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chip processの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1254



例文

By forming the insulation film 210' in such a manner as to surround bump metal films 220 and 230, productivity is improved since short circuit does not occur even if a semiconductor device is highly integrated during a process of packaging the semiconductor chip 100 using a method such as COG and thereby a pitch of the bonding pads 180 is narrowed.例文帳に追加

このようにバンプ金属膜220,230を囲って絶縁膜210′が形成されると、半導体チップ100をCOGのような方法を利用してパッケージ工程時に半導体装置が高集積化されてボンドパッド180のピッチが狭まってもショート不良が発生しなくて生産性を向上させることができる。 - 特許庁

In this case, in order to suppress the extrusion of the conductive bonding layer 12 on the end face 11a of the substrate 11, a process for forming a covering layer 21, consisting of a material having poor wetting properties at the conductive bonding layer 12 than the substrate 11 is effected on a region neighbored to the semiconductor laser chip 13 in the end face 11a.例文帳に追加

そして、基体11の端面11aに、導電性接着層12のはみ出しを抑制するように、端面11aにおける半導体レーザチップ13の近傍となる領域に、基体11よりも導電性接着層12との濡れ性が悪い材料からなる被覆層21を形成する工程を行う。 - 特許庁

The manufacturing process of a semiconductor chip of 0.18 μm or less of a working line width using the copper wiring and the low dielectric constant insulation film whose dielectric constant is 3.0 or less is provided with the constitution of the substrate carrying container maintaining, particularly, particle concentration in environmental gas, humidity, organic matter concentration and ion gas concentration at least a constant value or less.例文帳に追加

銅配線と比誘電率3.0以下の低誘電率絶縁膜を用いた加工線幅0.18μm以下の半導体チップの製造工程において、特に環境気体中の粒子濃度、湿度、有機物濃度、イオン性ガス濃度を少なくとも1つ一定値以下に維持する基板搬送容器の構成を備えた。 - 特許庁

When the collet 54 comes close to an upper surface of the semiconductor chip 10 in the pickup process, electrostatic discharge is generated between the collet 54 and the grounding line 30 via an opening part 38, and neutralization charge flowing to the grounding line 30 immediately reaches the semiconductor substrate 14, thus bringing the semiconductor substrate 14 into electrostatic balance with a mount film 50.例文帳に追加

ピックアップ工程で半導体チップ10の上面にコレット54が接近すると、開口部38を介してコレット54と接地線30の間で静電気放電が生じ、接地線30に流入した中和電荷が直ちに半導体基板14に達することで、半導体基板14がマウントフィルム50と静電的に釣り合う状態となる。 - 特許庁

例文

To provide an electronic component and a semiconductor device capable of reducing cost or enhancing reliability in bonding of chips or of a chip and a circuit board, and to provide their production process, a circuit board mounting them, and an electronic apparatus having that circuit board.例文帳に追加

本発明の目的は、チップ同士又はチップと回路基板と接合において、コストの削減又は信頼性の向上を図ることのできる電子部品及び半導体装置並びにこれらの製造方法並びにこれらを実装した回路基板及びこの回路基板を有する電子機器を提供することにある。 - 特許庁


例文

In this process, if the MS data is decided as being normal and the magnetic recording performance for the MS data is decided as deteriorating, and consequently the reliability of the MS data of the magnetic stripe is evaluated as deteriorating, the MS data recorded on the magnetic stripe are rewritten by the MS data read from the IC chip, and the magnetic IC card is returned.例文帳に追加

このとき、MSデータが正規であると判定し、かつ、MSデータの磁気記録性能が低下していると判定したことにより、磁気ストライプのMSデータの信頼性が低下していると評価すると、磁気ストライプに記録されたMSデータをICチップから読み取ったMSデータに書き換えて、磁気ICカードを返却する。 - 特許庁

As a result, even when the pattern shape of the surface of the chip is slightly different according to the component to be processed, the previous process is conducted to form the reference pattern data, and its surface state can be confirmed at each component, and hence a work of re-registering the reference pattern data can be omitted.例文帳に追加

その結果、処理製品によって半導体チップの表面のパターン形状が僅かに異なるような場合であっても、前記加工を行うことにより基準パターンデータを作成することができ、製品毎にその表面状態を確認し、基準パターンデータを登録し直す作業を省くことができる。 - 特許庁

To provide an adhesive tape for processing a semiconductor substrate which allows a stable processing and does not require changes in the manufacturing conditions in each step by minimizing a change in the adhesiveness of the tape by the storage condition and the time, does not cause soiling of the back side of a chip and reduces chipping of the chip in dicing and improves the yield for a semiconductor substrate manufacturing process.例文帳に追加

半導体基板加工用粘着テープにおいてその保管条件、経過時間に伴う粘着特性の変化を極力少なくし、各工程において製造条件の変更などを伴わず、安定した加工が可能であり、また、粘着剤とフィルム基材との密着性を上げることによりチップの裏面汚染をなくすとともにダイシング時のチップの欠けを減らすことが可能であり、半導体基板製造工程における歩留まりが向上する半導体基板加工用粘着テープを提供すること。 - 特許庁

To provide an adhesive tape which is used when a semiconductor chip mounted on a metallic lead frame is sealed with a resin, thereby preventing a sealing resin from leaking out to the outer lead side, and which can easily be peeled without causing an implantation failure in a wire bonding process and further without an adhesive residue upon separation.例文帳に追加

金属製リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂封止する際に使用することにより、封止樹脂がアウターリード側に漏れ出すことを防止することができる粘着テープであって、ワイヤボンディング工程における打ち込み不良を引き起こすことがなく、また、剥離時には糊残りすることなく、容易に剥離することができる粘着テープを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a structure of a piezoelectric wafer that prevents reduction in yield due to damage of the piezoelectric wafer by handling when processing the piezoelectric wafer into a plurality of piezoelectric chip pieces through a photolithography process, the piezoelectric wafer having a large area with a mechanical strength reduced by reducing the thickness to several tens μm through mechanical polishing.例文帳に追加

機械的研磨により厚さが数十μmとなるまで薄型化されることによって機械的強度が低下した大面積の圧電ウェハを、その後のフォトリソグラフィプロセスによって複数の圧電チップ個片に加工する際のハンドリングによって、圧電ウェハが破損して歩留まりが低下する不具合を解決することができる圧電ウェハの構造を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device which can suppress electromagnetic interference between a secondary interconnect and an electronic circuit portion even when the secondary interconnect and the electronic circuit portion of a semiconductor chip are overlapped, can suppress warping of a wafer, and can reduce a risk of generating chipping in a dicing process.例文帳に追加

二次配線と半導体チップの電子回路部とが重なり合う場合においても、当該二次配線と当該電子回路部との間の電磁界的干渉を抑制することができると共に、ウエハの彎曲を抑えることができ、かつ、ダイシング工程において、チッピングが発生する危険性を低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this noncontact data carrier having a resin base material, a metallic antenna coil 13 formed on one surface of the base material and an IC chip 20 connected to the coil 13, an insulating resist material used for an etching process is left on the surface of an antenna layer as a protective film 14.例文帳に追加

本発明の非接触データキャリアは、樹脂基材と、樹脂基材の一方の面に設けられた金属製アンテナコイル13と、アンテナコイルに接続されたICチップ20とを有する非接触データキャリアにおいて、アンテナ層表面にはエッチング工程で使用した絶縁性のレジスト材料が保護膜14として残存していることを特徴とする。 - 特許庁

The curable composition is provided which includes two separately curable chemistry sets or compositions with curing temperatures sufficiently separated so that one chemistry composition can be fully cured during a B-staging process, and the second chemistry composition can be left uncured until a final cure is desired, such as at the final attach of a semiconductor chip to a substrate.例文帳に追加

2つの別々に硬化する化学セット又は組成物を含む硬化性組成物であって、それらの硬化温度が十分に離れていて、一方の化学組成物がB−ステージ化で完全に硬化し、第2の化学組成物は、基板への半導体チップの最終取付など最終硬化が望まれるまで未硬化で残しておくことができる硬化性組成物。 - 特許庁

To provide a printed circuit board having a low process cost and a high yield by simplifying the structure of the printed circuit board, and capable of improving the joining property of a fine bump and reliability at the time of flip-chip bonding, a semiconductor package, an electric and electronic device, a manufacturing method of the printed circuit board, and a manufacturing method of the semiconductor package.例文帳に追加

印刷回路基板の構造を単純化して低い工程コスト及び高い収率を有し、フリップチップ・ボンディング時に、微細バンプの接合特性及び信頼性を向上させることができる印刷回路基板、半導体パッケージ、電気電子装置、印刷回路基板の製造方法、及び半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric-wafer structure that can resolve a problem of the lowering of an yield of a piezoelectric wafer caused by the damage of the piezoelectric wafer resulting form handling when dicing the piezoelectric wafer having a large area by mechanical strength reduced by reducing a thickness to several tens of μm through mechanical polishing into a plurality of piezoelectric chip pieces by means of a subsequent photolithography process.例文帳に追加

機械的研磨により厚さが数十μmとなるまで薄型化されることによって機械的強度が低下した大面積の圧電ウェハを、その後のフォトリソグラフィプロセスによって複数の圧電チップ個片に加工する際のハンドリングによって、圧電ウェハが破損して歩留まりが低下する不具合を解決することができる圧電ウェハの構造を提供する。 - 特許庁

To effectively prevent cartridge identification information such as color information of toner stored in a rewritable non-volatile memory from being erroneously rewritten, and to stably and appropriately form an image, in an image forming apparatus using a process cartridge for an image forming apparatus, having a chip including the rewritable non-volatile memory.例文帳に追加

書き換え可能な不揮発性メモリーを備えたチップが装着された画像形成装置用プロセスカートリッジを用いた画像形成装置において、上記の不揮発性メモリーに格納されているトナーの色情報等のカートリッジ識別情報が誤って書き換えられるのを有効に防止し、適切な画像形成が安定して行えるようにする。 - 特許庁

When a laminated ceramic green chip using an electrode made of Ni or made mainly of Ni is subjected to binder removal and baking, it is heated in an atmosphere gas whose oxygen partial pressure is lower than the oxidization reduction equilibrium oxygen partial pressure of Ni and higher than that having a small value by one digit, in the binder removing process of 500 to 1000°C.例文帳に追加

NiあるいはNiを主成分とする金属を電極とした積層セラミックグリーンチップを脱バインダー・焼成する際に、脱バインダー過程の500℃〜1000℃の温度範囲では、Niの酸化還元平衡酸素分圧より低くかつ酸化還元平衡酸素分圧の1ケタ下より高い酸素分圧の雰囲気ガス中で熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of previously preventing occurrence of various kinds of inconveniences caused by occurrence of voids because of non-filling of a mold resin in a resin-sealing process for a method of manufacturing a semiconductor device, where a die pad for mounting a semiconductor chip is exposed to a surface at a packaging side of a resin package.例文帳に追加

半導体チップの搭載されたダイパッドを、樹脂パッケージの実装側表面に露出させて成る半導体装置の製造方法に関し、樹脂封止工程におけるモールド樹脂の未充填によるボイドの発生に起因した、種々の不都合の発生を未然に防止することの可能な、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric composite device permitting to utilize a mounting structure and a mounting process of an existing printed circuit board, eliminate large-scale structures, realize high-density wiring, and shorten a wiring length between a semiconductor chip and an optical element, to provide an optical waveguide used for this device, and to provide a mounting structure of the photoelectric composite device.例文帳に追加

既存のプリント配線板の実装構造及び実装プロセスを利用でき、大掛かりな構造物を排除し得、配線の高密度化が可能であり、半導体チップ−光素子間の配線長を短くできる光電複合装置、この装置に用いられる光導波路、並びに光電複合装置の実装構造を提供すること。 - 特許庁

To reduce the occurrence of inferior goods, after making it formulation with little impedance property by thermal load, in a manufacturing method of a capacitor element which is provided with a process wherein a dielectric film 3, a solid electrolyte layer 4 of manganese dioxide , a graphite layer 5 and a metal layer 6 are formed in this order on an anode chip body 1 by valve-acting metal.例文帳に追加

弁作用金属による陽極チップ体1に、誘電体膜3、二酸化マンガンの固体電解質層4、グラファイト層5及び金属層6を、その順番で形成する工程を備えて成るコンデンサ素子の製造方法において、熱負荷によるインピーダンス特性が少ない形態にした上で、不良品の発生を低減できるようにする。 - 特許庁

In the manufacturing method of a non-contact type IC card, whether each IC formed on a wafer operates normally or not, is inspected and specific data is written in a nonvolatile memory inside the IC whose result of inspection is normal after a semiconductor process of the wafer is completed when an IC chip for mounting on the IC card is manufactured.例文帳に追加

本発明の非接触式ICカードの製造方法は、ICカードに実装するためのICチップを製造するIC製造時に、ウェハの半導体プロセスを完了した後、ウェハに形成された各ICが正常に動作するか否かを検査し、検査結果が正常であるICの内部の不揮発性メモリに特定データを書き込むように構成したものである。 - 特許庁

To enable constitution of a semiconductor device having the same size as a chip size in order to satisfy a theme to be smaller and thinner for high density mounting, and provide a semiconductor device whose manufacturing cost can be reduced by improving manufacturing efficiency by reducing manufacturing process, and simultaneously by saving material cost by making material like resin for sealing unnecessary.例文帳に追加

高密度実装のため、より小さく、薄くという課題を満たすべく、半導体装置をチップサイズと全く同等サイズに構成できると共に、製造工程を少なくして生産効率を高め、同時に封止用樹脂等の材料を不要にして材料費を節減することにより、製造コストを低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

This carrier substrate 10 is provided with a metal substrate 12 on which a semiconductor chip is loaded in the manufacturing process of a semiconductor device, a recessed part 16 formed by press working at a position corresponding to the resin protrusion of a resin package of the metallic substrate 1, after plated coating is formed on the metal substrate 12, and the plated coating 14 formed on the inner face of the recessed part 16.例文帳に追加

半導体装置の製造工程で半導体チップが搭載される板状の金属基材12と、金属基材12に予めめっき被膜が形成された後、金属基材12の樹脂パッケージの樹脂突起に対応する位置に、プレス加工によって形成された凹部16と、凹部16の内面に形成されためっき被膜14とを具備する。 - 特許庁

To provide with a relatively simple process a semiconductor device that ensures airtightness of a semiconductor chip, avoids the adhesion of a resin to an element formation surface, and avoids the increase in manufacturing cost, and its manufacturing method in a junction reinforcement method that can be applied to the semiconductor device for handling a high-frequency signal ranging from a microwave band to a millimeter wave band.例文帳に追加

マイクロ波帯からミリ波帯までの高周波信号を取り扱う半導体装置に適用することができる接合部補強方法であって、半導体チップの気密性が確保され、素子形成面への樹脂の付着を回避でき、かつ比較的簡単な工程で製造コストの上昇を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a microchip for electrophoresis for use in protein analysis, which enables the pretreatment of a sample containing a protein on the chip, in addition to the separation, measurement and detection process in electrophosesis, and can integrate the operation processes, resulting in the improvement of the efficiency due to the reduction in time required for analytical operation and the labor saving.例文帳に追加

タンパク質分析に用いられる電気泳動用マイクロチップであって、電気泳動における分離・測定・検出過程に加えて、タンパク質含有試料の前処理をチップ上で可能にし、作業工程を一体化することによって分析作業時間の短縮と省力化による効率の向上を図ることができるものを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing device for a display panel for dispensing with anneal treatment to an air exhaust pipe after sealing fusion of the air exhaust pipe of the display panel to shorten time required for a chip-off process and dispensing with a burner moving mechanism for anneal treatment to simplify and miniaturize a configuration of a burner supporting means.例文帳に追加

表示パネルの排気管の融着封止後の排気管へのアニール処理を不要にして、チップオフ工程の所要時間を短縮することができ、しかも、アニール処理のためのバーナー移動機構の省略によってバーナー支持手段の構成を単純化,小型化することができる表示パネルの製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing process of a compound dual wavelength laser including two laser structures, or red and infrared, within a single chip, a GaAs substrate 1 is cleaned, before a second epitaxial growth, in such cleaning liquid as containing sulphuric acid 97 wt%, hydrogen peroxide solution 30 wt%, and water at the ratio of 1:1:50-250, at 20-25°C for 20-50 seconds.例文帳に追加

1チップ内に赤色と赤外の二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザの製造工程において、二回目のエピタキシャル成長前のGaAs基板1に対する洗浄の際、洗浄液を硫酸97wt%、過酸化水素水30wt%、水、1:1:50〜250の割合で、温度20〜25℃にて20〜50秒処理する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device and its manufacturing method that use a ZnO-family compound semiconductor, are a vertical type that can take out an electrode from the upper and lower surfaces of a chip, having superior crystallinity of a semiconductor layer and high light emission efficiency, at the same time, which do not use a sapphire substrate, and are convenient in a manufacturing process and use.例文帳に追加

ZnO系化合物半導体を用い、チップの上下両面から電極を取り出すことができる垂直型で、かつ、半導体層の結晶性が優れて発光効率が高いと共に、基板にサファイア基板を用いないで製造プロセスおよび使用面で便利な半導体発光素子およびその製法を提供する。 - 特許庁

A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.例文帳に追加

分離領域115に高濃度N型拡散層116を設けることにより、寄生NPNトランジスタ102のコレクタ電流を削減することができるので、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁

The method manufactures a grass-derived organic fermentation fertilizer, in a short period of time of about one month, by fermenting and decomposing grassy species (such as chaff, straw, bamboo chip, etc.) containing plenty of a silicon compound and fibers (such as cellulose, lignin, etc.) as constituents by using completely odorless treating water after a final precipitation vessel in a sewage purification process.例文帳に追加

ケイ素化合物、セルロースやリグニン等繊維質を構成成分として多く含むイネ科植物(籾殻、わら、竹チップなど)を、下水浄化過程における最終沈殿槽以降の全く無臭の処理水を用いて発酵、分解することによって、1ヶ月程度という短期間でイネ科植物由来の有機発酵肥料を製造する方法。 - 特許庁

Then, the image processor 100 obtains the information of operation history coping with the hash value by referring to the hash value recorded by the TPM chip 10 to rewrite the previously stored color conversion table based on the obtained information of operation history and process the previously inputted image information based on the rewritten color conversion table.例文帳に追加

そして、画像処理装置100は、TPMチップ10で記録したハッシュ値を参照して、当該ハッシュ値に対応する使用履歴情報を取得し、取得した使用履歴情報に基づいて、予め記憶した色変換テーブルを書き換え、書き換えた色変換テーブルに基づいて、予め入力された画像情報を処理する。 - 特許庁

To provide a wiring board having a structure which has a condenser built near a mounted IC chip, which is easily manufactured with high production yield, and a reduced loss in cost, even if a nonconformity of capacitor is found in a manufacturing process, a core board using the wiring board, and a method of manufacturing the core board easily at a low cost.例文帳に追加

搭載する電子部品の近くにコンデンサを内蔵し、しかも製造容易で、歩留まりが高く、製造工程中にコンデンサの不具合が発見されても損失金額が少ない構造とした配線基板、およびそのような配線基板に用いるコア基板、さらには、このコア基板の容易かつ安価な製造方法を提供すること。 - 特許庁

Consequently, since each semiconductor chip 2 has already prepared an insulating layer 2d differently from a case wherein an insulation film is arranged each time a heat sink 2c stuck on an element portion 2a is fixed to a case 4, the process of forming the insulation film arranged to maintain insulation between the heat sink 2c and case 4 is simplified.例文帳に追加

これにより、素子部2aに貼り合わせたヒートシンク2cを筐体4に固定するたびに絶縁性フィルムを配置する場合と異なり、既に半導体チップ2に絶縁層2dが備えられた状態となっているため、ヒートシンク2cと筐体4との間の絶縁性を保つために配置される絶縁膜の形成工程の簡略化を図ることが可能となる。 - 特許庁

The problem of the shortening of a process regarding the removal of an incomplete chip on quality at the peripheral end section at a time when the metallic pattern is formed on the whole surface and the shortening of the blade at a time when the metal is left is solved, and pre-alignment can also be corrected.例文帳に追加

本発明はウエファ周端部に白抜きパターンを用いることにより、ウエファ周端部のレジストを除去してウエファ周端部のメタルをエッチングするもので、全面にメタルパターンを形成した場合の周端部の品質上不完全チップの削除に関わる工程の短縮やメタルを残した場合のブレードの短命化の問題を解決し、プリアライメント補正も可能とするものである。 - 特許庁

The method of producing the diaphragm of the speaker does not includes a paper making process, and reduces production time by manufacturing the diaphragm through at least: a step 1 of pulverizing cane material into chip shapes; a step 2 of separating the bamboo chips into a fiber shapes by a press kneader; and a step 3 of forming a three dimensional shape by heat pressurization press molding.例文帳に追加

本発明のスピーカ用振動板の製造方法は、抄紙工程を含まず、少なくとも竹材をチップ状に粉砕する工程1と、竹チップを加圧ニーダで繊維状に解繊する工程2と、3次元形状に加熱加圧プレス成型する工程3とで振動板を製造することで、製造時間を短縮することができる優れたスピーカ用振動板の製造方法を確立することができる。 - 特許庁

To provide a TAB (Tape Automated Bonding) tape increasing the reliability in a semiconductor package manufacturing process by preventing generation of foreign matter such as Cu particles with no presence of a Cu or metal pattern layer in a sprocket hole part where friction is generated due to a drive roller in progress of assembling a panel with a drive IC (Integrated Circuit) or a chip/drive IC; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ドライブICまたはチップ/ドライブICとパネルとのアセンブリ進行時に、駆動ローラにより摩擦が発生するスプロケットホールの部位にCuまたは金属パターン層が存在せず、Cuパーティクルなどの異物の発生を防止することによって、半導体パッケージの製造工程において信頼性を向上させることができるTABテープ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device having a heat resistant resin film used generally for flip-chip connection using a solder bump or a gold bump and an epoxy based resin compound in which reliability of the semiconductor device is enhanced by improving adhesive property especially after it is held under high temperature and high humidity for a long term, and to especially provide a surface modification treatment method.例文帳に追加

半田バンプや金バンプを用いるフリップチップ接続に多用される耐熱性樹脂膜とその上に積層するエポキシ系樹脂化合物を有する半導体装置において、特に高温高湿下に長期間保持された後の接着性を改善し、半導体装置の信頼性を向上させるための半導体装置の製造方法、特に表面改質処理方法を提供する。 - 特許庁

The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for opposing the electrode 12 of a semiconductor chip 10 and a wiring pattern 22 each other through a solder 30 containing bismuth, and a step for forming a conductive portion 40 connecting the electrode 12 and the wiring pattern 22 electrically by thermally melting the solder 30 at a temperature between the melting point and 300°C and then hardening the solder.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体チップ10の電極12と配線パターン22とを、ビスマスを含有するはんだ30を介して対向させること、及び、はんだ30を、融点以上300度未満の温度で加熱して溶融させ、その後硬化させて、電極12と配線パターン22とを電気的に接続する導電部40を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a method for forming bump electrodes required at the time of mounting a semiconductor chip on a circuit board by facedown mounting, in which the bump electrodes can be formed accurately on an electrode pattern formed on the circuit board without requiring a highly accurate mask or a process hard to implement even in the case of fine pitch.例文帳に追加

フェースダウン実装工法により、半導体チップを回路基板に実装するような場合に必要な突起電極の形成に際して、狭ピッチにおいても高精度のマスクや実現が困難なプロセスを必要とすることなく、突起電極を回路基板上の電極パターン上に精度よく形成することができる半導体実装用基板における突起電極形成方法を提供すること。 - 特許庁

An in-circuit emulator 10 to verify the chip design divided into internal logic design and external interface design to communicate with the target system 12 by at least one interface protocol includes a processing engine 101 to process algorithm of the logic function by design of an internal logic and a pin signal generating part 102 to generate a plurality of pin signals by design of an external interface.例文帳に追加

内部ロジック設計と、少なくとも一つのインターフェースプロトコルによって目標システム12と通信するための外部インターフェース設計とに分かれるチップ設計を検証する回路内エミュレータ10は、内部ロジックの設計によってロジック関数のアルゴリズムを処理するプロセシングエンジン101と、外部インターフェースの設計によって複数のピン信号を生成するピン信号生成部102とを含む。 - 特許庁

To provide a CMOS semiconductor integrated circuit capable of decreasing power consumption at standby time without increasing a dedicated power source for reducing the power consumption at the standby time, separately providing a substrate bias generating circuit, which increases the power consumption and a chip area, and forming a triple well structure to become the cause of complicating a process.例文帳に追加

待機時の消費電力低減のために専用の電源を増やさず、消費電力及びチップ面積の増大を招く基板バイアス発生回路を別途設けることなく、プロセスの複雑化の原因となる三重ウエル構造を形成することなく待機時の消費電力を減少させることができるCMOS半導体集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a display drive which reduces the chip size of a drive, power consumption, a mounting area, and a manufacturing cost, further suppresses man-hours in a connection process of a display panel with surrounding circuits, and mitigates the necessary connection accuracy, and also to provide a driving control method of the display drive and to provide a display device provided with the display drive.例文帳に追加

ドライバのチップサイズを縮小し、消費電力を低減させるとともに、実装面積の縮小及び製造コストを低減させることができ、また、表示パネルと周辺回路との接続工程における工数の抑制や必要な接続精度を緩和することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、該表示駆動装置を備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

A process for manufacturing a semiconductor device comprises a section 34 for supporting a base substrate 26 on which a plurality of semiconductor chips 12 are stuck with an adhesive 28, a section 40 supplying energy 44 for lowering viscosity to the adhesive 28, and a suction tool 50 for taking out the semiconductor chip 12 from the base substrate 26 after the energy 44 is supplied.例文帳に追加

半導体装置の製造装置は、複数の半導体チップ12が粘着材28によって貼り付けられたベース基材26を支持する支持部34と、粘着材28に粘着力を下げるためのエネルギー44を供給するエネルギー供給部40と、エネルギー44の供給後に、半導体チップ12をベース基材26から取り出す吸着ツール50と、を含む。 - 特許庁

In the process for manufacturing an LED lamp, a through hole printed wiring board on which an LED chip packaging pattern and a terminal pattern are formed, and a plate provided with a through hole having a shape corresponding to a recess with the wall face of the hole being subjected to reflection increasing treatment are produced, and then they are bonded mutually while being aligned thus producing a multilayer printed wiring board.例文帳に追加

LEDチップ実装パターンと該端子パターンを形成したスルーホールプリント配線板と、該凹部に相当する型状の貫通穴を形成し、その穴壁面を適宜反射増加処理した貫通穴形成板とを作製し、これらを位置合わせして相互接着することにより該多層プリント配線板を製造することを特徴とするLEDランプの製造法。 - 特許庁

A processing circuit 4 once accepts an AD conversion command and after that, does not process the content of a command other than the AD conversion command even if the command is accepted until a termination command for performing termination instruction of A/D conversion processing and an invalid signal of a chip selection signal CS are accepted as termination instruction signals and an A/D conversion part 5 continuously executes the A/D conversion processing.例文帳に追加

処理回路4は、AD変換コマンドを一旦受付けた後、A/D変換処理を終了指示するための終了コマンドやチップセレクト信号CSの無効信号を終了指示信号として受け付けるまでAD変換コマンド以外のコマンドを受け付けたとしても当該コマンドの内容を処理することなく、A/D変換部5がA/D変換処理を継続実行する。 - 特許庁

Hardening an underfil resin 3 at the temperature exceeding a melting point of a solder 2 after filling the underfil resin 3 in a gap between the once bonded semiconductor chip 1 and a circuit board 4 expands the gap by a cubical expansion of the resin, under the hardening process of the underfil resin 3 to make the shape of the solder 2 remelted by the hardening heat a drum shape.例文帳に追加

一旦はんだ接合した半導体チップ1と回路基板4の間隙にアンダーフィル樹脂3を充填した後、はんだ2の融点を超える温度でアンダーフィル樹脂3を硬化処理することにより、アンダーフィル樹脂3における硬化進行時の樹脂の体積膨張により間隙を拡張することで、硬化処理熱により再溶融したはんだ2の形状を鼓状にする。 - 特許庁

One bit constituting a memory is constituted of a plurality of memory cells 1 to 4, the memory cell has the same structure as a memory cell of the main memory, the memory cell for management of the nonvolatile semiconductor memory apparatus in which either of bit lines 8 out of adjacent bit lines is always not selected in reading is manufactured on one chip by the same process with the main memory.例文帳に追加

メモリを構成する1ビットは、複数個のメモリセル1〜4で構成され、該メモリセルは、メインのメモリのメモリセルと同一の構造を有し、隣接するビットの隣接ビット線のいずれか一方のビット線8は、読み出し時において常時非選択となる不揮発性半導体記憶装置が、メインのメモリと共に同一のプロセスにより1チィップ上に作製されて構成される。 - 特許庁

In a plurality of liquid crystal display modules ML held in a heating chamber 14 with a proper interval, a driver chip 10 and a flexible wiring board 11 are subjected to thermo compression bonding to an extension part 2a of one glass substrate 2 where the connection terminal line of a lead wiring connected to the electrode of a panel P is formed in a previous process via an anisotropic conductive bonding sheet 12.例文帳に追加

加熱チャンバ14内に適長間隔を空けて保持された複数の液晶表示モジュールMLにおいては、それぞれ、パネル部Pの電極に連なるリード配線の接続端子列を形成した一方のガラス基板2の延出部2aに、異方性導電接着シート12を介してドライバチップ10とフレキシブル配線基板11が、前工程でそれぞれ熱圧着接合されている。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor chip has a dicing process for dividing a wafer 1, to which a dicing tape 2 having an adhesive layer 22 containing a blowing agent has been stuck into individual semiconductor chips 1' by dicing; and an adhesive force reduction process for reducing the adhesive force of the adhesive layer 22 in the dicing tape 2, by foaming a blowing agent by giving a stimulus to the dicing tape 2.例文帳に追加

発泡剤を含有する粘着剤層22を有するダイシングテープ2が貼付されたウエハ1をダイシングして、個々の半導体チップ1’に分割するダイシング工程と、前記ダイシングテープ2に刺激を与えて発泡剤を発泡させることによりダイシングテープ2の粘着剤層22の粘着力を低下させる粘着力低下工程とを有する半導体チップの製造方法であって、半導体チップ1’の任意の1辺の長さをA、発泡剤の発泡の間隔をBとしたときにAとBとが下記式(1)を満たす半導体チップの製造方法。 - 特許庁

例文

At several places of a process for executing a plurality of continuously continued inspection processes, the forward voltage of a diode inside the IC chip is measured to confirm the temperature, when the temperature does not lie within the range of a diode voltage corresponding to a prescribed temperature range, the temperature is adjusted, and an inspection after an interruption is resumed, after confirming that the diode voltage lies within the prescribed range.例文帳に追加

連続的に連なった複数の検査工程を実行する過程の何箇所かで、ICチップ内のダイオードの順方向電圧を測定して温度確認を行い、所定の温度範囲に該当するダイオード電圧の範囲内に入っていなければ、検査の継続を中止して温度調整を行い、そのダイオード電圧が所定の範囲内に入ったことを確認後、中止後の検査を再開させる。 - 特許庁




  
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