「w-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(224ページ目) - Weblio英語例文検索

In the multilayer ceramic substrate 1 having ceramics with mullite being a main crystal thereof, mullite content is 93-99 mass% of the ceramic component, at least one type of Mg and Y is contained as a component other than the mullite; and also at least one type of W and Mo is contained inside the multilayer ceramic substrate as a component of a conductive layer.例文帳に追加

ムライトを主結晶とするセラミックを有する多層セラミック基板１であって、ムライトの含有量が、前記セラミック成分の９３〜９９質量％であり、且つ、ムライト以外の成分として、Ｍｇ及びＹの少なくとも１種を含むとともに、多層セラミック基板の内部に、導電層の成分として、Ｗ及びＭｏの少なくとも１種を含む。 - 特許庁

In an array waveguide diffraction grating type optical composer and divider 1 that is one example of the optical circuit by this waveguide device, an array waveguide part 14 is divided into a first array part 14a having each channel waveguide formed with a core width W and a second array pat 14b having each channel waveguide formed with a core width W2 different from W1.例文帳に追加

光導波路装置による光回路の一例であるアレイ導波路回折格子型光合分波器１のアレイ導波路部１４を、各チャネル導波路がコア幅Ｗ１で形成されている第１アレイ部１４ａと、各チャネル導波路がＷ１とは異なるコア幅Ｗ２で形成されている第２アレイ部１４ｂとに区分する。 - 特許庁

Based on the temperature and temperature distribution of the substrate W, measured by the thermography 28 and the prestored information at a position corresponding to each compartment of the heating plate 10 and a flat size, feedback control is performed on each division heater so that the average temperature in each region, corresponding to each compartment of the heat plate of the substrate, becomes equal.例文帳に追加

サーモグラフィ２８によって計測される基板Ｗの温度および温度分布と、熱プレート１０の各区画に対応する予め記憶された位置および平面的大きさの情報とに基づいて、基板の、熱プレートの各区画に対応する各領域における平均温度が等しくなるように、各分割ヒータをフィードバック制御する。 - 特許庁

Illumination lights L from a luminous part arranged surrounding an axial line O on the front side in the axial line direction of a central electrode W1 are radially concentrated to the tip end of a spark plug W from the diagonal front outside the central electrode W1 toward the axial line O for illumination to photograph a spark gap part.例文帳に追加

中心電極Ｗ1の軸線方向前方側において軸線Ｏを取り囲む形で配置された発光部からの照明光ＬをスパークプラグＷの先端部に対し、中心電極Ｗ1の外側から軸線Ｏに向けて斜め前方側から放射状に集中させてこれを照らし、火花ギャップ部分の撮影を行う。 - 特許庁

When a hydrogen radical is discharged from a nozzle 25e at a stage where all via holes are formed at necessary places on a substrate W by a laser drill main body 13, the hydrogen radical reduces the bottoms of the respective via holes, so the top surface of a metal conductive layer of Cu, etc., oxidized by desmearing in drill machining is reduced and purified to form a metal surface.例文帳に追加

レーザドリル本体１３によって基板Ｗ上の必要箇所にすべてのビアホールを形成した段階で、ノズル２５ｅから水素ラジカルを吐出させると、水素ラジカルが各ビアホールの底部を還元するので、ドリル加工中のデスミヤに際して酸化されたＣｕ等の金属導電層の表面を還元・純化して、金属表面とすることができる。 - 特許庁

As the material dispersing in the solid electrolyte material, the metal particle of a good electric conductor such as gold (Au) platinum (Pt), zirconium (Zr), rhodium (Rh), tantalum (Ta), tungsten (W), and others are effective as a good electric conductor for induction heating, hardly reacts with the lanthanum gallate solid electrolyte material, and is chemically stable.例文帳に追加

固体電解質材料中に分散させる材料としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの電気良導体として金属粒子が誘導加熱のための良電気伝導体として有効であり、ランタンガレート固体電解質材料とほとんど相互反応せずに化学的に安定である。 - 特許庁

In the processing method for a silver halide color photosensitive material, a silver halide color photosensitive material having at least one silver halide emulsion layer containing at least one coupler represented by formula (1) on a support is processed with a processing solution containing at least one compound represented by formula (W).例文帳に追加

支持体上に下記一般式（１）で表される少なくとも１種のカプラーを含有する少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン化銀カラー感光材料を、下記一般式（Ｗ）で表される化合物を少なくとも一種含有する処理液により処理することを特徴とするハロゲン化銀カラー感光材料の処理方法。 - 特許庁

A work W mounted on a mounting table 6 in a treatment container 4 specifically by irradiating it with an electron beam comprises a mounting table inclining mechanism 28 for varying the inclining direction of the mounting table with time without turning it under a state inclining against the horizontal direction.例文帳に追加

処理容器４内に設置した載置台６上に被処理体Ｗを載置し、前記被処理体に電子ビームを照射しつつ所定の処理を施す処理装置において、前記載置台を水平方向に対して傾斜させた状態で前記載置台を回転させることなく前記傾斜方向を経時的に変化させる載置台傾斜機構２８を設けるように構成する。 - 特許庁

This system has such a scheme that, 1st and 2nd water- permeable films 21, 22 are ensured to move under contact respectively with the respective energized surfaces of 1st and 2nd stationary electrodes 11, 12, and fish paste products W are moved between both the electrodes 11, 12 while being driven in a sandwiched condition between the films 21 and 22.例文帳に追加

第１の固定電極１１と第２の固定電極１２のそれぞれの通電面には第１と第２の透水性フィルム２１，２２がそれぞれ接触して移動するようになっており、練り製品Ｗはそれぞれの透水性フィルム２１，２２により挟み込まれた状態で駆動されながら、両方の固定電極１１，１２の間を移動する。 - 特許庁

A water purifier 15 that removes chlorine and organic matter contained in water W of a public water system, a water activator 17 for generating mineral water M using the water coming from the water purifier 15, and a water-retaining cassette 20 for retaining a predetermined amount or more of mineral water M discharged out of the water activator 17 through an inlet 6 are provided.例文帳に追加

公営の水道水Ｗに含まれている塩素や有機物を除去する浄水器１５と、この浄水器１５からの水をミネラル水Ｍとして生成する活水器１７と、この活水器１７からのミネラル水Ｍを注入口６より出水されるミネラル水Ｍの所定量以上の貯留量を有する貯水カセット２０とを設ける。 - 特許庁

The unit 12 includes a tension measuring means 35 for measuring the tension of the bonding sheet S between a delivering head 49 and the pressing roller 14, wherein the tension measuring means 35 maintains the tension in a constant state, thereby preventing bubbles mixture between the bonding sheet S and the wafer W, and deformation due to warpage of the wafer after sheet pasting.例文帳に追加

シート繰出ユニット１２は、繰出ヘッド４９と押圧ローラ１４との間の接着シートＳの張力を測定する張力測定手段３５を含み、この張力測定手段３５が前記張力を一定に維持することで、接着シートＳとウエハＷとの間に気泡混入や、シート貼付後のウエハの反り変形が防止されるようになっている。 - 特許庁

Thus, in the encoder 1, even when the irradiation position of the detected light to the scale plate 11 shifts from the reference, the correction amount based on the difference α° between a reference angle range and the angle range corresponding to the half value width W of a light intensity waveform P during angle detection, and the absolute angle of a measuring object can be detected accurately.例文帳に追加

これにより、エンコーダ１では、スケール板１１に対する被検出光の照射位置が基準からずれている場合であっても、角度検出時における光強度波形Ｐの半値幅Ｗに対応する角度範囲と基準角度範囲との差α°に基づく補正量を加減し、測定対象物の絶対角度を精度良く検出することができる。 - 特許庁

The aluminum-silicon carbide composite contains, as main components, a first component comprising aluminum or an aluminum alloy and a second component comprising silicon carbide particles, and the aluminum- silicon carbide composite contains the silicon carbide in an amount of 50 to 80 wt.% and has a porosity of 1 to 4% and a thermal conductivity of ≥230 W/m.K.例文帳に追加

アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第一成分と、炭化珪素粒子からなる第二成分とを主成分とするアルミニウム−炭化珪素系複合材料であって、炭化珪素を５０〜８０重量％含み、気孔率が１〜４％、２５℃の熱伝導率が２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のアルミニウム−炭化珪素系複合材料である。 - 特許庁

A control means 50 executes burning/sticking prevention control processing to stop an operation of a heating source 4 in a case when prescribed necessary conditions including a first condition that a detection temperature of a cooking container W by a temperature detecting means 8 is raised equal to or higher than a temperature higher than an equilibrium temperature by a first prescribed temperature, are satisfied.例文帳に追加

制御手段５０は、温度検出手段８による調理容器Ｗの検出温度が平衡温度から第１所定温度だけ高い温度以上に上昇するという第１条件を含む所定の必要条件が成立した場合に、加熱源４の作動を停止させる焦げ付き防止用制御処理を実行する。 - 特許庁

Consequently, even if the wafer W curves and so on, a phenomenon such that wrinkles of the wafer concentrates on the non-suction part owing to the difference in area between the sucked area of the wafer and the suction area of a holding device main body can be avoided differently from simultaneous suction of the entire the sucked area of the wafer.例文帳に追加

これにより、ウエハの反り等が存在しても、ウエハの被吸着領域の全体を同時に吸着する場合と異なり、ウエハの被吸着領域の面積と保持装置本体の吸着領域の面積との差によって生じるウエハの皺が非吸着部分へ集中するという現象の発生を回避することが可能となる。 - 特許庁

The heat treatment apparatus is provided with a heat treatment plate 1, a plurality of first supporting members 11 regularly arranged and abutting on the bottom surface of the substrate to support it, a sealing section 15 exhibiting ring shape somewhat smaller than that of the substrate W and hermetically sealing a minute space ms, and an exhaust port 17 for exhausting the gas in the minute space ms.例文帳に追加

基板熱処理装置は、熱処理プレート１と、規則的に配置され、基板の下面を当接支持する複数個の第１支持部材１１と、基板Ｗよりやや小径のリング状を呈し、微小空間ｍｓを気密にするシール部１５と、微小空間ｍｓ内の気体を排出するための排出孔１７とを備えている。 - 特許庁

In the same columns, positive/negative polarities are inverted at intervals of two scanning lines to constitute columns wherein a pixel electrode and a right adjacent pixel electrode have different or same positive/negative polarities for every scanning line, i.e., columns of R, G, and B and a column of W wherein a pixel electrode and a right adjacent pixel electrode have different positive/negative polarities.例文帳に追加

同一の列内において、正負極性を２走査線ごとに反転させ、列内での画素電極と右隣の画素電極との間の正負極性が異なるか同じかが１走査線ごとになっている列つまりＲ、Ｇ、Ｂの列と、列内での画素電極と右隣の画素電極との間で正負極性が異なる列つまりＷの列とを構成する。 - 特許庁

When the evaluation part 52 evaluates that, on the basis of the acceleration signals, the deviation of the machining position on a workpiece W is in excess of a prescribed allowable value, the evaluation part 52 outputs a signal for prohibiting the output of a trigger signal to a trigger signal generating part 53a to stop the emission of a laser beam LB from a laser generator 40.例文帳に追加

評価部５２は、これらの加速度信号に基づいてワークＷ上の加工位置の位置ずれ量が所定の許容値以上になったと評価した場合、トリガ信号の出力を禁止する出力禁止信号をトリガ信号発生部５３ａに出力し、レーザ発振装置４０からのレーザビームＬＢの出射を停止させる。 - 特許庁

An optical image Q as a vein image from inside of the finger F derived through a transparent cover 14 as a read window W while moving the finger F in a direction (X) of its root is guided from a mirror 15 just below the transparent cover 14 to a line type imaging device 17 through an optical system 16 and an IR filter 18 for imaging.例文帳に追加

そして、前記指Ｆがその付け根の方向（Ｘ）に移動されながら読み取り窓Ｗである透明カバー１４を通して導出される該指Ｆ内部からの血管画像としての光学画像Ｑを、当該透明カバー１４直下のミラー１５から光学系１６，ＩＲフィルタ１８を介してライン型撮像素子１７へ誘導し結像させるようにした。 - 特許庁

In one embodiment, an aluminum nitride ceramic cover substrate is provided which includes an aluminum nitride ceramic wafer having a thermal conductivity of greater than 160 W/m-K, a circular-shaped geometry having a diameter within a range from about 11 inches to 13 inches, a thickness within a range from about 0.030 inches to about 0.060 inches, and a flatness of about 0.010 inches or less.例文帳に追加

一実施形態においては１６０Ｗ／ｍ−Ｋより高い熱伝導率と、約１１インチから約１３インチの範囲内の直径を有する円形形状と、約０．０３０インチから約０．０６０インチの範囲内の厚さと、約０．０１０インチ以下の平面度を有する窒化アルミニウムセラミックウェハを含む窒化アルミニウムセラミックカバー基板を提供する。 - 特許庁

In the liquid processing method, the chemical and rinse liquid are supplied to a workpiece and processing is performed through the multiple valve 10 provided with a chemical supply valve 11a, a rinse liquid supply valve 12a and a discharge valve 11b and a washing liquid supply pipe 5 for guiding the chemical C and the rinse liquid R through the multiple valve 10 to the workpiece W.例文帳に追加

液処理方法は、薬液供給バルブ１１ａと、リンス液供給バルブ１２ａと、排出バルブ１１ｂを有する多連バルブ１０と、多連バルブ１０を経た薬液Ｃおよびリンス液Ｒを被処理体Ｗに向かって案内する洗浄液供給管５を介して、被処理体に薬液およびリンス液を供給して処理する。 - 特許庁

In an alignment sensor 35 provided with an irradiation optical system for irradiating an wafer mark WM formed on a wafer W with measurement light IL and a detection optical system for guiding the light from the wafer mark WM to CCD 62 for X-direction and CCD 63 for Y-direction, an aberration measurement device 70 measuring the remaining aberration of the detection optical system are provided.例文帳に追加

ウェハＷ上に形成されたウェハマークＷＭに対して測定光ＩＬ１を照射する照射光学系と、ウェハマークＷＭからの光をＸ方向用ＣＣＤ６２及びＹ方向用ＣＣＤ６３へ導く検出光学系とを備えるアライメントセンサ３５内に、検出光学系の残存収差を測定する収差測定装置７０を備えた。 - 特許庁

The suspension structure 1 for the vehicle in which an axle member 2 supporting a wheel W rotatably is coupled with the vehicle body is configured so that the intersection P of the virtual king pin axis X with the ground surface G is, when viewed laterally to the vehicle, positioned between the grounding point Q of the wheel and the lateral force generating position R when the pneumatic trail T becomes maximum.例文帳に追加

車両用サスペンション構造１は、車輪Ｗを回転自在に支持するアクスル部材２を車体に連結する車両用サスペンション構造であって、車両側方から見て、仮想キングピン軸Ｘと地面Ｇとの交点Ｐが前記車輪の接地点ＱとニューマチックトレールＴが最大となる場合の横力発生位置Ｒとの間に位置させる。 - 特許庁

The punch press 1 is equipped with a punch P and die D for performing press on a planar workpiece W, a striker 3 for freely striking and pressurizing the punch P, and a working fluid supply device for feeding so as to jet the working fluid to a guide hole in the punch P when the punch P is struck and pressurized by the striker 3.例文帳に追加

パンチプレス１は、板状のワークＷにプレス加工を行うためのパンチＰ及びダイＤが備えられ、前記パンチＰを打圧自在のストライカ３が備えられ、かつ前記ストライカ３によるパンチＰの打圧時に、当該パンチＰに備えた導入孔へ作動流体を噴出供給する作動流体供給装置が備えられている。 - 特許庁

A CPU 24 starts interruption processing in accordance with this interruption signal, and performs servo control using either of a head position (calculated head position) calculated from a position information detected by the R/W channel 20 or this time head position (prediction head position) predicted from position information detected by the servo detecting means the previous time.例文帳に追加

ＣＰＵ２４は、この割り込み信号に応じて割り込み処理を開始し、Ｒ／Ｗチャネル２０により検出された位置情報から算出されるヘッド位置（算出ヘッド位置）、または上記サーボ検出手段により前回検出された位置情報から予測される今回のヘッド位置（予測ヘッド位置）のいずれか一方を用いてサーボ制御を実行する。 - 特許庁

The method of manufacturing the multicomponent carbonitride powder includes forming an alloy powder consisting of W, Cr, at least one selected from among Ti, Zr, and Hf, and at least one of V, Nb and Ta, by a mechanical alloying and then carbonitriding the alloy powder by heating it together with a powdered carbon material and a catalyst in the existence of nitrogen gas.例文帳に追加

Ｗと、Ｃｒと、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの少なくとも１種と、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａの少なくとも１種とを構成成分とする合金粉末をメカニカルアロイングにより生成した後、該合金粉末を粉末炭素材および触媒とともに窒素ガス存在下で熱処理することにより炭窒化して多元系炭窒化物粉末とするその製造方法。 - 特許庁

The polishing apparatus comprises a turntable 26 having a polishing face, and a top ring 28 moving freely up and down and in the horizontal direction while holding an object W to be polished and pressing the plane of the object being polished toward the turntable 26 wherein a mechanism for polishing the outer circumferential part of the object is disposed on the side of the turntable 26.例文帳に追加

研磨面を有するターンテーブル２６と、上下動及び水平移動自在でポリッシング対象物Ｗを保持して該ポリッシング対象物の被研磨面をターンテーブル２６に向けて押圧するトップリング２８とを備えたポリッシング装置において、ターンテーブル２６の側方にポリッシング対象物の外周部を研磨する外周部研磨機構を配置した。 - 特許庁

This semiconductor device inspection apparatus 1 is equipped with a stage 141 disposed in a vacuum chamber 11 for setting the semiconductor device (sample S), a femto-second laser device 12 for generating a femto-second laser beam FSLB for cutting the semiconductor device, and a scanning electron microscope (SEM 17) for observing the cut face W of the semiconductor device cut by the laser beam.例文帳に追加

半導体デバイス検査装置１は、半導体デバイス（試料Ｓ）をセットする真空チャンバー１１内に配設されたステージ１４１と、半導体デバイスを切削するフェムト秒レーザビームＦＳＬＢを生成するフェムト秒レーザ装置１２と、当該レーザビームにより切削した半導体デバイスの切削面Ｗを観察する電子顕微鏡（ＳＥＭ１７）とを備えている。 - 特許庁

The solid-liquid separation device 30 for separating a solid component (for example, insoluble biomass component) from a processed liquid W1 processed by a pressurized hydrothermal reactor, includes: a separation cylinder 31 filled with magnetic particles 33 for guiding the processed liquid W thereto; and a magnet 34 for vibrating the magnetic particle 33 filled in the separation cylinder 31.例文帳に追加

固液分離装置３０は、加圧熱水反応装置で処理された処理液Ｗ１に含まれる固体成分（例えば、不溶性のバイオマス成分）を分離する装置であって、磁性粒子３３が充填されて処理液Ｗが導かれる分離筒３１と、分離筒３１に充填された磁性粒子３３に対して振動を加える磁石３４とを備える。 - 特許庁

Consequently, a machined groove for secondary electric discharge is not enlarged by the unnecessary material including sludge, and the machined groove having a small width and a large depth can be easily formed by wire electric discharge machining in the workpiece W having a condition exceeding general standard machining condition of wire electric discharge machining, for example, a large thickness.例文帳に追加

このため、スラッジを含む不要物によって二次放電等の加工溝１８０が拡大することがなく、ワイヤ放電加工の一般的な標準加工条件を逸脱した条件、例えば厚みの大きいワークＷに対しても、幅が狭くかつ深さの大きい加工溝１８０をワイヤ放電加工にて容易に形成することができる。 - 特許庁

A wafer stage WST which holds a wafer W and moves on an XY plane includes a rough movement stage WRS which moves on the XY plane and a fine movement stage WFS which moves relatively to the rough movement stage WRS in directions parallel to a Y axis and an X axis and rotates on the axes.例文帳に追加

ウエハＷを保持してＸＹ平面上を移動するウエハステージＷＳＴを、ＸＹ平面上を移動可能な粗動ステージＷＲＳと、該粗動ステージＷＲＳに対してＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸それぞれに平行な方向に相対移動可能で、かつ各軸回りの回転方向に回動することが可能な微動ステージＷＦＳとで構成する。 - 特許庁

When forming a groove G in the circumferential direction inside a cylindrical work W, by adopting a forming method such that a groove forming part is swelled outside by loading a liquid pressure on the groove forming part inside the work and the groove is formed by restricting the swelled part from the outside of the work, the groove G can be easily formed at low cost.例文帳に追加

円筒状ワークＷの内側に円周方向の溝Ｇを成形するに際し、ワーク内側の溝成形部分に液圧を負荷して溝成形部分を外側に膨出させると共に、その膨出部分をワーク外側から拘束して溝を成形する円筒状ワークの溝成形方法とすることにより、簡単に且つ低コストで溝Ｇを成形し得るようにした。 - 特許庁

The laser beam machining apparatus includes: a laser oscillator 10 for oscillating/outputting a machining laser beam LB; a transmitting optical fiber 14 for transmitting the laser beam LB from the laser oscillator 10 to a desired laser beam machining place; and a laser emission unit 16 for convergently irradiating a workpiece W with the laser beam LB in the laser beam machining place.例文帳に追加

このレーザ加工装置は、加工用のレーザ光ＬＢを発振出力するレーザ発振器１０と、レーザ発振器１０から所望のレーザ加工場所までレーザ光ＬＢを伝送する伝送用光ファイバ１４と、レーザ加工場所でレーザ光ＬＢを被加工物Ｗに向けて集光照射するレーザ出射ユニット１６とを有する。 - 特許庁

In the piezoelectric body 13, a peripheral portion 13A including at least outside portion from the position W of a wall face 21W of the liquid storing chamber 21 and a main portion 13B being the other portion are formed on different substrates and the breaking stress of the peripheral portion 13A is greater than that of the main portion 13B.例文帳に追加

圧電体１３は、少なくとも液体貯留室２１の壁面２１Ｗの位置Ｗより外側部分を含む周縁部１３Ａとその他の部分である主要部１３Ｂとが異なる下地上に形成されたものであり、かつ、周縁部１３Ａの破壊応力が主要部１３Ｂの破壊応力よりも大きい特性を有している。 - 特許庁

The pattern drawing apparatus carries out exposure scanning along a main scanning direction covering each of a plurality of scanning regions As defined by each prescribed width w from a start position Ps on a substrate 9 along a sub scanning direction, by relatively moving a plurality of exposure heads in the main scanning direction and the sub scanning direction with respect to the substrate.例文帳に追加

パターン描画装置では、複数の露光ヘッドを基板に対して主走査方向と副走査方向とに相対移動させることで、基板９上の開始位置Ｐｓから副走査方向に所定幅ｗごとに規定される複数の走査領域Ａｓのそれぞれを担当する主走査方向に沿った露光走査が行われる。 - 特許庁

When the ceramic catalyst is produced by directly supporting a noble metal catalyst such as Pt on a ceramic carrier prepared by substituting W for one or more kinds of elements, for example Al, in the structural elements of cordierite as the base ceramic material, a compound containing no chlorine such as dinitrodiammine platinum or the like is used as the start source material of the noble metal catalyst.例文帳に追加

基材セラミックであるコーディエライトの構成元素のうちの少なくとも１種類またはそれ以上の元素、例えばＡｌをＷで置換したセラミック担体に、Ｐｔ等の貴金属触媒を直接担持してセラミック触媒体とする際に、貴金属触媒の出発原料として、ジニトロジアンミン白金等の塩素を含まない化合物を使用する。 - 特許庁

In this manufacturing method, at least one of the sheet (S) or the film (F) has not less than 50 mN/m surface tension (γ) of a lamination surface (Sa and Fa) by corona discharge treatment at not less than 100 W min/m^2 discharge level.例文帳に追加

本発明の製造法では、シート(S)およびフィルム(F)のうちの少なくとも一方は、放電量１００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^2以上のコロナ放電処理により、貼合面(Sa、Fa)の表面張力(γ)を５０ｍＮ／ｍ以上とし、シート(S)は、貼合面(Sa)の温度(Ｔｓ)を式（Ｉ） Ｔｇｓ−７℃≦Ｔｓ≦Ｔｇｓ＋４０℃ （Ｉ） 〔Ｔｇｓはシートの貼合面のガラス転移温度を示す。 - 特許庁

This substrate treating device 1 can be improved in foot print, because wafers W are transferred among a load-lock chamber 8, a CVD 13, and an etching section 14 by means of a stage 18a which can move linearly, and a single-shaft articulated robot 19 which is a transporting means without accompanying any revolving motion.例文帳に追加

この基板処理装置１では、回転動作を伴うことなく、直線状に移動可能なステージ１８ａと搬送手段である１軸多関節ロボット１９とによって、ロードロック室８、ＣＶＤ処理部１３及びエッチング処理部１４との間でウェハＷの受け渡しを行っているので、フットプリントの向上を図ることができる。 - 特許庁

A substrate holding part 10 for holding the substrate and the cleaning nozzle 16 for ejecting two or more kinds of liquids toward the cleaning surface of the substrate W at the same time from two or more kinds of nozzle parts 28 and 30 arranged in a concentric state are provided and, as at least one of two or more kinds of liquids, the chemical liquid, functional water or gas dissolved water is used.例文帳に追加

基板を保持する基板保持部１０と、同心状に配置された２種類以上のノズル部２８，３０から基板Ｗの洗浄面に向けて２種類以上の液体を同時に噴射する洗浄ノズル１６とを備え、２種類以上の液体の少なくとも１つとして、薬液、機能水またはガス溶解水を使用するようにした。 - 特許庁

Since not only the thickness of a recessed part 4 but also the peripheral length of a recessed part 4 can be set freely by the amount corresponding to the clearances W, the settable range of the spring constant can be increased by the amount of freely settable length of the recessed part 4 in the circumferential direction, while surely performing relative positioning of the inner tube 1 to the outer tube 2.例文帳に追加

よって、すぐり部４の厚さだけでなく、隙間Ｗの分だけ、すぐり部４の周方向の長さも自由に設定することができるので、すぐり部４の周方向の長さを自由に設定できる分、内筒１及び外筒２の相対的な位置決めを確実に行いつつ、ばね定数の設定可能範囲をより広くすることができる。 - 特許庁

Even the work W having the plurality of local points W1 and W2 to be soldered where the soldering range is different each other can be efficiently soldered by raising only the nozzle 3 suitable for the size of the predetermined local point W1 to be soldered higher than the other nozzle 3a installed close thereto while avoiding the interference of the work W2 with the other nozzle 3a not in use.例文帳に追加

はんだ付け範囲の大きさが異なる複数のはんだ付け局所w1，w2を持つワークＷでも、特定のはんだ付け局所w1の大きさに適したノズル３のみを、それと接近して設置されている他のノズル3aよりも上昇させることで、使用しない他のノズル3aとワークw2との干渉を避けながら、能率良くはんだ付けする。 - 特許庁

This workpiece support device 10 includes: a support 16 supporting a workpiece W; a cylinder device 50 for moving the support in the vertical direction; an upward moving switch mechanism 66 pressed to operate the cylinder device, thereby moving the support upward; and a rocking member 20 having a rockable rocking body 22 and a contact part 35 provided on the rocking body.例文帳に追加

ワーク支持装置１０は、ワークＷを支持する支持台１６と、支持台を上下方向に移動させるシリンダ装置５０と、押圧されることによってシリンダ装置を操作して支持台を上方に移動させる上方移動スイッチ機構６６と、揺動可能な揺動体２２および揺動体に設けられた接触部３５を有する揺動部材２０と、を備えている。 - 特許庁

In this case, if a format code added to the material code is S, the apparatus 113 causes a program recording server 114 to record only the designated SD material, if it is H, causes the server 114 to record only the designated HD material, and if it is W, causes the server 114 to record the designated SD and HD materials.例文帳に追加

ここで、素材コードに付加されているフォーマットコードがＳの場合には番組収録サーバ１１４にＳＤ素材のみを指定して収録させ、Ｈの場合には番組収録サーバ１１４にＨＤ素材のみを指定して収録させ、Ｗの場合には番組収録サーバ１１４にＳＤ素材及びＨＤ素材を指定して収録させる。 - 特許庁

A ceramic substrate 1 comprising metal elements, in which Ti occupies not less than 20 mol% thereof, comprises a wiring conductive layer having a consecutive lamination of a contact metal layer 2 consisting of Cr or Ta2N, a diffusion preventing layer 3 consisting of one selected from Cr, Pd, Pt, Ni, Ni-Cr, Ti and Ti-W, and a main conductive layer 4 consisting of Au or Cu.例文帳に追加

含有された金属元素のうち２０ｍｏｌ％以上がＴｉであるセラミック基板１上に、ＣｒまたはＴａ_2Ｎからなる密着金属層２、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔｉ−Ｗのうちのいずれか１種からなる拡散防止層３、ＡｕまたはＣｕからなる主導体層４が順次積層されて成る配線導体層が形成されている。 - 特許庁

In performing laser welding by bisecting with reflection mirrors 113, 114 a laser beam L10 which is made a parallel laser beam L11 and by converging with a condensing lens group 115 these divided laser beams L12a, L12b on a part W to be machined, the optical image of the weld zone caught by the condensing lens group 115 is formed on an image sensor 131.例文帳に追加

平行レーザ光Ｌ１１にしたレーザ光Ｌ１０を反射ミラー１１３，１１４により２分割し、この分割レーザ光Ｌ１２ａ，Ｌ１２ｂを集光レンズ群１１５にて被加工部Ｗに集光させることによりレーザ溶接を行うにあたって、集光レンズ群１１５により捕らえられた溶接部の光学像をイメージセンサ１３１上に結像する。 - 特許庁