「first process」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

In a calcination process for heating a core material 1 coated with a coating material 2 in an electrophotographic carrier manufacturing method, an induction heating device 100 having first and second coil circuits 41, 42 arranged adjacent to each other inductively heats the core material 1 and performs heating processing to increase the temperature of the coating material 2 that coats the core material 1.例文帳に追加

電子写真用キャリアの製造方法における被覆材料２によって被覆された芯材１を加熱処理する焼成工程で、第一コイル回路４１と第二コイル回路４２とを並列に配置した構造の誘導加熱装置１００によって芯材１を誘導加熱し、芯材１を被覆する被覆材料２を昇温する加熱処理を行う。 - 特許庁

A wire has a first end connected to the sensor die and a second end connected to an electronics package, which is configured for subcutaneous implantation and is connected via the wire to receive and process the electrical signal that is generated by the sensor die in order to provide an output that is indicative of the pressure.例文帳に追加

ワイヤが、センサーダイに接続された第１の端部、および、電子機器パッケージに接続された第２の端部を有し、電子機器パッケージは、皮下に植え込まれるよう構成されており、圧力を表示する出力を提供する目的で、センサーダイによって生成される電気信号を受信および処理するために、ワイヤを介して接続される。 - 特許庁

The process for growing the III-V compound semiconductor layer 5 comprises processes of: heating the substrate 1 so that the temperature of the substrate 1 becomes a value Tsub (2) which is higher than the first value Tsub (1) at formation start time of the III-V compound semiconductor layer 5; and lowering the temperature of the substrate 1 as the III-V compound semiconductor layer 5 grows.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層５を成長させる工程は、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長開始時に、基板１の温度が第１の値Ｔｓｕｂ（１）よりも高い第２の値Ｔｓｕｂ（２）になるように基板１を加熱する工程と、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長と共に、基板１の温度を低下させる工程とを含む。 - 特許庁

To provide a surface potential control method for a photoreceptor which is adaptable to the uncertainty that the characteristics and surface potential properties of the photoreceptor cannot be stabilized by repeating an image forming process and to the above uncertainty due to environmental variation such as humidity or temperature variation, and by which stabler image formation can be performed on the first time and on and after the second time.例文帳に追加

画像形成プロセスを繰り返すことで感光体の特性や表面電位特性が安定し得ない不確定性や、湿度、温度等の環境変化に起因する上記不確定性に対応でき１回目と２回目以降においてより安定した画像形成を行うことができる感光体への表面電位の制御方法を提案する。 - 特許庁

TSUDA was the first person who criticized literature regarding the process of coming into existence of the kojiki and Nihonshoki in earnest, and concluded that the Japanes had to understand that description concerning Emperor Jimmu did not reflect any fact in the Yayoi period, but were mostly written as part of Japanese Mythology in order to justify the ruling of Japan by the Imperial Family, taking advantage of mythology and folklore. 例文帳に追加

津田は記紀の成立過程に関して初めて本格的な文献批判を行い、神話学、民俗学の成果を援用しつつ、神武天皇は弥生時代の何らかの事実を反映したものではなく、主として皇室が日本を支配するいわれを説明するために述作された日本神話の一部として理解すべきであると断じた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In evaluating internal controls, management should first assess internal controls that have a material impact on overall consolidated financial reporting ("company-level controls" hereinafter) and, based on the results, assess the internal control incorporated into business processes ("process-level controls" hereinafter). 例文帳に追加

経営者は、内部統制の評価に当たって、連結ベースでの財務報告全体に重要な影響を及ぼす内部統制（以下「全社的な内部統制」という。）の評価を行った上で、その結果を踏まえて、業務プロセスに組み込まれ一体となって遂行される内部統制（以下「業務プロセスに係る内部統制」という。）を評価しなければならない。 - 金融庁

A pair of main electrodes 50 are arranged outside of a process tube 31 defining a processing chamber 32 to be opposed to each other and be vertically extended, and a pair of first auxiliary electrodes 51 and a pair of second auxiliary electrodes 52 are arranged at both sides of electrodes 50a and 50b in the main electrode pair 50 to be vertically extended respectively.例文帳に追加

処理室３２を形成したプロセスチューブ３１の外側において主電極対５０を互いに対峙した状態で垂直方向に延在させて配置し、主電極対５０の両方の電極５０ａと５０ｂとの両脇に第一補助電極対５１と第二補助電極対５２とを垂直方向に延在させて配置する。 - 特許庁

After the betting operation is executed based on loaded tokens, a lottery process is executed (S13) for selecting a jackpot for which a prescribed part of the bet credits is accumulated among a first jackpot, a second jackpot and a third jackpot, and a prescribed credit for the jackpot selected based on the result of the lottery is cumulatively added (S112).例文帳に追加

投入されたコインに基づいてベット操作が行われた後に、ベットしたクレジットの所定割合を累積する対象となるジャックポットを「第１ジャックポット」、「第２ジャックポット」、「第３ジャックポット」の内から選択する抽選処理を行い（Ｓ１３）、抽選結果に基づいて選択されたジャックポットに対して所定クレジットを累積加算する（Ｓ１１２）ように構成する。 - 特許庁

The silicon film forming method comprises the steps of forming a recess by forming a resist pattern on the base material, coating the recess with a liquid silicon material, conducting optical process and a first heat treatment of the resist pattern and the liquid silicon material coated, and conducting a second heat treatment of the liquid silicon material.例文帳に追加

基体上にレジストパターンを形成し、凹部を形成する工程と、前記凹部に液体シリコン材料を塗布する工程と、前記レジストパターン及び塗布された前記液体シリコン材料に対して、光処理及び第１熱処理を行う工程と、前記液体シリコン材料に対して、第２熱処理を行う工程と、を含む、シリコン膜の形成方法により解決する。 - 特許庁

A static electricity evaluation substrate 10 composed by enclosing a liquid crystal composition 18 in a gap surrounded by a sealing agent 17 between first and second transparent glass plates 11 and 12 composed by oppositely arranging alignment layers 14 and 16 in the almost same size as a liquid crystal display element to be actually manufactured is made to flow along the manufacturing process of a planar display element manufacturing device.例文帳に追加

実際に製造する液晶表示素子と略同サイズであって、配向膜１４、１６を対向配置してなる第１及び第２の透明ガラス板１１、１２のシール剤１７で囲繞される間隙に液晶組成物１８を封入してなる静電評価基板１０を、平面表示素子製造装置の製造工程に沿って流品する。 - 特許庁

A MOS gate device manufacturing process includes a first mask 30 for continuously forming a cell body 50 and a source region 51 in the cell body 50, and a second mask for forming a center opening in the silicon surface of each cell by silicon etching and consecutively for undercutting an oxide 60 surrounding the center opening.例文帳に追加

ＭＯＳゲートデバイス製造プロセスであって、該プロセスは、セルボディ５０とセルボディ５０中のソース領域５１を連続して形成するための第１のマスク３０を有し、シリコンエッチにより各セルのシリコン表面に中央開口部８０、８１を形成し続いて中央開口部８０、８１を囲む酸化物６０をアンダーカットするための第２のマスク工程を有する。 - 特許庁

The method of starting the counting of passing time of a limited quantity of a first indicator to be injected in the flow of a second liquid in the process of thermal dilution counting includes a step of recording the variation of system variables generated by exposing a thermal sensitive part to the indicator and a step of deciding the starting point of the time counting by using the recorded variation.例文帳に追加

熱希釈計測の過程において第２の液体の流れに注入される有限量の第１の指示薬の通過時間の計測を開始する方法は、温度感応部を指示薬に曝すことにより生じるシステム変数の変化を記録するステップと、記録された変化を用いて時間計測の開始点を決定するステップとを含む。 - 特許庁

The rotational control or the like of a rotary table 11 is performed by a control means when the injection molding machine 1 is operated in the conditioning cycle to replace first and second movable molds 8A and 8B with each other and a primary molded product M1 molded on an anti-operation side where a primary molding process is discharged from the operation side positioned in opposed relation to the anti-operation side.例文帳に追加

射出成形機１が条件出しサイクルで動作された際、制御手段が回転テーブル１１の回転制御等を行うことにより第１，第２の可動金型８Ａ，８Ｂが入れ替えられて、一次成形工程の行われる反操作側で成形された一次成形品Ｍ１が、反操作側の反対に位置する操作側から排出される。 - 特許庁

To provide a mold for injection molding usable in manufacturing a resin molded article wherein a first sheet material having no rigidity is embedded under holding in a predetermined shape at a pre-determined position and further a resin molded article wherein a second sheet material is formed in a surface at the same time with injection molding, and also provide a manufacturing process of the resin molded articles using the mold for injection molding.例文帳に追加

それ自体に剛性のない第１シート体が所定の形状・位置に維持されながら埋設された樹脂成形品、更に射出成形と同時に第２シート体が表面に形成される樹脂成形品の製造に用いられる射出成形用金型及びこれを用いた樹脂成形品の製造方法を提供する。 - 特許庁

A process for producing the zinc oxide sintered compact with ZnO and Al added thereto comprises a calcination powder production step in which a first ZnO powder is blended with an Al_2O_3 powder and the blend is burnt, and a main burning step in which the calcination powder thus obtained is blended with a second ZnO powder and this blend is compacted and then burnt.例文帳に追加

ＺｎＯにＡｌを添加した酸化亜鉛焼結体の製造方法であって、第１のＺｎＯ粉末とＡｌ_２Ｏ_３粉末とを配合して焼成する仮焼粉末製造工程と、これによって得られた仮焼粉末と第２のＺｎＯ粉末とを配合、成形した成形体を形成し、これを焼成する本焼成工程とからなる。 - 特許庁

A cylinder core film, having an aperture for forming a capacitor electrode, is formed on a semiconductor substrate 1 formed via a prescribed semiconductor manufacturing process and thereafter, a first non-doped amorphous Si film 9a, a second impurity-containing amorphous Si film 9b and a third non-doped amorphous Si film 9c are formed, in order to form an amorphous Si film 9 on the silicon core film.例文帳に追加

所定の半導体製造プロセスを経た半導体基板１上に、キャパシタ電極形成用の開口を有するシリンダコア膜を形成した後、ノンドープの第１の非晶質Ｓｉ膜９ａ、不純物を含む第２の非晶質Ｓｉ膜９ｂおよびノンドープの第３の非晶質Ｓｉ膜９ｃを順次形成して、非晶質Ｓｉ膜９を形成する。 - 特許庁

When it is judged that the passed time Te1 is not shorter than a second time T2 shorter than the first time T1 and if a non-print time Tnp lasts for a third time α or more, the controlling part drives an ink-sucking mechanism 55 to execute the head recovery process of sucking a predetermined quantity of ink from nozzles of a recording head 3.例文帳に追加

また、経過時間Ｔｃ１が第１の時間Ｔ１よりも短い第２の時間Ｔ２以上となったことが判別された場合において、非印刷時間Ｔｎｐが第３の時間α以上継続しているときには、インク吸引機構５５を駆動して、記録ヘッド３のノズルから所定量のインク吸引を行うヘッド回復処理を実行する。 - 特許庁

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.例文帳に追加

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

In the 1970s, the economies of developed countries required a fundamental reform in their structures in order to cope with economic struggles, particularly after the first oil crisis. However, in reality, structural reform even during the subsequent recovery process was inadequate, and instead, actions such as protective measures against external influences and retention of inefficient sectors were adopted more often.例文帳に追加

70年代、特に第一次石油危機後の経済的困難に対処するために、先進諸国の経済は構造面での根本的な改革を必要としていたにも関わらず、現実にはその後の回復過程においても構造面の改革は不十分にしか行われず、むしろ対外的な保護措置や非効率部門の温存等が行われることが多かった。 - 経済産業省

In an electrophotographic process using electrostatic charge image developing toner and an electrophotographic photoreceptor, the toner comprises at least a binder resin, a colorant and wax and the binder resin is obtained by a first step of polymerizing a long chain (meth)acrylate ester and a second step of polymerizing a vinyl monomer in the presence of the polymer obtained in the first step, and the electrophotographic photoreceptor contains a polyester resin in the outermost surface layer.例文帳に追加

静電荷像現像用トナーと電子写真感光体を使用する電子写真プロセスにおいて、該トナーが少なくとも結着樹脂、着色剤及びワックスを含み、該結着樹脂が長鎖（メタ）アクリル酸エステルを重合する第１工程、第１工程において得られた重合体の存在下にビニル系単量体を重合する第２工程を経て製造されるものであり、且つ該電子写真感光体が、ポリエステル樹脂を最表面層中に含有するものであることを特徴とする、画像形成装置により解決した。 - 特許庁

The method for separating a semiconductor substrate, with a low-dielectric material deposited thereon, into individual chips comprises a first process wherein a blade using resin as its main binder cuts into the surface covered by a dielectric material at least to a level where the semiconductor material is exposed, and a second process wherein the blade cuts off the exposed semiconductor material.例文帳に追加

低誘電体絶縁材料が半導体物質上に積層された基板を個々のチップに分割する，低誘電体絶縁材料を積層した基板のダイシング方法において；レジンを主結合剤として使用したブレードによって，基板の低誘電体絶縁材料層が積層された面側から，少なくとも半導体物質が露出する深さまで，基板を切削する，第１の工程と；露出した半導体物質を切断する，第２の工程と；を含むことを特徴とする，低誘電体絶縁材料を積層した基板のダイシング方法が提供される。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR ESTABLISHING REDUNDANCY CONTEXT IN PROCESS CONTROL SYSTEM WITH FIRST AND SECOND APPLICATION STATIONS, METHOD AND SYSTEM FOR MAINTAINING/MANAGING REDUNDANCY CONTEXT IN THE SAME PROCESS CONTROL SYSTEM, MACHINE ACCESSIBLE MEDIUM WITH DATA, REDUNDANT APPLICATION STATION SYSTEM, AND METHOD OF CHANGING CONFIGURATION OF APPLICATION STATION例文帳に追加

第一のアプリケーションステーションおよび第二のアプリケーションステーションを有するプロセス制御システム内に冗長コンテキストを確立する方法、プロセス制御システム内で冗長コンテキストを確立するシステム、データを格納しているマシンアクセス可能媒体、第一のアプリケーションステーションおよび第二のアプリケーションステーションを備えるプロセス制御システムにおいて冗長コンテキストを維持管理する方法、プロセス制御システムにおいて冗長コンテキストを維持管理するシステム、データを格納しているマシンアクセス可能媒体、冗長アプリケーションステーションシステム、および、アプリケーションステーションのコンフィギュレーションを変更する方法 - 特許庁

In this initiative, Kyoto Institute of Technology, Kyoto Shisaku Net (group of small and medium-size processing companies) and product developing companies that represent the Keihan region collaborate closely with each other in developing a follow-up type internship program by organically combining problem solving, practical design training, internship and lectures. This internship program would enable students to have first-hand experience of the actual monodzukuri process leading up to the realization of their own product design in the form of a finished product, thereby fostering personnel with creativity and a critical mind and capable of looking at the monodzukuri process from a multi-faceted, broad perspective.例文帳に追加

本取組は、京都工芸繊維大学、京都試作ネット(中小加工企業群)、京阪地区を代表する製品開発企業、の三者が緊密に連携し、問題解決型デザイン実習とインターンシップおよび講義を有機的に結合することによって、学生が自ら企画設計した「マイプロダクト」が形になるまでのリアルなものづくりプロセスを追跡的に実体験する「川下り方式インターンシッププログラム」を開発し、創造性と批判的思考能力を持ち、ものづくりプロセスを多面的・俯瞰的に見通す力を持つ人材を育成することを目指している。 - 経済産業省

Further, a buried collector layer 103 is formed by ion-implanting (151) second conductivity second impurities to the semiconductor single crystal substrate 100 in a direction having an inclined angle to the normal line direction of the principal surface of the semiconductor single crystal substrate 100, with an implantation energy higher than that in the ion implantation process of the first impurities.例文帳に追加

また、半導体単結晶基板１００の主面の法線方向に対して傾斜角度を持つ方向に沿って半導体単結晶基板１００に、前記第１不純物のイオン注入処理における注入エネルギーよりも高い注入エネルギーで、第２導電型の第２不純物をイオン注入（１５１）することにより埋め込みコレクタ層１０３を形成する。 - 特許庁

The antistatic layer and the antireflection layer are successfully formed on the light control layer 2 by satisfactorily dispersing the conductive oxide nanoparticles in the second ink having affinity to the first ink, and the yield in a manufacturing process of the optical filter is improved by suppressing the occurrence of cracks in the antistatic layer and the antireflection layer when hardening these layers by heat.例文帳に追加

第１のインクと親和性のある第２のインクに導電性酸化物ナノ粒子を良好に分散させることにより、調光層２上に良好に帯電防止層、反射防止層を形成でき、帯電防止層、反射防止層の熱硬化の際にこれら層に割れが生じることを抑えて光学フィルタの製造工程での歩留を改善することができる。 - 特許庁

In the method for manufacturing a glass substrate including a grinding process of grinding both end faces of a conveyed glass substrate, a pair of grinding wheels grinding both end faces is turnably held and applied with first force in a glass substrate direction, and it is held so as to follow with respect to fluctuation in a width direction of the glass substrate.例文帳に追加

本発明に係るガラス基板の製造方法は、搬送されたガラス基板の両端面を研磨する研磨工程を含むガラス基板の製造方法において、両端面を研磨する一対の研磨砥石は、回動自在に保持されると共にガラス基板方向へ第１の力が付与され、且つ、ガラス基板の幅方向の変動に対して追従可能に保持されている。 - 特許庁

A computer-implemented method for selecting a biological subsequence for input to a query for identification of a predetermined biological sequence, comprises steps of:selecting with a processor-implemented process a subsequence from biological sequence data stored in memory; andsubmitting the subsequence in a query to identify the predetermined biological sequence with a first predetermined confidence level.例文帳に追加

所定の生物学的配列の同定のためにクエリーへのインプットのための生物学的サブ配列を選択するためのコンピュータ実施方法で、メモリー中に記憶された生物学的配列データからサブ配列を、プロセッサ実行プロセスで選択するステップ、および該配列をクエリーへ供し、第１所定信頼水準で該所定の生物学的配列を同定するステップを含む、方法。 - 特許庁

The process of manufacturing a container package includes: a stopper unit 70 having the function of stopping a can 20; first supply device 41 to sixth supply device 46 for supplying cans 20 to the stopper unit 70; and a gripping unit 50 for gripping six cans 20 located on the stopper unit 70 and for conveying the six cans 20 to a packing step.例文帳に追加

容器梱包体の製造工程には、缶体２０を停止させる機能を有したストッパーユニット７０、このストッパーユニット７０に対して缶体２０を供給する第１供給装置４１〜第６供給装置４６、ストッパーユニット７０上に位置する６つの缶体２０を把持するとともにこの６つの缶体２０を梱包工程へ搬送する把持ユニット５０が設けられている。 - 特許庁

In manufacturing a semiconductor device including a barrier metal layer in which a metal compound layer is sandwiched between two metal layers, a first metal layer which is to be a bottom layer is applied with oxidation treatment during a process in which a target consisting of one metal element out of titanium and tantalum is sputtered in the atmosphere of rare gas so that a plurality of metal layers are stacked on a background wiring.例文帳に追加

２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。 - 特許庁

The support structure 30 is configured and arranged to support the transparent sheet 10 so that measurement error induced by the support structure 30 is viewed by the imaging device 80 as extending along or parallel to first axises 46 and 54 that is oblique to second axises 22 and 24 extending along which the process-induced features in the transparent sheet 10 extend when viewed by the imaging device.例文帳に追加

支持構造３０は、支持構造３０により誘起される測定誤差が、撮像装置８０により、第一の軸４６、５４に沿って、またはこれに平行に延在して見えるように透明シート１０を支持するように構成、配置され、第一の軸は、撮像装置から見たときに、透明シート１０のプロセス誘起特徴がそれに沿って延在する第二の軸２２、２４に対して斜めである。 - 特許庁

In a process of contact and separation between a developing roller 401 and a photoreceptor drum 100, an image-forming apparatus uses capacitance detecting means between a first electrode member and a second electrode member whose capacitance differs between a state of contact between the developing roller and the photoreceptor drum, and a state of separation between them, in order to measure actual duration of contact between the developing roller and the photoreceptor drum.例文帳に追加

現像ローラ４０１と感光ドラム１００との接触離隔工程において、現像ローラと感光ドラムが接触している接触状態と離隔している離隔状態で静電容量が異なる第１の電極部材と第２の電極部材との間の静電容量検知手段を用いて、実際に現像ローラと感光ドラムが接触している時間を計測する。 - 特許庁

The method for analysis includes: performing removal or inactivation processing on various products (by-products) produced on a decomposition (or etching) surface as a first process and making the surface hydrophobic rapidly with an HF gas thereafter at need; and thereby scanning the hydrophobic silicon wafer surface with drops of water with extremely high reproducibility and efficiency to collect and analyze decomposed matter on the surface.例文帳に追加

本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 - 特許庁

The feeding action of the rotation feeder unit 11 is adjusted by at least three continuous connecting steps, i.e., a first step of adjusting the penetration of the supported plate 2, a second step of adjusting the friction welding between the supporting plate 1 and the shaft part, and a third step of applying the axial force of the connecting element 5 to the supporting plate 1 to complete the friction welding process.例文帳に追加

回転フィーダ部１１の送り動作が、被支持板２を貫通するように調整する第１の段階と、支持板１とシャフト部との摩擦溶接を調整する第２の段階と、接合要素５の軸方向の力を支持板１に加える第３の段階の少なくとも３つの連続した接合段階によって調整されて摩擦溶接プロセスを完了させる。 - 特許庁

In an embodiment, a graphics processing unit analyzes a frame group of video data by using at least one first processing core of plural processing cores to detect features of the video data, and applies a process associated with the detected features of the video data to audio data on a memory by using at least one second processing core of the plural processing cores.例文帳に追加

実施形態によれば、グラフィクスプロセッシングユニットは、複数のプロセッシングコア内の少なくとも一つの第１プロセッシングコアを用いてビデオデータのフレーム群を解析して前記ビデオデータの特徴を検出すると共に、前記複数のプロセッシングコア内の少なくとも一つの第２プロセッシングコアを用いて、メモリ上のオーディオデータに前記検出されたビデオデータの特徴に関連付けられた加工を施す。 - 特許庁

To provide an apparatus for depositing an organic material and a depositing method thereof, wherein a deposition process is performed with respect to a second substrate while transfer and alignment processes are performed with respect to a first substrate in a chamber, so that loss of an organic material wasted in the transfer and alignment processes of the substrate can be reduced, thereby maximizing material efficiency and minimizing a processing tack time.例文帳に追加

チャンバ内で第１基板に対する基板の移送及びアライン工程の実行と同時に、第２基板に対する蒸着工程を行えるようにすることで、基板の移送及びアライン工程時に消耗する有機物質材料の損失を減らして材料効率を最大化し、工程のタックタイムを最小化できる有機物蒸着装置及び蒸着方法を提供する。 - 特許庁

A first process part 120 includes a multistage structure that right and left electrodes 122 between which one copper sheet 101 is held is defined as one station and tow or more stations are provided and an anodic treatment for forming copper particles in necessary quantity to form fine bump like projecting on right and left both surface of the steel sheet 101 by electrolyzing using a copper plate 101 as an anode and an electrode 122 as a cathode is carried out.例文帳に追加

第一工程部１２０は、１つの銅板１０１を挟む左右の電極１２２を１ステーションとして、これを２ステーション以上備えた多段構成となっており、銅板１０１を陽極、電極１２２を陰極とする電気分解により、銅板１０１の左右両面に微細瘤状突起を形成するのに必要な量の銅微粒子を生成させる陽極処理を行う。 - 特許庁

The process for producing an unsaturated aldehyde and an unsaturated carboxylic acid comprises using a catalyst obtained by supporting a catalytically active component on an inert carrier in the form of a ring at a first layer of a raw material gas inlet, the outer peripheral portion of the carrier curving in the lengthwise direction of the carrier, in a plurality of reaction zones provided by diving the catalyst layer within each reaction tube into two or more layers in the tubular axis direction.例文帳に追加

各反応管内の触媒層を管軸方向に２層以上に分割して設けた複数の反応帯において、原料ガス入口部の１層目にリング形状を有し、外周縁部が担体長さ方向に湾曲した不活性担体に触媒活性成分を担持した触媒を使用することを特徴する不飽和アルデヒド及び不飽和カルボン酸の製造方法。 - 特許庁

This method for generating the immune responses to the prostate-specific antigen (PSA) includes a process for introducing a sufficient amount of the first recombinant poxvirus vector into a host to stimulate the immune response, wherein the poxvirus vector has at least one insertion site containing a DNA segment encoding operably bound prostate-specific antigen (PSA).例文帳に追加

前立腺特異的抗原(PSA)に対する免疫応答を発生させるための方法であって、第１のポックスウイルスベクターの十分量を宿主に導入して免疫応答を刺激する工程を包含し、ここで該ポックスウイルスベクターが該宿主において発現し得るプロモーターに作動可能に連結されたPSAをコードするDNAセグメントを含む少なくとも１つの挿入部位を有する、方法。 - 特許庁

A first process for producing an electric circuit component comprises steps (a) for forming a nonconductive trench structure on a substrate, (b) for patterning solution containing an electroless plating medium in the trench on the substrate by ink jet technology, and (c) for depositing a conductive substance in the opening of the trench structure by electroless plating followed by or not followed by elctroplating.例文帳に追加

本発明の電気回路部品の第１の製造方法は、（ａ）基板上に非導電性の溝構造を形成する工程；（ｂ）インクジェット技術によって、該基板上の溝に無電解メッキ触媒含有溶液をパターニングする工程；および（ｃ）無電解メッキ法または無電解メッキ法に続く電解メッキ法により、該溝構造の開口部に導電性物質を析出させる工程を含む。 - 特許庁

This method includes a first step to create a source code, a second step to analyze the created source code according to grammar definition of a programming language, and a third step to apply processing rules corresponding to the platform using the created source code to the analyzed source code, process the analyzed source code, and output the source code corresponding to the platform.例文帳に追加

ソースコードを生成する第１のステップと、生成されたソースコードをプログラム言語の文法定義に従って解析する解析する第２のステップと、解析済みのソースコードに対し、生成したソースコードを使用するプラットフォームに対応した加工ルールを適用し、前記解析済みのソースコードを加工し、プラットフォーム対応のソースコードを出力する第３のステップとを備える。 - 特許庁

A multi-layer coating process for a bulky granular material includes a step in which the wet material is obtained, a step in which the material is mixed in advance with the first coating agent supplied in the form of powder, and a step in which the mixture is introduced into the inlet end of a spiral passage in a rotating drum.例文帳に追加

バルクの粒状材料の多層被覆工程であって、湿った状態の粒状材料のバルクを入手すること、粉末化形態で提供された第１の被覆剤と、粒状材料を前以て混合すること、及び次に、前以て混合された材料を、回転しているドラム内の螺旋巻き路の入り口末端中に導入すること、の段階を含んでなる方法。 - 特許庁

In a semiconductor device, a memory transistor is constituted by laminating a floating gate upon a control gate through a first insulating film, and at least the gate electrode of a select transistor is constituted into a single layer which contains impurities at increased concentrations by implanting ions into a polysilicon film, forming in the same layer as the floating gate electrode of the memory transistor in a source-drain area forming process.例文帳に追加

メモリトランジスタは第１絶縁膜を介してフローティングゲートとコントロールゲートが積層された構造であり、少なくともセレクトトランジスタのゲート電極が、メモリトランジスタのフローティングゲート電極と同層で形成されたポリシリコン膜にトランジスタのソースドレイン領域形成工程におけるイオン注入により不純物濃度が高められた単層構成であることを特徴とする。 - 特許庁

The pretreatment process includes: a dissolving deposition step S1 which deposits deposition biomass using a poor solvent after dissolving cellulose based biomass; a first separation step S2; a pulverizing step S3 which pulverizes the deposition biomass; a countercurrent contact formula elution step S4 which brings the deposition biomass into countercurrent-contact with the poor solvent; a second separation step S5; and a distillation step S6.例文帳に追加

前処理工程は、セルロース系バイオマスを溶解させた後に貧溶媒を用いて析出バイオマスを析出させる溶解析出工程Ｓ１と、第１の分離工程Ｓ２と、析出バイオマスを粉砕する粉砕工程Ｓ３と、析出バイオマスを貧溶媒に向流接触させる向流接触式溶出工程Ｓ４と、第２の分離工程Ｓ５と、蒸留工程Ｓ６と、を備えている。 - 特許庁

To prevent void or scattering during transfer in a transfer process by a fast tandem system having a short distance from a first primary transfer position to a second primary transfer position, to prevent filming on a photoreceptor or a transfer body even for long-term use under high humidity condition, and to prevent offset while keeping high light transmitting property of an OHP sheet without applying oil.例文帳に追加

第１の一次転写位置から第２の一次転写位置までの距離が短くかつ高速なタンデム方式の転写プロセスにおける転写時の中抜けや飛び散りを防止し、高湿下での長期使用においても、感光体、転写体のフィルミングを防止することができ、オイルを塗布せずとも、高いＯＨＰ透光性を維持しながらオフセット性を防止することを目的とする。 - 特許庁

In a first backlash regulation process, the energizing force of a tensile coil spring 13 is automatically exerted on an integral inner gear unit 24 and the integral inner gear unit 24 is rotated in an energizing direction, and backlashes B between the integral inner gear unit 24 and a division planetary gear 123B and the division planetary gear 123B and a solar gear 122 are removed.例文帳に追加

第一バックラッシュ調整工程では、一体内歯車ユニット２４に対して引張コイルスプリング１３３の付勢力が自動的に作用し、一体内歯車ユニット２４がその付勢方向へ回動されて、一体内歯車ユニット２４と分割遊星歯車１２３Ｂとの間及び分割遊星歯車１２３Ｂと太陽歯車１２２との間のバックラッシュＢがそれぞれ除去される。 - 特許庁