ｐｐｍ），Ｔ．[Ｏ]：ＲＥＭ添加前に溶鋼が含有する総酸素量（質量ｐｐｍ），ΔＯ：ＲＥＭ添加後からタンディッシュ到達までの間に予測される溶鋼の酸素増加量（質量ｐｐｍ）] - 特許庁

The laser marking device comprises a laser beam oscillation apparatus 50 to emit laser beams of spherical dot shape, wavelength selection devices 48a to 48c having a plurality of wavelength converters to convert the wavelength of laser beams incident from the laser beam oscillation apparatus into wavelengths different from each other, and a condensing lens 59 to condense laser beams on a work W to be marked.例文帳に追加

球体ドット状のレーザ光を出射するレーザ発振装置５０と、レーザ発振装置５０から入射するレーザ光の波長をそれぞれ異なる波長に変換する複数の波長変換装置を備える波長選択装置４８ａ乃至４８ｃと、レーザ光を被マーキング材Ｗ上に集光する集光レンズ５９とを備えるレーザマーキング装置に関する。 - 特許庁