「Formation Process」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for producing a paste for thick film formation involves a process comprising filtration of an organic vehicle prepared by dissolving a resin in a solvent through a filter 3 μm in mesh size under a pressure of ≤0.1 MPa; wherein the above filter is characterized by being a sintered nonwoven fabric filter.例文帳に追加

本発明の厚膜形成用ペーストの製造方法は、樹脂を溶剤に溶解させた有機ビヒクルを、目開きが３μｍ以下のフィルタを用いて０．１ＭＰａ以下の圧力で濾過する工程を備え、上述のフィルタは、焼結不織布フィルタであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and process for large scale inline manufacturing of CdTe photovoltaic modules in which all steps, including rapid substrate heating, deposition of CdS, deposition of CdTe, CdCl_2 treatment, and ohmic contact formation, are performed within a single vacuum boundary at intermediate vacuum pressures.例文帳に追加

基体の急速加熱、ＣｄＳの成膜、ＣｄＴｅの成膜、ＣｄＣｌ_２処理お よびオーム接点形成を含むすべての工程を中程度の圧力で単独の真空境界内で実施する、ＣｄＴｅ光起電力モジュールを大規模インラインで製造するための装置およびプロセスを提供する。 - 特許庁

When the seed layer is formed by an ionization PVD process, the power for plasma formation and RF bias are adjusted, and an initial seed layer where the bottom of the opening is formed is resputtered for depositing onto the side wall of the opening, thus forming the seed layer with the superior side-wall step coverage characteristics.例文帳に追加

イオン化ＰＶＤ工程によるシード層の形成の時、プラズマ形成用の電力およびＲＦバイアスを調節してオープニングの底の形成される初期シード層をリスパッタリングしてオープニングの側壁に再蒸着して、側壁ステップカバレージ特性が優秀なシード層を形成できる。 - 特許庁

To provide a developing method for photoresist film which can not only shorten the process time but also can improve the wavelength area selection ratio to enable the formation of a photoresist pattern of a sharp shape, a manufacturing method for a semiconductor device using the developing method, and a developer suitable for excuting the developing method.例文帳に追加

処理時間を短縮できるのはもちろん選択比を向上してシャープな形状のレジストパターンの形成を可能にしたレジスト膜の現像方法、及びこの現像方法を用いた半導体装置の製造方法、さらに現像方法の実施に好適な現像装置を提供する。 - 特許庁

Since ruggedness resulting from dents 55H provided in the insulator layer 55 is fully eased in a polishing process, when a plurality of thin film magnetic heads are formed on a wafer in parallel, the formation thickness of principal magnetic pole layers 10 become to be hardly fluctuated among respective thin film magnetic heads.例文帳に追加

研磨過程において絶縁層５５に設けられている窪み５５Ｈに起因する凹凸が十分に緩和されるため、ウェハに複数の薄膜磁気ヘッドを並列的に形成する場合に、各薄膜磁気ヘッド間において主磁極層１０の形成厚さがばらつきにくくなる。 - 特許庁

To provide felt materials to be applied for such a photographic image formation process or various working equipment as an electronic copying machine, a laser beam printer and a facsimile machine for achieving the leakage prevention of toner and the scraping of residual toner by bringing it close contact with the peripheral faces of a photoreceptor drum, developing roller and fixing roller or the like.例文帳に追加

フェルト材として主に電子複写機、レーザビームプリンタ、ファクシミリのような写真画像形成プロセスまたは各種の作業機器に適用し、感光ドラム、現像ローラや定着ローラなどの周面に密接することにより、トナーの漏出防止および残トナーの掻き取りなどを達成する。 - 特許庁

Furthermore, only surface refining treatment having favorable reproducibility is employed to control the surface tension, whereby required surface tension is readily obtained, and it is not necessary to regulate the surface tension after completing the formation of the liquid immersion status afterward, whereby the oil immersion exposure process can be finished simply.例文帳に追加

しかも、表面張力を制御するために再現性のよい表面改質処理しか使用しないため、所望の表面張力が得られやすいと共に、液浸状態の完成後において表面張力を事後的に調整する必要がないため、液浸露光工程が簡単で済む。 - 特許庁

In all transistors TA-TC, a well 11 is formed in the same manner, and a quantity of impurity to be injected to the surface of a substrate 100 for adjusting threshold voltage is set, thereby simplifying a thermal history during formation of impurity area and easing setting up of a wafer process.例文帳に追加

すべてのトランジスタＴＡ〜ＴＣで、ウェル１１を同じに形成するともにしきい値電圧調整用の基板１００の表面部への不純物注入量を同じに設定して不純物領域形成時の熱履歴を単純にし、ウェハプロセスの立ち上げを容易にする。 - 特許庁

In order to make a resist pattern to be transferred or a substrate pattern to be formed via passing process have a desired size and form, the formation means (6) sets the position coordinates of the longitudinal direction of the four practical surface light sources to be made practically different from the position coordinates in the traversal direction.例文帳に追加

瞳形状形成手段は、転写されるレジストパターンまたはプロセスを経て形成される基板パターンを所望の大きさおよび形状とするために、４つの実質的な面光源の縦方向の位置座標と横方向の位置座標とが実質的に異なるように設定する。 - 特許庁

To process a good pattern without remainders, while preventing precipitation of copper or silicon generated in a step of forming a film containing Al as a main component and containing at least Cu or Si, or in a thermal step of peeling off a defective resist pattern during pattern processing after the film formation.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、少なくともＣｕあるいはＳｉを含んだ膜の成膜時、あるいは成膜後におけるパターン加工時の不良レジストパターンの剥離時の熱工程時に発生する銅あるいはシリコンの析出を防ぎ、残渣のない良好なパターンを加工する。 - 特許庁

To prevent a heat history of the manufacture process of a memory circuit from affecting a well region of a logic circuit, and to prevent introduction of contaminants to a substrate at the time of ion implantation for well region formation in a semiconductor device for which the memory circuit and the logic circuit are consolidated.例文帳に追加

記憶回路部と論理回路部とを混載する半導体装置において、記憶回路部の製造工程の熱履歴が論理回路部のウエル領域に影響を与えないようにし、また、ウエル領域形成のイオン注入時に基板への汚染物質の導入を防止できるようにする。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the oxide thin film to form the oxide thin film (for example, interlayer 2) on the oriented metal substrate 1, having a process of cutting the oxide layer 1b of the surface of the oriented metal substrate 1 just before oxide thin film formation.例文帳に追加

配向金属基板１上に酸化物薄膜（たとえば中間層２）を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、酸化物薄膜形成の直前に配向金属基板１の表面の酸化層１ｂを切削する工程を有する酸化物薄膜の製造方法。 - 特許庁

The interview was in 1974, but Yoshimi TODA announced "The Formation Process of the Kokuga Forces System" at Japan Legal History Association Conference of December 1969 and 'aristocrats with regional army,' 'aristocrats with frontier army,' and the 'kokuga forces system' debated there and greatly affected the later bushi theory. 例文帳に追加

引用した対談は1974年のものであるが、それに先立つ1969年12月の法制史研究会総会で、戸田芳実は『国衙軍制の形成過程』を発表、そこで述べた「地方軍事貴族」または「辺境軍事貴族」という概念、そして「国衙軍制」への着目はその後の武士論に大きな影響を与えた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

2. Among signal processing equipment designed for towed hydrophone arrays and the programs of which are capable of being rewritten by the user, those which can carry out processing or correlation of the time domain or frequency domain (including spectrum analysis, digital filtering or beam formation) (excluding those which can process in real-time) 例文帳に追加

二）　えい航ハイドロホンアレー用に設計した信号処理装置であって、使用者によるプログラムの書換えが可能なもののうち、時間領域又は周波数領域の処理又は相関（スペクトル分析、デジタルフィルタリング又はビーム成形を含む。）を行うことができるもの（実時間処理できるものを除く。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

e) Among signal processors reprogrammable by the user and designed for the use in ocean bottom or a harbor/ bay cable system, which are capable of real-time processing of process or correlation of the time domain or the frequency domain (include spectrum analysis, digital filtering or beam formation 例文帳に追加

ホ　海底用又は港湾用ケーブルシステム用に設計した信号処理装置であって、使用者によるプログラムの書換えが可能なもののうち、時間領域又は周波数領域の処理又は相関（スペクトル分析、デジタルフィルタリング又はビーム成形を含む。）を実時間処理できるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide an electrophotographic photoreceptor which is used in a copying machine, a printer, a fax machine or the like using an electrophotographic process, which has superior repetition durability and surface slidability than the conventional photoreceptor, in which a coating liquid exhibits good stability in formation of a coating, and which demonstrates excellent productivity.例文帳に追加

電子写真プロセスを用いた複写機やプリンター、ファックスなどに用いられる、従来のものに比べ繰り返し耐久性および表面滑り性に優れ、しかも塗布形成の際の塗布液の安定性がよく、生産性に優れた電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

To manufacture a xerographic photoreceptor which removes foreign substances such as minute machining shavings and dust before a photosensitive layer formation process on the surface of a cylindrical substrate for the xerographic photoreceptor, and eliminates dots resulting from the foreign substances to attain high image quality by suppressing device costs and manufacturing tact.例文帳に追加

電子写真感光体用の円筒状基体表面において微小な切削切り粉やダストといった異物を、感光層形成工程前に除去し、異物に起因するポチをなくして高画質を実現する電子写真感光体を、装置コスト及び製造タクトを抑えて製造する。 - 特許庁

After a reaction vessel of a plasma CVD apparatus has been cleaned by gas plasma etching using a fluoride gas, a substrate is carried into a reaction chamber while the fluoride gas still remains in the reaction vessel, and a thin-film formation process gas is introduced into the reaction chamber, thus forming a thin film on the substrate.例文帳に追加

フッ化物ガスを用いたガスプラズマエッチングによって、プラズマＣＶＤ装置の反応容器のクリーニングを行った後、反応室内にフッ化物ガスが残留した状態で、反応容器に基板を搬入し、薄膜形成用のプロセスガスを反応室に導入し、基板上に薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a simple process for producing TDI in which the cost and the energy consumption necessary for the post-treatment of residues are minimum, and further, the loss in the yield of TDI and the formation of residual substances to be discarded are both minimum.例文帳に追加

ＴＤＩの単純な製造方法であって、残留物の後処理における費用と必要とされるエネルギー消費量が最小限であり、一方で同時に、ＴＤＩの収率損失が最小限であり、かつ廃棄されるべき残留物質の産生が最小限である方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic latent image carrier which has high wear resistance and good electrophotographic characteristics and has high durability to enable stable image formation for a long period of time, and to provide an image forming apparatus using the electrostatic latent image carrier, an image forming method, and a process cartridge.例文帳に追加

高い耐摩耗性と良好な電子写真特性を有し、長期間にわたって安定した画像形成を行うことができる高耐久な静電潜像担持体、並びに、該静電潜像担持体を用いた画像形成装置、画像形成方法、及びプロセスカートリッジを提供すること。 - 特許庁

To provide an aqueous antistatic coating composition without accompanying vaporized gas formation caused by an organic material during the process of drying to form a coated film, and capable of forming the coated film excellent in transparency, conductivity and solvent resistance, and an antistatic polyester film obtained by applying the same.例文帳に追加

乾燥して塗膜を形成する工程では有機物起因の気化ガス発生をほとんど伴うことがなく、透明性、導電性および耐溶剤性に優れた塗膜を形成できる水系の帯電防止コーティング用組成物、および、これを塗布してなる帯電防止ポリエステルフィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide an electroprocessing method which is capable of leveling the surface of a metallic film on a substrate with fine irregularities at a low processing pressure and capable of processing the metallic film at a uniform processing rate over the entire surface of the metallic film, in the formation of wirings on the substrate by the damascene process.例文帳に追加

ダマシーン法による基板上の配線形成において、微細な凹凸を有する基板上の金属膜の表面を低い加工圧力で平坦化することができ、かつ金属膜をその全面に亘って均一な加工速度で加工することができる電解加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charging device which prevents image defect for a long period of time by preventing degradation in the cleaning performance of a cleaning member due to a lapse of time and also prevents a foreign matter from adhering to a gap formation member, which is specific to a close contact system, and to provide a process cartridge and image forming apparatus.例文帳に追加

経時によるクリーニング部材のクリーニング性能の低下を防止し、かつ、近接方式特有のギャップ形成部材への付着物の付着を防止することによって、長期に亘って画像不良の発生しない帯電装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-resolution positive type chemically amplified resist material which contains a matrix resin obtained by a simple production method, enables fine resist pattern formation when applied to a non-photolithography process in which exposure is performed under vacuum, and suppresses dropping of a protective group in exposure.例文帳に追加

マトリックス樹脂が簡便な製造方法によって得られ、真空下で露光する非光リソグラフィプロセスに適用して微細なレジストパターン形成が可能であって、しかも露光時における保護基の脱落が抑制されている高解像度ポジ型化学増幅系レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor in which no crack occurs on a photoreceptor surface under conditions of being exposed by chemical substances such as oil or a hydrocarbon-based organic solvent and which satisfies requirements for scratch resistance, abrasion resistance, adhesiveness, and electrical properties, and a process cartridge and an image formation apparatus using the same.例文帳に追加

オイルや炭化水素系有機溶剤等の化学物質に曝露される条件下でも感光体表面にクラックが生じず、かつ耐キズ性、耐摩耗性、接着性、電気特性の要求を満足する電子写真感光体、並びにそれを用いたプロセスカートリッジ、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of wiring including an evaluation method in which oxidation dissolution of a metal does not occur and to easily manufacture a large screen high definition display device with a good yield in a wiring formation method having a process of evaluating a coverage of the protection layer of a layer structure.例文帳に追加

積層構造体の保護層の被覆率を評価する工程を有する配線形成方法において、金属の酸化溶解が発生しない評価法含む配線の製造方法の提供と大画面、高精細な画像表示装置を歩留まりよく容易に製造すること。 - 特許庁

To improve welding quality and welding workability in a weld termination part by controlling droplet formation on a wire tip at the time of weld termination so as to stably make the droplet a proper size in the weld termination control process of consumable electrode type arc welding and consumable electrode type pulse arc welding.例文帳に追加

消耗電極式アーク溶接及び消耗電極式パルスアーク溶接の溶接終了制御方法において、溶接終了時のワイヤ先端の溶滴を安定して適正な大きさに制御し、溶接終了部の溶接品質と溶接作業性を向上すること。 - 特許庁

Since the connection of a memory cell block with the plate line is obtainable without using a contact cBE-M1 between the bottom electrode of the ferroelectric capacitor-plate line metal wiring, a deterioration of the ferroelectric capacitor due to a process damage caused by the formation of the above contact can be eliminated.例文帳に追加

プレート線と、メモリセルブロックとの接続を、強誘電体キャパシタの下部電極−プレート線金属配線間のコンタクトｃＢＥ−Ｍ１を用いずに実現出来るため、上記コンタクト形成に起因するプロセスダメージによる強誘電体キャパシタの劣化を無くすることが出来る。 - 特許庁

By removing the metal nano particles 2 with the formation of the recesses 1b, the need for a process for removing the metal nano particles 2 after etching is eliminated for ease of manufacturing as compared with a conventional method for roughening by reactive ion etching using the metal nano particles 2 as a mask.例文帳に追加

金属ナノ粒子２が凹部１ｂの形成とともに除去されることにより、金属ナノ粒子２をマスクとして用いた反応性イオンエッチングによって粗面化する従来の方法に比べ、エッチング後に金属ナノ粒子２を除去する工程が不要となるから容易である。 - 特許庁

The three component coupling reaction of a 3-alkanoyloxybenzaldehyde, trimethylcinnamylsilane and a 2-haloethoxybenzene as raw material compounds and reactions of removal of an acyloxy group and formation of a dimethylamino group and a double bond rearrangement are successively carried out as a reaction process to give droloxifene.例文帳に追加

反応工程として、３−アルカノイルオキシベンズアルデヒド、トリメチルシンナミルシラン、及び２−ハロエトキシベンゼンを原料化合物とする３成分カップリング反応、アシルオキシ基の除去及びジメチルアミノ基形成反応、並びに２重結合転移反応を順次行うことにより、ドロロキシフェンを得る。 - 特許庁

To provide a production method for circuit forming board with which the formation of a gap is blocked on the interface of a prepreg sheet and a mold releasing film, in a production method for circuit forming board having a process for sticking the mold releasing film on one side or both the sides of the prepreg sheet.例文帳に追加

プリプレグシートの片面もしくは両面に離型性フィルムを貼り付ける工程を有する回路形成基板の製造方法において、プリプレグシートと離型性フィルムの界面に隙間が形成されるのを阻止した回路形成基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This thin film formation method has a process for decomposing at least a part of molecule incorporated in raw gas by making catalyst 9 function on raw gas, a process for generating active seeds of elements constituting molecule by performing plasma treatment for raw gas whereon the catalyst 9 is made to function, and a process for forming a thin film which is practically formed of at least one kind of elements which constitute molecule on a substrate 7.例文帳に追加

本発明の薄膜形成方法は、原料ガスに触媒９を作用させて、前記原料ガスに含まれる分子の少なくとも一部を分解する工程、前記触媒９を作用させた原料ガスをプラズマ処理して、前記分子を構成する元素の活性種を生成する工程、及び前記活性種を基板７の表面に供給して、前記基板７上に前記分子を構成する元素の少なくとも１種から実質的になる薄膜を形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sheet type adhesive laminate capable of pasting a liquid crystal display element board to a flat board for transfer system, utilizing a liquid crystal display element manufacturing unit and process using conventional glass board as it is, and very easy to dismantle the liquid crystal display element after treatment such as resist formation, etching, cleaning, and directed film printing process, etc.例文帳に追加

液晶表示素子用基板を平坦性を有する搬送用基板に貼着することができ、従来のガラス基板を用いた液晶表示素子製造装置や工程がそのまま利用でき、レジスト形成工程、エッチング工程、洗浄工程、配向膜印刷工程等の処理後に、該液晶表示素子用基板の取り外しがきわめて容易となるようなシート状粘着剤積層体を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a printed wiring board with a via hole for interlayer connection includes a process of making a barrier metal layer at least on the front side of the wiring circuit and/or the metal foil formed on the outer layer of an insulator substrate to prevent the wiring circuit and/or the metal foil from being etched by etching treatment during a following circuit formation process in the via hole.例文帳に追加

層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、当該ビアホール形成のためのめっき処理工程前に、少なくとも絶縁基板の外層に形成された配線回路及び／又は金属箔の表側面に、後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理により当該外層配線回路及び／又は金属箔がエッチングされることを防止するバリア金属層を設ける。 - 特許庁

This diffraction grating formation method includes at least a process of forming stripe mask patterns 104 with a constant period and different coating widths on a substrate 100, and a process of transferring the mask patterns 104 onto the substrate 100 by an etching method having chemical anisotropic selectivity for a material constituting the substrate 100, in a method for forming diffraction gratings 106 (106a, 106b) with periodic irregularity.例文帳に追加

本発明に係る回折格子の形成方法は、周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a polarizer comprising a film having such a structure that minute domains are dispersed in a matrix formed of a translucent water-soluble resin containing an iodine light absorbing material, includes: a process of forming a film from a solution containing the translucent water-soluble resin, iodine and a material for the formation of the minute domain; and a process of stretching the obtained film.例文帳に追加

ヨウ素系吸光体を含有する透光性の水溶性樹脂により形成されるマトリクス中に、微小領域が分散された構造のフィルムからなる偏光子の製造方法であって、透光性の水溶性樹脂、ヨウ素および微小領域の形成材料を含有する溶液をフィルム化する工程、および、得られたフィルムを延伸する工程、を有すること特徴とする偏光子の製造方法。 - 特許庁

In a film formation method for forming a silicon oxide film on the processing object W whose metal surface has been exposed within the processing container 22 for vacuum treatment, an Si-contained gas supply process for supplying Si-contained gas to the above processing container 22, and an oxidation-reduction supply process for simultaneously supplying oxide gas and oxidation-reduction gas to the above processing container 22, are alternately executed intermittently.例文帳に追加

真空引き可能になされた処理容器２２内で金属の表面が露出している被処理体Ｗにシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器２２内へＳｉ含有ガスを供給するＳｉ含有ガス供給工程と、前記処理容器２２内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにする。 - 特許庁

The method comprises processes for: forming a first metallic film 12 for an ohmic contact on a gate electrode 8 wherein a layer insulating film 10 is selectively removed and on an ohmic contact formation region; and leaving a first metallic film 12 only in the ohmic contact formation region by selectively removing the first metallic film 12 formed on the gate electrode 8 in the first metallic film 12 formed in the process.例文帳に追加

層間絶縁膜１０を選択的に除去した、ゲート電極８上、ならびにオーミック・コンタクト形成領域上に、オーミック・コンタクト用の第１の金属膜１２を形成する工程と、この工程で形成された第１の金属膜１２の内、ゲート電極８上に形成された第１の金属膜１２を選択的に除去し、オーミック・コンタクト形成領域にのみ第１の金属膜１２を残す工程とを備えて構成される。 - 特許庁

In the COC type semiconductor mounted body, each of a first and a second electrode pads 1, 9 of a first semiconductor chip 2 and a second semiconductor chip 10 is disposed after being redesigned for re-wiring in the chip region to constitute each contact pad, and electrode formation at the semiconductor mounting process level is enabled corresponding to the electrode arrangement and number to improve the degree of freedom of the electrode formation.例文帳に追加

ＣＯＣ型の半導体実装体は、第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ１０の第１，第２の電極パッド１，９は各々チップ領域内において再配線で引き回されて配置され、各コンタクトパッドを構成したものであり、個々の半導体チップの電極配置、数に対応させて半導体実装工程レベルで電極形成が可能になり、電極形成の自由度を向上させることができるものである。 - 特許庁

The process for preparing disazo condensation pigments by diazotization of an aromatic amine, azo coupling with a coupling component to form an azocarboxylic acid or azodicarboxylic acid, formation of an azocarbonyl chloride or azodicarbonyl dichloride and condensation of the azocarbonyl chloride with an aromatic diamine or of the azodicarbonyl dichloride with an aromatic amine comprises effecting the acyl chloride formation and/or the condensation and the optionally the diazotization and optionally the azo coupling in a microreactor.例文帳に追加

芳香族アミンをジアゾ化し、カップリング成分とアゾカップリングしてアゾカルボン酸またはアゾジカルボン酸を形成し、アゾカルボニルクロリドまたはアゾジカルボニルジクロリドを形成し、アゾカルボニルクロリドを芳香族ジアミンと縮合するかまたはアゾジカルボニルジクロリドを芳香族アミンと縮合してジスアゾ縮合顔料を製造する方法であって、アシルクロリドの形成及び／または縮合、任意にジアゾ化及び任意にアゾカップリングをミクロ反応器で実施することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor capable of performing image formation and cleaning with which a low surface friction coefficient is sustained, electrophotographic characteristics are good and image formation and cleaning stable for a long period can be performed and which is inexpensive and highly durable, an image forming apparatus using the electrophotographic photoreceptor and further a process cartridge for the image forming apparatus using the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

低表面摩擦係数を持続し、かつ電子写真特性が良好で、長期的に安定した画像形成、クリーニングを行なうことができる安価で高耐久な電子写真感光体を提供し、また、かかる電子写真感光体を用いた画像形成装置を提供し、また、かかる電子写真感光体を用いた画像形成方法を提供し、また、かかる電子写真感光体を用いた画像形成装置用プロセスカートリッジを提供することにある。 - 特許庁

The wiring formation method includes: a process for forming a coating layer 3 having a dispersed solution including conductive fine particles, on a resin substrate 1; a process for forming a conductive fine wiring 4 by consecutively irradiating a specific area of the coating layer 3 with a laser beam 6; and a process for removing material in the area other than the conductive fine wiring 4.例文帳に追加

樹脂基板１上に、導電性微粒子を含有する分散溶液の塗布層３を形成する工程と、レーザ光６を塗布層３の特定領域に連続的に照射していくことで、導電性微細配線４を形成する工程と、導電性微細配線４以外の領域の材料を除去する工程とを備え、塗布層３の厚さをｄ、塗布層３の光吸収係数をα、レーザ光６の入射光強度をＩ_0、樹脂基板１上に到達するレーザ光６の透過光強度をＩ_1とするとき、以下の関係式から成り立つことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polymerization process for preparing a block copolymer comprising an aromatic monovinyl compound and a conjugated diene, wherein the polymerization rate is high, even when polymerized at a low temperature, a block copolymer with a small amount of gel formation is obtained, and the bonding structure of a conjugated diene unit in the resultant polymer is not regulated by a polar compound.例文帳に追加

芳香族モノビニル化合物と共役ジエンとからなるブロックコポリマーを製造するにあたって、低温で重合しても重合反応速度が速く、しかもゲルの生成量の少ないブロックコポリマーが得られ、極性化合物に起因する共役ジエンの結合構造の規制を受けない重合方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-durability latent electrostatic image bearing member, having high wear resistance and proper electrophotographic characteristics and capable of performing stable image formation over a long period of time in any and all environment, and to provide an image forming method, an image forming apparatus and a process cartridge that uses the latent electrostatic image bearing member.例文帳に追加

高い耐摩耗性及び良好な電子写真特性を有し、あらゆる環境下においても長期間にわたって安定した画像形成を行うことができる高耐久な静電潜像担持体、並びに、該静電潜像担持体を用いた画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor that can be selectively etched, can adopt an HBT layer structure containing a semiconductor material with improved adhesion with a mask pattern, forms a guard ring with improved reproducibility without losing the easiness of a guard ring formation process, and has the improved reproducibility of HBT element characteristics, and its manufacturing method.例文帳に追加

選択エッチング可能であり、マスクパターンとの密着性の良好な半導体材料を含むＨＢＴ層構造を採用し、ガードリング形成工程の容易さを損なうことなくガードリングを再現性よく形成し、ＨＢＴ素子特性の再現性が良好なヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその作製方法を提供すること。 - 特許庁