「upper third」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The image display deice has stacking structure of a scanning line lower electrode GL-L embedded in a groove MZ formed by working the main surface of an insulating substrate SUB1 which is a first substrate, a first insulating layer INS1, a signal line electrode DL, a second insulating layer INS2, a third insulating layer INS3, and a scanning line upper electrode GL-H.例文帳に追加

第１の基板となる絶縁基板ＳＵＢ１の主面を加工した溝ＭＺに埋設した走査線下部電極ＧＬ−Ｌ、第１絶縁層ＩＮＳ１、信号線電極ＤＬ、第２の絶縁層ＩＮＳ２、第３の絶縁層ＩＮＳ３、および走査線上部電極ＧＬ−Ｈの積層構造とする。 - 特許庁

The upper magnetic pole of the ID head has a structure wherein a third magnetic layer 11 consisting of the CoNiFe plated film or the like is laminated by adopting a first magnetic layer 13 consisting of the CoNiFe film, the CoNiFeX film or the like film-formed by the physical vapor growth method and a second magnetic layer 14 consisting of a NiFe layer or the like as the seed layers.例文帳に追加

ＩＤヘッドの上磁極を、物理的気層成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜などの第１の磁性層１３、ＮｉＦｅ層などの第２の磁性層１４をシードレイヤーとし、ＣｏＮｉＦｅめっき膜などからなる第３の磁性層１１を積層する構造とする。 - 特許庁

A condenser 1 has, at one end side thereof, a first header tank 3 to which first heat exchange tubes 2A of third and fourth heat exchange paths P3 and P4 are connected and a second header tank 4 to which second heat exchange tubes 2B of first and second heat exchange paths are connected, and an upper end of the former is located above the latter.例文帳に追加

コンデンサ１の一端部側に、第３および第４熱交換パスP3,P4の第１熱交換管2Aを接続する第１ヘッダタンク３と、第１および第２熱交換パスの第２熱交換管2Bを接続する第２ヘッダタンク４とを設け、前者の上端を後者の下端よりも上方に位置させる。 - 特許庁

A first sidewall 5 is formed so as to cover the side face lower part of the gate electrode 31, a second sidewall 6 is formed at the opposite side of the gate electrode 31 on the first sidewall 5, and a third sidewall 9b is formed so as to be held between the side face upper part of the gate electrode 31 and the second sidewall 6 on the first sidewall 5.例文帳に追加

ゲート電極３１の側面下部を覆うように第１のサイドウォール５、第１のサイドウォール５におけるゲート電極３１とは反対側に第２のサイドウォール６、第１のサイドウォール５上に、ゲート電極３１の側面上部と第２のサイドウォール６とに挟まれるように第３のサイドウォール９ｂが形成されている。 - 特許庁

A discharge of a prescribed electric potential is stably and repeatedly generated between a discharge face 23 in the tip of an upper discharge electrode and a discharge face 25 in the tip of a lower discharge electrode facing each other on the center inside the airtight tube 10 through the use of the first discharge trigger wires 50, the second discharge trigger wires 60 and the third discharge trigger wires 70.例文帳に追加

そして、第１放電トリガ線５０と第２放電トリガ線６０と第３放電トリガ線７０とを用いて、気密筒１０内の中央で対向する上部放電電極先端の放電面２３と下部放電電極先端の放電面２５との間に所定電位の放電を安定させて繰り返し発生させる。 - 特許庁

The shared range of virtual addresses straddles the 242-byte boundary between ranges served by different third-level DAT tables and is situated between a lower private range and an upper private range so that an individual address space can map both the lower private range and a shared range using only three levels of DAT tables.例文帳に追加

仮想アドレスの共用範囲は、異なる第３レベルＤＡＴテーブルで用いられる範囲間の２^42バイト境界を跨ぎ、個々のアドレス・スペースが低位専用範囲および３レベルのＤＡＴテーブルのみに使用される共用範囲の両方をマップできるように、低位専用範囲と高位専用範囲との間に位置する。 - 特許庁

The first detection electrode 11 is disposed in the front side upper part of the headrest 43 to detect the capacitance between itself and the adjacency of the parietal region 49a of the head part 49 of the human body 48, and the third detection electrode is disposed at the front side lower part to detect the capacitance between itself and each portion of the human body 48 other than the adjacency of the parietal region 49a.例文帳に追加

第１検知電極１１はヘッドレスト４３の前面側上部に配置されて人体４８の頭部４９の頭頂部４９ａ近傍との間の静電容量を検知し、第３検知電極１３は前面側下部に配置されてこの頭頂部４９ａ近傍以外の人体４８の各部位との間の静電容量を検知する。 - 特許庁

A second partition plate 36 dividing exhaust gas flowing in the collecting pipe part 28 from the branch pipe parts 26, 27 connected to a third exhaust port P3 and a fourth exhaust port P4 respectively is attached over both of the upper outer shell member 30 and the lower outer shell member 32 at length reaching the collecting pipe part 28 from the branch pipe parts 26, 27.例文帳に追加

また、第３排気ポートＰ３と第４排気ポートＰ４とにそれぞれ接続された枝管部２６，２７から集合管部２８に流入する排気ガスを仕切る第２仕切板３６を、上側外殻部材３０と下側外殻部材３２との両方に跨って、かつ、枝管部２６，２７から集合管部２８に達する長さに取り付けた。 - 特許庁

The pressurizing body is pressed with a weak force on the upper surface having much moisture in a first process prior to a predetermined dehydrating operation, is raised a little to guide air between the elastic pressurizing surface and the laundry in a second process, and is energized by a predetermined force and speed in a third process.例文帳に追加

所定の脱水操作に先立つ第１工程で、水分を多量に含んだ洗濯物の上面に弱い力で加圧体を押圧、次の第２工程で加圧体を少し上昇させることにより弾性加圧面と洗濯物との間に空気を導入し、次の第３工程で所定の力及び速度で加圧体を付勢して洗濯物の脱水を行なう。 - 特許庁

The joint structure 100 has a first part 110 and a second part 120 which are provided in a third shelf 20c on the upper stage and a second shelf 20b on the lower stage respectively, wherein joining force in the vertical direction of the first part 110 and the second part 120 is increased by shifting from the following first state to a second state.例文帳に追加

ジョイント構造１００は、上段側の第三棚２０ｃと下段側の第二棚２０ｂとにそれぞれ設けられる第一部分１１０および第二部分１２０を備えるとともに、以下の第一状態から第二状態に遷移することで第一部分１１０と第二部分１２０との上下方向の結合力が増大する。 - 特許庁

The water purifier is provided with a main body 12 comprising a first part 14, a second part 16 and a third part 18 which are arranged in order toward the upper side from the lower side and are fluid-communicated with each other.例文帳に追加

下側から上側に向かって順に、互いに流体連通するようになった第１部分（１４）、第２部分（１６）、及び第３部分（１８）を有する本体（１２）を備え、第２部分に濾過材（３０）が配置されており、処理しようとする水を供給する給水管（２２）の先端が、第１部分の内部に位置決めされていることを特徴とする。 - 特許庁

This building construction method includes a first process for installing the PC footing member 1 precast only at the lower section in the height direction of a footing H on the ground surface, a second process for erecting a steel column SC on the PC footing member 1, and a third process for constructing the upper section in the height direction of the footing H in a region A.例文帳に追加

フーチングＨの高さ方向下部のみをプレキャスト化したＰＣフーチング部材１を地盤面に設置する第一工程と、ＰＣフーチング部材１の上面に鉄骨柱ＳＣを建てる第二工程と、領域ＡにフーチングＨの高さ方向上部を構築する第三工程と、を含むことを特徴とする建物施工方法。 - 特許庁

A first suppression member 26 transits between the first state that slide of all screws present on a feeding rail member is suppressed and the second state that it is not suppressed, and a second suppression member 28 transits between the third state that slide of upper screws than the n_th number from a lower end part of the feeding rail member 22 is not suppressed and the fourth state that it is suppressed.例文帳に追加

第１抑止部材２６は、供給レール部材上に存在する全てのネジのスライドを抑止する第１状態と抑止しない第２状態との間で遷移し、第２抑止部材２８は、供給レール部材２２の下端部からｎ本目よりも上側のネジのスライドを抑止しない第３状態と抑止する第４状態との間で遷移する。 - 特許庁

A first insulating layer and a third insulating layer configuring each wiring layer 100 contain a silicon carbide/nitride film, silicon carbide and/or silicon oxide, the second insulating layer of a lower wiring layer contains the silicon oxide, and the second insulating layer of an upper wiring layer contains fluorinated silicon oxide and/or carbonated silicon oxide.例文帳に追加

各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。 - 特許庁

The suction flow passage is equipped with a suction casing connected to an upstream side duct through a first opening provided on the upper side and to an intermediate casing through a second opening provided on a horizontal direction side, and at least one branch pipe connected to at least one third opening branched from the upstream side duct and provided to the suction casing.例文帳に追加

上方側に設けられた第１開口で上流側ダクトに接続し、水平方向側に設けられた第２開口で中間ケーシングに接続した吸込みケーシングと、前記上流側ダクトから分岐して前記吸込みケーシングに設けられた少なくとも一の第３開口へ接続する少なくとも一の分岐管と、を具備する。 - 特許庁

The method of manufacturing an electronic apparatus comprises the first step of forming the relief plate 20 having a convex 22, the second step of forming a liquid layer on the convex 22, the third step of exposing part of the upper surface of the convex 22 by removing part of the liquid layer, and the fourth step of transferring the liquid layer 30 to a substrate 40.例文帳に追加

本発明にかかる電子装置の製造方法は、凸部２２を有する版２０を形成する第１工程と、凸部２２の上に液体層を形成する第２工程と、液体層の一部を除去して凸部２２の上面の一部を露出させる第３工程と、液体層３０を基板４０に転写する第４工程と、を含む。 - 特許庁

Consequently, if a user tries to attach the cover 11 to the body 2, the upper end of the stopper body 301 of the cover stopper 300 is pressed by the cover 11, and the lower end portion of the stopper body 301 passes through the third insertion opening 204 of the slider 200 and the slider passage 207 to permit the cassette mounting portion 8 to be covered with the cover 11.例文帳に追加

従って、ユーザが本体２にカバー１１を取り付けようとすると、カバーストッパ３００のストッパ本体３０１の上端がカバー１１により押圧され、ストッパ本体３０１の下端部分がスライダ２００の第３挿入口２０４及びスライダ通路２０７を貫通し、カセット装着部８をカバー１１で掩覆することが許される。 - 特許庁

The invention relates to the common distribution device of fuel cell for vehicle, and is characterized in that the stack of the common distribution device is provided on its lower portion with a first module and a second module which are air supply and discharge parts and on its upper portion with a third module and a fourth module which are hydrogen supply and discharge parts.例文帳に追加

本発明は、車両用燃料電池の共用分配機構に関するもので、前記共用分配機構のスタックには、空気供給部及び排出部である第１のモジュール及び第２のモジュールが下部に配置され、水素供給部及び排出部である第３のモジュール及び第４のモジュールが上部に配置されることを特徴とする。 - 特許庁

The landing hall button assembly 20 has an assembly body 21, an upper end floor landing button 22 arranged on a first surface 21a of this assembly body 21, a lower end floor landing hall button arranged on a second surface of the assembly body 21, and an intermediate floor landing hall button arranged on a third surface of the assembly body 21.例文帳に追加

また、乗場ボタン集合体２０は、集合体本体２１と、この集合体本体２１の第１の面２１ａに設けられた上端階用乗場ボタン２２と、集合体本体２１の第２の面に設けられた下端階用乗場ボタンと、集合体本体２１の第３の面に設けられた中間階用乗場ボタンとを有している。 - 特許庁

A DC circuit between a third switch circuit 11 and a reactor L12 is further interposed between one DC input part on the input side of the voltage type inverter 9 and the AC input side of the voltage type rectification circuit 5, and chopper control is performed to at least one of the upper arm part 5H and the lower arm part 5L of the voltage type rectification circuit 5.例文帳に追加

さらに、電圧形インバータ９の入力側の一方の直流入力部と、電圧形整流回路５の交流入力側との間に、第３のスイッチ回路１１とリアクトルＬ１２との直列回路を介挿し、電圧形整流回路５の上アーム５Ｈおよび下アーム５Ｌの少なくとも一方をチョッパ制御する。 - 特許庁

A box type elevator shaft 2 is splittably formed by first first, second and third box units 3, 4, 5, an elevating body 8 is built in the elevator shaft 2, and a drive unit 12 internally conlarnining an elevator 13 and a winding device 14 is installed in a second floor indoor space between an upper part of the elevator shaft 2 and a second floor ceiling part.例文帳に追加

ボックス状の昇降路２を、第一、第二、第三ボックスユニット３、４、５により分割可能に形成し、昇降路２内に昇降体８を組込むとともに、昇降路２の上部と二階天井部とのあいだの二階室内空間に、昇降機１３と巻装装置１４とが内装された駆動ユニット１２を設ける構成とする。 - 特許庁

The electronic component tray according a third constitution of the invention comprises two trays wherein when upper surfaces of the two trays are overlaid facing each other a fitting protrusion of a first shape formed around a predetermined pocket of one of the trays is fitted with a fitting protrusion of a second shape formed around a predetermined pocket of the other tray.例文帳に追加

本発明の第３の構成に係る電子部品用トレイは、２枚のトレイの上面を対向させて重ね合わせると、一方のトレイの所定のポケット周囲に形成された第１の形状の嵌合用突起と他方のトレイの所定のポケット周囲に形成された第２の形状の嵌合用突起とが相互に嵌合するものである。 - 特許庁

When, not illegal communication using a relay, an electronic key 10 and transmission antennas 22a and 23a are closer to each other, the RSSI of the third measurement signal Srs3 becomes equal to or less than an RSSI upper limit which can be detected by an RSSI detection circuit 16, and thereby the difference occurs between the RSSIs of the measurement signals Srs1 and Srs3.例文帳に追加

中継器を使用した不正な通信でなく、上記電子キー１０及び送信アンテナ２２ａ，２３ａが接近している場合、この第３の測定用信号Ｓｒｓ３のＲＳＳＩが、ＲＳＳＩ検出回路１６が検出できるＲＳＳＩの上限以下となることで、両測定用信号Ｓｒｓ１，Ｓｒｓ３のＲＳＳＩに差が発生する。 - 特許庁

At first, Nyobo (a court lady) or Kinshin (close aide/trusted vassal) took the role of Moushitsugi, but in the Insei period (during the period of the government by the retired Emperor), favorite retainers among In no Kinshin (the retired Emperor's courtier) were working as Moushitsugi, including TAKASHINA no Yasutsune at Goshirakawa-incho (the retired Emperor Goshirakawa's Office), and Nobukiyo BOMON and Kintsune SAIONJI at Gotoba-in (the Retired Emperor Gotoba's Office); these people were involved in the government affairs through announcing Migyosho (documents for informing of decisions made by third or upper ranked authorities). 例文帳に追加

当初は女房や近臣がその役目を担っていたが、院政期には院近臣の中でも寵臣とされた人々が申次を務め、後白河院の高階泰経や後鳥羽院の坊門信清・西園寺公経がこれに相当しており、御教書の伝宣などを担当するなど国政遂行に深く関与した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In an area I of low rotation driving and middle load and more driving of an engine, fuel injection by an injector is conducted in two steps of early injection which starts injecting one-third or more of total injection amount per one fuel cycle by BTDC 90° CA, and later injection which starts injecting the remaining fuel near a compression upper dead point.例文帳に追加

エンジン１の低回転及び中負荷以上の運転領域（Ｉ）で、インジェクタ５による燃料噴射を、１燃焼サイクルにおける噴射総量の１/３以上をＢＴＤＣ９０°ＣＡで噴射開始する早期噴射と、残りの燃料を圧縮上死点近傍で噴射開始する後期噴射との２段階に分けて行わせる。 - 特許庁

An exhaust pipe support device 1 is prepared by connecting an upper side attaching part 11 having first and second attaching holes 2a, 2b inserted with support members extended from a vehicular body 3, to a lower side attaching part 12 having a third attaching hole 2c inserted with a support member extended from an exhaust pipe 4 by means of a pair of main springs 13, 13.例文帳に追加

排気管支持装置１を車体３から延びる支持部材３ａ，３ｂが挿入される第１及び第２取付孔２ａ，２ｂを有する上側取付部１１と、排気管４から延びる支持部材４ａが挿入される第３取付孔２ｃを有する下側取付部１２とを一対の主ばね部１３，１３により互いに連結して構成する。 - 特許庁

He joined the palace staff in 1076, became Jugoinojo (Junior Fifth Rank, Upper Grade) and Tango no kami (Governor of Tango Province) in 1078, Jushiinoge (Junior Fourth Rank, Lower Grade) in 1081, Bicchu no kami (Governer of Bicchu Province) and Uchujo (Middle Captain of the Right Division of Inner Palace Guards) before 1081, Shoshiinoge (Senior Fourth Rank) in 1084, took the title Chugu Gon no suke (Provisional Assistant Master of the Consort's Household) and Kurodo no to (Head Chamberlain) in 1091, Sangi (councillor) in 1092, Sachujo (Middle Captain of the Left Division of the Inner Palace Guards) and Harima gon no kami (Provisional Governor of Harima Province) in 1093, rose to Jusanmi (Junior Third Rank) in 1096, Shosanmi (Senior Third Rank) in 1097, became Bicchu gon no kami (Provisional Governor of Bicchu Province) in 1098, Gon Chunagon (Provisional vice-counselor of state) in 1102, Shonii (Senior Second Rank) in 1103, and Gon Dainagon (Provisional chief counselor of state) in 1115. 例文帳に追加

承保3年（1076年）侍従、承暦2年（1078年）従五位上兼丹後守、永保元年（1081年）従四位下、備中守（これ以前に少将）、右中将、同4年（1084年）正四位下、寛治5年（1091年）兼中宮権亮、蔵人頭、同6年（1092年）参議、同7年（1093年）左中将兼播磨権守、嘉保3年（1096年）従三位、永長2年（1097年）正三位、承徳2年（1098年）兼備中権守、康和4年（1102年）権中納言、同5年（1103年）正二位、永久(元号)3年（1115年）権大納言。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Ushosho (minor captain of the Right Division of Inner Palace Guards) in 1105 (12 years old), Jugoinojo (Junior Fifth Rank, Upper Grade) in 1106, combined with Suo no suke (vice governor of Suo Province), ranked Shogoinoge (Senior Fifth Rank, Lower Grade) in 849, Jushiinoge (Junior Fourth Rank, Lower Grade) and Juishiinojo (Junior Fourth Rank, Upper Grade) in 1109, Shoshiinoge (Lower Senior Fourth Rank) combined with Mimasaku Gon no suke (vice governor of Mimasaku Province) in 1111, chujo (middle captain of the Right division of Inner Palace Guards) in 1115, combined with Bicchu no suke (vice governor of Bicchu Province) in 1116,Sangi (councilor) in 1119 (26 years old), combined with Mimasaku Gon no kami (governor of Mimasaku Province) in 1120, Jusanmi (Junior Third Rank) in 1121, Chunagon (vice-councilor of state) in 1122, Shosanmi (Senior Third Rank) in 1129, combined with Uemon no kami (captain of the Right Division of Outer Palace Guards) in 1130, Kebiishi no betto (superintendent of the Imperial Police) and Chunagon in 1131, Saemon no kami (captain of the Left Division of Outer Palace Guards) in 1132, Junii (Junior Second Rank) in 1134, Shonii (Senior Second Rank) and Dainagon (chief councilor of state) in 1136, Sadaisho (major captain of the Left Division of Inner Palace Guards) in 1140, combined with Kogogu-daibu (master of the Empress's household) in 1141, Minister of the Palace in 1149 (58 years old), Minister of the Right in 1150, and entering priesthood on July 17, 1154. 例文帳に追加

長治2年、右少将（12歳）、同3年、従五位上、兼周防介、嘉祥2年、正五位下、天仁2年、従四位下、従四位上、天永2年、兼美作権介、正四位下、永久3年、右中将、同4年、兼備中介、元永2年、参議（26歳）、同3年、兼美作権守、保安2年、従三位、同3年、中納言、大治4年、正三位、同5年、兼右衛門督、同6年、検非違使別当、中納言、天承2年、左衛門督、長承3年、従二位、保延2年、正二位、大納言、同6年、左大将、永治元年、兼皇后宮大夫、久安5年、内大臣（58歳）、同6年、右大臣、仁平4年5月28日出家。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An upper image display panel 7 is built up of a dual view liquid crystal and the informative images 102 for informing the other players of the result of the internal lottery on a slot machine 1 are displayed for them positioned in the directions 98 and 99 of the second and third visual angles on the right and left of the slot machine 1 before reels 5L, 5C and 5R are stopped and displayed.例文帳に追加

上側画像表示パネル７をデュエルビュー液晶によって構成し、リール５Ｌ、５Ｃ、５Ｒが停止表示される前にスロットマシン１の左右方向にあたる第２視野角方向９８及び第３視野角方向９９に位置する他の遊技者に対して、スロットマシン１の内部抽籤の抽籤結果を報知する報知画像１０２を表示するように構成する。 - 特許庁

In the water tank cleaning apparatus having the first purifying tank 31 and the second purifying tank 32, the first and second treatment part housing containers 33 and 34 for treating water tank wastewater are superposed on the upper parts of the first and second purifying tanks 31 and 32 and a third treatment member housing container 35 is superposed so as to cover both of the first and second treatment member housing containers.例文帳に追加

第１浄化槽３１と第２浄化槽３２を有する水槽浄化装置において、第１浄化槽３１と第２浄化槽３２の上部に、水槽排水を処理する第１及び第２処理部材収容容器３３，３４を重ね合わせ、これら第１及び第２処理部材収容容器の両方を覆うように第３処理部材収容容器３５を重ね合わせた。 - 特許庁

The internal metal wiring IM1 comprises a first wiring 11 connected to the output terminal Pout of an inverter INV1, a second wiring 12 connected to the output terminal Pout, and a third wiring 13 which is the wiring of upper layer than the first wiring 11 and the second wiring 12 and connects the first wiring 11 to the second wiring 12 through a via.例文帳に追加

内部メタル配線ＩＭ１は、インバータＩＮＶ１の出力端子Ｐｏｕｔと接続する第１の配線１１と、出力端子Ｐｏｕｔと接続する第２の配線１２と、第１の配線１１と第２の配線１２とをビアを介して接続し、第１の配線１１と前記第２の配線１２より上層の配線である第３の配線１３とから構成される。 - 特許庁

Further, the semiconductor storage has a third contact plug 17, so formed extendedly through between the first and second upper-layer insulating hydrogen barrier films 15a, 15b present in the interlayer insulating film 16 as not to come into contact it with the films 15a, 15b, and as to connect its lower end with the top surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１６における第１の上層絶縁性水素バリア膜１５ａと第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ｂとの間を貫通して延びると共に、第１及び第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ａ及び１５ｂと接触しないように形成されており、下端が半導体基板１の上面と接続する第３のコンタクトプラグ１７とを備える。 - 特許庁

The laminated chip capacitor has: a capacitor body having first and second sides opposing each other, and upper and lower surfaces; a plurality of first and second internal electrodes alternately arranged inside the body; first and second external electrodes that are formed on the first and second sides each, surround a lower edge and are extended onto the lower surface partially; and a third external electrode formed on the lower surface.例文帳に追加

積層型チップキャパシタは、対向する第１及び第２側面と上下面を有するキャパシタ本体と、上記本体内で交代に配置される複数の第１及び第２内部電極と、上記第１及び第２側面にそれぞれ形成され、下部エッジを囲んで下面に一部延長された第１及び第２外部電極と、上記下面に形成された第３外部電極とを含む。 - 特許庁

The laminated chip capacitor includes a capacitor body having opposing first and second side surfaces and upper and lower surfaces, pluralities of first and second inner electrodes alternately arranged in the body, first and second outer electrodes respectively formed on the first and second side surfaces and partially extended to the lower surface surrounding a lower edge, and a third outer electrode formed on the lower surface.例文帳に追加

積層型チップキャパシタは、対向する第１及び第２側面と上下面を有するキャパシタ本体と、上記本体内で交代に配置される複数の第１及び第２内部電極と、上記第１及び第２側面にそれぞれ形成され、下部エッジを囲んで下面に一部延長された第１及び第２外部電極と、上記下面に形成された第３外部電極とを含む。 - 特許庁

A second setting tool sets a third target engine speed not lower than the second target engine speed and not higher than the first target engine speed, as an upper limit value for the target engine speed corresponding to the capacity of the pump, depending on the type of the hydraulic actuator to be operated by an operation lever or the combination of the plurality of hydraulic actuators to be operated by the operation lever.例文帳に追加

第２設定手段は、ポンプ容量に対応した目標エンジン回転数の上限値として、操作レバーにより操作される前記油圧アクチュエータの種類又は前記操作レバーにより操作される複数の油圧アクチュエータの組合せに応じて、第２目標エンジン回転数以上で第１目標エンジン回転数以下の第３目標エンジン回転数を設定する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a plurality of capacitance elements 130 formed on a semiconductor substrate 100 where the bottom part, side lower electrodes 107, 109, a capacitance insulating film 110, and an upper electrode 111 are formed in this sequence and a third insulating film 112 formed covering a capacitance array region AR where the plurality of capacitance elements 130 are arranged.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１００上に形成され、底部及び側部下部電極１０７及び１０９、容量絶縁膜１１０及び上部電極１１１がこの順に形成されてなる複数の容量素子１３０と、複数の容量素子１３０が配列されたキャパシタアレイ領域ＡＲを覆うように形成された第３の絶縁膜１１２とを備える。 - 特許庁

Out of three semiconductor packages 11, 12, and 13 which are stacked, the third semiconductor package 13 in the most upper layer in the laminate is mounted with a photoelectric conversion element 23 which receives and transmits optical signals by a receiving and transmitting plane 23a faced upwards in the laminate and converts optical signals to electrical signals, as a semiconductor element.例文帳に追加

３つの半導体パッケージ１１，１２，１３の積層における最上層の第３半導体パッケージ１３は、半導体素子として、その積層における上方を向いた受発信面２３ａで光信号の受信および発信を行い、電気信号とその光信号との間での変換を担う光電変換素子２３が実装された光信号伝送パッケージである。 - 特許庁

The leg wiping drying mat has an upper layer mat (a surface layer mat) constituted by weaving constituting yarns of antibacterial synthetic fiber with high water repellency into a predetermined shape and an under mat (an under layer mat) comprising a laminated structure of three kinds of polyurethane porous materials with different densities forming the first layer mat, the second layer mat, and the third layer mat from above.例文帳に追加

抗菌加工を施し撥水性の高い合成繊維の構成糸を使用して所定形状に織布してなる上層マット（表層マット）と、上方から一層目マット、二層目マット、三層目マットを形成する３種類の密度の異なるポリウレタン多孔質体の積層構造からなる下敷きマット（下層マット）と、を具備することを特徴とする足拭き乾燥マットである。 - 特許庁

A hyper NRD guide (HNRD) and a normal NRD guide (NNRD) are constituted by arraying a dielectric strip 3 between a lower conductor plate 1 and an upper conductor plate confronted thereto, a third nonradiative dielectric line is constituted by providing a groove with depth, which gradually becomes shallow, between these two lines and in this part, line conversion is performed.例文帳に追加

下部の導電体板１と、これに対向する上部の導電体板との間に誘電体ストリップ３を配してハイパーＮＲＤガイド（ＨＮＲＤ）およびノーマルＮＲＤガイド（ＮＮＲＤ）を構成するとともに、この２つの線路の間に、ＨＮＲＤの溝に続いて深さが次第に浅くなる溝を設けて第３の非放射性誘電体線路を構成し、この部分で線路変換を行う。 - 特許庁

There are provided a substrate 1, a first conductivity type first silicon layer 3 formed on an upper surface side of the substrate 1, a silicon oxide layer 4 formed on the first silicon layer 3, an intrinsic microcrystalline second silicon layer 5 formed on the silicon oxide layer 4, and a third silicon layer 6 of an opposite conductivity type to the first conductivity type formed on the second silicon layer 5.例文帳に追加

基板１と，基板１の上面側に形成された，第１導電型の第１シリコン層３と，第１シリコン層３の上に形成された酸化シリコン層４と，酸化シリコン層４の上に形成された，真性の，微結晶の第２シリコン層５と，第２シリコン層５の上に形成された，第１導電型と反対導電型の第３シリコン層６とを備えている。 - 特許庁

In May, 1273 when Masamura HOJO, who served as a regent and a rensho (assistant to regents), died, he sent a letter to Sanetoki HOJO, a nephew of Masamura, and his daughter's husband, stating that 'I would like to express my sincere sorrow, however, regrettably I couldn't offer prayers because a migyosho (a document for informing people of the decision of Third Rank or upper people) prohibited jitos (managers and lords of manor) and gokenins (immediate vassals of the shogunate in the Kamakura and Muromachi through Edo periods) in Chinzei (nickname of Kyushu) from calling on you due to a foreign affair.' 例文帳に追加

文永10年（1273年）5月に執権と連署を務めた北条政村が死去した際に、政村の甥で娘婿である北条実時に宛てて「お悔やみを申し上げたいが、異国の事により鎮西の地頭御家人は参向してはならないとの御教書ですので、参拝する事できず残念です。」との書状を送っている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is unknown whether the article of "Azuma Kagami" with the same date is reliable, but according to 'Kanto Hyojoden' (an annual listing of personnel for the years 1226 and 1232 to 1284), he already became Saemon no jo (third-ranked officer of the Left Division of Outer Palace Guards) at the age of 18, was conferred a peerage in the same year, became Jugoinojo (Junior Fifth Rank, Upper Grade) at the age of 23, Shogoinoge (Senior Fifth Rank, Lower Grade) Shogoinoge (Senior Fifth Rank, Lower Grade) at the age of 26, and Kai no kami (the governor of Kai Province) at the age of 27, indicating that he promoted rapidly because his high social standing was recognized. 例文帳に追加

『吾妻鏡』の同日条を何処まで信用して良いのかは不明ながら、「関東評定伝」によると、18歳で既に左衛門尉となっており、同年更に従五位下に叙爵、23歳で従五位上、26歳で正五位下左衛門大尉、27歳で甲斐守という官職の昇進の早さは確かに高い家格を認められていたということになる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

If the Ossokata determined that their osso were justifiable, the Ossotonin (head of the Ossokata) and the Ossobugyonin (officials in charge of retrials and accepting appeals) privately discussed and compared the petition for osso with the original judgment, and if they decided that the judgment was not fair, they issued a migyosho (document for informing of decisions made by third or upper ranked authorities), elected anew bugyonin, and started a formal trial under the command of the ossotonin. 例文帳に追加

越訴方では越訴が正当と判断される場合には内談の場にて越訴頭人・越訴奉行人によって越訴状と落居事書（判決原案）との比較審理が行われ、先沙汰（原判決）が問題ありと判断された場合、御教書を発給して改めて奉行人を選定し、越訴頭人の指揮の下で正式な裁判が改めて開かれた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The upper shield layer includes a first part 3a arranged in an area including an area opposite to the thin film coil 5, a second part 3b connected to a face of the first part 3a at the side of the thin film coil 5, and a third part 3c opposite to the lower shield layer 6 via the MR element 9 and connected to the second part 3b.例文帳に追加

上部シールド層は、薄膜コイル５に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分３ａと、下部シールド層６の側方に配置され、第１の部分３ａにおける薄膜コイル５側の面に接続された第２の部分３ｂと、ＭＲ素子９を挟んで下部シールド層６と対向すると共に第２の部分３ｂに接続された第３の部分３ｃを有している。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has the steps of: introducing a second p type impurity into an n well containing a gate electrode and the resistance element to form a p channel type MOSFET and adjust the resistance value of the resistance element; and introducing a third n type impurity into an upper layer electrode of a capacity element containing a first p type impurity to convert into an n type.例文帳に追加

ゲート電極を含むｎウエルと抵抗素子とに第二ｐ型不純物を導入してｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの形成と抵抗素子の抵抗値の調整とをそれぞれ行う工程と、第一ｐ型不純物を含有する容量素子の上層電極に第三ｎ型不純物を導入してｎ型に変換する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁