「grows」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A surface shape processor 18 grows and changes a surface shape of a material one after another in the three-dimensional virtual space in accordance with production process conditions, computes a level value representing a distance from a surface of the material for each lattice point, stores the level value in the memory area of the corresponding lattice point, and expresses the surface shape.例文帳に追加

表面形状処理部１８は三次元仮想空間で素材の表面形状を製造プロセス条件に従って逐次的に成長変化させ、各格子点毎に素材の表面からの距離を表すレベル値を算出し、レベル値を対応する格子点の記憶領域に格納して表面形状を表現する。 - 特許庁

When the silicon carbide single crystal 4 thus grows in such the state as embedded in the polycrystal 6, the temperature distribution of the growth surface of the silicon carbide single crystal 4 is approximately uniformed, and the silicon carbide single crystal can be grown in a long length in a state flatly maintaining the growth surface of the single crystal without generating crack detects.例文帳に追加

このように、炭化珪素単結晶４が多結晶６に埋め込まれるような状態で成長させると、炭化珪素単結晶４の成長表面の温度分布がほぼ均一となり、炭化珪素単結晶４の成長表面をフラットに保ったまま長尺化でき、かつ亀裂欠陥を発生させないようにできる。 - 特許庁

A dither matrix selection device checks a genuine toner flag (S21); and selects a starting point expansion dither matrix where a threshold is set so that a dot of 2×2 pixels being a starting point grows (S23), when it is determined that the genuine toner flag is made to be off (a toner made by a third party is used) (S22: NO).例文帳に追加

純正トナーフラグをチェックし（Ｓ２１）、純正トナーフラグがオフにされていると判定した場合（サードパーティ製トナーが用いられている場合）には（Ｓ２２：ＮＯ）、２×２画素のドットを起点としてドットが成長するようにしきい値が設定された起点拡大ディザマトリクスを選択する（Ｓ２３）。 - 特許庁

The new polyvinyl alcohol-degrading bacterium grows by using polyvinyl alcohol as a sole carbon source, digests at least 40% of polyvinyl alcohol added in aerobic culture in the presence of a nitrogen source at 30°C for 10 days, and has a 16S ribosomal RNA gene hybridizable with a nucleotide sequence represented by sequence No. 1, 2 or 3 under stringent conditions.例文帳に追加

新規ポリビニルアルコール分解菌であって、ポリビニルアルコールを唯一の炭素源として生育し、窒素源の存在下、３０℃１０日間の好気培養で、添加されたポリビニルアルコールの少なくとも４０％を分解し、そして配列番号１、２または３で示されるヌクレオチド配列とストリンジェントな条件でハイブリダイズする１６ＳリボソームＲＮＡ遺伝子を有する、細菌。 - 特許庁

Lastly, a slow cooling laser pulse LP3 having peak output and energy density equal to or lower than the auxiliary laser pulse LP1 is irradiated following the main laser pulse LP2, when the molten pool M grows in the direction of depth to have a sufficient depth owing to the irradiation of the main laser pulse LP2.例文帳に追加

最後に、主レーザパルスＬＰ２の照射により溶融池Ｍが十分な深さを持つまでに深さ方向に成長した時点で、主レーザパルスＬＰ２に連続する形で、予備レーザパルスＬＰ１と同程度又はそれよりも低いピーク出力及びエネルギー密度を持つ徐冷レーザパルスＬＰ３を照射する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element of high reliability, having a protection part formed in the upper part of the electroluminescent element to allow film formation until a thickness for suppressing the dark spot grows perfectly and so dense as to prevent infiltration of moisture, oxygen, etc., from the outside and provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の上部に、ダークスポット成長を完全に抑制することが可能な膜厚まで形成でき、かつ緻密で外部からの水分、酸素等の侵入を防ぐことが可能な保護部を有する信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A material source Zn and O that compose the ZnO oxide, and a dopant source N, which is provided by having nitrogen, i.e., p-type dopant, in plasma state, are supplied so as to make the material source that composes the ZnO oxide rich in Zn, and thereby the p-type ZnO oxide semiconductor layer 9 grows on the substrate 8.例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源ＺｎおよびＯと、ｐ形ドーパントであるチッ素をプラズマ化したドーパント源Ｎとを供給すると共に、ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源がＺｎリッチとなるように供給しながらｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層９を基板８上に成長する。 - 特許庁

The method for producing the amorphous carbon film having the desired band-gap energy includes intermittently irradiating a source gas (G) which grows to the amorphous carbon film with a pulsed microwave (W) having a duty ratio corresponding to predetermined band-gap energy to form the plasma (P) of the source gas (G) and form the amorphous carbon film on a substrate (B).例文帳に追加

所定のバンドギャップエネルギーを有するアモルファスカーボン膜を製造するための方法であって、アモルファスカーボン膜を成長させるための原料ガスＧに、パルス状のマイクロ波Ｗを所定のバンドギャップエネルギーに対応するデューティ比で断続的に照射して該原料ガスＧのプラズマＰを生成し、基材Ｂ上にアモルファスカーボン膜を形成する。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁

To actualize a weed control part which has excellent water permeability, is readily applied to an arbitrary position such as a road, a rooftop, etc., ground, removed and mixed in soil in becoming oil and in deterioration, has excellent heat insulating properties and lightening so as to be suitable for rooftop laying, grows a flowering plant, etc., and has excellent water holding property and water permeability.例文帳に追加

透水性に優れていると共に、道路や屋上など、任意の場所に容易に施工でき、しかも古くなって劣化したりすると破砕して撤去したり、土壌に混ぜ込んだりでき、かつ屋上敷設に適するように断熱性と軽量化に富み、草花などの育成も可能なように保水性や透水性に富んだ雑草抑制部を実現する。 - 特許庁

To provide a method that directly grows nitride semiconductor devices such as nitride semiconductor light emitting device where a nitride semiconductor layer is epitaxially grown and a transistor device on a single crystal layer after the single crystal layer where both the a-axis and c-axis of the nitride semiconductor are arranged is directly formed on a substrate, without forming a low temperature-amorphous buffer layer and its nitride semiconductor single crystal layer.例文帳に追加

アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のａ軸とｃ軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the gallium oxide single crystal which applies an FZ method (floating zone melting method) in multistep is characterized in that the gallium oxide single crystal is obtained by using the gallium oxide single crystal produced by the FZ method as a source rod and is obtained under the atmosphere containing oxygen by the FZ method, wherein the crystal grows within 2.5-20 mm/h of a growth rate.例文帳に追加

ＦＺ法（浮遊帯域溶融法）により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にＦＺ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にＦＺ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を２．５〜２０ｍｍ／ｈの範囲で結晶成長させる。 - 特許庁

The surface of the connector 110 is so arranged that the static friction force working between it and the polishing cloth 90 it elastically contacts being energized by the pressurization mechanism grows larger than the maximum tensile force working on the polishing cloth 90 in the hoisting of the game balls when the polishing cloth 90 is grasped between the resistor and the pressing member 120 displaced to the clamping position.例文帳に追加

また抵抗体１１０は、クランプ位置に変位した押圧部材１２０との間に研磨布９０を挾持した際に、加圧機構の付勢により弾発的に接する研磨布９０との間に働く静止摩擦力が、遊技球を揚送する際に研磨布９０に加わる最大張力よりも大きくなるような表面状態を成している。 - 特許庁

The differentiation method comprises, in anaerobic bacterium differentiation, directly bringing a chromogenic enzyme substrate against enzyme activity characteristic of the anaerobic bacterium of object differentiation or a water-absorbing carrier containing the chromogenic enzyme substrate into contact with an isolated colony grown on a medium in which the anaerobic bacterium of the object differentiation grows or a pure cultivated bacterium obtained by pure culture of the isolated colony and detecting color development or luminescence of the carrier.例文帳に追加

前記鑑別方法では、嫌気性菌の鑑別において、鑑別対象の嫌気性菌に特有の酵素活性に対する発色酵素基質又は発光酵素基質を含ませた吸水性担体と、鑑別対象の嫌気性菌が発育可能な培地上に発育した孤立集落又はその孤立集落を純培養した純培養菌とを、直接接触させた後、前記担体の発色又は発光を検出する。 - 特許庁

In a structure provided with a light screening film used also for a wiring film in an uppermost layer of a multilayer wiring disposed on a pixel array of a solid-state image sensor, the opening pattern of the light screening film is formed so that its opening diameter grows gradually large (that is, a wiring width is narrow) from a central region to a circumferential edge region of a pixel array.例文帳に追加

固体撮像素子の画素アレイ部上に配置される多層配線の最上層に配線膜兼用の遮光膜を設けた構造において、この遮光膜の開口パターンを画素アレイ部の中心領域から周縁領域にかけて、徐々に開口径が大きくなる（すなわち、配線幅が狭くなる）ように形成する。 - 特許庁

In the method of producing the breeder of Pinctada fucata martensii and noble scallops, chaetoceros gracilis which is high-temperature-tolerant microalgae and grows at the optimum culture temperature similar to that for the Pinctada fucata martensii (25-28°C) or desirably of 28°C or higher and its high-temperature strain are used as their feed to be used as mother shells in the pearl farming.例文帳に追加

アコヤガイ及びヒオウギガイ種苗の生産方法は、真珠養殖において母貝として使用するアコヤガイの飼料として、アコヤガイの至適飼育温度（摂氏２５〜２８度）と同等、望ましくは摂氏２８度以上の至適培養温度で増殖する高温耐性微細藻類ｃｈａｅｔｏｃｅｒｏｓ ｇｒａｃｉｌｉｓ 及びその高温株を餌料として使用する。 - 特許庁

To improve efficiency of a light-emitting device by improving crystallinity of another nitride semiconductor, growing on the surface of an n-type nitride semiconductor layer, by providing a method for growing the n-type nitride semiconductor layer with less lattice defects when the n-type nitride semiconductor layer grows on the surface of a lattice-mismatched substrate, with a vapor phase growth method, such as a MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、ｎ型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。 - 特許庁

In the membrane-electrode assembly having the electrolyte membrane 1 and a catalyst layer arranged on the surface of the electrolyte membrane and containing at least platinum fine particles, a platinum atom 10 is created at random on the electrolyte membrane by making the electrolyte membrane contain gold fine particles 9, and an exposed surface area of the platinum is lessened in a growing process of a platinum particle in comparison with the case that the platinum particle 11 grows.例文帳に追加

電解質膜１と、該電解質膜の表面に設けられ、少なくとも白金微粒子を含有する触媒層と、を備える膜・電極接合体であって、前記電解質膜が、金微粒子９を含有させることによって、電解質膜で無秩序に白金原子１０が生成し、白金粒子１１が成長する場合と比較して、白金粒子の成長過程における白金の露出表面積が小さくなる。 - 特許庁

The electronic mail receiving/sending means 16 receives/sends the specification data of the virtual organism with the electronic mail and grows the virtual organism on the basis of the virtual organism raising data shown by the specification data received by the electronic mail sending/receiving means 16 and the speed decided by the growth deciding means, and the grown virtual organism is displayed on the display means 21.例文帳に追加

前記電子メール送受信手段１６は、電子メールと共に、仮想生命体の特定データを送受信し、前記電子メール送受信手段１６により受信した特定データが示す仮想生命体の育成データと、前記成長決定手段で決定された速度とに基づいて仮想生命体を育成し、育成した当該仮想生命体を表示手段２１に表示させることを特徴としている。 - 特許庁

Carbide which sticks and grows on the peripheral wall inner surface of the rotary kiln 21 for heat-treating the waste rubber and resins D under the reducing atmosphere is friction-separated by sliding objects Gr (such as chains) sliding on the peripheral wall inner surface following the rotation of the rotary kiln 21 while being partially fixed to the peripheral wall inner surface of the rotary kiln to limit the movement within a determined range.例文帳に追加

廃ゴム・樹脂類Ｄを還元雰囲気下で加熱処理する回転窯２１に、移動が決められた範囲内に限定されるよう、一部が前記回転窯２１周壁内面に固定され、且つ前記回転窯２１の回転に伴って、その周壁内面を摺動する摺動物体Ｇｒ（例えばチェーン）によって、前記回転窯２１周壁内面に付着、成長する炭化物が摩擦、剥離される。 - 特許庁

Therefore, by previously obtaining the stable isotope ratios of seaweed which grows respectively in the first sea area and the second sea area whose geographical and environmental factors are different from each other, and comparing the stable isotope ratio of the target seaweed with those of the seaweed, it can be discriminated in which sea area, the first sea area or the second sea area, the target seaweed grow.例文帳に追加

このため、地理的、環境的要因が異なる第１の海域及び第２の海域のそれぞれで生育したワカメの安定同位体比を予め取得し、判別対象のワカメの安定同位体比と比較することにより、判別対象のワカメが第１の海域で生育したか第２の海域で生育したかを判別することが可能となる。 - 特許庁

The process for growing the III-V compound semiconductor layer 5 comprises processes of: heating the substrate 1 so that the temperature of the substrate 1 becomes a value Tsub (2) which is higher than the first value Tsub (1) at formation start time of the III-V compound semiconductor layer 5; and lowering the temperature of the substrate 1 as the III-V compound semiconductor layer 5 grows.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層５を成長させる工程は、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長開始時に、基板１の温度が第１の値Ｔｓｕｂ（１）よりも高い第２の値Ｔｓｕｂ（２）になるように基板１を加熱する工程と、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長と共に、基板１の温度を低下させる工程とを含む。 - 特許庁

This mature HGF (II) has an estimated molecular weight of 82,000±5,000 Da measured by SDS-PAGE under a non-reducing condition and an estimated molecular weight of 92,000±5,000 Da measured by the SDS-PAGE under a reducing condition, and comprises a single-stranded polypeptide which grows a primary culture hepatocyte.例文帳に追加

本発明の肝実質細胞増殖因子は、非還元条件下のＳＤＳ−ＰＡＧＥによる推定分子量が８２，０００±５，０００ダルトンであり、還元条件下のＳＤＳ−ＰＡＧＥによる推定分子量が９２，０００±５，０００ダルトンであり、初代培養肝実質細胞を増殖させる１本鎖ポリペプチドであることを特徴とする成熟肝実質細胞増殖因子（ＩＩ）である。 - 特許庁

This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate.例文帳に追加

窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板２３表面に窒化アルミニウム結晶層２１を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層２３を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜２４などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。 - 特許庁

Arsine and phosphine are supplied to a chamber in which a semiconductor substrate 10 is placed in growing the clad layer 17 before the clad layer 17 grows to substitute a part of P on a surface layer of inside of the alignment mark 15 with As and to reform the surface layer into a layer including InAsP.例文帳に追加

クラッド層１７を成長させる際、クラッド層１７を成長させる前に、半導体基板１０が収容されたチャンバ内にアルシン及びホスフィンを供給することにより、アライメントマーク１５の内面の表層部分のＰの一部をＡｓに置換して、該表層部分をＩｎＡｓＰを含む層に改質する。 - 特許庁

To provide a stem cell activation apparatus that is extremely less-invasive to organisms such as human, nonhuman animal, plant, etc., tissue or cell thereof extracted from the organisms or microorganisms, effectively activates, grows and differentiates stem cells thereof and promotes the activation, growth and differentiation.例文帳に追加

ヒト、非ヒト動物、植物など生物や、そこから摘出した組織若しくはその細胞、又は微生物に対して、極めて低侵襲であり、それらの幹細胞を効率よく活性化させ、増殖させることができ、さらに分化させたりそれらについて促進させたりすることができる簡易な幹細胞活性化装置を提供する。 - 特許庁

It is further preferable to introduce gas T such as an odor gas generated from the organic waste material A and/or a treated liquid W generated by its decomposition treatment into a planting base plate 10 where the peroxidase production plant R grows, crush the peroxidase production plant R grown on planting base plate 10 and mix with the organic waste material A.例文帳に追加

更に好ましくは、有機系廃棄物Ａから生じる臭気ガス等のガスＴ及び／又は分解処理により生じる処理液Ｗをペルオキシダーゼ産生植物Ｒが生育する植栽基盤10に導き、植栽基盤10上で生育したペルオキシダーゼ産生植物Ｒを粉砕して有機系廃棄物Ａと混合する。 - 特許庁

If a somatic stem cell is transplanted in myocardium encompassing the site of infarction, it transfers to the damaged region and there it differentiates into a muscle cell, an endothelial cell, and a smooth muscle cell, then grows and forms a structure containing a muscle cell, a coronary artery, an arteriola and a blood capillary, and recovers structural and functional integrity of the site of infarction.例文帳に追加

梗塞部を取り囲む心筋に体性幹細胞を移植すると、損傷領域に移行し、そこで筋細胞、内皮細胞、及び平滑筋細胞に分化し、次いで増殖し、心筋、冠状動脈、細動脈、及び毛細血管を含む構造を形成し、梗塞部の構造的及び機能的な完全性を回復させる。 - 特許庁

This semiconductor manufacturing method comprises a step for distributing nonmetallic elements to a surface-adjacent area on a semiconductor layer, a process for stacking a metal film on the semiconductor layer and a process that epitaxially grows a semiconductor metal compound layer through interactions between the semiconductor layer elements and the metal film metals by thermal metal film treatment.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体層における表面近傍の領域に非金属元素を分布させる工程と、半導体層の上に金属膜を堆積する工程と、金属膜に熱処理を施して半導体層を構成する元素と金属膜を構成する金属とを反応させることにより、半導体層の表面に半導体金属間化合物層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。 - 特許庁

After a mask film 12B having a plurality of openings 12a in a stripe shape and made of a material on which substantially no nitride semiconductor grows is formed on a main surface of a base substrate 11, a semiconductor layer 13 of nitride is selectively grown through the mask film 12B on the base substrate 11.例文帳に追加

母材基板１１の主面上に、窒化物半導体が実質的に成長しない材料からなり、ストライプ状に開口する複数の開口部１２ａを有するマスク膜１２Ｂを形成した後、母材基板１１上に、マスク膜１２Ｂを介して窒化物からなる半導体層１３を選択的に成長させる。 - 特許庁

Then, a main laser pulse LP2 having sufficiently higher peak output and energy density than the auxiliary laser pulse LP1 is irradiated following the auxiliary laser pulse LP1, when the molten pool M grows in the direction of diameter to have a diameter equal to the diameter D of the condensing spot of a laser beam L owing to the irradiation of the auxiliary laser pulse LP1.例文帳に追加

次に、予備レーザパルスＬＰ１の照射により溶融池Ｍがレーザ光Ｌの集光スポット径Ｄと同程度の径を持つまでに径方向に成長した時点で、予備レーザパルスＬＰ１に連続する形で、予備レーザパルスＬＰ１よりも十分に高いピーク出力及びエネルギー密度を持つ主レーザパルスＬＰ２を照射する。 - 特許庁

To operate a waste water treating system having a yeast treating section for decomposing the waste water containing organic waste by the yeast while maintaining a proper pH condition where yeast preferentially grows in order to reduce the maintenance load on the waste water treating system and in order to provide a space-saving waste water treating system.例文帳に追加

有機性廃棄物を含む排水を酵母によって分解させる酵母処理部を有する排水処理システムにおいて、排水処理システムのメンテナンスの負荷を軽減させるために、またより省スペースな排水処理システムを提供するために、酵母が優占的に生育するための適正なｐＨ条件に維持し、運転すること。 - 特許庁

The liquid phase epitaxial growing device 1 which epitaxially grows crystal on the lengthwise substrate S is provided with a growing chamber 20 for storing the substrate S stood against a back plate 52a lengthways and a growing solution sink 30 accumulating raw material solution L of crystal grown on the substrate.例文帳に追加

本発明の液相エピタキシャル成長装置１は、縦置きの基板Ｓに結晶をエピタキシャル成長させる装置であって、背板５２ａに立てかけた基板Ｓを縦置きに収容するための成長室２０と、基板に成長させる結晶の原料溶液Ｌを貯留する成長用溶液溜３０とを備える。 - 特許庁

A sacrifice region 21 is formed on a substrate 20 of a semiconductor material, an epitaxial layer 25 grows, then a stress release groove 31 is formed by surrounding a region 33 of the epitaxial layer 25 in which an electromechanical microminiature integrated structural body is formed, and then a wafer 28 is heat-treated to release residual stress.例文帳に追加

半導体材料の基板（２０）上に犠牲領域（２１）を形成し、そしてエピタキシャル層（２５）が成長し、その後、電気機械的超小型集積構造体が形成されるエピタキシャル層（２５）の領域（３３）を囲んで応力解放溝（３１）が形成され、その後、残留応力を解放するために、ウェハ（２８）が熱処理される。 - 特許庁

As a result, the seaweed positively grows on the net body 3 having the spores settled therein to efficiently form the seaweed bed, and the spores on the net body 3 and the seaweed bed grown therefrom are prevented well from the bite injury because a sea urchin and an abalone can be almost precisely prevented from crawling up on the net body 3.例文帳に追加

従って、砂地の海底であっても、胞子が定着しているネット本体３上では海藻が積極的に成長して藻場を効率よく形成し、しかも、ウニやアワビがネット本体３上に這い上がるのをほぼ確実に防止できるため、ネット本体３上の胞子やそれが成長した海藻を食害から上手く防止することができる。 - 特許庁

This plant supporter for supporting a plant 2 which grows in a state hung from the edge of a planter 1 is obtained by connecting an inside portion 3 whose end is embedded in soil charged in the planter 1 to an outside portion 4 whose end is placed below the edge on the outside of the edge of the planter 1, at a place above the edge of the planter 1.例文帳に追加

プランター１の縁から垂れ下がり状態に生育する植物２を支承する為の植物支承具であって、端部がプランター１内に充填された土中に埋設される内側体３と、端部がプランター１の縁の外側にして該縁の下方に位置する外側体４とが該プランター１の縁の上方において連設されているものである。 - 特許庁

Emerging equity exchanges should decide whether a company should be listed not on the basis of its performance at the time of listing but rather in view of its potential and prospects, and indeed they have been conducting examinations in such a manner. It would make sense, accordingly, if reviews are conducted in a certain period of time after a company is listed to see how fast it grows after the listing and to compare its outlook given when listed with its actual performance. 例文帳に追加

新興株式市場は、上場時点での企業業績よりも、むしろ、当該企業の成長性・将来性を評価して上場の是非を判断するべきものであり、実際にそうした方向で上場審査の運用が行われてきたところ、上場後の成長動向、上場時の見通しと実績との差異について、上場一定経過期間後にレビューを行うことも有効である。 - 経済産業省

As the impact of intellectual assets on company performances increases and the overlap grows between the factors covered by CSR and the factors included in intellectual assets, moves are under way internationally to establish systems for the evaluation and disclosure of information on intellectual assets. These are intended to improve understanding of company value creation capacity as a whole. Based on such systems, efforts are also being made to redefine the concept of the company within corporate law.例文帳に追加

知的資産の企業のパフォーマンスに対する影響が拡大するとともに、企業の社会的責任でカバーされる要素と知的資産に含まれる要素とが重なりつつある中で、企業の価値創造力を全体として把握する観点から、知的資産に関する情報を評価・開示する制度や、さらにはこれを踏まえた新たな企業像を会社法の中で位置づけようとする動きが国際的に見られつつある。 - 経済産業省

The sakin (gold dust) which had been produced in Mutsu Province from time immemorial was used for transactions on the basis of quality and quantity; and in the course of time, nerikin (agglutinate gold) made of dissolved sakin with a hallmark put on or takenagashikin (gold agglomeration made by putting dissolved sakin into a bamboo cylinder) began to be used, and furthermore bankin (gold coins) such as hirumokin (gold plate like a leaf of hirumo [a plant which grows on the sea sand]) which were made by beating gold blocks into the form of plates began to be made, and at first they were circulated as Hyodo kahei (currency valued by weight). 例文帳に追加

陸奥国では古くから砂金が産出し、質量に応じて取引に使用されていたが、やがてこれを鎔融して極印を打った練金（ねりきん）あるいは竹流金（たけながしきん）としたものが用いられるようになり、さらに内部まで金でできていることを証明するため、板状に打ち延ばした蛭藻金（ひるもきん）などの判金が製作されるようになり、当初これらは秤量貨幣として通用した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

One criticism concerns the fact that the fair value option allows a company to value its debts at a low level when its own credit risk grows. This probably reflects the concept that the company can repurchase its own debts, or securities issued by itself, any time in the market. If debts can really be repurchased, this approach would be rational because the value of debts is less than the balance sheet value. However, doubt has been expressed as to whether there will be sufficient liquidity to enable repurchase of securities when the issuer's own credit risk is growing. 例文帳に追加

一つには、自己の信用リスクが高まる際に負債の価値を低く評価するというのは、自己の負債、発行している債券等を市場等で直ちに買い戻すことができるという考え方を反映しているのだと思いますけれども、実際、買い戻せるのであれば、負債の額がバランスシートよりも小さくなるということですので合理性があるわけですけれども、例えば、自己の信用リスクが高まっている状況で、実際に流動性がふんだんにあって買い戻すことができるのかどうか、といった疑問が呈されております。 - 金融庁

To provide a drug for treating patients suffering from states characterized by at least abnormality of extracellular concentration of glutamic acid in the brain and other nervous tissue or having a tendency to the development of such states, or patients suffering from a state characterized by the level of NAALADases (N-acetylated-α-linked acidic peptidases) which grows worse in the prostate tissue or having the tendency to the development of such a state.例文帳に追加

脳や他の神経組織におけるグルタミン酸の細胞外濃度の異常によって少なくとも一部は特徴づけられる状態に悩まされているか、そういう状態の進行傾向のある患者、あるいは、前立腺組織で亢進したＮＡＡＬＡＤアーゼ（Ｎアセチルα結合酸性ペプチダーゼ）レベルで特徴づけられる状態に悩んだり、あるいはそういう状態の進行傾向のある患者の治療のための医薬剤の提供。 - 特許庁

This plastic jacket for the artificial joint stem not using cement is formed of plastic to cover at least a part of the artificial joint stem 31 not using cement, which is longitudinally inserted in a hole formed in the bone cavity of the human body, and provided with a porous or rough surface so that a bone 41 internally grows in the porous plastic jacket to engage with the plastic jacket.例文帳に追加

人体の骨体腔に形成された孔に長さ方向に挿入されるセメント非使用の人工関節ステム３１の少なくとも一部分を覆うことができるようにプラスチックとして構成されており、骨４１が多孔質のプラスチックジャケット表面に内成長しながら前記プラスチックジャケットと噛み合うように多孔質、或は粗い表面を有するセメント非使用の人工関節ステム用プラスチックジャケットが提供される。 - 特許庁

The manufacturing method of the compound semiconductor single crystal, which covers a whole of crucible storing a compound semiconductor raw material melt with an airtight container and grows the compound semiconductor single crystal by floating a sealant for preventing volatilization of a gas from the compound semiconductor raw material melt, is characterized in that the thickness of the sealant when the single crystal reach the predetermined diameter is in a range of 8 mm-15 mm.例文帳に追加

化合物半導体原料融液を収容したルツボ全体を気密容器で覆い、前記化合物半導体原料融液からのガスの揮発を抑止する封止剤を浮遊させて化合物半導体単結晶を成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、単結晶が定径に到達したときの前記封止剤の厚さが８ｍｍ〜１５ｍｍの範囲にあるようにした化合物半導体単結晶の製造方法。 - 特許庁

Power prepared by pulverizing dried axial roots and hypocotyl parts of a root vegetable belonging to Cruciferae Lepidium which is cultivated in Andean region in Peru and called Lepicium Meyenil waip, a zinc-containing yeast, the powder prepared by pulverizing seeds of a plant of Paullinia cupana which natively grows in the Amazonian valley in South America and powdery placenta prepared by extracting from placentas of lactate animals are mixed.例文帳に追加

ペルー国アンデス地域で栽培されたアブラナ科レピディウム属の根菜類で通称マカ（学名：Ｌｅｐｉｃｉｕｍ Ｍｅｙｅｎｉｉ ｗａｉｐ）と呼ばれる植物の直根と胚軸部を乾燥して粉末にしたものと亜鉛を含む酵母と南米アマゾン川流域を原産とする植物ガラナ（学名：Ｐａｕｌｌｉｎｉａ ｃｕｐａｎａ）の実を粉末化したものと咄乳動物の胎盤から抽出加工された粉末プラセンタを混合する。 - 特許庁

The method for producing this white mold cheese includes processes of: molding a cheese curd and the white mold cheese to whose surface the taste substance adheres; fermenting the molded cheese curd until white mold grows up on the surface of the cheese curd; accreting the taste substance onto the surface of the cheese curd on which the white mold has grown up; and really maturing the cheese curd on which the taste substance is placed.例文帳に追加

白カビチーズの表面に呈味物質が付着した白カビチーズおよびチーズカードを成型する工程と、前記成型されたチーズカードの表面に白カビが生育するまで発酵させる工程と、前記白カビが生育したチーズカードの表面に呈味物質を付着する工程と、前記呈味物質を載せたチーズカードを本熟成させる工程を有する白カビチーズの製造方法により解決することができる。 - 特許庁