「p-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(331ページ目) - Weblio英語例文検索

This intake manifold 11 vibrates in large oscillation in a sliding direction around a connecting section P with the cylinder head 10 along with the vibration of the body operated and such vibration is transferred to the separation wall of a separator installed on the cover 3a through the stay 9 to help the oil attached on the separation wall drop down quickly.例文帳に追加

このインテークマニホールド１１は、運転される同機関の振動に伴い、シリンダヘッド１０との接続部分Ｐを中心とする揺動方向に大きな振幅をもって振動し、その振動がステー９を介してカバー３ａに設けられたセパレータの分離壁に伝達されることで、同分離壁に付着したオイルが速やかに滴下するようになる。 - 特許庁

In such a configuration, a potential gradient due to a difference in work function between the p- and n-type polysilicons can be generated on an n-well 12 immediately below the electrodes 30, 40 without implanting ions onto the surface of a semiconductor substrate and the potential gradient matches the charge transfer direction, the charge transfer efficiency can be improved.例文帳に追加

このような構成であれば、半導体基板表面へイオン注入を行う事無く、電極３０、４０直下のＮウェル１２に、Ｐ型ポリシリコンとＮ型ポリシリコンとの仕事関数差に起因したポテンシャル勾配が生じさせることが出来、このポテンシャル勾配が電荷転送方向と一致するため、電荷転送効率を向上させることが出来る。 - 特許庁

In this way, the avoidance point P can be surely avoided when the driver turns a steering wheel at the maximum steering angle in the steering position Z, and the driver is supported to turn the vehicle 10 properly to the left/right on a narrow road while avoiding a turning side corner of a crossroad or a T-shaped road.例文帳に追加

これにより、運転者に操舵位置Ｚにおいてハンドルを最大舵角まで切らせることによって当該回避点Ｐを確実に回避することができ、狭路での右左折においても、交差路又はＴ字路での旋回側の角を回避して、車両１０が適切に曲がることができるように運転者を支援することができる。 - 特許庁

The thermoelectric conversion unit 1 in which a plurality of P type thermoelectric elements 11p and a plurality of N type thermoelectric elements 11n are connected electrically and alternately by an upper electrode 7 and a lower electrode 8 provided with thin planar bases 15 and 17 and pin-like members 16 and 18 extending in the vertical direction therefrom.例文帳に追加

複数のＰ型熱電素子１１ｐおよび複数のＮ型熱電素子１１ｎを、薄板状のベース部１５および１７と、そこから垂直方向に延びたピン状の部材１６および１８とをそれぞれ備えた上側電極７および下側電極８により交互に電気的に直列に接続した熱電変換ユニット１を提供する。 - 特許庁

The coupler for hemodialysis has in the lumen of the coupler a joining surface p which is shaped as such that a nozzle formed on a blood purifier can be closely fit in it, and is provided on one end surface with a smooth joining surface q which is axially vertical and can be closely joined with one end surface of another connection device with the same structure with the lumen exposed.例文帳に追加

カプラーの内腔に、血液浄化器に設けたノズルを密に嵌合し得る形状の接合面ｐを有し、一端面に、前記内腔を露出した状態で同じ構成である他の連結具の一端面と密着接合し得る軸方向垂直な平滑衝合面ｑを備えていることを特徴とする血液透析用カプラー。 - 特許庁

To satisfy the requirement for decrease in the size of the fitting part 5 and prevent the hole position from being shifted even when bending is applied, right and left spread parts 5A formed by compressing the fitting part 5 are cut in cut positions P capable of remaining annular pipe parts 12 of the pipe raw material W surrounding the solid member 10 at the tip portion of the fitting part 5.例文帳に追加

取付部５の小型化の要求を満足すると共に、曲げ加工しても、孔位置がズレないようにするために、取付部５の先端部分に、中実部材１０を囲む管素材Ｗの環状の管部１２を残すことができる切断位置Ｐで、取付部５を圧縮することでできた左右の広がり部５Ａを切除する。 - 特許庁

To provide a video composite circuit that avoids failure in producing a flat KEY signal due to a difference from a frequency band of a luminance signal and a color difference signal when the KEY signal for compositing television pictures according to a 4:2:0:p video signal format and failure in a missing output when the picture is composited by using the video signal and its KEY signal.例文帳に追加

４：２：０：ｐ映像信号フォーマットからテレビジョン画像合成用ＫＥＹ信号を生成すると、輝度信号と色差信号の帯域の違いでフラットなＫＥＹ信号が生成出来ず、映像信号とそのＫＥＹ信号を用いて画像合成を行うと、歯抜けになったような出力になるのを阻止する映像合成装置を提供する。 - 特許庁

Constitution for approximately estimating an I picture from the dispersion value of an input image in a frame to be encoded and approximately estimating a P picture and a B picture from the predictive error value of movement search executed between the input image of the frame to be encoded and the input image of a reference frame is used as a means for predicting the number of generated codes in each picture type.例文帳に追加

各ピクチャタイプの発生符号量を予測する手段として、Ｉピクチャは符号化対象フレームの入力画像の分散値から近似推定し、ＰピクチャとＢピクチャは符号化対象フレームの入力画像とその参照フレームの入力画像との間で行なわれた動き探索の予測誤差値から近似推定するという構成を用いる。 - 特許庁

The aromatic hydrocarbon, having at least one hydrogen directly bound to a benzene ring, and a methylenation agent such as formalin are made to react in a specified range of temperature, thus obtaining a reaction mixture in the presence of the heteropoly acid, which is produced through condensation between at least one oxide selected from among Mo, W, Nb and V and an oxygen acid of P, Si, As or Ge.例文帳に追加

ベンゼン環に直接結合した水素を少なくとも１個有する芳香族炭化水素とホルマリン等のメチレン化剤を、Ｍｏ、Ｗ、ＮｂおよびＶから選ばれた少なくとも１種の酸化物と、Ｐ、Ｓｉ、ＡｓまたはＧｅの酸素酸の縮合した酸であるヘテロポリ酸の存在下に特定の温度範囲で反応させ、反応混合物を得る。 - 特許庁

An occupant restraint system 100 mounted on a vehicle changes the set threshold of the collision speed in a side collision of a vehicle 10 between a case when an object P of collision involved in the side collision of the vehicle 10 is a pole-like object and a case otherwise, and controls an airbag module 150 based on the set threshold.例文帳に追加

車両に搭載される乗員拘束システム１００は、車両１０の側面衝突に関与する衝突対象物Ｐがポール状対象物である場合とそれ以外の場合とで、車両１０の側面衝突時の衝突速度の閾値設定を変更し、設定した当該閾値に基づいてエアバッグモジュール１５０を制御する構成とされる。 - 特許庁

In the compound semiconductor light emitting element provided with a gallium nitride-based compound semiconductor which is formed by successively laminating the n-type layer and p-type layer upon a sapphire substrate in this order and etching the layers so that the electrode forming surface of the n-type layer may be exposed, the surface of the sapphire substrate on the same side as that of the electrode forming surface is exposed.例文帳に追加

サファイア基板上にｎ型層及びｐ型層が順に積層されて、予めｎ型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体を前記サファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記電極形成面と同一面側にサファイア基板面が露出されている。 - 特許庁

A failure detection circuit has the detection terminal connected to a P terminal or a neutral point of an armature coil 12 in order to detect a failure of an alternator 10 with a positive side diode Dp connected to a positive terminal of a battery 1 and a negative side diode connected to a ground terminal GND in a full-wave rectifier circuit 13 connected to the armature coil 12.例文帳に追加

電機子コイル１２に接続された全波整流回路１３のプラス側ダイオードＤｐがバッテリ１の陽極に接続され、マイナス側ダイオードがグランド端子ＧＮＤに接続されたオルタネータ１０の故障を検出するために、電機子コイル１２のＰ端子または中性点に接続された検出端子を有する故障検出回路を備えている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the carbon nanotube sensor, the work functions of the semiconductor carbon nanotube material 2 and a metal are respectively measured under a measuring gas atmosphere and compared with the work function of the metal corresponding to a p-type or an n-type to select the semiconductor carbon nanotube material 2 large or small in work function and the semiconductor carbon nanotube material 2 is crosslinked between the metal electrodes.例文帳に追加

また、その製造方法は、半導体カーボンナノチューブ材料２と金属の仕事関数を測定ガス雰囲気下でそれぞれ測定し、ｐ型又はｎ型に応じて金属の仕事関数と比較して仕事関数の大きな又は小さな半導体カーボンナノチューブ材料２を選び、この金属電極間に架橋することを特徴とする。 - 特許庁

Each of the neutral particle beam generating mechanisms 50 comprises a micro-plasma generator 51 for generating a micro plasm in a plasma region P inside of a hole 40, and an ion take-out 52 for taking out ions 102 in a micro plasma to a neutralization region N, and a neutralizer 53 for generating neutral particle beams 104 by neutralizing the extracted ions 102.例文帳に追加

各中性粒子ビーム生成機構５０は、孔４０の内部のプラズマ領域Ｐにマイクロプラズマを発生させるマイクロプラズマ生成部５１と、マイクロプラズマ中のイオン１０２を中性化領域Ｎに引き出すイオン引出部５２と、引き出されたイオン１０２を中性化して中性粒子ビーム１０４を生成する中性化部５３とを有している。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step to form a semiconductor film 3 made of amorphous Si wherein an impurity P (phosphorus) is introduced in high-concentration n^+ source area 3a and n^+ drain area 3b, and a step to disperse the impurity in an area wherein low-concentration n^- source area 3d and n^- drain area 3e are formed.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、高濃度のｎ^+ソース領域３ａおよびｎ^+ドレイン領域３ｂに不純物Ｐ（リン）が導入された非晶質Ｓｉからなる半導体膜３を形成する工程と、その後、不純物を低濃度のｎ^-ソース領域３ｄおよびｎ^-ドレイン領域３ｅが形成される領域側に拡散させる工程とを備える。 - 特許庁

The thermoelectric conversion material contains a thermoelectric conversion material having a composition represented by Fe_xAl_yV_100-x-y, and a thermoelectric conversion element has a structure in which a p-type thermoelectric element containing the thermoelectric conversion material and an n-type thermoelectric element containing an n-type thermoelectric conversion material are alternately connected in series.例文帳に追加

Ｆｅ_ｘＡｌ_ｙＶ_１００−ｘ−ｙで表される組成を有する熱電変換材料を含有することを特徴とする熱電変換材料、および前記熱電変換材料を含むｐ型の熱電素子と、ｎ型の熱電変換材料を含むｎ型の熱電素子と、を交互に直列に接続したことを特徴とする熱電変換素子。 - 特許庁

After having set initial position of top plate 12 for mounting 30 of X-ray CT device in proportion with desired camera station Pr of subject P, the top plate can be moved in only known distance L from this set initial position to photographing enable area 12 of the mounting 10 of PET device, by operating a PET AUTO switch.例文帳に追加

被検体Ｐの所望の撮影位置Ｐｒに関連づけて、天板１２の初期位置をＸ線ＣＴ装置の架台３０に対して設定した後、ＰＥＴ ＡＵＴＯスイッチを操作することにより、この設定された初期位置からＰＥＴ装置の架台１０の撮影可能領域１２まで、既知の距離Ｌだけ天板を移動させるようにした。 - 特許庁

A cap film CF manufactured by forming a plurality of projecting caps CFa by heating a film made into the film in advance and by performing vacuum forming or air-pressure forming thereof is welded on a flat back film BF made into the film in advance under a non-heated condition through a sealant layer P comprising a molten resin successively extruded from a flat die 5 under a thermoplastic condition.例文帳に追加

予め製膜されたフィルムを加熱して真空成形又は圧空成形により凸状のキャップＣＦａを複数成形してなるキャップフィルムＣＦに、予め製膜された平坦なバックフィルムＢＦを非加熱状態で、フラットダイ５から熱可塑状態で逐次押し出される溶融樹脂からなるシーラント層Ｐを介して融着させた。 - 特許庁

Namely, in a nitride gallium light-emitting device, there are provided: the graphite strip 2 used as one electrode; an active layer put between an n-type gallium nitride semiconductor layer 3 and a p-type gallium nitride semiconductor layer 5 on a part or the whole of a front surface of the graphite strip; and a partial electrode 6 used as the other electrode in an outermost semiconductor layer.例文帳に追加

すなわち、窒化ガリウム系発光素子において、一方の電極となるグラファイトストリップと、該グラファイトストリップの表面の一部又は全面に、ｎ型窒化ガリウム半導体層とｐ型窒化ガリウム半導体層に挟まれた活性層と、前記最外層の半導体層に他方の電極となる部分電極と、を設けた線状発光素子である。 - 特許庁

Thus, by separating the transfer fixing roller 27 and the intermediate transfer belt 25, melted toner is not attached to the intermediate transfer belt 25 even when recording paper P stopped while passing through a pressurizing nip N is pulled out in the paper transport direction or in the direction opposite to the paper transport direction and the toner sticking to the intermediate transfer belt 25 is prevented.例文帳に追加

このように転写定着ローラ２７と中間転写ベルト２５を離間さることにより、加圧ニップＮを通過中に止まった記録紙Ｐを用紙搬送方向、あるいは用紙搬送と逆方向に引き抜いても、中間転写ベルト２５に溶融トナーが付着することがなく、中間転写ベルト２５でのトナー固着を防ぐことができる。 - 特許庁

According to the vehicle surroundings monitoring system 10, a first processing part 11 recognizes the contour C of a highly bright area in a binarized image obtained through an infrared camera 102 and recognizes a part that satisfies primary requirements, which corresponds to the shape of the target object P in the contour C, as a primary contour part C_1.例文帳に追加

本発明の車両周辺監視システム１０によれば、第１処理部１１によって赤外線カメラ１０２を通じて得られた２値化画像における高輝度領域の輪郭Ｃが認識され、当該輪郭Ｃのうち対象物体Ｐの形状に応じた１次要件を満たす部分が１次輪郭部分Ｃ_1として認識される。 - 特許庁

This abrasive feeding device 1 is provided with an abrasive feeding tank 2 composed of a pressurized container for reserving the abrasive B, an air compressor 3 for loading air pressure in the tank 2, and a feeding piping P connecting a base end Pa to the tank 2 to forcibly feed the abrasive B in the tank 2.例文帳に追加

研磨材供給装置１は、研磨材Ｂを貯留する圧力容器からなる研磨材供給タンク２と、この研磨材供給タンク２内に、空気圧を負荷させるための空気圧縮機３と、研磨材供給タンク２に基端部Ｐａを接続して研磨材供給タンク２内の研磨材Ｂを圧送するための供給配管Ｐと、を備えている。 - 特許庁

The air having cooled the recording paper P flows in a second air flow passage 34 through a return air flow passage 33 formed below the paper discharge tray 24 and above toner cartridges 16Y to 16K, cools various members, such as a fixing unit, disposed in the image forming apparatus, and is discharged to outside the image forming apparatus 10 through an exhaust fan 35.例文帳に追加

記録紙Ｐを冷却した空気は排紙トレイ２４の下側で、トナーカートリッジ１６Ｙ〜１６Ｋの上側に形成された帰還空気流路３３を経て第２の空気流路３４に流入し、定着ユニット等画像形成装置内部に配置された各種部材を冷却し、排気ファン３５を経て画像形成装置１０の外部に排出される。 - 特許庁

A repeater 150 receives internal clocks CLK_-PF, CLK_-NF (the following: internal clock) provided from a DLL circuit 100 in spite of data read-out operation, and outputs DLL clocks CLK_-P, CLK_-N (the following: DLLclock) to a data output circuit 200 and a data strobe signal output circuit 300 in accordance with an internal signal DLLENCLK.例文帳に追加

リピータ１５０は、データ読出動作に拘わらずＤＬＬ回路１００から配信される内部クロックＣＬＫ＿ＰＦ，ＣＬＫ＿ＮＦ（以下、単に内部クロック）を受け、内部信号ＤＬＬＥＮＣＬＫに応じて、データ読出動作時のみデータ出力回路２００およびデータストローブ信号出力回路３００にＤＬＬクロックＣＬＫ＿Ｐ，ＣＬＫ＿Ｎ（以下、単にＤＬＬクロック）を出力する。 - 特許庁

In a method for binding and packing a long pipe P in a movably suspending manner by spirally winding the pipe by specified turns, the wound long pipe is bound by a binding member 10 at the specified position, and a suspending member 30 comprising a loop-like strip body to largely surround the wound part at the specified position of the wound pipe is mounted thereon.例文帳に追加

長尺管Ｐを螺旋状に所定回数巻回し、吊り下げ移動可能に結束梱包する方法であって、前記長尺管の巻回物をその所定位置で結束部材１０により結束し、かつ巻回物の所定位置において該巻回部を大きく包囲するループ状の帯状体からなる吊り下げ部材３０を取り付ける。 - 特許庁

The present invention is a manufacturing method of a semiconductor device having a p-channel MISFET in a pMIS formation region 1A, and an n-channel MISFET in an nMIS formation region 1B, comprises: a process of forming an Al film 8a on an HfON film 5; and a process of forming a Ti-rich TiN film 7a on the Al film.例文帳に追加

本発明は、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳ形成領域１Ａに有し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳ形成領域１Ｂに有する半導体装置の製造方法であって、ＨｆＯＮ膜５上にＡｌ膜８ａを形成する工程と、Ａｌ膜上にＴｉリッチなＴｉＮ膜７ａを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The method for preventing dirt is to simultaneously use (A) a piperidine-1-oxyl compound and (B) 2, 6-di-tert-butyl-4-methylphenol and/or p-tert-butyl catechol in the presence of oxygen in the production process, the purification process, the recovery process, the storing process or the transport process for producing the diene compound and derivatives of the same.例文帳に追加

ジエン化合物及びその誘導体の製造工程、精製工程、回収工程、貯蔵工程あるいは輸送工程において、酸素存在下、特定の（Ａ）ピペリジン−１−オキシル化合物と（Ｂ）２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールおよび／又はｐ−ｔｅｒｔ−ブチルカテコールを同時に用いることを特徴とする汚れ防止方法。 - 特許庁

A vital function measuring device 20 extracts personal area time-series data of a personal area specific point R included in a personal area P and regional area time-series data of a specific regional area specific point T included in a regional area Q, and detects a specific motion of the observed body O based on a plurality of captured images of the observed body O.例文帳に追加

生活機能測定装置２０は、被観察体Ｏが撮像された複数の撮像画像に基づいて、人物領域Ｐに含まれる人物領域特定点Ｒの人物領域時系列データ及び部位領域Ｑに含まれる部位領域特定点Ｔの部位領域時系列データの抽出と、被観察体Ｏの特定の動作の検出とを行う。 - 特許庁

This coloring composition contains the organic pigment solid solution consisting of (a) an acetanilidebenzimidazolone-based azo pigment of formula (1) in which the phenyl group of its azobenzene skeleton bears fluorinated methyl at its m-position and (b) the acetanilidebenzimidazolone-based azo pigment of formula (2) in which the azobenzene skeleton has a nitro group at its m-position and chlorine at its p-position.例文帳に追加

アゾベンゼン骨格のフェニル基が置換基としてｍ−位にフッ化メチル基を有する式（１）のアセトアニリドベンツイミダゾロン系アゾ顔料（ａ）と、アゾベンゼン骨格が置換基としてｍ−位にニトロ基を、ｐ−位に塩素を有する式（２）のアセトアニリドベンツイミダゾロン系アゾ顔料（ｂ）からなる有機顔料固溶体を含有する着色組成物。 - 特許庁

In this pseudo adiabatic dynamic logic circuit 100, a charging diode, a p channel MOS transistor, an n channel MOS transistor and a discharge diode are connected in series with inverse logic circuits 101, 102, 103, 104 of each stage and a repeating wave power supply circuit 110 is connected on one end on the side of the charging diode and on the other end on the side of the discharge diode.例文帳に追加

擬似断熱的ダイナミック論理回路１００において、各段の反転論理回路１０１，１０２，１０３，１０４は、充電ダイオードとｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタと放電ダイオードとが直列に接続され、充電ダイオード側の一端と放電ダイオード側の他端に繰り返し波電源回路１１０が接続される。 - 特許庁

In the method for producing an acrylonitrile-based copolymer, when producing an acrylonitrile-based copolymer by soap-free polymerization using sodium p-styrene sulfonate, the acrylonitrile-based copolymer with improved discoloring is obtained by copolymerizing at least one of alkyl acrylate, alkyl methacrylate, and an organic acid ester, in spite of being produced by the soap-free polymerization.例文帳に追加

パラスチレンスルホン酸ナトリウムを用いたソープフリー重合によりアクリロニトリル系共重合体を製造する際、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、あるいは有機酸エステルの少なくとも一種を共重合させることにより、ソープフリー重合により製造されたにも関わらず着色の改善されたアクリロニトリル系共重合体の製造方法。 - 特許庁

In a semiconductor hetero junction corresponding to the N channel and the P channel, a difference in height ϕB of a Schottky barrier formed between a source and drain formed of metal or intermetallic compound and a semiconductor layer used for each channel of a semiconductor is used for enabling selectively injecting the carriers into each channel.例文帳に追加

本発明はｎチャネル及びｐチャネルに相当する半導体へテロ接合において、金属もしくは金属間化合物で形成されたソース及びドレインと前記半導体の各チャネルに用いた半導体層との間に形成されるショットキー障壁の高さφ_Bの違いを用いて各チャネルに選択的にキャリア注入をできるようにする。 - 特許庁

The image forming device comprises a paper supply means (a paper supply section 3 and an image forming section 2) capable of continuously supplying paper with a predetermined image in a constant direction, and a lens sheet supply means for continuously supplying a lenticular lens sheet so as to face it to the paper P in the constant direction.例文帳に追加

所定の画像が形成された用紙を一定の方向で連続して供給することの可能な用紙供給手段（図では用紙供給部（３）及び画像形成部（２）が該当する。）と、前記一定の方向に沿って前記用紙Ｐに対向させるようにレンチキュラーレンズシートを連続して供給するレンズシート供給手段とを備えている。 - 特許庁

To provide an antimicrobial liquid detergent affording antimicrobial effects in a short contact time and imparting excellent antimicrobial actions to an object in the liquid detergent comprising an anionic surfactant and a small amount of a zinc compound so as to suppress effects on storage stability and benzoic acid, a p-hydroxybenzoic acid ester, etc.例文帳に追加

陰イオン界面活性剤、及び貯蔵安定性への影響を抑制できる程度の少量の亜鉛化合物や安息香酸、パラヒドロキシ安息香酸エステル等を含有する液体洗浄剤において、短い接触時間で抗菌効果を得ることができ、優れた抗菌作用を対象物に付与する抗菌液体洗浄剤を提供する。 - 特許庁

In the image forming device which simultaneously transfers and fixes the toner image on an intermediate transfer belt 5 onto a paper P by using a heating roll 8 and a pressurizing roll 9, the toner used has the minimum ≥77° contact angle in the temperature range from the toner melting temperature Tm to Tm+25°C and has ≤130°C melting temperature.例文帳に追加

中間転写ベルト５上のトナー像を、加熱ロール８及び加圧ロール９により用紙Ｐに転写すると同時に定着する画像形成装置において、トナーとして、トナー溶融温度Ｔｍからトナー溶融温度Ｔｍ＋２５℃までの間のトナー接触角の最小値が７７゜以上であり、かつ、トナー溶融温度Ｔｍが１３０℃以下のものを用いる。 - 特許庁

The overlapping region of a region S2 to the base 2 of the tray 31 for collection installed to the base and a movable region R for the load head to the preset base is computed as a part-placing region T in this case, and the part P decided as the impropriety of loading onto the substrate is placed in the computing part placing region T.例文帳に追加

ここで、基台に設置された回収用トレイ３１の基台２に対する領域Ｓ２と予め設定された基台に対する移載ヘッドの可動領域Ｒとの重複領域を部品載置領域Ｔとして算出し、基板への搭載が不適であると判断された部品Ｐをその算出した部品載置領域Ｔに載置させるようにする。 - 特許庁

In the ink jet recording adhesive sheet obtained by laminating an ink jet recording surface base material, an adhesive layer and a mold release sheet, a ratio of an MD direction tensile strength to a CD direction tensile strength measured according to a paper and cardboard tensile characteristic testing method in accordance with JIS P 8113 is 1.00 to 1.60.例文帳に追加

インクジェット記録用表面基材、粘着剤層、および剥離紙を積層してなるインクジェット記録用粘着シートにおいて、ＪＩＳ−Ｐ−８１１３規定の紙および板紙−引張特性の試験方法で測定した、該剥離紙のＣＤ方向引張強さに対するＭＤ方向引張強さの比率が１．００〜１．６０であるインクジェット記録用粘着シート。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element is formed by laminating a substrate and an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer in order on the substrate top surface; and the n-type nitride semiconductor layer has at least two exposed top surfaces and also has nearly vertical flanks between the top surfaces differing in height.例文帳に追加

基板と、基板上面に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層が順に積層されてなる窒化物半導体発光素子であって、ｎ型窒化物半導体層は、露出された上面を少なくとも２つ有し、かつ高さの異なる上面の間には、ほぼ垂直な側面を有することを特徴とする。 - 特許庁

Further, even when introduction conditions of the n type or p type impurities and heating conditions of a semiconductor substrate 1 in well formation are predetermined, the reverse withstand voltage of the diode can optionally be set by adjusting the interval of the border area Ad, so the diode can be formed by using the well forming stage in an ordinary CMOS process.例文帳に追加

またｎ型およびｐ型の不純物の導入条件や、ウェル形成時における半導体基板１の加熱条件が予め決まっている場合でも、境界領域Ａｄの間隔を調節することでダイオードの逆方向耐電圧を任意に設定できるので、通常のＣＭＯＳプロセスでのウェル形成工程を用いてダイオードを形成できる。 - 特許庁

The diaphragm device 1 is equipped with an image pickup lens 5 having peak wavelength P that the transmittance of light from the subject O becomes maximum in the visible region and transmitting the light from the subject O, diaphragm blades 2 and 3 converging and adjusting the quantity of the light from the subject O, and an optical filter 4 provided in the blade 3 and transmitting the light from the subject O.例文帳に追加

絞り装置１は、被写体Ｏからの光の透過率が最大となるピーク波長Ｐを可視領域内に有し、被写体Ｏからの光を透過する撮像レンズ５と、被写体Ｏからの光の量を絞り調整する絞り羽根２，３と、絞り羽根３に設けられ、被写体Ｏからの光を透過する光学フィルタ４と、を備える。 - 特許庁

The transfer belt is an endless belt having more than 5,000 times of flexibility by JIS P-8115 in a belt peripheral direction and having 1,500 to 5,000 MPa pulling elasticity in the direction of a belt peripheral direction, the exposure device performs digital image exposure of a recording dot density ≥600 dot/inch, and the toner is manufactured by a wet polymerization method.例文帳に追加

転写ベルトは、ベルト円周方向のＪＩＳ Ｐ−８１１５による耐屈曲性が５０００回を超え、かつ、ベルト円周方向での引張弾性率が１５００〜５０００ＭＰａのエンドレスベルトであり、露光装置は記録ドット密度６００ドット／インチ以上のデジタル像露光を行うものであり、トナーが湿式重合法により製造されたものである画像形成装置。 - 特許庁

The treatment system 101 for the used paper diaper includes a used paper diaper treating device 1 having a stirring separator 10 for stirring and separating the cut used paper diaper D in a treating liquid Q, and a washer 40 for extracting and washing a base material component PL in a regenerating substance P separated by the treating device 1.例文帳に追加

使用済紙おむつの処理システム１０１は、裁断された使用済紙おむつＤを処理用液体Ｑ内で攪拌分離する攪拌分離装置１０を有する使用済紙おむつの処理装置１と、処理装置１で分離された再生用物質Ｐ中の母材分ＰＬを抽出及び洗浄する洗浄装置４０とを備える。 - 特許庁

The power supplying unit 50 to which the self-propelling type image forming apparatus 1 is detachably installed includes: a power supplying means 51 for complementing the consumed power in the internal power source 12 of the self-propelled image forming apparatus 1; and a consumables supplying means 52, 53 for complementing the consumption of consumables 11, P in an image forming apparatus body 1A.例文帳に追加

自走式画像形成装置１が着脱自在に設置される給電装置５０であって、自走式画像形成装置１における内部電源１２の電力の消費を補完するための給電手段５１と、画像形成装置本体１Ａにおける消耗品１１、Ｐの消耗を補完するための消耗品供給手段５２、５３と、を備える。 - 特許庁

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極１０３と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層１０７Ａ、１０７Ｂとパンチスルーストッパー層１０８を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型パンチスルーストッパー層１０８の表面に、このパンチスルーストッパー層１０８とは反対導電型のＰ型層１１０を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁

When a high resistance boron phosphate (BP) layer is formed directly on a crystal substrate with the aid of gas phase growing means, the high resistance boron phosphate layer is formed by keeping temperature of the crystal substrate in a range of from 1000 °C or higher to 1200 °C or lower, and doping magnesium (Mg) is added into the boron phosphate layer exhibiting p-type conductivity in an undoped state.例文帳に追加

高抵抗のリン化硼素（ＢＰ）層を気相成長手段に依り、結晶基板上に直接形成する際に、結晶基板の温度を１０００℃以上１２００℃以下の範囲に保持して、アンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）の状態でｐ形の伝導性を呈するリン化硼素層に、マグネシウム（Ｍｇ）を添加して高抵抗のリン化硼素層を形成する。 - 特許庁