「grow-in」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The spinal correction system is intended to unrestrictively grow the concave side of a malformed spine, and to correct or arrest the scoliosis in the growing spine by spanning the end plate growth centers of adjacent vertebrae on the convex side of the malformed spine so as to retard growth on the convex side of the malformed spine.例文帳に追加

脊柱矯正システムは、奇形脊柱の凹状側が制約無く成長できるようにする一方で奇形脊柱の凸状側の成長を遅延させるように凸状側で隣接する脊椎の終板成長中心を跨ぐことにより、成長する脊柱内の脊柱側弯症を矯正または制止させるよう意図されたものである。 - 特許庁

In the invention, a method of producing a carbon nanotube including the following steps is provided, a metallic substrate is provided, a carbon source gas is provided: the surface of the metallic substrate is oxidized to form an oxide layer, a catalyst layer is formed on the oxide layer, the carbon source gas is introduced to grow a carbon nanotube, and simultaneously, the oxide layer is reduced.例文帳に追加

本発明は下記のステップを含む炭素ナノチューブの製造方法を提供し、金属基板を提供し、炭化水素ガスを提供し、該金属基板の表面を酸化して酸化物層を形成し、該酸化物層に触媒層を形成し、炭化水素ガスを導入して炭素ナノチューブを成長する同時に、該酸化層を還元する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a nitride semiconductor formed on a hexagonal system SiC substrate, in which nitride semiconductor carrier depletion caused by spontaneous polarization and piezopolarization occurring on the interface between semiconductor layers is reduced to stabilize a drive voltage, and to allow a flat nitride semiconductor layer to grow.例文帳に追加

六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

They noted that accelerated and sustainable growth is a necessary condition for reducing poverty, and that more open economies tend to grow faster than closed ones; evidence suggests that substantial benefits could be gained from further liberalization of trade regimes in both developed and developing (including transition) countries. 例文帳に追加

大臣達は、加速化し、かつ持続的な成長が貧困を減らすための必要条件であること、より開放的な経済が閉鎖的な経済よりも早く成長する傾向があることに留意した。実証は、先進国および（移行国を含む）開発途上国の双方において貿易制度の更なる自由化から大きな利益が得られることを示唆している。 - 財務省

A liquid or that in which inactive gas and pure water or a chemical are mixed is injected on the surfaces of the fixed abrasive grains 46a during or after dressing to grow free abrasive grains on the surfaces of the fixed abrasive grains 46a under the polishing method to polish a semiconductor wafer while sliding it by pressing it on the fixed abrasive grains 46a.例文帳に追加

固定砥粒４６ａに半導体ウェハを押圧して摺動させつつ研磨を行うポリッシング方法において、固定砥粒４６ａの表面に遊離砥粒を生じさせるためのドレッシング中又はドレッシング後に、液体、もしくは不活性ガスと純水又は薬液とが混合された液体を固定砥粒４６ａの表面に噴射する。 - 特許庁

Thereafter, the sapphire substrate 1 with the surface modified layer 2 formed thereon is carried into a gas phase growing device in an atmosphere containing ammonium of 20 slm, hydrogen of 30 slm and nitrogen of 50 slm, then, temperature is raised to the growing temperature (1100°C) of the GaN layer (nitride semiconductor layer) 3 to grow the GaN layer 3 on the surface of the surface modified layer 2.例文帳に追加

その後、表面改質層２を形成したサファイア基板１を、２０ｓｌｍのアンモニア、３０ｓｌｍの水素及び５０ｓｌｍの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、ＧａＮ層（窒化物半導体層）３の成長温度（１１００℃）にまで昇温し、表面改質層２の表面にＧａＮ層３を成長させる。 - 特許庁

The lead wire layer is formed by precipitating aluminum on the base following the first mask pattern and the bridge layer is formed by connecting each of bridge wires 41 extending to vertical direction of the base to each of the lead wires 50 on the lead wire layer and forming aluminum precipitation to let grow in the direction vertical to the base.例文帳に追加

リード線層は、ベース上に、第１のマスクパターンに従ってアルミを析出させることにより形成され、ブリッジ層は、前記リード線層の個々のリード線（５０）にそれぞれ接続しつつ前記ベースの垂直方向に伸びるブリッジ線（４１）の各々を、アルミの析出を前記ベースの垂直方向に成長させて形成することにより、形成される。 - 特許庁

The apparatus for pulling the single crystal having chambers (a main chamber 4 and a top chamber 6) provided with a heater 2 therein for heating a material supplied into a crucible 1 and keeping a molten state to grow the single crystal 16 from melt 9 in the crucible 1 by the Czochralski method has the heater attached to the chamber 4, 6.例文帳に追加

ルツボ１内に供給される原料を加熱し、溶融状態に保持するためのヒーター２が内部に配置されたチャンバー（メインチャンバー４、トップチャンバー６）を有し、ルツボ１内の溶融液９からチョクラルスキー法により単結晶１６を育成する単結晶引上げ装置であって、ヒーターがチャンバー４，６に取り付けられている引上げ装置。 - 特許庁

Since the Imperial visit to Fukuhara, the dissatisfaction of the aristocrats continued to grow and the Retired Emperor Takakura's health deteriorated, so using the request from the Enryaku-ji Temple, who were pro-Kiyomori (they were enemies with the Onjyo-ji Temple and the Kofuku-ji Temple but were not happy about the moving of the capital) as a reason, Kiyomori returned to Kyoto from Fukuhara in November, six months after the imperial visit to Fukuhara. 例文帳に追加

福原への行幸以降、貴族の不満も高まり、高倉上皇の健康が悪化していくなか、親清盛派の延暦寺（彼らは園城寺や興福寺と敵対関係にあったが、遷都には不満を抱いていた）などからの要望を契機として、福原行幸から半年後の11月、清盛は福原から京へ戻った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Japan currently has the advantage of having the expertise in many fundamental technologies, including precision parts and materials, while China has abundant cheap labor. However, such advantages are considered to be gradually eroding as the other Asian countries are improving their technological skills and raising wages as their economies grow.例文帳に追加

現状では、我が国は多くの基盤技術の集積や高度部品・材料の技術面において優位性を有し、中国等は安価な労働力という面において優位性を有しているが、アジア諸国の技術力の向上や、経済発展に伴う賃金上昇によって、そうした差が年々小さくなってきていると言われている。 - 経済産業省

The cosmetic equipment having the improved hygienic effects and beauty effects contains microcapsules including an oozing component containing a sugar alcohol and an organic acid so that the oozing component may ooze out from the microcapsules with time to selectively kill the bad bacteria and grow the good bacteria in the indigenous bacteria on the skin by the oozing component of the fine particles.例文帳に追加

糖アルコール及び有機酸を含む滲出成分がマイクロカプセルから経時的に滲出されるように化粧用具に含まれていて、該微粒子の滲出成分により皮膚常在菌の中で選択的に悪玉菌を抗菌し、善玉菌を育成することによって衛生効果及び美容効果の改善された化粧用具を得る。 - 特許庁

A liquid 2 through which the laser transmits is arranged on the thermoplastic material 1 and the thermoplastic material 1 is continuously irradiated with the laser through the liquid 2 not only to fluidize the thermoplastic material 1 of the laser irradiated part to grow the same in the optical axis direction of the laser 3 but also to form a projected structure 1D of the thermoplastic material.例文帳に追加

熱可塑性材料１上にレーザーを透過する液体２を配置し、この液体２を通してレーザー３を連続的に熱可塑性材料１に照射することによって、レーザー照射部分の熱可塑性材料１を流動化させてレーザー３の光軸方向に成長させ、熱可塑性材料の突起状構造物１Ｄを作製する。 - 特許庁

The invention also provides a manufacturing method of said structure including the following steps: (1) to deposit a catalyst layer on the substrate, (2) to deposit a material layer on the catalyst layer for controlling the carbon nanotube growth rate, (3) to anneal them in the atmosphere containing oxygen to oxidize the catalyst layer to nano-order particles, and (4) to input hydrocarbon gas to grow the carbon nanotubes.例文帳に追加

また、下記のステップを含む前記構造の製造方法を提供し、（１）基板に触媒層を堆積し、（２）該触媒層に炭素ナノチューブの成長速度を制御するための材料層を堆積し、（３）酸素を含む雰囲気でアニールし、該触媒層をナノオーダー粒子に酸化させ、（４）炭化水素ガスを導入し、炭素ナノチューブを成長する。 - 特許庁

There are thus limits to how far an enterprise can grow by pursuing just one line of business from its inception, and enterprises respond by entering new and different fields in order to replace declining existing fields of business or else supplement such business and achieve further growth.例文帳に追加

つまり、企業は誕生してから成長する過程において、単一事業だけで成長するには限界があるが、衰退していく既存事業の代替手段として、又はさらなる企業成長を目指すための手段として既存事業と異なる「新しい分野」に進出し、その分野でも成功を収めることによって成長していくのである。 - 経済産業省

Looking at the market trend of the contents industry by division, broadcasting (TV programs such as dramas, excluding advertisement) is expected to significantly grow during 2009 to 2014 by an annual average of 7.0%, as well as games (5.5%), movies (4.5%), and animated films (4.3%), while the music and character division is expected to remain in negative growth (Figure 3-3-2-6).例文帳に追加

コンテンツ産業における部門別の市場の推移を見てみると、音楽やキャラクター部門はマイナス成長が見込まれる一方で、放送（広告をのぞいたドラマ等のテレビ番組）が2009 年から2014 年にかけて年平均7.0%増、ゲームが同5.5%増、映画が同4.5%増、アニメが同4.3％増等大きな成長をとげると予想されている（第3-3-2-6 図）。 - 経済産業省

The method comprises a step to place an orientation material 6 containing cobalt on the substrate 1, a step to heat-treat the orientation material 6 containing cobalt in an oxidizing atmosphere for forming the orientation material 4 containing cobalt oxide and a step to grow the carbon fiber 5 by exposing the orientation material 4 containing cobalt oxide to the gas containing carbon.例文帳に追加

基体１上にコバルトを含む配向物質６を配置する配置工程と、酸化コバルトを含む配向物質４を形成すべく、前記コバルトを含む配向物質６を酸化性雰囲気中で熱処理する熱処理工程と、前記酸化コバルトを含む配向物質４を炭素含有ガスに晒して炭素繊維５を成長させる成長工程と、を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device having a silicon substrate which has a silicon nitride film or a silicon oxide film on at least part of its surface and which has an exposed silicon surface, the silicon substrate is placed in a chamber, and a gas containing chlorine, a gas containing hydrogen, and at least either a silane gas or a germane gas are sequentially introduced into the chamber to epitaxilally grow only the silicon surface selectively.例文帳に追加

表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板をチャンバー内に挿入し、チャンバー内に、塩素を含むガスと、水素を含むガスと、シラン系のガスまたはゲルマン系のガスの少なくとも一方とを順次導入することにより、選択的にシリコン表面のみにエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

This semiconductor manufacturing apparatus, having a susceptor holding a substrate in a reaction furnace and a substrate heating heater for heating the substrate and constituted to grow a semiconductor crystal on the substrate while feeding a raw material gas and a diluting gas, comprises an impurity removing heater in the reaction furnace, so that impurities are removed by the impurity removal heater and the substrate-heating heater.例文帳に追加

反応炉内に基板を保持するサセプタと前記基板を加熱する基板加熱用ヒータとを具備し、前記基板上に原料ガス及び希釈用ガスを供給しながら半導体結晶を成長するように構成して成る半導体製造装置において、前記反応炉内に不純物除去用ヒータを具備し、該不純物除去用ヒータと前記基板加熱用ヒータとにより不純物を除去するように構成したことにある。 - 特許庁

The ACTA Initiative aims to gradually expand itself by getting neighboring countries involved in the process in order to grow the ACTA into a global standard on the protection of intellectual property rights. After achieving the status of the global standard, it will eventually be able to attract countries having problems with the protection of intellectual property rights to join the Initiative. Such a trade policy approach by the ACTA Initiative is touted as a new approach that is totally different from the existing multilateral and bilateral approaches.例文帳に追加

こうした取組により、ACTA交渉参加国のみならず、その周辺の国も徐々に巻き込み、ACTAが知的財産権の執行に係る世界的なスタンダードとなることによって、最終的には、知的財産権保護に問題を抱える国の参加も促していくような通商政策のアプローチは、これまでの多国間や二国間の取組とは異なる、全く新しいものとして注目されている。 - 経済産業省

Employees are provided with opportunities to grow through activities in which "individuals plan, execute, report, and evaluate on their own," with the aim of developing into information independent persons. This is facilitated through the establishment of "committee activities" (activities in which teams are formed to consider environmental issues and work improvement, etc.) and "Japan's longest morning assembly" (held for about an hour each day, it is a opportunity for people to report the results of committee activities, perform skits, dance, and make other announcements from teams with no specific agenda).例文帳に追加

情報自立人になるために、「委員会活動」（チームを組んで環境問題や業務改善等について検討する活動）、「日本一長い朝礼」（毎日1時間程度行われる、委員会活動結果の報告や寸劇、ダンス等シナリオのないチームによる発表の場）の設置により、「一人一人が自ら企画し、実行・発表し、評価する」活動を通して成長する機会が提供されている。 - 経済産業省

As the person who asked me this question knows well, elderly people are increasing in Japan. Elderly people’s reflexes are slow compared with those of young people. Regrettably, as we humans are living things, it is inevitable that the older we grow, the higher our accident rate becomes. In this sense, regrettably, the reality is that the increase in elderly drivers due to the aging of society has led to a rise in the accident rate. 例文帳に追加

しかし、ご質問された方もよくお分かりのように、今、日本も大変高齢者が増えてまいりまして、私は医者ですが、高齢者の方というのはどう見ても若い人のように神経の反応等々が遅くなってくるのです。残念なことに、どうしても、お年を取ってこられますと事故率が上がってくるというのは、人間が生物である限り防ぎ得ないようなところもございますし、そういった意味で、今、大変日本の高齢化社会が進むにつれて、高齢者のドライバーが増えてきており、それがまた、大変残念なことに事故率を引き上げている事実もございます。 - 金融庁

A greening system for greening a vegetation base body in which soil containing bodies in which a highly drainable soil is contained are fitted at every specified distance and an artificial structure or the like constructed by spraying soft and water retentive soil mixed with growing materials by a machine, and provided with a means shielding plants-ungrowable greening objective face to grow vegetation, are provided.例文帳に追加

ネット体に高排水性土壌を入れた土壌収納袋を所定間隔に取り付けた植生基体と、該植生基体を緑化対象面に配置し固定した後、繁殖材料を混入した柔らかく保水力のある保水性土壌を機械で吹き付けて施工する人工構造物等を緑化するための緑化システムを、さらに植物生育不可能な緑化対象面を遮断する手段を使用して可能にする緑化システムを提供する。 - 特許庁

To provide a living space structure allowing a creative construction with elements such as sunlight, lighting and ventilation adopted in an odd lot, a creative construction as a living space integrating natural phenomena in a place with excellent natural environment and landscape, and flexibly adaptable to ever changing life styles as times change and family members grow, while securing a worry-free, safe home as premise.例文帳に追加

変形敷地において日照、採光、通風などの要素を取り入れながら創造的に構築可能であり、また自然環境、風景に優れている景勝の場所において、自然現象をも一体的な居住空間として創造的に構築可能であり、さらに安心で安全な居場所の確保を前提として、時代の移ろいや人の成長に伴い、刻々と変化している生活スタイルに対し柔軟に対応可能な居住空間構造を提供する。 - 特許庁

Moreover, the control of the Regents was waning, direct Imperial rule was resurging following Emperor Gosanjo ascending the throne, and influence amongst the Minamoto and Heike gradually reversed: parent and child in the Earlier Nine Years' War, subjugation in the Later Three Years' War, standing of class and military leaders, increasing wariness of the Imperial Court towards the deepening trust between regional warriors and MINAMOTO no Yoriie of the Kawachi-Genji (Minamoto clan), and under the rule of Emperor Shirakawa relations gradually began to grow frosty. 例文帳に追加

さらに、摂関家の支配が弱まり、天皇親政が復活した後三条天皇以降、源平間の形勢は次第に逆転へと向かい、父と親子二代で前九年の役、後三年の役を平定し、武功と部門の棟梁としての名声、地方武士からの信頼ともに厚かった河内源氏の源義家に対する朝廷の警戒が強まり、白河天皇の治世下においては次第に冷遇されていくようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Using a laser processing system comprising a carrying-in/out chamber for carrying in/out a substrate, a carring chamber including a robot arm, a heating chamber for heating the substrate, and a laser irradiating chamber for irradiating the substrate with a laser beam while heating the substrate, the crystalline semiconductor film is illadiated with the laser beam while moving the laser beam so as to epitaxial grow the crystalline semiconductor film.例文帳に追加

本発明によると、基板を搬入搬出するための搬入搬出室と、ロボットアームを有する搬送室と、前記基板を加熱する加熱室と、前記基板を加熱しながら前記基板にレーザー光を照射するためのレーザー照射室と、を有するレーザー処理システムを用いて、前記レーザー光を前記結晶性半導体膜に対して移動させながら照射することで、前記結晶性珪素膜はエピタキシャル成長することができる。 - 特許庁

In the method for producing a nanocarbon material where, using a carbon raw material, a nanocarbon material is produced by a reaction device, a nanocarbon material is produced using a carbon material production catalyst obtained by admixing an iron (Fe)-based catalyst with 0.1 to 10 mol% molybdenum (Mo) catalyst, so as to grow the carbon material having high purity.例文帳に追加

本発明のナノカーボン材料の製造方法は、炭素原料を用いてナノカーボン材料を反応装置により製造するナノカーボン材料の製造方法において、鉄（Ｆｅ）系触媒に対し、モリブデン（Ｍｏ）触媒を０．１〜１０モル％範囲で添加してなるカーボン材料製造触媒を用いて、ナノカーボン材料を製造し、純度の高いカーボン材料を成長させる。 - 特許庁

The mildew-proofing aerosol device 1 contains: mildew-proofing microorganisms that form spores under prescribed conditions and proliferously grow on a surface of an object for a mildew-proofing treatment to suppress proliferous growth of other fungi; a liquid in which the mildew-proofing microorganisms are mixed; an aerosol container 2 housing the mildew-proofing microorganisms and the liquid; and an inert compressed gas with low chemical reactivity, which fills the aerosol container 2.例文帳に追加

防カビ用エアゾール装置１は、所定条件下で芽胞を形づくり、防カビ対象物の表面で増殖して他の菌の増殖を抑制する防カビ微生物と、防カビ微生物が混合される液体と、防カビ微生物及び液体を収容するエアゾール容器２と、エアゾール容器２内に充填された化学反応性の低い不活性な圧縮ガスとを含んでいる。 - 特許庁

The illumination device 100 for plant cultivation used to grow the plant with an indoor plant cultivation system includes: two or more illuminants 110 arranged in a side peripheral surface of a central space S where the plant P is arranged, and a cylindrical reflector 120 arranged around or integrally with the illuminants 110.例文帳に追加

屋内の植物栽培システムで植物を栽培するために用いられる植物栽培用照明装置１００であって、植物Ｐを配置する中央空間Ｓの側方周面に配置される複数の発光体１１０と、発光体１１０の外周にまたは発光体１１０と一体に設置される筒状の反射板１２０とを備えている植物栽培用照明装置１００。 - 特許庁

The method for collecting the intracellular ingredients of the laver comprises cooling the laver to grow ice crystals in the cells and simultaneously freezing, while breaking cell membranes with the grown ice crystals, melting the ice crystals to ooze the intracellular ingredients outside the cell membranes, and then subjecting the product to a solid-liquid separation treatment to collect the liquid containing the intracellular ingredients.例文帳に追加

海苔を冷却して細胞内に氷結晶を成長させながら凍結させ、その際に成長した氷結晶で細胞膜を破壊した後、前記氷結晶を融解して細胞内成分を細胞膜外に滲出させると共に、固液分離して細胞内成分を含む液状物を分取することからなる海苔の細胞内成分の採取方法とする。 - 特許庁

In forming a thin film comprising catalyst metal particles on the surface of a substrate and growing carbon nanotubes on the thin film by chemical vapor deposition by using the catalyst particles on the thin film as nuclei, a specifically patterned chromium layer that prevents carbon nanotube growth is interposed between the substrate and the thin film to allow the carbon nanotubes to grow on only an area where no thin film chromium layer is present.例文帳に追加

基板表面に触媒金属粒子からなる薄膜を形成し、該薄膜の触媒粒子を核として薄膜上に化学蒸着法によりカーボンナノチューブを成長させるに当たり、基板と上記薄膜の間に、カーボンナノチューブの成長を阻止するクロム層を所要パターンで介在させることにより、薄膜のクロム層非介在部のみにカーボンナノチューブを成長させる。 - 特許庁

The single crystal thin film 3 is formed by a process wherein the mask 2 having the opening space 2a is adhered to the substrate 1 of single crystal silicon, and a process wherein the single crystal thin film 3 is formed by making a compound semiconductor epitaxial grow on the surface of the substrate exposed in the opening space 2a of the mask 2, while heating the mask 2 at a temperature of softening point or higher.例文帳に追加

単結晶シリコンから成る基板１の上面に、開口部２ａを有したマスク２を被着させる工程と、該マスク２をその軟化点以上の温度で加熱しつつ、前記マスク２の開口部２ａ内に露出する基板表面に化合物半導体をエピタキシャル成長させて単結晶薄膜３を形成する工程と、によって単結晶薄膜３を形成する。 - 特許庁

The second scintillator 18B includes: a columnar portion 34B formed by a group of columnar crystals to which crystals of fluorescent compositions grow in columnar shapes; and a non-columnar portion 36B that is continuous with the columnar portion 34B and has a porosity greater than 0 but less than a porosity of the columnar portion 34B while being formed by the crystals of the fluorescent compositions.例文帳に追加

第２のシンチレータ１８Ｂは、蛍光組成物の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群によって形成されている柱状部３４Ｂと、柱状部３４Ｂに連続し、この蛍光組成物の結晶により形成されるとともに、空隙率が０よりも大きく柱状部３４Ｂの空隙率よりも小さい非柱状部３６Ｂとを有する。 - 特許庁

This method for cultivating mushroom comprises moving a mushroom bed into primordium-forming environmental conditions followed by cutting a specifically selected portion of a coating material at an appropriate time without waiting formation of the primordium in a coated condition; inducing the primordium from the cut portion; and properly selecting the primordium-forming environmental conditions after cutting the coating material so as to ensure induction of the primordium to make the primordium grow into carpophores.例文帳に追加

原基形成環境条件に移して後、被覆状態で原基の形成を待つことなく、被覆材の特定選択部位を適切な時期に切除し、切除した部位より原基が誘導し得ること、そして更に被覆材切除後の原基形成環境条件を適宜選択することにより、原基誘導をより確実にし子実体へと生育させることができる。 - 特許庁

The present invention relates to the method of manufacturing the p-type III-nitride semiconductor which is characterized in that a nitrogen source containing a hydrogen atom is used to grow a III-nitride semiconductor containing a p-type dopant, inert gases are then used as carrier gases and the circulation of the nitrogen source containing the hydrogen atom is stopped, thereby decreasing the temperature while supplying a nitrogen atom from a nitrogen source not containing the hydrogen atom.例文帳に追加

水素原子を含有する窒素源を使用し、ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後、キャリアガスに不活性ガスを用い、かつ水素原子を含有する窒素源の流通を停止し、水素原子を含有しない窒素源により窒素原子を供給しつつ降温することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 - 特許庁

In the conduction control method of the spot resistance welding, electrodes are conducted so as to alternately repeating time zones 31a-31d for maintaining the current as high as to grow nugget to a steel plate to be welded, and time zones 32a-32c for maintaining the current as low as to soften the steel plate without generating spatter, during the current-carrying time of the resistance welding.例文帳に追加

このスポット抵抗溶接の通電制御方法は、抵抗溶接の通電時間内に、溶接する鋼板に対してナゲットを成長させる程度の高い電流値を維持する時間帯３１ａ〜３１ｄと、スパッタを発生させずに鋼板を軟化させる程度の低い電流値を維持する時間帯３２ａ〜３２ｃを交互に繰り返すように、電極に通電することを特徴とする。 - 特許庁

To stably grow a single crystal rod without damaging the crystal habit line of the single crystal rod, causing deformation and delamination due to the weight of the rod, even when it is as heavy as 400 kg and causing dislocation due to the damage of the crystal habit line in a constitution where the bottom of the bulged portion of the single crystal rod formed by CZ method is supported.例文帳に追加

ＣＺ法で形成される単結晶の径拡大部の下端を把持する構成において、単結晶の晶癖線に損傷を与えずかつ、単結晶の荷重が４００ｋｇ程度の大重量であっても、加わる荷重により、変形や層間剥離などを生ぜす、安定した状態で、かつ晶癖線の損傷による転位を生じることなく成長させる。 - 特許庁

Since the Lehman Shock, various problems have emerged, including the European sovereign debt problem and the Greek crisis. I hear that the newly elected French President talked with the German Chancellor. Basically, the European market is very unstable in some respects, so IOSCO and other organizations involved in international financial affairs are expected to grow in importance. 例文帳に追加

ですから、今益々、こういったことが、リーマン・ショック後は、ヨーロッパのソブリンリスクに始まって、今、ギリシャの問題はまた少し色々な問題点を含んでおりますし、新たにフランスの大統領が選出されまして、新しい大統領とドイツの首相とお話をされたようですけれども、そういった意味で基本的には欧州の市場というのは非常に不安定なところもございますから、そういったことを含めてこういった国際金融に関するIOSCOをはじめ（とする機関が）、益々重要性を増してくるというふうに思っております。 - 金融庁

If, however, the East Asian nations do enter the "convergence club" and lock in a development trajectory, we have the example of the United Kingdom and the United States, which have admitted the entry of Japan and many other countries into the "club" while advancing domestic structural reform and transformation in order to sustain their own growth. This experience suggests that Japan too will need to undertake an autonomous program of structural reform and evolution to a new industrial structure, aiming to grow together with its East Asian neighbors.例文帳に追加

しかしながら、仮に、東アジア諸国・地域がこのような「収束クラブ」に参入し、順調な発展を遂げていく場合においては、かつてイギリスや米国が、我が国を初めとした多くの国々の「収束クラブ入り」を認めつつ、自らの構造改革と変革によって成長を続けてきたという事例を念頭に置き、我が国も、自らの力で構造改革と新しい産業構造への変革を成し遂げ、東アジア諸国・地域とともに成長を目指すことが必要である。 - 経済産業省

To provide a method for manufacturing a zeolite separation membrane used when separating water from a treated fluid consisting of a mixture of organic compounds such as ethanol and water, which is in suitable conditions for these zeolite membrane separation, has little defects, may grow precisely, and may efficiently remove the water molecule that is the separation object, particularly with regard to the MFI type or MOR type zeolite membrane.例文帳に追加

エタノール等の有機化合物と水との混合物よりなる被処理流体から水を分離する際などに用いられるゼオライト分離膜、特に、ＭＦＩ型またはＭＯＲ型のゼオライト膜について、これらのゼオライト膜分離に適した状態である、欠陥が少なく、緻密に成長できるとともに、分離対象である水分子を効率的に取り除くことができる、ゼオライト分離膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the etching process, the specimen 21 is heated to a temperature not lower than the point where the surface mobility of deposit begins to grow large, which is a reaction product between plasma 40 and the specimen 21 or the product resulting from the sputtering of the resist pattern 30 by plasma 40, and lower than the point where the deposit is firmly fixed on the surface of the specimen 21.例文帳に追加

該エッチング工程は試料２１を加熱し、試料２１の加熱温度は、プラズマ４０と試料２１とが反応してなる反応生成物又はレジストパターン３０がプラズマ４０によりスパッタされてなる生成物が試料２１の表面上に堆積物として堆積する際の堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ堆積物が試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定する。 - 特許庁

In manufacturing the group III-V compound semiconductor light emitting device on a side wall of the ridge, having a ridge and a current block layer formed sandwiching the ridge, and including a layer having a larger Al ratio than that of the layer forming a bottom face of both sides of the ridge, the current block layer is made to grow under a condition of 650°C or below by a vapor deposition method.例文帳に追加

リッジと、リッジを挟んで形成された電流ブロック層とを有し、かつリッジの側壁に、Ａｌ混晶比が前記リッジの両側の底面を形成する層のＡｌ混晶比よりも大きい層を含むIII−Ｖ族化合物半導体発光素子を製造するにあたり、電流ブロック層を６５０℃以下の条件でかつ気相成長法により成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a single-walled carbon nanotube comprises the steps of: forming a buffer layer on a glass substrate; forming a catalyst metal layer on the buffer layer; introducing the glass substrate having the catalyst metal formed thereon into a vacuum chamber to generate an H_2O plasma in the vacuum chamber; and supplying a source gas into the vacuum chamber to grow a carbon nanotube on the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板上にバッファー層を形成するステップと、前記バッファー層上に触媒金属層を形成するステップと、前記触媒金属が形成されたガラス基板を真空チャンバに導入し、真空チャンバ内にＨ_２Ｏプラズマを発生させるステップと、真空チャンバ内にソースガスを供給しガラス基板上にカーボンナノチューブを成長させるステップと、を含むことを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法である。 - 特許庁

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate.例文帳に追加

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。 - 特許庁

China is scheduled to enhance production capacity by approximately 100 million tons by 2004-2008 according to the investment program it announced. As global iron and steel supply is expected to grow rapidly in the future (increase supply capacity by approximately 280 million tons by 2005-2008), the OECD (2005) has noted that oversupply exceeding demand may serve as an incentive for import substitution or increasing exports.例文帳に追加

また、OECD（2005）は今後世界の鉄鋼供給が急速に増加することが予想される中で（2005‑2008年までに約2.8億トンの供給能力分追加）、中国で公表された投資計画によれば2004～2008年までの間に約１億トンの生産能力が増強される予定であり、需要を上回る過剰生産分が輸入代替若しくは輸出増加へのインセンティブにつながる可能性を指摘している。 - 経済産業省

Another method for producing the carbon fiber involves a step to place the orientation material 6 containing cobalt on the substrate 1, a step to heat-treat the orientation material 6 containing cobalt in the oxidizing atmosphere for forming the orientation material 4 containing cobalt oxide, which is Co_3O_4, and a step to grow the carbon fiber by exposing the orientation material 4 containing the cobalt oxide to the gas containing carbon.例文帳に追加

また、他の炭素繊維の製造方法においては、基体１上にコバルトを含む配向物質６を配置する配置工程と、Ｃｏ_３Ｏ_４からなる酸化コバルトを含む配向物質４を形成すべく、前記コバルトを含む配向物質６を酸化性雰囲気中で熱処理する熱処理工程と、前記酸化コバルトを含む配向物質４を炭素含有ガスに晒して炭素繊維を成長させる成長工程と、を含む。 - 特許庁