「High Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

The temperature control element 8 comprises the lower outer peripheral surface of the lower wall member 16 allowed to holdingly abut on the step part 19 of the mounting member 17 by the extension at a high temperature of a coiled shape memory alloy 18 as a thermally-actuated member having one end fixed to the cover member 5 and the other end fixed to the temperature control element 8.例文帳に追加

温度制御機素８は一端を蓋部材５に固定し他端を温度制御機素８に固定した温度応動部材としてのコイル状の形状記憶合金１８の高温時の伸張力によって取付部材１７の段部１９に下壁部材１６の外周下面が当接保持される。 - 特許庁

To provide a video data transfer unit used for a complex printing machine or the like having a printer function, capable of transferring data at a high speed by especially utilizing characteristics of a cache, and preventing unnecessary disconnect or retry process even when a memory is a target.例文帳に追加

本発明はプリンタ機能を有する複合印刷機等に使用されるビデオデータ転送装置に関し、特にキャッシュの特性を生かし、データ転送を高速で行うことを可能とすると共に、メモリがターゲットであっても、不要なディスコネクトやリトライ処理を回避するビデオデータ転送装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The precharge potential of a non-selection bit line among a plurality of bit lines 5 is set by an HPR voltage source 2 to be lower than a power source voltage Vcc (a low voltage of 0.5V to 1.2V, for example, 0.8V) which determines the electric potential on the high side of the data stored in the memory cell.例文帳に追加

複数のビット線５のうち非選択ビット線のプリチャージ電位は、ＨＰＲ電圧ソース２により、メモリセルに記憶されるデータのハイ側の電位を決定する電源電圧Ｖｃｃ（０．５Ｖ〜１．２Ｖの範囲内の低電圧、例えば０．８Ｖ）よりも低い電位（例えば１／２Ｖｃｃ＝０．４Ｖ）に設定される。 - 特許庁

When there is operation disabled state with a recording section 3 at reception of image information and when a facsimile number of the sender of the image information is stored in a sender memory 6, a control section 9 stores the image information which is received by a communication section 1, as image information of high importance in a non-volatile storage 4A.例文帳に追加

制御部９は、画像情報の受信時に記録部３が動作不能状態である場合、画像情報の送信元のファックス番号が送信元メモリ６に記憶されている場合には、通信部１が受信した画像情報を重要度の高い画像情報として不揮発性メモリ４Ａに格納する。 - 特許庁

When a start address determination circuit 132 determines that the number of a start column address COLA is odd, the high-speed memory access control device changes the start column address into the front even number in an address control circuit 14, and controls timing of a data mask enable signal DQM so as to access only the specified number of word from the start column address of an odd number.例文帳に追加

また、開始カラムアドレスＣＯＬＡが奇数であることを開始アドレス判定回路１３２で判定すると、アドレス制御回路１４でその開始カラムアドレスを１つ前の偶数に変更し、奇数の開始カラムアドレスから指定されたワード数のみアクセスするようにデータマスクイネーブル信号ＤＱＭのタイミングを制御する。 - 特許庁

A storage node 23 of a memory capacitor uses a layer insulation film of a low hierarchy as a base over a wide area, so that high capacitance value can be secured with small height, resulting steps can be reduced, the film thickness for opening capacitive contacts 32 is reduced and the opening of capacitive contacts 32 is stable in view of manufacturing.例文帳に追加

メモリキャパシタのストレージノード２３は、低い階層の層間絶縁膜を下地として広面積に渡って使用するので、低い高さで大きな容量値を確保できると共に、それによる段差を小さくでき、又、容量コンタクト３２を開口すべき膜厚が薄くなり、容量コンタクト３２の開口が製造上安定する。 - 特許庁

When the non- plotting pixel-including flag is 'non-including', since it is not necessary to wait the judgement of whether a certain pixel is non-plotting or not, processing such as reference of a Z buffer and processing such as reference of a texture memory can be parallel executed and three-dimensional plotting processing can be executed at high speed.例文帳に追加

非描画ピクセル含有フラグが「非含有」である場合は、あるピクセルが非描画であるか否かの判断を待ち合わせる必要がないため、Ｚバッファの参照等の処理とテクスチャ・メモリの参照等の処理とを並列的に実行することができ、３次元描画処理を高速に実行することができる。 - 特許庁

To provide a sense circuit for DRAM memory cells that deals with the problems that as the source-supply voltage is lowered more and more, the sense time becomes considerably longer, that the sense time for lower voltage is shorter at high temperature, that the sense time greatly varies with process variation, etc.例文帳に追加

本願発明の課題は、電源電圧が低電圧化されるに従いセンス時間が著しく遅くなる、低電圧でのセンス時間が高温で高速になり、さらにプロセスばらつきに対してセンス時間が大きく変化してしまうこと等に対応したＤＲＡＭメモリセル用のセンス回路を提供することにある。 - 特許庁

The image forming apparatus samples the correction test pattern by high speed scanning in response to the number of samples, stores temporarily color data to an image memory and thereafter converts the data into color information so that the sampling is carried out at a higher speed than that of prior arts and also the labor of pattern replacement can be omitted by pattern replacement using an RDF.例文帳に追加

補正テストパターンのサンプリングをサンプリング数に応じて高速スキャンでサンプリングし、その色データを一時的に画像メモリに記憶してから色情報に変換することでこれまでより高速にサンプリングできるだけでなく、ＲＤＦによるパターン交換を行うことでパターン交換の手間を省くことができる。 - 特許庁

To make feasible of securing the sufficient reading out signal voltage suppressing the increase in the cell size and chip size as well as soft error even if a non-volatile ferroelectic memory is high densified to narrow the ferroelectric capacitor area of the cell further reducing the polarization amount thereof.例文帳に追加

不揮発性の強誘電体メモリにおいて、高密度化して、セルの強誘電体キャパシタ面積が縮小し、メモリセルの強誘電体キャパシタの分極量が減少しても、セルサイズ，チップサイズの増大を抑えつつ、さらにソフトエラーを抑えつつ、十分な読み出し信号電圧を確保して、安定なメモリ動作を可能にする。 - 特許庁

When printing data is input from a printing data input device 10, an area which has a high density of printing data is detected by a dot counter 13, and only the dot same as the examination pattern memorized in an examination pattern storage memory 14 from the printing data in the area is extracted and printed in the printing medium.例文帳に追加

印刷データが印刷データ入力装置１０から入力された場合に、ドットカウンター１３で印刷データの濃度の高い領域を検出し、その領域内の印刷データから検査パターン記憶メモリ１４に記憶された検査パターンと同じドットのみを抽出して印刷媒体に印刷を行う。 - 特許庁

A certain screen region around this significant block is finally selected from the high-resolution video screen, an image transfer circuit 26 transfers this region to the display memory 27 of the low-resolution terminal device, and only the significant information is displayed on the screen having the limited size of the terminal device.例文帳に追加

最終的にこの有意なブロックを中心とする或る画面領域を高解像度映像画面の中から選択して、画像転送回路２６が当該領域を低解像度端末装置の表示メモリ２７へ転送し、その端末装置の限られた大きさの画面に有意な情報のみを表示する。 - 特許庁

To provide a high quality character generating device which is able to generate an outline font freely changeable in size, and which is also able to generate a dot matrix font of a specific size character with output quality close to the highest quality, and wherein the font data are stored in a small quantity of memory.例文帳に追加

大きさを自由に変更することができるアウトラインフォントを生成することが可能であり、且つ、ある特定サイズの文字のドットマトリックスフォントを最高品質にせまる出力品質で生成することができ、しかもフォントデータが少ないメモリー量で保存されてなる高品質キャラクター生成装置を提供する。 - 特許庁

In a non-volatile memory 14 to be used for an IC card C, an alternate area is preliminarily prepared for the storage area of data whose rewrite frequency is high, and when the writing error of data is occurred in the storage area, the area in which the data are recorded is changed to the alternate area so that the data can be recorded.例文帳に追加

ＩＣカードＣに用いられる不揮発性メモリ１４において、予め書換え頻度の高いデータの記憶領域に対して代替領域を用意しておき、上記記憶領域へのデータの書込みエラーが発生した場合には当該データを記録する領域を代替領域に変更して記録するようにしたものである。 - 特許庁

To realize a ferroelectric liquid crystal element capable of effectively suppressing light leakage due to temperature dependence of an apparent memory angle of the ferroelectric liquid crystal layer and obtaining high contrast in a wide temperature range without complicating element configuration and increasing power consumption and cost.例文帳に追加

強誘電性液晶素子において、強誘電性液晶層の見かけのメモリ角の温度依存性に起因する光漏れを効果的に抑制でき、広い温度範囲で高コントラストが得られる強誘電性液晶素子を、素子構成の複雑化、消費電力アップ、及びコストアップを伴うことなく実現する。 - 特許庁

A control method of such a static random access memory (SRAM) cell is provided that an anti-parallel storage circuit storing a logic high level or a logic low level is included across a true node and a complementary node, and the true node and the complementary node are connected respectively to a true bit line (BLT) and a complementary bit line (BLC) by first and second transistors.例文帳に追加

真ノード、相補ノード間に論理ハイレベルまたは論理ローレベルを記憶するアンチパラレル記憶回路を含み、真ノードと相補ノードとは、それぞれ第１、第２のトランジスタによって真ビット線（ＢＬＴ）と相補ビット線（ＢＬＣ）とに接続されているスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルの制御方法が提供される。 - 特許庁

To provide an optical disk unit and rotation speed controlling method which can regulate total noise of the optical disk unit and external devices connected to the same by switching a rotation speed of an optical disk between a high X speed mode and low X speed mode depending on usage rate of a buffer memory.例文帳に追加

本発明はバッファメモリの使用率によって光ディスクの回転速度を高倍速モードと低倍速モードとを切り替えて、光ディスク装置とそれに接続された外部機器との総合した騒音を抑えることができる光ディスク装置及びその回転速度制御方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory in which a column decoder constituted of a plurality of transistors is not used, and a stable reading operation is made possible to a low power supply voltage without being affected by a high threshold value due to the substrate bias effect caused in the transistors constituting the column decoder by connecting bit lines with a reading circuit.例文帳に追加

複数のトランジスタから構成されるカラムデコーダを用いることなく、ビット線と読み出し回路を接続することで、カラムデコーダを構成するトランジスタに生じる基板バイアス効果による高閾値化の影響を受けることなく、低電源電圧まで安定した読み出し動作が可能な半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

When a data communication test is performed, a host device 12 outputs test data, indicates that the data is outputted by setting a Strobe signal at a low level and the handshake part 24 replies by setting a Busy signal at a high level by receiving the test data and fetches the data in the FIFO memory.例文帳に追加

データ通信テストを行う場合、上位装置１２はテストデータを出力すると共にＳｔｒｏｂｅ信号をローレベルにしてデータが出力されていることを示し、これを受けてハンドシェイク制御部２４は、Ｂｕｓｙ信号をハイレベルにして応答すると共にデータをＦＩＦＯメモリ２６に取り込ませる。 - 特許庁

This bootstrap circuit is constituted so that a high potential power source voltage HVCC and a low potential power source voltage LVCC are sensed, clamp is performed at only the high potential power source voltage HVCC, and normal operation is performed at the low potential power source voltage LVCC, and read-out operation of a flash memory cell can be performed stably by controlling easily a level of word line boost voltage.例文帳に追加

高電位電源電圧ＨＶｃｃと低電位電源電圧ＬＶｃｃを感知し、高電位電源電圧ＨＶｃｃでのみクランプを行い、低電位電源電圧ＬＶｃｃでは正常動作を行うようにブートストラップ回路を構成してワードラインブースト電圧のレベルを容易に制御することにより、フラッシュメモリセルの読出動作を安定的に行うことが可能なブートストラップ回路を提示する構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

The method performs a trajectory estimation and a matching operation only with respect to a feature region pixel of a previous frame of the low definition video, without performing the same with respect to all pixels of the previous frame, thereby reducing an amount of computation to improve efficiency of using a memory, producing the high definition video in real time, and producing a more precise high definition video with respect to the feature region.例文帳に追加

本発明の実施形態によれば、低解像度ビデオの前フレームのすべての画素に対して画素追跡および整合を実行せずに、前フレームの特徴領域画素に対してのみ画素追跡および整合を実行することにより、計算量を減らすことができてメモリ使用の効率を向上させることができ、高解像度ビデオのリアルタイム生成が可能であり、また、特徴領域に対してはより精密な高解像度映像を生成することができる。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which prevents deterioration of potential stability due to repeated use associated with photodegradation, with respect to an electrophotographic image of a high-density electrostatic latent image formed on an electrophotographic photoreceptor by exposure with short-wavelength laser light or the like, and which is excellent in memory resistance even in a process in which high transfer performance is required, an image forming method using the electrophotographic photoreceptor, an image forming apparatus and a process cartridge.例文帳に追加

本発明の目的は、短波長レーザー等で露光して電子写真感光体上に高密度の静電潜像を形成した電子写真画像で、光劣化に伴う繰り返し使用による電位安定性の低下を防止するとともに、高い転写性能が求められるプロセスにおいてもメモリー耐性に優れた電子写真感光体、該電子写真感光体を用いた画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供すること。 - 特許庁

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained.例文帳に追加

強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとり、かつ複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイスと転送方向を選択する分極転送方向選択デバイスを強誘電体メモリのメモリセル群として用いることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。 - 特許庁

To provide an information recording device which is adapted to efficiently facilitate high-speed information processing by selecting a memory to which information requested can be written at the highest speed from a plurality of semiconductor memories provided as caches to a disk-like storage medium, and a control method therefor.例文帳に追加

この発明は、ディスク状記録媒体に対するキャッシュとして備えられた複数の半導体メモリの中から、書き込み要求を受けた情報を最も速く書き込むことが可能なメモリを選択して、情報処理速度の高速化を効果的に促進させるようにした情報記録装置及びその制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The magnetic memory device sets a frequency of a high-frequency current Ia supplied from a synthetic magnetic field generation current conducting circuit 8 higher than a maximum magnetic resonance frequency highest among a plurality of maximum ferromagnetic resonance frequencies set for each of a plurality of magnetic storage cells 1 when a DC current Iw flows through a first writer conductor line 6.例文帳に追加

合成磁場発生用電流通電回路８から供給する高周波電流Ｉａの周波数を、第１の書き込み導体線６に直流電流Ｉｗが流れているときに、複数の磁気記憶セル１ごとに定まる複数の最大強磁性共鳴周波数の中で最も高い最大強磁性共鳴周波数よりも高く設定する。 - 特許庁

To prevent a malfunction due to multiple selection between a disconnected word line and a normal word line easy to occur when wiring of a low resistance side is disconnected in a semiconductor memory of a word-suspension structure connecting here and there the wiring that the word line is formed on a wiring layer of low resistance and the wiring formed on the wiring layer of high resistance and making parallel them.例文帳に追加

ワード線が、抵抗の低い配線層に形成された配線と、抵抗の高い配線層に形成された配線とを所々で接続して並列にした、「ワード吊り」構造の半導体記憶装置において、低抵抗側の配線が断線したときに生じやすい、断線ワード線と正常ワード線との間の多重選択による誤動作を防止する。 - 特許庁

To provide a high sensitivity detection method for an object compound, capable of suppressing a bad influence on measurement of the object compound caused by a memory effect by impurities or the like entering a detector or generation of a background noise, and improving repeatability or sensitivity at the measuring time, and a highly sensitive detection device of the object compound preferably usable therefor.例文帳に追加

検出器に入った夾雑物等のメモリー効果により、目的化合物の測定に悪影響が与えられたり、バックグラウンドノイズが発生することが抑制され、測定時の再現性や感度を向上させる目的化合物の高感度検出方法及びそれに好適に使用しうる目的化合物の高感度検出装置を提供すること。 - 特許庁

Color signals of R, G, and B available through a photographing lens 10 having a phase modulation function for expanding a focal depth and a color imaging element 12 are subject to a deconvolution process using a single restoration filter (restoration gain data) stored in a memory part 24 by a restoration processing part 22 of a restoration processing block 20, for restoring color signals of high resolution.例文帳に追加

被写界深度を拡大する位相変調機能を有する撮影レンズ１０及びカラー撮像素子１２を介して得られるＲ、Ｇ、Ｂの各色信号に対し、復元処理ブロック２０の復元処理部２２は、メモリ部２４に記憶された単一の復元フィルタ（復元ゲインデータ）によるデコンボリューション処理を行うことにより高解像度の色信号に復元する。 - 特許庁

To provide a Pachinko game machine which can include a dummy advance-notice-performance display with a fixed probability without previously determining random numbers except a jackpot determining random number value when the advance-notice performance display is carried out for showing a high possibility that the jackpot determining random number value matching a big hit determination value is included in reserved memory.例文帳に追加

保留記憶中に大当たり判定値と一致する大当たり判定乱数値が含まれている可能性が高いことを示す予告演出表示を行うにあたり、大当たり判定乱数値以外の乱数を事前に判定することなく、一定の確率でガセの予告演出表示を含ませることが可能な弾球遊技機を提供する。 - 特許庁

To provide an authentication system, a portable radio communication terminal, an authentication method, an authentication program, an authentication information generating method, and an authentication information generation program attainable of a system in which user spoofing is difficult with high convenience in a form that a load is not applied to memory of a user even when a non-contact information storage medium which is a token is stolen.例文帳に追加

仮にトークンである非接触型情報記憶媒体が盗取された場合であっても、ユーザなりすましが困難なシステムをユーザの記憶に負荷をかけない形で利便性高く実現することができる認証システム、携帯無線通信端末、認証方法、認証プログラム、認証情報生成方法、認証情報生成プログラムを提供する。 - 特許庁

While the drain region Drm and the source region Srm are composed of a low-concentration semiconductor region 12 and a high-concentration semiconductor region 15, respectively, a distance between the switch gate electrode SG and the memory gate electrode FG is set to be shorter than two times of the height of the sidewall 14, and only the low-concentration semiconductor region 12 is formed here.例文帳に追加

ドレイン領域Ｄｒｍおよびソース領域Ｓｒｍはそれぞれ低濃度の半導体領域１２と高濃度の半導体領域１５により構成するが、スイッチゲート電極ＳＧとメモリゲート電極ＦＧとの間の距離をサイドウォール１４の２倍未満とし、ここには低濃度の半導体領域１２のみを形成する。 - 特許庁

A motion compensation predict unit corrects a high-frequency component of a reference image 15 stored to a motion compensation predict frame memory, has an interpolation image generation unit 43 that generates a reference image 207 of virtual pixel precision, and generates a prediction image by using either the reference image 15 or the reference image of the virtual pixel precision depending on a motion vector.例文帳に追加

動き補償予測部は、動き補償予測フレームメモリに格納された参照画像１５の高周波成分を補正して、仮想画素精度の参照画像２０７を生成する補間画像生成部４３を有し、動きベクトルに応じて参照画像１５または仮想画素精度の参照画像２０７のいずれか一方を用いて予測画像を生成する。 - 特許庁

The non-human model animal such as a mutant mouse is prepared by mutating a gene such as pituitary adenylyl cyclase activated polypeptide (PACAP) of vertebrate, growth hormone-releasing hormone (GHRH), having high homology of amn gene of a fly as a target to produce the non-human mammal of age-related memory impairment model.例文帳に追加

また、ハエ類のａｍｎ遺伝子に高い相同性を有する、脊椎動物の脳下垂体アデニリルシクラーゼ活性化ポリペプチド（ＰＡＣＡＰ）及び成長ホルモン放出ホルモン（ＧＨＲＨ）等の遺伝子を標的として変異させて、変異マウス等の非ヒトモデル動物を調製することにより老人性記憶障害モデルの非ヒト哺乳動物を作製する。 - 特許庁

A tag label creating device 2 has an antenna 14 for sending and receiving signals to and from a wireless tag circuit element To provided on a tape 100 for a printed tag label; a high frequency circuit 21 for accessing the wireless tag circuit element To via the antenna 14; a control circuit 30 for controlling the operation of the entire device 2 for creating tag labels; and a memory part 300.例文帳に追加

タグラベル作成装置２は、印字済タグラベル用テープ１１０に備えられる無線タグ回路素子Ｔoとの間で信号の送受を行うアンテナ１４と、このアンテナ１４を介し無線タグ回路素子Ｔoへアクセスするための高周波回路２１と、タグラベル作成装置２全体の動作を制御するための制御回路３０と、メモリ部３００とを有する。 - 特許庁

The display device includes a light emission unit (organic EL unit) 20 and a memory type display unit (liquid crystal display unit) 10 formed in close contact with the organic light emission unit 20 and has a photoconductive layer 52 undergoing a decrease in electric resistance value when receiving light emitted from the light emission unit 20, and consequently has a high display gradation.例文帳に追加

発光ユニット（有機ＥＬユニット）２０と、前記発光ユニット２０に密着して形成され、前記発光ユニット２０から照射された光を受光すると電気的な抵抗値が低下する光導電層５２を備えた記憶性表示ユニット（液晶表示ユニット）１０と、から構成されることによって、高表示階調を得ることができる。 - 特許庁

A display control unit 4 reads the display data from the memory 6, and executes layout processing in order to display the displayable part of the display data in the high priority order in a displayable region per channel based on display condition data (display priority order or character picture size or the like) added to the display data, and allows a display part 5 to display the display data on a screen.例文帳に追加

表示制御部４は、メモリ６から表示データを読み出し、表示データに付加された表示条件データ（表示優先順位や文字画像サイズ等）に基づき、チャンネル当りの表示可能領域内に優先順位上位の表示データの内の表示可能な部分を表示するようにレイアウト処理を行い、表示部５に画面表示させる。 - 特許庁

The CPU 12 stores the usage frequency of each kind of voice data registered linked with the telephone number information, changes storage order in the memory 16 for the telephone numbers and the voice data in response to the usage frequency, and performs rearrangement to collate the voice data with the high usage frequency first with the input voice data.例文帳に追加

ＣＰＵ１２は、電話番号情報にリンクして登録されている各音声データの使用頻度を記憶しておき、この使用頻度に応じて電話番号及び音声データ用メモリ１６における記憶順序を変更することにより、使用頻度の高い音声データから先に入力音声データとの照合が行われるように並び替えを行う。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor exhibiting preferred electrical characteristics, capable of forming proper images even during long-term repeated use, generating no image defects such as memory phenomena, and being capable of forming high-quality images, an electrophotographic process cartridge using the electrophotographic photoreceptor, and an image forming apparatus that uses the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

好適な電気特性を示し、長期間の繰り返し使用によっても良好な画像を形成することができ、メモリ現象等の画像欠陥が発生せず、高品質の画像を形成することのできる電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真プロセスカートリッジ、及びこの電子写真感光体を用いた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A shifter circuit 10A controls a connection relation among global data input/output lines GIOQm GION and GIOSO according to control signals SA0 to SA3 generated from a high order address FA<3:2> for specifying a normal column block NC1 including a defect memory cell MCA and a spare column block enable signal FAE, and performs saving based on shift redundancy.例文帳に追加

シフタ回路１０Ａは、不良メモリセルＭＣＡを含むノーマルカラムブロックＮＣ１を特定する上位アドレスＦＡ＜３：２＞とスペアカラムブロックイネーブル信号ＦＡＥとから生成された制御信号ＳＡ０〜ＳＡ３に応じてグローバルデータ入出力線ＧＩＯＱとＧＩＯＮおよびＧＩＯＳ０との接続関係を制御し、シフトリダンダンシによる救済を行なう。 - 特許庁

To provide a data rewriting method improving deterioration in write and erasing speed when continuously rewriting data of a cross point type memory cell array of a variable resistance element of which the electric resistance is varied by applying electric stress, control of a resistance value of the variable resistance element after write and erasure is facilitated, and high reliability can be attained.例文帳に追加

電気的ストレスの印加により電気抵抗が変化する可変抵抗素子のクロスポイント型メモリセルアレイのデータを連続的に書き換える場合の書き込み及び消去速度の劣化を改善し、書き込み及び消去後の可変抵抗素子の抵抗値の制御を容易化し、高い信頼性を実現可能なデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processor, an image processing method, an image forming device, an image forming method, a computer program and a computer readable storage medium for reducing the memory of a printer and performing printing at a high speed for a color image forming device provided with a plurality of image forming parts for transferring successively developed color images to a recording medium and forming color images.例文帳に追加

複数の画像形成部を備えて順次現像された色画像を記録媒体に転写してカラー画像を形成するカラー画像形成装置に対し、プリンタのメモリを削減し、高速にプリントするための画像処理装置、画像処理方法、画像形成装置、画像形成方法、コンピュータプログラム、コンピュータ可読記憶媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

Also the device is provided with source line selecting circuits 105 provided respectively between divided source nodes of the memory cell arrays 103, 103' and a boosting circuit 106, and a timing adjusting circuit 104 for shifting apply start timing of high voltage for erasure to a plurality of source nodes among a plurality of source nodes by turning on a plurality of source line selecting circuit 105.例文帳に追加

また、メモリセルアレイ１０３，１０３’の分割されたソースノードと昇圧回路１０６との間にそれぞれ設けられたソース線選択回路１０５と、複数のソース線選択回路１０５のオンによる複数のソースノードへの消去用高電圧の印加開始タイミングを複数のソースノード間でずらせるタイミング調整回路１０４とが設けられる。 - 特許庁

To disclose technology capable of easily adjusting an operating speed and a tWR (time to write recovery) of a chip by generating a control signal for regulating a potential of an internal power source voltage of an internal circuit when the internal circuit enters into a specific mode for high-speed operation, more detailedly in setting an extended mode register about a semiconductor memory device.例文帳に追加

本発明は半導体メモリ装置に関し、より詳しくは拡張モードレジスタセッティング時に内部回路を高速動作させる特定モードに進入させる場合、前記内部回路の内部電源電圧の電位を調節する制御信号を発生してチップの動作速度及びtWRを容易に調節することができる技術を開示する。 - 特許庁

In the phase-change memory, which is constituted of a substrate, a lower electrode, the phase transformed substance, an upper electrode and a heat dissipating layer, includes an AlN heat dissipating layer with high thermal conductivity as the dissipation layer, and a TiN lower electrode, which generates a large amount of heat by using small current and has low thermal conductivity, as the lower electrode.例文帳に追加

基板、下部電極、相変化物質、上部電極及び熱放出層から構成される相変化メモリにおいて、前記熱放出層として、熱伝導率の高いＡｌＮ熱放出層を含み、前記下部電極として、少ない電流で多量の熱を発生し、かつ熱伝導率の低いＴｉＮ下部電極を含むを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This invention provides the video information recording and reproducing apparatus 1 that deploys file information (file system) in a plurality of separated areas in a plurality of recording media or a single recording medium on a memory 7 accessible at a high-speed in the unit of a plurality of areas in each recording medium and references the deployed file system to execute file management.例文帳に追加

複数の記録媒体あるいは単体の記録媒体中に複数に分けられた領域中のファイル情報（ファイルシステム）を、各記録媒体中に複数に分けられた領域の単位で高速アクセス可能なメモリ７上に展開し、展開されたこのファイルシステムを参照してファイルの管理を実行する映像記録再生装置１を提供する。 - 特許庁