「Gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(866ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, the gate can be downsized, the safety can be easily confirmed because the drive-in port to be used has only to be opened/closed, and the running costs can be reduced.例文帳に追加

駐車塔１に乗込場２を備え、乗込場２には複数のゲートを設け、昇降空間Ｅ位置を第一乗込口３にし、第一乗込口３に隣接する第二乗込口４として、第二乗込口４には第二ゲート１２を開閉可能に設け、第一乗込口には第一ゲート１１で開閉可能にして、第一ゲート１１は第二ゲート１２に内設する構成にすることで、ゲートを小型化することができ、利用する乗込口の開閉だけでよく安全確認が容易にでき、ランニングコストを安価に出来る効果がある。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic semiconductor device 1 having a gate insulating film 14 and the organic semiconductor film 20 with unbipolar characteristics includes a semiconductor film formation process for forming an organic semiconductor film 20 using pentacene in vacuum or a reduced atmosphere, where the organic semiconductor device 1 is maintained in vacuum or a reduced atmosphere after the semiconductor film formation process.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜（１４）と、アンバイポーラ特性を有する有機半導体膜（２０）とを備える有機半導体装置（１）の製造方法であって、真空中または還元雰囲気中で、ペンタセンを用いて有機半導体膜（２０）を形成する半導体膜形成工程を含み、前記半導体膜形成工程以降、有機半導体装置（１）を真空中または還元雰囲気中に維持することを特徴とする、有機半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

In this FET, a structure in which embedded is a carrier generating electrode 206 which can inject carriers into the semiconductor film 205 at the time of gate signals is formed.例文帳に追加

少なくとも、ゲート電極２０２と、ゲート電極２０２に接して形成されたゲート絶縁膜２０３と、ゲート絶縁膜２０３に接して形成された有機半導体膜２０５と、有機半導体膜２０５に接して形成された少なくとも一対のソース−ドレイン電極（２０４および２０７）とが、絶縁表面を有する基板２０１上に設けられた有機電界効果トランジスタにおいて、ゲート信号時に有機半導体膜２０５の中にキャリアを注入できるキャリア発生電極２０６を埋め込む構造を形成する。 - 特許庁

The thin film transistor having at least a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode formed on a support is fabricated through a step for forming an insulating region exhibiting repellence to electrode material, and a step for forming the source electrode and the drain electrode by feeding a fluid electrode material to the insulating region and dividing the fluid electrode material at the insulating region.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタにおいて、電極材料反発性を有する絶縁性領域を形成する工程、次いで、該絶縁性領域に流動性電極材料を供給して、該流動性電極材料が前記絶縁性領域で分断されることにより、該ソース電極及び該ドレイン電極の各々が形成される工程を経て、製造されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In the injection molding mold for diffraction optical elements for optical communication which molds the elements by filling the cavity formed by a first mold having a diffraction grating pattern and a second mold facing the first mold with a resin material, the diffraction grating pattern is straight-lined and arranged in parallel with the direction of the gate path provided at the position where the diffraction grating pattern on the first mold is formed.例文帳に追加

回折格子パターンが形成された第１の金型と、当該第１の金型に対向する第２の金型とにより形成される空間内に樹脂材を充填して光通信用の回折光学素子を成形する光通信用の回折光学素子の射出成形金型において、前記回折格子パターンは、直線状であり、第１の金型の回折格子パターンが形成される部位に樹脂材を供給するゲート通路の方向に対して平行に設けられている。 - 特許庁

By letting the parent prepaid card 1 settle the amount including the fares of the child prepaid card 2 in one lump sum, the system enables going in and out the ticket gate at the station by the child prepaid card 2 that does not have a fare settlement function, and saves the trouble of buying a ticket, by possession of parent and child prepaid cards.例文帳に追加

入場者数記録・入出場記録・精算機能を可能とした親プリペイドカード１と入出場記録を可能とした子プリペイドカード２、入出場者数を入力・解析機能を備えた親子プリペイドカード対応自動改札機５を用い、親プリペイドカード１に子プリペイドカード２の分も含めた金額を一括精算させることで精算機能を持たない子プリペイドカード２による駅の改札内への入出場を可能とし、親子プリペイドカードを所持することで切符を買う手間をなくすことができる。 - 特許庁

In a solid state imaging device comprising a plurality of pixel cells, each pixel cell includes a photoelectric conversion element provided in a semiconductor substrate and storing signal charges by performing photoelectric conversion of incident light, and a transistor for transferring the signal charges stored in the photoelectric conversion element to a floating junction wherein at least one transfer transistor has a gate electrode covering the photoelectric conversion element.例文帳に追加

本発明の１態様による固体撮像装置は、複数の画素セルを具備する固体撮像装置であって、各画素セルは、半導体基板中に設けられ、入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する光電変換素子と、前記光電変換素子に蓄積された前記信号電荷をフローティングジャンクションに転送する転送トランジスタとを含み、少なくとも１個の前記転送トランジスタは、前記光電変換素子の上方を覆って設けられたゲート電極を具備する。 - 特許庁

The turn-on capacitor 6 is boosted and charged by the turn-on booster circuit by the time immediately before the turn-on, the charges of the capacitor are applied to the gate of a semiconductor switching element to perform the turn-on at a high speed, and an on state is held by the on-holding power supply 1 after the turn-off.例文帳に追加

定格ゲート電圧内の電圧のオン保持用電源１と、該オン保持用電源１から定格ゲート電圧を越える電圧を生成するターンオン用昇圧回路と、該ターンオン用昇圧回路により充電されるターンオン用コンデンサ６を有し、ターンオン直前までに前記ターンオン用昇圧回路により前記ターンオン用コンデンサ６を昇圧充電し、前記コンデンサの電荷を半導体スイッチング素子のゲートに印加して高速ターンオンし、ターンオン後は前記オン保持用電源１でオン状態を保持する。 - 特許庁

In this inverter, a space is formed above the IGBT 2, by integrally molding a gate substrate 8d with the same material as that of an insulation material 8 between the plates 6, 7, an IGBT power source substrate is placed in this space, so that the parts accommodation density in the inverter is enhanced.例文帳に追加

略平面状のヒートシンク１上に汎用性のある平滑コンデンサ３とＩＧＢＴ２を組付け、各々の正極端子３ａ、２ｃ、負極端子３ｂ、２ｂを略クランク形状のパネル積層形直流導体板６、７で電気的に接続するインバータにおいて、直流導体板６，７間の絶縁材８と同一材料でゲート基板８ｄを一体成形したことにより、ＩＧＢＴ２上に空間を作り、該空間にＩＧＢＴ電源基板設置し、インバータ内の部品収納密度を高める。 - 特許庁

This flat display device has a plurality of electric field emission type cathodes K, a high voltage electrode which fixedly supplies an intense electric field forms a Schottky barrier which makes possible electrons being emitted from the cathodes K to the surfaces of the cathodes K, a two dimensional MOS gate array which controls electron emission from the cathodes K, and a phosphor layer which glows by impacts of electrons selectively emitted from the cathodes K.例文帳に追加

複数の電界放出型カソードＫと、その複数のカソードＫの表面に、その複数のカソードＫからの電子放射を可能にし得るショットキーバリアを形成する強電界を固定的に与える高圧電極と、複数のカソードＫに接続され、その複数のカソードＫからの電子の放射の有無を制御する２次元ＭＯＳゲートアレイと、複数のカソードＫから選択的に放出された電子の衝撃によって、光輝せしめられる蛍光体層Ｐとを有する。 - 特許庁

In a vacuum processing valve having a gate valve between two vacuum chambers, the valve is equipped with two flanges having an opening for an objective band article to pass through during carrying in or out, a valve holding the article and shielding a fluid, and a valve chamber constituting a passage for the article, and one of the flanges consists of a movable flexible flange.例文帳に追加

２個の真空チャンバー間にゲートバルブを配設されてなる真空処理装置において、前記ゲートバルブが、帯状の被処理物が搬入・搬出に際して通過する開口部分を有する２つのフランジと、帯状の被処理物を挟持して流体を遮断する弁と、帯状の被処理物の通路を構成する弁室とを具備し、該被処理物が通過する開口部分を有する２つのフランジの一方が、可動可能なフレキシブルフランジからなることを特徴とする真空処理装置のゲートバルブである。 - 特許庁

Early that morning, the group left the inn at Shinagawa (Shinagawa Ward, Tokyo) where they had had a party the night before, and proceeded along the Tokaido (now the National Route 15); they turned at Fudanotsuji after going through Okido; they passed Amisaka (near present-day Keio University, Minato Ward, Tokyo), Myojinzaka and Nakanohashi (now the Tokyo Metropolitan Expressway Ring Route) to Sakurada Street, and finally assembled at the Atago Jinja Shrine on the street leading to the Sakuradamon Gate. 例文帳に追加

当日の早朝、一行は決行前の宴を催し一晩過ごした東海道品川宿（東京都品川区）の旅籠を出発し、東海道（現在の国道15号）に沿って進み、大木戸を経て札ノ辻を曲がり、網坂（東京都港区(東京都)、慶應義塾大学付近）、神明坂、中之橋（現在の首都高速都心環状線を過ぎる）を過ぎて桜田通りへ抜け、愛宕神社(東京都港区)（港区）で待ち合わせたうえで、外桜田門へ向かう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method for forming a triode structure of a field emission display includes a step of preparing a transparent substrate, a step of patterning a conductive paste layer containing catalytic metal on the transparent substrate to form a cathode layer, a step of forming a gate structure on the cathode layer and the transparent substrate by a process of sandblasting or photolithography, and a step of forming an isomeric carbon emitter on the cathode layer.例文帳に追加

透明基板を準備するステップと、前記透明基板の上に金属触媒を含有する導電性ペーストを付着させ、導電性ペースト層をパターン化して陰極電極層を形成するステップと、砂吹き法または写真平板法プロセスにより前記陰極電極層と前記透明基板上にゲート構造を作成するステップと、前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターを作成するステップとからなる電界放射ディスプレイ用の三極構造を形成させる。 - 特許庁

When switching power transistor 1 is on, a rectifying transistor 7 is off while the switching power transistor 1 is off, the rectifying transistor 7 is shorted between a drain and a gate to be used as a diode in forward bias mode, thus switching the switching power transistor 1 and switching of an electrostatic induction transistor are in synchronous rectification.例文帳に追加

スイッチング用パワートランジスタ１がＯＮ時は、整流用トランジスタ７はＯＦＦし、スイッチング用パワートランジスタ１がＯＦＦ時は、整流用トランジスタ７のドレイン・ゲート間を短絡し、順バイアスモードのダイオードとして使用し、スイッチング用パワートランジスタ１がＯＮ時は、整流用トランジスタ７はＯＦＦし、スイッチング用パワートランジスタ１がＯＦＦ時は、整流用トランジスタ７のドレイン・ゲート間を短絡し、順バイアスモードのダイオードとして使用し、スイッチング用パワートランジスタ１のスイッチングと静電誘導型トランジスタのスイッチングとを同期整流とした昇圧チョッパー回路とする。 - 特許庁

This voltage-driven type power element is equipped with cell blocks 8, provided on the top surface of a semiconductor substrate 2, gate pads 9 provided by the cell blocks 8, main emitter electrodes 10 provided by cell blocks 8, and two subordinate emitter electrodes 11 and 12, which are provided to one of the cell blocks 8 to constitute current mirrors with the main emitter electrodes 10 and differing in the number of unit cells.例文帳に追加

本発明の電圧駆動型パワー素子は、半導体基板２の表面に設けられた複数のセルブロック８を備え、これら複数のセルブロック８毎にそれぞれ設けられた複数のゲートパッド９を備え、複数のセルブロック８毎にそれぞれ設けられた複数の主エミッタ電極１０を備え、複数のセルブロック８の中の１つのセルブロック８に設けられ前記主エミッタ電極１０とカレントミラーを構成するものであってユニットセルの個数が異なる２個の従エミッタ電極１１、１２を備えるように構成したものである。 - 特許庁

The secure network provisioning device includes: a first set of network communication interfaces requiring configuration blocks to enable access to associated networks; a second set of network communication interfaces free from a requirement for configuration prior to network access; a communication interface gateway module configured to gate network traffic between network communication interfaces; and a network profile acquisition module configured to acquire network profiles containing data required to configure the communication interfaces of the first set.例文帳に追加

安全ネットワークプロビジョニングデバイスは、関連するネットワークへのアクセスを可能にするために構成ブロックを必要とする第１のセットのネットワーク通信インターフェースと、ネットワークアクセスの前に構成される必要のない第２のセットのネットワーク通信インターフェースと、ネットワーク通信インターフェース間のネットワークトラフィックをゲートするように構成された通信インターフェースゲートウェイモジュールと、第１のセットの通信インターフェースを構成するのに必要なデータを含むネットワークプロファイルを獲得するように構成されたネットワークプロファイル獲得モジュールとを備えている。 - 特許庁

(Note 2) In principle, removal costs (costs to demolish existing buildings pertaining to rebuild or remove existing facilities, unless incurred integrally with refurbishment of facility), exterior work costs ( an outside light, a gate, a fence, a parking lot, planting, and etc. excluding those integrally developed with necessity.), costs of relocation of existing facilities and facility construction costs not directly connected with the facility itself will not apply. The same applies for survey design costs, facility costs, and facility rental charges. 例文帳に追加

（注２）原則として、撤去費（建て替えに伴う既存建物解体費、既存設備の撤去費など。ただし、既存建物の改修工事と一体的に解体や撤去を行う場合を除く。）、外構工事費（外灯、門扉、フェンス、駐車場、植栽等。建物本体と一体的に整備する必要があるものを除く。）、既存設備の移設に要する経費及び施設本体に直接関係のない施設工事費等は補助対象とはならない。調査設計費、設備費等及び施設賃借料についても同様とする。 - 経済産業省

While the open/close gate is closed, the amount of inert gas fed to or exhausted from the chamber 1 or the chamber 5 is controlled by inert gas control means 6, 17, 24, and 37 so as to make the pressure of the chamber 1 is higher than that of the chamber 5.例文帳に追加

光学系の光路を包囲するチャンバ１と、チャンバに設けられた開閉ゲート２２と、チャンバに隣接して設けられる投入室５と、チャンバと投入室の内部の気体を不活性ガスで置換する置換手段２、２３、１８、２９、３４と、チャンバと投入室との間で開閉ゲートを介して対象物を搬入および搬出するための搬送手段１９とを備え、開閉ゲートが閉じているときに、チャンバの圧力が投入室の圧力よりも大きくなるようにチャンバまたは投入室に対する不活性ガスの供給量または排気量を不活性ガス制御手段６、１７、２４、３７によって制御する。 - 特許庁

The molten steel supplying apparatus charges the molten steel in a tundish 1 into a casting mold through an ejection port 10 immersed in the molten steel in the casting mold 2, while adjusting the molten steel charging amount with a nozzle gate 6 during the continuous casting of the molten steel.例文帳に追加

上記課題を解決する、本発明による連続鋳造用鋳型内への溶鋼供給装置は、溶鋼の連続鋳造の際に、ノズルゲート６により溶鋼注入量を調整しながら鋳型２内の溶鋼に浸漬させた吐出孔１０を介して、タンディッシュ１内の溶鋼を鋳型内へ注入する溶鋼供給装置において、前記ノズルゲートの下端から前記吐出孔の上端までの距離をＬとし、前記吐出孔直上のノズル内孔直径をＤとしたときに、距離Ｌとノズル内孔直径Ｄとの関係が下記の（１）式の範囲内にあることを特徴とする。 - 特許庁

The wiring forming method is the one wherein a formed polysilicon film 13 and a formed WS film 15 on a silicon substrate 1 are so patterned into a wiring shape as to form a gate wiring 10 comprising the polysilicon film 13 and the WS film 15.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５を配線形状にパターニングして当該ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５からなるゲート配線１０を形成する方法であって、ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５の上方にＢＡＲＣ膜２１を形成し、このＢＡＲＣ膜２１上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを配線形状に露光し、現像処理してレジストパターン３２を形成し、このレジストパターン３２をマスクにＢＡＲＣ膜２１をＣＨＦ_３ガスとＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとからなる第１混合ガスでドライエッチングする。 - 特許庁

The transistor-type ferroelectric memory 100 includes a substrate 10, a gate electrode 20 formed on the substrate 10, a ferroelectric layer 30 formed on the substrate to cover the electrode 20, a source electrode 40 formed on the layer 30, a drain electrode 42 formed on the layer 30 and located separately from the source electrode 40, and a channel layer 50 formed on the layer 30 and located between the electrodes 40 and 42.例文帳に追加

トランジスタ型強誘電体メモリ１００は、基板１０と、前記基板１０の上方に形成されたゲート電極２０と、前記ゲート電極２０を覆うように前記基板の上方に形成された強誘電体層３０と、前記強誘電体層３０の上方に形成されたソース電極４０と、前記強誘電体層３０の上方に形成され、前記ソース電極４０と離間して位置するドレイン電極４２と、前記強誘電体層３０の上方に形成され、前記ソース電極４０と前記ドレイン領域４２との間に位置するチャネル層５０と、を含む。 - 特許庁

Takauji entered Kyoto and chased Emperor Godaigo, Yoshisada NITTA fled to the Hokuriku region with Imperial Prince Tsuneyoshi placed as Emperor and died in battle at Fujishima of the Echizen Province attacked by ASHIKAGA troops in 1338, and "Taiheiki" makes a description of Koto no naishi at around that time as in the following: Koto no naishi, who parted from Yoshisada NITTA at Imakatata beside Lake Biwa and spent days sadly in Kyoto, was invited by Yoshisada NITTA and started for Hokuriku, but at Somayama (present Najo Town, Fukui Prefecture), she knew that he had died in a battle and became a (female) priest seeing his head hung on a prison gate. 例文帳に追加

尊氏が上京して後醍醐天皇を追い、新田義貞は恒良親王らを奉じて北陸地方へ逃れ、足利軍の攻勢により1338年に越前国藤島で戦死するが、『太平記』においては、琵琶湖畔の今堅田において別れ、京にて悲しみの日々を送っていた勾当内侍は新田義貞に招かれ北陸へ向かうが、杣山（福井県南条町）において新田義貞の戦死を知り、獄門にかけられた新田義貞の首級を目にして落飾して比丘尼になったと描かれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The TV-adapted story differs from historical facts in that, in the TV play, even the name of Noritoshi INOKUMA is not mentioned, Karahashi no Tsubone is a naishi no jo (a woman officer who carries the Emperor's sword when accompanying him out of the Palace), Bingo KANEYASU is a watchdog at the Okunomon (Inside Gate), the destination of banishment of Tadanaga KAZANIN is Tsugaru, the punishment of court nobles was intended by Ieyasu TOKUGAWA to expel pro-Toyotomi nobles from the Imperial Court, and Ieyasu TOKUGAWA disagreed to Emperor Goyozei's proposal only to restrain the behaviors of Hirohashi no Tsubone and other court ladies and instead ordered them to be banished (this means that Emperor Goyozei's proposal for punishment had been more lenient). 例文帳に追加

ドラマ中では、猪熊教利が名前すら登場しないこと、唐橋局が掌侍であること、兼安備後が奥の門の見張り役であること、花山院忠長の配流先が津軽であること、公家の処分が徳川家康による豊臣家を支援する公家の宮中からの追放を意図したものであること、広橋局以下女官を謹慎とする後陽成帝の案に対して徳川家康が難色を示し配流となったこと（後陽成帝の処分案が手ぬるいことになる）が異なる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The diffused layer 205b, gate electrode 204 and lower electrode 210 are connected by a common contact 208 which is formed in the interlayer insulating film 207.例文帳に追加

半導体基板２０１に形成された拡散層２０５ａ，２０５ｂと、半導体基板２１０の上にゲート絶縁膜２０３を介して形成されたゲート電極２０４と、半導体基板２０１上にゲート電極２０４を被覆して形成された層間絶縁膜２０７と、層間絶縁膜２０７上に形成されて、下部電極２１０、誘電体膜２１１および上部電極２１２の積層構造からなるキャパシタとを有し、拡散層２０５ｂ、ゲート電極２０４および下部電極２１０が、層間絶縁膜２０７に形成された共通のコンタクト２０８によって接続された構造を有する。 - 特許庁

The voltage keeping capacitor comprises the common electrode (20) of capacitors formed on the substrate, a conductive film simultaneously formed with a gate insulating film (24) formed on the common electrode of the capacitor, a storage electrode (27', 33-1) of the capacitor, comprising the conductive film formed in the conductive film, and a transparent electrode formed on the storage electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、絶縁体からなる透明基板（１）上に複数のゲート配線及びデータ配線がマトリックス形態となっており、各配線の交差点にゲート、ソース、ドレイン電極に連結されている複数の画素電極（３３）と、画素電極に連結された電圧維持用コンデンサを有する液晶表示装置において、電圧維持用コンデンサが、基板上に形成されたコンデンサの共通電極（２０）と、コンデンサの共通電極上に形成されたゲート絶縁膜（２４）と同一に形成された導電膜と、導電膜に形成された導電体膜からなるコンデンサの貯蔵電極（２７’、３３−１）と、貯蔵電極上に形成された透明電極からなるものである。 - 特許庁

The first channel formation region and the second channel formation region include an oxide semiconductor, and the second electrode is directly connected to the second gate electrode.例文帳に追加

ソースまたはドレインの一方となる第１の電極と、ソースまたはドレインの他方となる第２の電極と、第１のチャネル形成領域に絶縁膜を介して重畳して設けられた第１のゲート電極と、を有する第１のトランジスタと、ソースまたはドレインの一方となる第３の電極と、ソースまたはドレインの他方となる第４の電極と、第２のチャネル形成領域が第２のゲート電極と第３のゲート電極との間に絶縁膜を介して設けられた第２のトランジスタと、を有するメモリセルを複数有し、第１のチャネル形成領域及び第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含んでおり、第２の電極は、第２のゲート電極に直接接続されている記憶装置とする。 - 特許庁

This is same man (Suketomo Kyo), who was once taking shelter from the rain in the gate of To-ji Temple, where there were gathered together many cripples with twisted arms and distorted legs bent backwards. Noting their various peculiar deformities he thought, 'These are all very strange freaks, and are certainly well worth preserving.' But, when he looked at them more closely, he soon lost all pleasure in them and, regarding them as ugly and vile, thought, 'Surely there can be nothing better than the unusual upright form.' So on his return home, his well-loved little trees, which he had collected and carefully trained into queer shapes to make his eyes glad, from that time forth no longer gave him any pleasure; for he felt that to love them was like loving those cripples. Accordingly, he dug up and threw away all his dwarf trees that he had cultivated in little pots. 例文帳に追加

この人、東寺の門に雨宿りせられたりけるに、かたは者どもの集まりゐたるが、手も足もねぢゆがみ、うちかへりて、いづくも不具に異様なるを見て、とりどりにたぐひなき曲者なり、もつとも愛するに足れりと思ひて、まもり給ひけるほどに、やがてその興つきて、見にくく、いぶせく覚えければ、ただすなほに珍しからぬ物にはしかずと思ひて、帰りて後、この間、植木を好みて、異様に曲折あるを求めて目を喜ばしめつるは、かのかたはを愛するなりけりと、興なく覚えければ、鉢に植ゑられける木ども、皆掘り捨てられにけり。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A multiplex transmission circuit comprising an input register (304) storing a primary data character of start-stop system to be transmitted, an inputting process of a secondary data character (302) receiving the secondary data character such as status control signals, an output registers (305), a gate (330-332) transferring primary data characters to the output register (305) from the input register (304) when the output register is open and the input register is full, a transfer device (351) transferring a secondary character with given instruction bit to the output register (305) from the secondary data input system when the input register (304) is not full, a means to output data character in the output register to output line (110). 例文帳に追加

送信する調歩式一次データキャラクタを格納する入力レジスタ(304)と、ステータス制御信号等の二次データキャラクタを受入れる二次データキャラクタ入力手段(302)と、……出力レジスタ(305)と、……出力レジスタが空で、入力レジスタが一杯の時一次データキャラクタを入力レジスタ(304)から出力レジスタ(305)へ転送するゲート手段(330～332)と、……入力レジスタ(304)が一杯でない時二次キャラクタを二次データ入力手段からマーク指示ビット等を付与して出力レジスタ(305)へ転送する転送手段(351)と、……出力レジスタ内のデータキャラクタを出力線(110)へ出力する手段とを備えた多重化送信回路。 - 特許庁

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加

第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁

In the compound objective lens 10 for an optical pickup device, first and second objective lens parts 1 and 2 are disposed in parallel and a gate 4 is disposed in a direction in which the objective lens parts 1 and 2 are arranged side by side.例文帳に追加

光ピックアップ装置用の複合対物レンズ１０は、第１及び第２対物レンズ部１、２が並列的に配置されており、ゲート４が、各対物レンズ部１、２が並ぶ連設方向に配置され、各対物レンズ部１、２の光軸方向から見た外形形状が、ゲート４側の一端から互いに離れるように広がる第１曲線部１４ａ、１４ｂと、ゲート４の反対側の他端に位置し、直線ＣＬに垂直な第１直線部１１と、第１曲線部１１と第１直線部１１との間にあって、第１曲線部１４ａ、１４ｂのそれぞれ一方に連続し、直線ＣＬに平行な第２直線部１３ａ、１３ｂとを備える。 - 特許庁

Additionally, although the details of samurai residences are still not clear to this day, a typical residence consisted of the following up until the Muromachi period: In one building or a building with annexes, various rooms, such as a tosaburai (tosamurai), where samurai gathered, a shinden and taimen-jo (meeting place), where the samurai spent their days, Dei (Idei) as a guest room, Kumonjo (Office of Administration) and a living room, were placed with strong walls and moats surrounding the buildings, and the garden are was also smaller in comparison with Shinden-zukuri style, matching the smaller-sized buildings, and a front garden with a Chumon gate and entranceway was placed instead of the large garden typical of Shinden-zukuri style, and inside courtyard was divided into smaller sections mainly for viewing. 例文帳に追加

そのほか、武家住宅の実態は今日でも十分解明されているとはいい難いが、およそは一棟あるいは棟続きの家屋の中に武士の詰所である遠侍や表座敷としての寝殿、対面所、客間として出居、公文所、居間などの諸室を配して周囲には堅固な塀や堀をめぐらすほか、小規模な家屋に対座して庭空間も寝殿造に比して小面積で、中門や車寄せの前庭が寝殿造の広庭にとってかわり、内庭が分化して鑑賞本位になっているとみられ、この基本構成は室町まで踏襲されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this device, a control signal is applied to the control terminal connected to the gate electrode of the first FET.例文帳に追加

第１および第２のＦＥＴと、前記両ＦＥＴのソース電極あるいはドレイン電極に接続された共通入力端子と、前記両ＦＥＴのドレイン電極あるいはソース電極に接続された第１および第２の出力端子と、前記第１のＦＥＴの前記第１の出力端子に所定のバイアスを与えるバイアス手段と、制御端子と前記第２の出力端子とを接続する接続手段と、前記第２のＦＥＴのゲート電極を接地する接地手段と、前記共通入力端子と前記第２のＦＥＴのソース電極あるいはドレイン電極間を直流的に分離する分離手段とを具備し、前記第１のＦＥＴのゲート電極に接続された制御端子に制御信号を印加することに特徴を有する。 - 特許庁

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system.例文帳に追加

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

The output drive circuit includes a transmission gate to output an intermediate potential to the input/output pad.例文帳に追加

内部データ信号Ｐ、ＸＮと第１の内部信号ｎ１とを受け取る前置駆動回路ＰＤ、ＰＤａと、前置駆動回路からの信号ｎ２、ｎ３を受け取る出力駆動回路ＯＤａと、出力駆動回路の出力部と電気的に接続された入出力パッドＰＡＤと、入出力パッドに第１の電位よりも高い電位が印加された場合に、前置駆動回路からの信号を第１の電位よりも高くして出力駆動回路をオフ状態にする第１の保護回路（Ｐ２、Ｐ５、Ｐ５ａ）と、第１の内部信号を第１の電位よりも高くして前置駆動回路をオフ状態にする第２の保護回路（Ｐ２、Ｐ７、Ｐ６、Ｐ６ａ）とを含み、出力駆動回路はトランスミッションゲートを含み、中間電位を入出力パッドに出力する。 - 特許庁

Work to which he is believed to have contributed include: the tamaya (mausoleum) for Kasuga no Tsubone (during the Keicho era (1596 - 1615), relocation of the waiting room); the haiden (hall of worship) of the Himuro-jinja Shrine (Keicho era (1596 - 1615), relocation of Dairi Chitei (an arbor by a pond of the Imperial Palace)); Shinden of the Daikaku-ji Temple (became Chugu Shinden in the Genna era (1615 - 1617) upon the expansion of the dairi (Imperial Palace) first constructed in the Keicho era); Toshogu (Priest house), tea house and south garden (Tsuru-Kame garden (literally, crane-turtle garden)) of hojo (abbot's chamber) of Konchi-in; south garden of hojo of the honbo (priests main living quarters) of the Nanzen-ji Temple; Mittanseki (tea house) of Ryukoin of Daitoku-ji Temple; stone bridge in front of the front gate of Kohoan, a front garden and Bosenseki Roji of the same (building was lost to fire in the Kansei era (1789 - 1800) and restored in the original style); and the islands and stone-lined eastern shore of the south garden of Sento Gosho. 例文帳に追加

彼が奉行として参画したと思われる遺構は、建築としては妙心寺麟祥院の春日のつぼね霊屋（慶長年間、うち溜りを移建）、氷室神社拝殿（慶長年間、内裏池亭を移建）、大覚寺宸殿（慶長年間の内裏の元和期増造の際に中宮宸殿となる）、金地院東照宮、同茶室、同方丈南庭（鶴亀庭）、南禅寺本坊方丈南庭、大徳寺竜光院密庵席（みったんせき）、孤篷庵表門前の石橋、同前庭、同忘筌席露地（建築は寛政年間に焼失後、旧様式を踏襲して復元された）、仙洞御所南池庭のいで島およびその東護岸の石積み部分などである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Each bearing part 34 of the roof gate is provided with a pressing locking surface 37 for displacing the fin 40 in a direction to come in close contact with the fin engaging surface 35 and maintaining the close contact state when the hollow shaft 44 is turned and displace the fin 40 into close contact with the fin engaging surface 35.例文帳に追加

小屋裏頂部に配設され排気用開口部３２を有するとともに一対の軸受部（３４）が排気用開口部３２の長手方向両端部の外側に設けられかつ底面部にはフィン係合面３５が形成されたルーフゲート３０と、このゲート３０の両軸受部（３４）に小判形状の中空軸４４を介して回動可能に支持されたルーフフィン４０と、中空軸４４の一端部内に挿入され当該中空軸４４の内面４５と摺接しつつ回転可能な中空軸駆動部材５１を有し当該中空軸駆動部材５１を介して中空軸４４を回動する回転駆動部５０とを備え、ルーフゲート３０の軸受部（３４）に、中空軸４４が回動されてフィン４０がフィン係合面３５と接触する場合に当該フィン４０を当該フィン係合面３５と密着する方向へ変位させかつ密着状態を維持する押圧係止面３７を設ける。 - 特許庁

The party of TAIRA no Masakado, who called himself 'Shinno' (new emperor) in the Kanto region in the Heian period, Takauji ASHIKAGA, who broke away from the Kenmu Restoration, which was initiated by Emperor Gotoba after the fall of the Kamakura bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun), at the end of the Edo period, Choshu clan, which was brought down by the Coup of August 18 in 1864 (became choteki by firing at the Kyoto Imperial Palace in the Kin-mon Gate Incident, and was attacked by the bakufu in the conquest of Choshu, which led to two Bakucho Wars (wars between bakufu and Choshu)), Yoshinobu TOKUGAWA, the 15th Shogun, in the oseifukko (restoration of imperial power) (Japan) (Yoshinobu confined himself at the Ueno Kanei-ji Temple when he was deemed choteki), and the Edo bakufu side in the Boshin War (Aizu Clan, which was seen as the central force received concentrated attacks by the new government troops, and Yonezawa Clan, which strongly supported the Aizu Clan, faced serious charges despite their relatively early surrender) were considered choteki. 例文帳に追加

平安時代に関東地方において「新皇」を名乗った平将門一党や、鎌倉幕府滅亡後に後醍醐天皇によって開始された建武の新政から離反した足利尊氏、江戸時代末期には1864(元治元)の八月十八日の政変で失脚した長州藩（禁門の変で京都御所に発砲した事により朝敵となり、幕府による長州征伐を受けて二次にわたる幕長戦争が起こる）、王政復古(日本)により15代将軍徳川慶喜（慶喜は朝敵とされると上野寛永寺に謹慎した）、戊辰戦争においては江戸幕府側勢力（中心的勢力とみなされた会津藩は新政府軍から集中攻撃を浴び、会津藩を強く支持した米沢藩は、比較的早期に降伏したにもかかわらず、戦後重罪に処された）が朝敵とされた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Utaemon performed many successful characters in his lifetime, and those were Shirabyoshi (women who play Shirabyoshi (Japanese traditional dance)) Hanako of "Kyo Kanokomusume Dojoji" (The maiden at Dojo Temple), Yatsuhashi of "Kago Tsurube Satono Eizame" (Basket bucket in red-light district), Yukihime of "Gion Sairei Shinkoki" (The Gion Festival Chronicle of Faith)(Kinkaku-ji Temple), Tokihime of "Kamakura Sandaiki, Kinugawa-mura" (Three Generations of the Kamakura Shogunate in Kinugawa Village), Yaegaki-hime of "Honcho Niju-shi ko, Jusshuko" (24 Paragons of Filial Piety of our Country, Incense Burning), "Oiwa of "Tokaido Yotsuya Kaidan" (Tokaido Yotsuya Ghost Stories), Sadaka and Omiwa of "Imoseyama Onna Teikin" (An Exemplary Tale of Womanly Virtue in Mt. Imose), Yodogimi of "Hototogisu Kojo no Rakugetsu" (The Sinking Moon over the Lonely Castle Where the Cuckoo Cries), Tonase of "Kanadehon Chushingura, Kudanme" (The Treasury of Loyal Retainers, 9th act), Komachi and Sumizome of "Tsumoru Koiyuki no Seki no To" (The Barrier Gate), Umegawa of "Koibikyaku Yamato Orai, Ninokuchi-mura" (The Amorous Courier on the Yamato Highway, Ninokuchi Village), Tamate-Gozen of "Gappo Anjitsu (hermitage of Gappo), Sesshu Gappo ga Tsuji (A Kabuki Drama of Unfettered Evil)," Masaoka of "Meiboku Sendai Hagi" (The trouble in the Date Clan), Onoue of "Kagamiyama Kokyo no Nishikie" (old brocade pictures of Mt. Kagami), Hanjo of "Sumida-gawa Gonichi no Omokage" (Latter-day Reflections of the Sumida-gawa River), and he acted many types of female roles, such as a daughter, princess, Katahazushi (female role of nyobo (a court lady) of a samurai family or goten jochu (palace maid)), and keisei (courtesans with high dignity and literacy). 例文帳に追加

歌右衛門生涯の当たり役は非常に多く、『京鹿子娘道成寺』の白拍子花子、『籠釣瓶花街酔醒（籠釣瓶）』の八つ橋、『祗園祭礼信仰記（金閣寺）』の雪姫、『鎌倉三代記・絹川村』の時姫、『本朝廿四孝・十種香』の八重垣姫、『東海道四谷怪談』のお岩、『妹背山婦女庭訓（妹背山）』の定高、お三輪、『沓手鳥孤城落月（孤城落月）』の淀君、『仮名手本忠臣蔵・九段目』の戸無瀬、『積恋雪関扉（関の扉）』の小町と墨染、『恋飛脚大和往来・新口村』の梅川、『攝州合邦辻・合邦庵室』の玉手御前、『伽羅先代萩』の政岡、『鏡山旧錦絵（鏡山）』の尾上、『隅田川続俤（隅田川）』の班女など、娘形から姫、片はずし、傾城に至るまで、あらゆる女形の領域をこなした。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス