「The n」に関連した英語例文の一覧と使い方(717ページ目) - Weblio英語例文検索

The copper alloy foil for the laminate has superior handling properties and conductivity, and has 180 degree peel strength of 8.0 N/cm or higher when being directly bonded to the polyimide film without being roughened by plating, by means of including particular elements and making the surface roughness to be 2 μm or less according to ten points average surface roughness (Rz).例文帳に追加

特定の元素を含有した銅合金において、表面粗さが十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で２μｍ以下とすることにより、ハンドリング性と導電性に優れ，かつ粗化めっき処理を施さずにポリイミドフィルムと直接に接合したときの１８０゜ピール強度が８．０Ｎ／ｃｍ以上である、積層板用の銅合金箔を提供する。 - 特許庁

In the nitride based semiconductor light emitting element 1 comprising an n-type semiconductor layer 103, a light emitting layer 104, a p-type semiconductor layer 105, metal film layers 108 and 109, and a plating metal plate 110 formed in this order, the metal film layers and the plating metal plate are formed partially on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

少なくともｎ型半導体層１０３、発光層１０４、ｐ型半導体層１０５、金属膜層１０８，１０９、メッキ金属板１１０がこの順序で積層されてなる窒化物系半導体発光素子１において、前記金属膜層、及び前記メッキ金属板が前記ｐ型半導体層上に部分的に形成された構成としている。 - 特許庁

In this semiconductor device whose core region of the semiconductor IC comprises CMOS, protective transistor circuits 31 (31B, 31C) and 41 (41D, 41E) of the connection cell for input are constituted of only N-channel transistors, and a transistor 5 on a first stage of incoming signals that have passed the connection cell for input is arranged in the internal core region.例文帳に追加

この発明は、半導体集積回路のコア領域がＣＭＯＳで構成された半導体装置において、入力用回路セルの保護トランジスタ回路３１（３１Ｂ、３１Ｃ）、４１（４１Ｄ、４１Ｅ）が、Ｎチャネルトランジスタのみを用いて構成し、前記入力用回路セルを通った入力信号の初段のトランジスタ回路５は、内部コア領域に配置されている。 - 特許庁

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極１０３と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層１０７Ａ、１０７Ｂとパンチスルーストッパー層１０８を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型パンチスルーストッパー層１０８の表面に、このパンチスルーストッパー層１０８とは反対導電型のＰ型層１１０を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁

An installed device (D) is intended to local assurance management for a network element (NE) in a communication network (N) equipped with a network management system (NMS), wherein the network element (NE) presents a chosen configuration and contains a measurement means (MM) for the measurement of parameter values in the network and a management information base (MIB) which stores management data representing the measured values.例文帳に追加

搭載装置（Ｄ）は、ネットワーク管理システム（ＮＭＳ）を装備した通信ネットワーク（Ｎ）のネットワーク設備（ＮＥ）のためのローカルな保証管理装置専用であり、前記設備（ＮＥ）が、選択されたコンフィギュレーションを有し、ネットワークのパラメータ値の測定手段（ＭＭ）と、測定値を示す管理データを保存する管理情報ベース（ＭＩＢ）とを含む。 - 特許庁

At least a part of the cyano group (-C≡N) of the polymeric material is converted to a molecular structure part having an imidamino structure by adding an amino compound to the polymeric material having the cyano group and, if necessary at least a part thereof is further converted to either one of an acid salt, a quaternary ammonium salt and a hydrolyzate structure part to yield a polymeric flocculant.例文帳に追加

シアノ基を有する高分子材料にアミノ化合物を付加することでシアノ基（−Ｃ≡Ｎ）の少なくとも一部をイミダミノ構造を有する分子構造部に変換し、さらに必要に応じて少なくともその一部を酸塩、四級アンモニウム塩、加水分解構造部のいずれかに変換することにより、高分子凝集剤とする。 - 特許庁

The layer A: the surface-treating agent coating layer containing a compound selected from reactive organopolysiloxanes, alkylsilanes, polyolefins, hydrogenated lecithin, N-acylamino acids, fatty acids, and dextrin fatty acid esters; and the layer B: the surface-treating agent coating layer containing a compound selected from one terminal functional group-modified organopolysiloxanes, alkylsilanes, perfluoroalkylsilanes and branched fatty acids.例文帳に追加

Ａ層：反応性オルガノポリシロキサン、アルキルシラン、ポリオレフィン、水添レシチン、Ｎ−アシルアミノ酸、脂肪酸及びデキストリン脂肪酸エステルの中から選択される化合物を含有する表面処理剤被覆層；及び Ｂ層：片末端官能基変性オルガノポリシロキサン、アルキルシラン、パーフルオロアルキルシラン及び分岐脂肪酸の中から選択される化合物を含有する表面処理剤被覆層。 - 特許庁

This data low density parity check (LDPC) encoding method comprises a step for defining a first M×N parity check matrix, a step for generating a second parity check matrix having M×M triangle part matrix based on the first parity check matrix, and a step for mapping the data to the LDPC code word based on the second parity check matrix.例文帳に追加

データの低密度パリティ検査（ＬＤＰＣ）符号化の方法に、第１のＭ×Ｎパリティ検査行列を定義するステップと、第１パリティ検査行列に基づいて、Ｍ×Ｍ三角部分行列を有する第２パリティ検査行列を生成するステップと、第２パリティ検査行列に基づいてデータをＬＤＰＣ符号語にマッピングするステップとが含まれる。 - 特許庁

The solvent or the solvent composition for manufacturing a multilayer ceramic component contains a compound represented by the following formula (1) (in which, R^1 and R^2 represent the same or different linear or branched alkyl groups and at least one of R^1 and R^2 is a branched alkyl group; A represents an alkylene group; and n is 1 or 2).例文帳に追加

本発明の積層セラミック部品製造用溶剤又は溶剤組成物は、下記式（１）（式中、Ｒ^1、Ｒ^2は、同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状アルキル基を示し、Ｒ^1、Ｒ^2のうち少なくとも一方は分岐鎖状アルキル基である。Ａはアルキレン基を示す。ｎは１又は２である）で表される化合物を含有する。 - 特許庁

The decomposition of the signal is into N parameterized bump functions (1-5), wherein each bump function is a continuous function comprising, a first monotonic parameterized function, an affine function, and a second monotonic parameterized function respectively having three successive intervals, with one of the monotonic parameterized functions being increasing and the other decreasing.例文帳に追加

信号の分解はＮ個のパラメータ化されたバンプ関数（１−５）へのものであり、ここで各バンプ関数は第１の単調パラメータ化関数とアフィン関数と第２の単調パラメータ化関数を含んだ３つの連続するインタバルを有する連続的な関数であり、前記単調パラメータ化関数のうちの一方は増加、他方は減少関数である。 - 特許庁

The aqueous dispersion can be produced by the emulsion polymerization of 5-80 pts.wt. of a monomer having hydrophilic group such as acrylic acid and 2-hydroxyethyl acrylate and 20-95 pts.wt. of other polymerizable monomer such as n-butyl acrylate, methyl methacrylate and styrene in an aqueous medium in the presence of a radical polymerization initiator, an emulsifier, or the like.例文帳に追加

この水系分散体は、アクリル酸、２−ヒドロキシエチルアクリレート等の親水性基含有単量体５〜８０重量部と、ｎ−ブチルアクリレート、メチルメタクリレート、スチレン等の他の重合可能な単量体２０〜９５重量部とを、水系媒体中、ラジカル重合開始剤、乳化剤等を用いて乳化重合させることにより調製することができる。 - 特許庁

The pyrrole polymer is represented by the formula (R_1 and R_2 are independently hydrogen, a halogen or the like; Ar_1, Ar_2 and Ar_3 are independently an aromatic group; Ar' is an aromatic group such as phenyl, napthyl or the like, or a heterocyclic group; m is 0 or an integer of ≥1; and n is an integer of ≥1).例文帳に追加

式：（式中、Ｒ_１及びＲ_２は、独立して、水素、ハロゲン等であり、Ａｒ_１、Ａｒ_２及びＡｒ_３は、独立して芳香族基であり、Ａｒ′は、フェニル、ナフチル等のような芳香族又は複素環式基を示し、ｍは０又は１以上の整数を、ｎは１以上の整数を示す）示されるピロール重合体を提供することにより達成される。 - 特許庁

The invention relates to the estetified material-producing method comprising esterifying (a) a polyether represented by the general formula (1): R(OA)nOH (wherein R is a 1-12C hydrocarbon group; A is a 2-4C alkylene group; and n is an integer of 1 to 200) and (b) an unsaturated carboxylic acid in the presence of an acid catalyst.例文帳に追加

酸触媒存在下、一般式（１）で示されるポリエーテル（ａ）と不飽和カルボン酸（ｂ）とを酸触媒の存在下にエステル化反応するエステル化物の製造方法において、エステル化反応終了後、酸触媒の失活工程をカルボン酸塩（ｃ）で、９０℃以上で行っても、エステル化物の加水分解が少ないエステル化物の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal by which a high quality single crystal can be stably and efficiently manufactured by expanding the margin of the pulling speed F enabling the single crystal to be pulled in a desired defective region, particularly an N-region where no Cu-deposition defect is detected in manufacturing of the single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶の製造において、所望の欠陥領域、特にＣｕデポジション欠陥が検出されないＮ領域で単結晶の引上げを行うことのできる引上げ速度Ｆのマージンを拡大して、高品質の単結晶を安定して効率的に製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Information on the utilization situations is acquired from each of multiple apparatuses 200 with built-in modules via a network N, information on an error is detected from the information, a module associated with control relating to said error is then elucidated from the error information, and a new module to be replaced with said module is prepared and substituted with the former module.例文帳に追加

複数のモジュール内蔵機器200からネットワークＮを介してそれぞれの利用状況に関する情報を取得し、その情報からエラーに関する情報を検出した後、そのエラー情報からそのエラーと関連ある制御に関わるモジュールを解明し、そのモジュールに変わる新たなモジュールを用意して古いモジュールと差し替える。 - 特許庁

A touch input 41 to a GUI part 31 is detected by a touch panel 12 provided corresponding to a display part 15, the input coordinates (x, y) corresponding to this touch input 41 are detected, and input coordinate history 41-1 to 41-n is stored regardless the validity or invalidity of the touch input 41 to the GUI part 31.例文帳に追加

表示部１５に対応させて設けられたタッチパネル１２により、ＧＵＩ部品３１に対するタッチ入力４１を検知し、このタッチ入力４１に対応した入力座標（ｘ，ｙ）を検出して、前記ＧＵＩ部品３１に対するタッチ入力４１の有効・無効にかかわらず、この入力座標履歴４１−１〜４１−ｎを記憶する。 - 特許庁

This invention relates to the adhesive composition for the optical material including an acrylic resin (A) obtained by copolymerization of a copolymelizable component [I] with a main component of a (meth)acrylate monomer (a1), wherein the adhesive composition for the optical material is characterized by including an N-(alkoxyalkyl)(meth)acrylamide monomer (a2) as a copolymerizable component [I].例文帳に追加

本発明は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系モノマー（ａ１）を主成分とする共重合成分〔Ｉ〕を共重合して得られるアクリル系樹脂（Ａ）を含有してなる光学部材用粘着剤組成物であり、共重合成分〔Ｉ〕としてＮ−（アルコキシアルキル）（メタ）アクリルアミド系モノマー（ａ２）を含有してなることを特徴とする光学部材用粘着剤組成物に関わる。 - 特許庁

To provide an ultrasonic flowmeter capable of controlling properly the gain of an amplifier regardless of the quantity of impurities such as air bubbles included in a fluid, executing flow measurement with a high S/N ratio even to the change in kind or temperature of the fluid, and executing stably always accurate flow measurement.例文帳に追加

増幅器のゲインを流体中に含まれる気泡等の夾雑物の量に拘わらずに適切に制御することができ、流体の種類や液温の変動に対しても高いＳ／Ｎ比で流量計測を行うことが可能であり、常に正確な流量測定を安定的に行うことができる超音波流量計を提供する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is constituted so as to avoid securing a contact area in advance for arranging a contact for connection to the respective gates of p-MOS transistors 12a, 12b and n-MOS transistors 14a and 14b in the base cell 11, in the gate array type semiconductor integrated circuit device by a master slice system.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置は、マスタースライス方式によるゲートアレイ型の半導体集積回路装置において、ベースセル１１に、ｐ−ＭＯＳトランジスタ１２ａ、１２ｂ及びｎ−ＭＯＳトランジスタ１４ａ、１４ｂの各ゲートへの接続用のコンタクトを配設するためのコンタクト領域を予め確保しないように構成したものである。 - 特許庁

An N- or Ar-contg. inert gas is jetted to blow off O adsorbed in the surface, an inert gas blowing hole 1 is disposed in a preheating tank 10 of a reflow apparatus to positively substitute O for the inert gas, and solder is molten in the absence of O in a reflowing tank 13 disposed downstream of the preheating tank 10.例文帳に追加

窒素またはアルゴンを含む不活性ガスを噴射することで、表面に吸着した酸素を吹き飛ばし、前記不活性ガスと酸素との置換を積極的に行なうために、リフロー装置のプリヒート槽１０内に不活性ガス吹き出し口１を設け、プリヒート槽の下流側に配設されるはんだリフロー槽１３において無酸素状態ではんだ融を行なう。 - 特許庁

(A) The GaN-based LED chip 100 has a translucent substrate 101, and a GaN-based semiconductor layer L formed on the translucent substrate 101 wherein the GaN-based semiconductor layer L has a multilayer structure including an n-type layer 102, a light emitting layer 103, and a p-type layer 104 in this order from the translucent substrate 101 side.例文帳に追加

（Ａ）ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。 - 特許庁

When a rerouting information detection section 27 detects past rerouting start points existing within a radius of N-m from a user's home, a route from the start points to a destination is searched for in advance prior to out-of-route detection by an out-of-route detection section 24, assuming that the user has deviated from the route at the start points.例文帳に追加

再探索情報検出部２７がユーザーの自宅から半径Ｎｍの範囲内に存在する過去の再探索開始地点を検出したとき、これら開始地点にて経路外れが起きたと想定し、経路外れ検出部２４による経路外れの検出に先行して、当該開始地点から前記目的地までの経路を事前に探索する。 - 特許庁

At the sorting disk 60, n sorting pockets 61a, 61b, 61c, ..., 61k, ..., 61n are arranged circumferentially, are subjected to rotation control by a drive mechanism so that each sorting pocket 60 is at a prescribed position corresponding to the electric measurement value of the blanks, and measured blanks are sorted and stored into each sorting pocket according to the measurement values.例文帳に追加

選別ディスク部６０にはｎ個の選別ポケット６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、・・・６１ｋ、・・・６１ｎが円周上に配置され、ブランクの電気的な測定値に対応して各選別ポケット６０が所定の位置にくるように駆動機構によって回動制御され、測定済みのブランクをその測定値に応じてそれぞれ各選別ポケット内に分類収容するようにしている。 - 特許庁

In an ASIC chip 1 with a built-in DRAM including a large-scale logic circuit 7, or the like, an entire DRAM macro 2 including not only a cell array part 6 of the DRAM but also an internal power supply circuit 4 is formed in a well 5 such as a Deep N well, and power is supplied to the DRAM macro 2 from the internal power supply circuit 4.例文帳に追加

大規模なロジック回路７を含むＤＲＡＭ内蔵ＡＳＩＣチップ１等において、ＤＲＡＭのセルアレイ部６のみならず内部電源供給回路４を含めたＤＲＡＭマクロ２全体をＤｅｅｐ Ｎウェル等のウェル５内に形成し、このＤＲＡＭマクロの電源供給を前記内部電源供給回路から行うものである。 - 特許庁

The respective average rates of plural synchronous/variable length/variable transmission rate data I1-In are measured in rate measurement parts 1-1-1-n, respective measured average rates and respective transmission rate declared values R1-Rn are compared, and the storage of the data whose measured average rate exceeds the transmission rate declared value to an input buffer is controlled by an input control switch.例文帳に追加

複数の非同期・可変長・可変伝送レートデータＩ１〜Ｉｎの各々の平均レートをレート計測部１−１〜１−ｎで計測し、計測された平均レートの各々と伝送レート申告値Ｒ１〜Ｒｎの各々とを比較し、計測された平均レートが伝送レート申告値より越えたデータが入力バッファに蓄積するのを入力規制スイッチで規制する。 - 特許庁

A multiple reflection measuring device (10) is connected to the trunk optical fiber (50), and sequentially specifies and makes respective ONUs (56-1 to 56-n) send out an up optical signal to measure a delay time of a multiple reflection optical signal behind the up optical signal when received light includes the multiple reflection signal following the up optical signal.例文帳に追加

多重反射計測装置（１０）を幹線光ファイバ（５０）に接続し、多重反射計測装置（１０）は、各ＯＮＵ（５６−１〜５６−ｎ）を順に指定して上り光信号を送出させ、受信光中に上り光信号に続く多重反射光信号がある場合の、上り光信号に対する多重反射光信号の遅延時間を計測する。 - 特許庁

The waste water treatment method of carrying out flocculation treatment and membrane filtration treatment of oil-containing waste water comprises loading the waste water with a flocculant containing an adsorbent, an aggregation agent and an organic polymer flocculant in a lump or in turn in response to a COD value of waste water and the amount of n-hexane extract, and carrying out membrane treatment of treated water subjected to the flocculation treatment.例文帳に追加

含油排水を凝集処理および膜濾過処理する排水処理方法であって、排水のCOD値、ｎヘキサン抽出物量に応じて、前記排水に、吸着剤、凝結剤、および有機高分子凝集剤を含む凝集剤を一括、あるいは、順次添加して凝集処理した処理水を膜処理する、排水処理方法。 - 特許庁

The ink-wetted member used for the ultraviolet-curing inkjet recorder 1 is an elastic body whose compression permanent set, tear strength and tensile strength after the ink-wetted member has been dipped in the ink of 60°C for one week is 15% or less, 10 N/mm or more and 5 MPa or more (JIS K6249), respectively.例文帳に追加

紫外線硬化型インクジェット記録装置１に用いるインク接液部材であって、当該インク接液部材を６０℃のインクに１週間浸漬後の圧縮永久歪が１５％以下、引き裂き強度が１０Ｎ／ｍｍ以上、及び引張り強度が５ＭＰａ以上（ＪＩＳ Ｋ６２４９）となる弾性体であることを特徴とするインク接液部材。 - 特許庁

To obtain a service quality measurement system for a network that can provide information used to discriminate a link (or a sub network) causing a bottle neck deteriorating the service quality of the network to an integrated packet flow for communication of 1:n or n:n in the network such as the Internet for communication via one or more networks.例文帳に追加

一以上のネットワークを経由して通信するインターネット等のネットワークにおいて、１対ｎやｎ対ｎ接続で通信している集約されたパケット流に対して、ネットワークのサービス品質を劣化させているボトルネックとなるリンク（またはサブネットワーク）を判別する情報を提供することのできるネットワークのサービスの品質の測定方式を得る。 - 特許庁

Then, the pre-stage colorless AWGs and the post-stage colorless AWGs are connected to deviate a transmission wavelength of a center output port in the pre-stage colorless AWGs from a transmission wavelength of a center input port of the post-stage colorless AWGs by nK+L channels ((n) is an integer of ≥0 and L is an integer of ≥1 and smaller than K).例文帳に追加

そして、前段のカラーレスＡＷＧと後段のカラーレスＡＷＧとは、前段のカラーレスＡＷＧにおける中央出力ポートの透過波長と、後段のカラーレスＡＷＧにおける中央入力ポートの透過波長が、ｎＫ＋Ｌチャネル（ｎは０以上の整数、Ｌは１以上かつＫより小さい整数）ずれるように接続されている。 - 特許庁

Namely, the central angle α is restricted so that these respective magnetic sensing elements 21a, 21b are arranged among permanent magnets 15 that compose the above-mentioned encoders 12a at a position in a substantially opposite diametric direction on a mutually single circumference, while opposed to plural S poles or N poles that mutually have the same characteristic at the same time.例文帳に追加

即ち、これら各磁気検出素子２１ａ、２１ｂを、互いに単一の円周上の直径方向ほぼ反対位置で、上記エンコーダ１２ａを構成する永久磁石１５のうちで、互いに同じ特性を有する複数のＳ極又はＮ極に同時に対向する状態で配置される様に、上記中心角αを規制する。 - 特許庁

In the partially or fully semi-insulated or p-doped ZnO substrate, when the substrate is, in particular, in the form of a thin layer or film, or a nanowire and is simultaneously doped with an element selected from Na, Li, K and Rb, together with N and O, ZnO or GaN can epitaxially grow on the substrate.例文帳に追加

部分的に又は完全に半絶縁性又はｐ型ドーピングされたＺｎＯ基板であって、基板が、特に薄層、薄膜の形態またはナノワイヤーの形態であり、基板が、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ及びＲｂから選択される元素、Ｎ及びＯが同時にドーピングされ、それは、さらにＺｎＯまたはＧａＮにおいてこの基板上におけるエピタキシャル成長を可能にし得る。 - 特許庁

Thereafter, after the multi-point video conference controller 1 completes the capability exchange multiplex processing with a distribution destination video conference and establishes communication, the multi-point video conference controller 1 conducts simultaneous broadcast (or sequential broadcast) of video and/or voice data to plural distribution destination video conference terminals 4-1 to 4-n to distribute them in the lump (or time serial distribution).例文帳に追加

この後、多地点テレビ会議制御装置１が、配信先テレビ会議との能力交換多重化処理が完了して通信が確立した後に、分配多重化処理を通じて映像及び／又は音声データを複数の配信先テレビ会議端末４−１〜４−ｎに一斉放送（又は順次放送）して一括配信（又は時系列的に配信）する。 - 特許庁

Furthermore, 2nd number bit group converters 3-1 to 3-n provided for the 2nd number of bit groups select one weight to each related bit group, uses it and converters the bit group into an analog form in response to the 2nd number of the bit groups to generate 2nd number bit group analog outputs OBG1 to OBGn.例文帳に追加

また、第２の数のビット・グループに対して設けた第２の数のビット・グループ変換器３−１…３−ｎは、関連する各ビット・グループに対し１つの重みを選択して使用し、これによって、第２の数のビット・グループに応答して該ビット・グループをアナログ形式に変換することにより、第２の数のビット・グループ・アナログ出力ＯＢＧ１…ＯＢＧｎを発生する。 - 特許庁

Furthermore, potential energy distribution on the surface is uniformized and stable ultrahigh-speed operation is established, by forming a thin layer 2A, where the conductivity is inverted into a first conductive type (p-type), at the exposed surface part of a second conductivity (n-type) of low-concentration semiconductor layer 2 being exposed by narrowing the light absorbing layer 1.例文帳に追加

さらに、光吸収層１を狭幅化するとにより露出する第二の導電型（ｎ型）の低濃度半導体層２の露出表面部分に、その導電型を第一の導電型（ｐ型）に反転させた薄層２Ａを形成することにより、該表面上におけあるポテンシャルエネルギー分布を均一化し、安定な超高速動作を可能にする。 - 特許庁

A control section 100 executes automatic scroll display processing whereby an explanation sentence of an item to which focus corresponds is automatically scrolled and displayed on a scroll display area of a display section 30 among items displayed in a list-up form on a list display area of the display section 30, and stops the processing when the processing is repeated by the prescribed number of times N.例文帳に追加

制御部１００は、表示部３０のリスト表示エリアにリスト化して表示した項目のうち、フォーカスが対応する項目の説明文を表示部３０のスクロール表示エリアにて自動的にスクロールさせて表示する自動スクロール表示処理を実施し、この処理を所定回数Ｎだけ繰り返すと、上記処理を停止するようにしたものである。 - 特許庁

The method for producing the (meth)acrylic acid alkali metal salt comprises a step for obtaining a solution of (meth)acrylic acid alkali metal salt by neutralization of (meth)acrylic acid with a compound containing an alkali metal in the presence of the N-oxyl compound.例文帳に追加

重合禁止剤としてＮ−オキシル化合物を含有し、水分量が２０００ｐｐｍ以下である（メタ）アクリル酸アルカリ金属塩、及び、Ｎ−オキシル化合物の存在下で、（メタ）アクリル酸とアルカリ金属を含有する化合物との中和反応により（メタ）アクリル酸アルカリ金属塩溶液を得る工程を含んでなる（メタ）アクリル酸アルカリ金属塩の製造方法。 - 特許庁

controls the given atom, where options is any combination of the following characters: 'i' means the atom should be pre-interned; and 'w' means data for properties with this name should be delayed only if a window manager is also running through the same lbxproxy.例文帳に追加

ここで options は以下の文字の任意の組合せである: 'i' はアトムはあらかじめ取り込んでいなければならないことを示し、'n' はこの名前を持つプロパティに対するデータは遅延させてはならないことを示す。 また、'w' はこの名前を持つプロパティに関するデータは、ウィンドウマネージャも同じプロキシ経由で動いている場合に限り遅延させるべきであることを示す。 - XFree86

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In case of a single input system, a single input circuit 18 fetches an ODD data by a DFF 44, from a data signal for fetching the ODD data input to the P-side input terminal 12, and also fetches an EVEN data by a DFF 45, from a data signal for fetching the EVEN data input to the N-side input terminal 14.例文帳に追加

シングル入力方式の場合には、シングル入力回路１８は、Ｐ側入力端子１２に入力されたＯＤＤデータを取り込むためのデータ信号からＤＦＦ４４がＯＤＤデータを取り込むと共に、Ｎ側入力端子１４に入力されたＥＶＥＮデータを取り込むためのデータ信号からＤＦＦ４５がＥＶＥＮデータを取り込む。 - 特許庁

The transistor includes a gate semiconductor region 253 formed on an inner face of the groove 360, an N-type embedded channel region 262 formed in an epitaxial region 221 becoming an outer side of the P-type gate semiconductor region 253, and a channel region 382 formed of a P-type body semiconductor region 254 formed on an outer side of the embedded channel region 262.例文帳に追加

更に、溝３６０の内面に形成されるゲート半導体領域２５３と、該Ｐ型ゲート半導体領域２５３の外側となるエピタキシャル領域２２１に形成されるＮ型の埋込チャネル領域２６２と、この埋込チャネル領域２６２の外側に形成されるＰ型のボディ半導体領域２５４からなるチャネル領域３８２を備える。 - 特許庁

Since the saturation output is 15 dBm or above, linear region of the amplifier IC is expanded sharply, impact of nonlinear distortion (especially, third-order intermodulation distortion) for the amplification output spectrum of the multicarrier modulation signal of OFDM system digital terrestrial television broadcast is lessened dramatically and a reception C/N ratio can be enhanced sharply.例文帳に追加

飽和出力を１５ｄＢｍ以上とすることで、アンプＩＣの線形領域が大幅に拡大し、ＯＦＤＭ方式地上波デジタルテレビ放送のマルチキャリア変調信号の増幅出力スペクトラムに対する非線形歪（特に、３次相互変調歪）の影響を劇的に軽減し、受信Ｃ／Ｎ比を大幅に向上することができる。 - 特許庁

To attain high image quality for an image, without causing deterioration in the S/N ratio and to enhance yield by facilitating the manufacture of the probe by adopting a structure which does not completely cut off a groove in a minor axis direction in orthogonal element split grooves in 2-ways in the ultrasonic wave diagnostic probe adopting a system, where vibrators are arranged in two-dimension.例文帳に追加

振動子を２次元分割する方式の超音波診断用探触子において、直交する２方向の素子分割溝の一方の短軸方向溝を完全に切り離さない構造とすることで、Ｓ／Ｎ低下を生ずることなく画像の高画質化を図るとともに、探触子を製造しやすくして歩留りの向上を図る。 - 特許庁

Thereby, the blend rubber composition largely improved in both heat resistance and ozone resistance can be obtained by blending the (hydrogenated) nitrile rubber with the acrylate copolymer rubber having a specific composition, preferably an (ethyl acrylate) n-butyl acrylate-2-methoxyethyl acrylate-glycidyl methacrylate copolymer, and then cocrosslinking the blend rubber composition with 2,4,6-trimercapto-s-triazine.例文帳に追加

このように、（水素化）ニトリルゴムに特定組成を有するアクリル酸エステル共重合ゴム、好ましくは（エチルアクリレート−）ｎ−ブチルアクリレート−２−メトキシエチルアクリレート−グリシジルメタクレート共重合体をブレンドし、このブレンドゴム組成物を２，４，６−トリメルカプト−ｓ−トリアジンで共架橋させることにより、耐熱性および耐オゾン性を大幅に改善することができる。 - 特許庁

The molding method for the alicyclic structure-containing thermoplastic resin is characterized in using the injection molding machine made of a material showing a contact angle of 77 to 87 degrees with water, and peeling strength of not more than 127 N when 10 to 30 mg of the alicyclic structure-containing thermoplastic resin is melted for 30 minutes at 350°C and peeled by a compression testing machine.例文帳に追加

水との接触角が７７〜８７度の範囲にあり、且つ、脂環式構造含有熱可塑性樹脂１０〜３０ｍｇを３５０℃、３０分間溶融し、圧縮試験機によって剥離した時の剥離強度が１２７Ｎ以下の材質を有する射出成形機を用いた該脂環式構造含有熱可塑性樹脂の成形方法。 - 特許庁