「in steps」に関連した英語例文の一覧と使い方(201ページ目) - Weblio英語例文検索

In the 8th to 13th steps, the cooling process of the single crystal 14 separated from the solution 12 i.e., taking the pulling up speed of the single crystal 14 into consideration after separation from the solution 12, reflecting the effects of quick pulling up speed and slow pulling up speed to conclusion, the density and size distribution of void are obtained by the computer.例文帳に追加

第８〜第１３ステップで、融液１２から切離された単結晶１４の冷却過程、即ち単結晶１４が融液１２から切離された後の単結晶１４の引上げ速度を考慮し、単結晶１４の徐冷及び急冷の効果を結果に反映して、単結晶１４内のボイドの密度分布及びサイズ分布をコンピュータを用いて求める。 - 特許庁

This dynamic shape measuring method includes steps of superimposing carriers by two light sources with different wavelengths orthogonally on the image of an object surface, obtaining an interference image by one time imaging, demodulating the interference image along each direction of the carriers, determining phases for each wavelength at each point in the interference image, and determining the shape of the object surface according to the principle of the two-wavelength method.例文帳に追加

本発明は、波長の異なる２つの光源によるキャリアを直交して対象表面の像に重畳し、１回の撮像で干渉像を得、それぞれのキャリア方向に沿って干渉画像を復調して、干渉画像中の各点におけるそれぞれの波長に対する位相を求め、２波長法の原理にしたがって物体表面の形状を求めることを特徴とする動的形状計測方法に関する。 - 特許庁

A detection unit 40 having an acceleration sensor is mounted to the outer circumference of a flask 10 to be conveyed by a casting line L to detect vibrations or impact shock exerted on the flask 10 based on acceleration data of the acceleration sensor detected in a series of casting steps from the installation of the flask 10 onto the casting line L to the formation of a cast metal.例文帳に追加

鋳造ラインＬにて搬送される鋳枠１０の外周部に、加速度センサを有する検査ユニット４０を設置し、鋳造ラインＬに鋳枠１０が設置されてから鋳物が成形されるまでの一連の鋳造工程にて検知された加速度センサの加速度データに基づいて、鋳枠１０に及ぶ振動又は衝撃の検査を行う。 - 特許庁

A method for distributing context information includes the steps of initiating a first communications session (A); specifying a second participant to the first communications session (B), responding to step (A); and transmitting the information relating to the second party, in response to step (B); and a communication device relating to a first party to the first communications session (C).例文帳に追加

本発明のコンテキスト情報を分配する方法は、（Ａ）第１の通信セッションを開始するステップと、（Ｂ）前記ステップ（Ａ）に応答して、前記第１の通信セッションへの第２の参加者を特定するステップと、（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）に応答して、前記第２の参加者に関連する情報を、前記第１の通信セッションへの第１の参加者に関連する通信機器に送信するステップと、を有する。 - 特許庁

A method of designing a semiconductor device comprises steps of (A) arranging a group of cells 10, 12 as clock distribution targets; and (B), after the step (A), arranging a plurality of clock driver cells 20 for driving clocks in such a manner that each of the clock driver cells is not overlapped with a prohibition region 30 of a predetermined size surrounding the other clock driver cells.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の設計方法は、（Ａ）クロック分配の対象となるセル群１０，１２を配置するステップと、（Ｂ）上記（Ａ）ステップの後、クロックを駆動するための複数のクロックドライバセル２０を、各クロックドライバセルが他のクロックドライバセルを囲む所定の大きさの禁止領域３０に重ならないように配置するステップと、を有する。 - 特許庁

The failure time evaluating method includes the steps of: preparing the laminated ceramic capacitor 1; observing a time-dependent change in the deterioration speed of an insulation resistance value with a voltage applied to the laminated ceramic capacitor at a temperature exceeding the room temperature; and specifying an elapsed time when the deterioration speed of the insulation resistance value indicates a maximal value relative to the time.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサを用意する工程と、前記積層セラミックコンデンサに対し、室温以上の温度において電圧を印加した状態において、絶縁抵抗値の劣化速度の経時変化とを観察する工程と、前記絶縁抵抗値の劣化速度が、時間に対して極大値をとる時点の経過時間を特定する工程と、を備える。 - 特許庁

The method includes the steps of (a) forming a thin film on a substrate by coating it with an organometallic compound, (b) removing the film of the organometallic compound of the unexposed part with solvent, after decomposing the organometallic compound by exposure with masks to induce difference in solubility between exposed and unexposed parts and (c) forming a metal or metal oxide pattern reducing or oxidizing the exposed part.例文帳に追加

（ａ）有機金属化合物を基板上にコートして薄膜を形成する段階と、（ｂ）マスクを用いた露光によって前記有機金属化合物を分解させて露光部と非露光部との溶解度差を誘発させた後、溶媒を用いて前記非露光部の有機金属化合物薄膜を除去する段階と、（ｃ）前記露光部を還元または酸化処理して金属または金属酸化物パターンを形成する段階とを含む。 - 特許庁

In the photoelectric converter manufactured by comprising the steps of: arranging a number of first conductive type crystal silicon particles 3 on an aluminum layer 1 to serve as one electrode; arranging an insulation material 2 between the crystal silicon particles 3; and forming a second conductive type semiconductor part 4 on the crystal silicon particles 3; a layer cyanide 6 is formed on the surface of the particle 3 and the layer 1.例文帳に追加

一方の電極となるアルミニウム層１上に、第１導電型の結晶シリコン粒子３を多数配設し、この結晶シリコン粒子３間に絶縁物質２を介在させ、この結晶シリコン粒子３上に第２導電型の半導体部４を形成した光電変換装置であって、上記結晶シリコン粒子３の表面及びアルミニウム層１の表面にシアン化層６を形成した。 - 特許庁

Rated to non-stationary state from the start of producing operation of the semi-solidified metal to the stationary state of the continuous production, to a cooling condition of the plurality of the cooling processing stations C to G and a heating condition of the heating processing state H, a plurality of producing control value patterns in shifting steps 1 to 5, are input and set.例文帳に追加

半凝固金属の生成運転開始から連続生成の定常状態までの非定状状態に関して、複数の冷却作業ステーションＣ乃至Ｇのエアー冷却条件と加熱作業ステーションＨの加熱条件に対し、移行段階１乃至５の複数の生成制御値パターンを入力設定する。 - 特許庁

The method comprises steps of transferring the closed carton 2 into a housing 22 of a lift 14 for the carton, automatically opening the closed carton, lifting the opened carton by the lift, passing the opened carton to a revolving frame 64 by the lift, and revolving the opened carton by approximately 180, in the frame to have the carton emptied.例文帳に追加

閉じられているカートン２をこのカートンのための持上げ装置１４の収容部２２内に移しかえる、閉鎖されているカートンを自動的に開らく、開かれたカートンを持上げ装置により持上げる、開かれたカートンを持上げ装置により旋回枠体６４に引渡す、開かれたカートンをこのカートンを空にするため旋回枠体内で約１８０°旋回させる。 - 特許庁

The invention also provides a manufacturing method of said structure including the following steps: (1) to deposit a catalyst layer on the substrate, (2) to deposit a material layer on the catalyst layer for controlling the carbon nanotube growth rate, (3) to anneal them in the atmosphere containing oxygen to oxidize the catalyst layer to nano-order particles, and (4) to input hydrocarbon gas to grow the carbon nanotubes.例文帳に追加

また、下記のステップを含む前記構造の製造方法を提供し、（１）基板に触媒層を堆積し、（２）該触媒層に炭素ナノチューブの成長速度を制御するための材料層を堆積し、（３）酸素を含む雰囲気でアニールし、該触媒層をナノオーダー粒子に酸化させ、（４）炭化水素ガスを導入し、炭素ナノチューブを成長する。 - 特許庁

A method for manufacturing the pneumatic tire having the insert ply comprises the steps of bulging and deforming a central part of a cylindrical carcass band 1 in which bead rings 2 are arranged on end parts, and arranging the insert ply 4 to becomes a previously formed spirally winding structure of the reinforcing cords 4a and an annular rubber layer on side parts isolated at a crown part of the band 1.例文帳に追加

それぞれの端部分上にビードリング２を配設した円筒状のカーカスバンド１の中央部分を膨出変形させ、このカーカスバンド１の、クラウン部を隔てたそれぞれの側部部分上に、予め形成した、補強コード４ａの渦巻状巻回構造になるインサートプライ４および環状ゴム層のそれぞれを配設する。 - 特許庁

When the spectacle device is turned toward the second target and the short-depressing of the ENT key 78 is detected again, the relative bearing angle of the bearing angle of the first target stored in the memory 80 to the bearing angle of the second target is displayed on the liquid crystal display unit 71 (referring to steps S112, S114 and S116).例文帳に追加

次いで、本装置を第２の目標に向けてＥＮＴキー７８の短押しが再度検出されると、メモリ８０に記憶された第１の目標の方位角と第２の目標の方位角との相対方位角が液晶表示ユニット７１に表示されるようになっている（ステップＳ１１２，Ｓ１１４，Ｓ１１６参照）。 - 特許庁

This method comprises the steps of mixing an aqueous coating material containing a binder, an aggregate and an aqueous medium with colored particles having a color phase different from that of the coating material and having softening property to water to disperse the colored particles uniformly in the coating material while retaining the state of the colored particles, applying the aqueous coating material obtained by the mixing onto a substrate and finishing the coated surface with a trowel.例文帳に追加

結合剤、骨材及び水性媒体を含む水性塗材に対し、該水性塗材とは異なる色相であり、且つ水に対する軟化性を有する色粒を、色粒の状態を保ったまま該水性塗材中に均一に分散するように混合し、混合して得られた水性塗材を基材に塗付し、その塗面をコテにより仕上げる。 - 特許庁

Then, the microcomputer determines the quality of the fabric of the laundry inside the drum based on the size of variation of the torque of the motor in the washing operation (Step S4), and changes the content of rotation control of the dewatering operation just before the drying operation based on the result of determination of the quality of the fabric (Steps S14 and S15).例文帳に追加

重量検知により得られた洗濯運転前における洗濯物の重量と洗濯運転時におけるモータのトルク変動の大きさとからドラム内の洗濯物の布質を判定し（ステップＳ４）、この布質判定結果に基づいて乾燥運転直前の脱水運転の回転制御の内容を変更する（ステップＳ１４，Ｓ１５）。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming, above a semiconductor substrate 102, a porous insulating layer 114 having a SiH group on its surface; and oxidizing the SiH group to a SiOH group and contacting liquid, which brings a modification material that does not form a conjunction with Si atoms in the porous insulating layer 114, into contact with a surface of the porous insulating layer 114.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板１０２上に、表面にＳｉＨ基を有する多孔質絶縁層１１４を形成する工程と、ＳｉＨ基をＳｉＯＨ基に酸化させ、かつ多孔質絶縁層１１４のＳｉ原子と結合を形成しない改質物質を含む液体を多孔質絶縁層１１４の表面に接触させる工程と、を含む - 特許庁

The method for forming the image on the ink jet recording material comprises the steps of laminating an ink accepting layer containing inorganic fine particles and a hydrophilic binder and an overcoating layer containing a colloidal silica on at least one surface of a water resistant support in the recording material, forming the image on the surface of the overcoating layer, and providing a transparent resin protective layer on the image forming surface.例文帳に追加

耐水性支持体の少なくとも片面に無機微粒子と親水性バインダーを含有するインク受容層、およびコロイダルシリカを含有するオーバーコート層を積層したインクジェット記録材料であり、該オーバーコート層面に画像形成後、画像形成面に透明樹脂保護層を設けることを特徴とするインクジェット記録材料の画像形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device disclosed in this specification includes the steps of: absorbing a substrate 10 pressed to a vacuum absorption surface of a stage 20; and releasing the vacuum absorption after commonly inserting the pin 50 into a through-hole 12 of the substrate 10 and a through-hole 22 of the stage 20 to tentatively fix the substrate 10 to the stage.例文帳に追加

本明細書に開示されている半導体装置の製造方法は、基板１０をステージ２０の真空吸着面に押し付けた状態で吸着させ、基板１０の貫通孔１２とステージ２０の貫通孔２２とに共通にピン５０を挿入して基板１０をステージに仮固定した後に、真空吸着を解除する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.例文帳に追加

メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁

The ECU performs the real fuel injection with a fuel injection quantity smaller than the target value Qp in the injection timing advanced than the target value θp during the predetermined time from a starting point of the post injection (steps S5 and S6), and gradually brings the real injection quantity and the real injection timing near the target values Qp and θp with the lapse of time.例文帳に追加

ＥＣＵはポスト噴射の開始時点から所定の時間内は各目標値（Ｑｐ，θｐ）よりも少ない噴射量および進角した噴射時期で実際の燃料噴射を行い（ステップＳ５，Ｓ６）、時間の経過に伴って実際の噴射量および噴射時期を次第に目標値（Ｑｐ，θｐ）に近づける。 - 特許庁

The changing steps include a step for finding out the rate of change in the observing position of the observation quantity, a step for setting up each learning position on which the found rate of change becomes zero and a step for setting up the weighting coefficient so as to increase or reduce it from one end part to the other end part of each set learning area.例文帳に追加

そして、前記変更する段階は、観測量の観測位置に対する変化率を求める段階と、求められた変化率が０となる観測位置と観測位置との間が一つの学習領域となるように各学習領域を設定する段階と、設定された各学習領域について、一方の端部から他方の端部に向かって増加又は減少するように重み係数を設定する段階と、を具備する。 - 特許庁

The method for manufacturing the flash memory device comprises the steps of forming the dielectric film 25, and then forming an amorphous silicon layer 31 to alleviate a topology generated by patterning a first polysilicon layer 24 in a cell region so that the silicon layer 31 conducts a role of a dielectric film protective layer of the cell region at the time of forming the gate oxide film 26 of the peripheral circuit region.例文帳に追加

誘電体膜２５を形成した後、アモルフォスシリコン層３１を形成してセル領域で第１ポリシリコン層２４のパターニングで発生したトポロジーを緩和させ、アモルフォスシリコン層３１が周辺回路領域のゲート酸化膜２６形成の時にセル領域の誘電体膜保護層の役割をするようにする。 - 特許庁

When data are recorded to an information recording medium in units of block whether a block where the data are being recorded is defective or not is discriminated (step 409), and as a result, when the block is defective, the data are recorded newly to a block which is nearby the defective block, but not the block right behind the defective block (steps 419 to 427, 407).例文帳に追加

情報記録媒体に所定の大きさのブロック単位でデータを記録する際に、データの記録中のブロックが欠陥ブロックであるか否かを判別し（ステップ４０９）、その結果、記録中のブロックが欠陥ブロックである場合に、該欠陥ブロックに続く少なくとも１ブロックがスキップされた欠陥ブロック近傍のブロックにデータを新たに記録する（ステップ４１９〜４２７、４０７）。 - 特許庁

The method for producing the compound oxide shown by general formula (1): A_xA'_wB_zN_yO_3±σ comprises the steps of: mixing organic salt of the noble metal shown by N in general formula (1) with alkoxides of elements shown by A, A' and B to prepare a precursor of the compound oxide; and heat-treating the prepared precursor.例文帳に追加

一般式（１） Ａ_xＡ'_wＢ_zＮ_yＯ_3±σ （１）で表される複合酸化物の製造方法において、一般式（１）の式中、Ｎで示される貴金属の有機貴金属塩と、Ａ、Ａ'およびＢの各元素のアルコキシドとを混合して、複合酸化物の前駆体を調製した後、その複合酸化物の前駆体を熱処理して、複合酸化物を製造する。 - 特許庁

The method includes steps of exciting a rare gas to generate plasma, imparting an electric field to the charged particles in the plasma to impart a predetermined energy, and neutralizing the charged particles to generate a neutral particle beam NB, irradiating the material gas with the neutral particle beam NB having a controlled energy, dissociating the predetermined molecules to dissociate, and forming a film 30 on a substrate 14.例文帳に追加

希ガスを励起してプラズマを発生させ、このプラズマ中の荷電粒子に電界を与えて所定のエネルギーを付与するとともに、荷電粒子を中性化して中性粒子ビームＮＢを生成し、エネルギーが制御された中性粒子ビームを原料ガスに照射し、所定の分子を解離して重合させ、基板１４上に膜３０を形成させる。 - 特許庁

A light gathering element positioned, facing a disc recordable with a signal and capable of gathering light irradiated from a light source as near-field light at a position where a distance to the disc constitutes a first distance is made to come into contact with the disc (step 2), and tilt is controlled with the light collecting element in contact with the disc (steps 3 to 7).例文帳に追加

本発明では、信号を記録可能なディスクに対向して配置され、光源から出射された光をディスクとの距離が第１の距離となる位置で近接場光として該ディスクに集光させることが可能な集光素子を、該ディスクに接触させ（ステップ２）と、集光素子を前記ディスクに接触させた状態でチルトを制御する（ステップ３〜７）。 - 特許庁

The method for manufacturing a color filter includes steps of applying a photoresist coating film 20 on a glass substrate 50 where a transparent conductive film 54 is formed and exposing and developing the resist to form a photospacer, wherein the insulating film 57 is simultaneously formed while forming the photospacer, in a portion opposing to the peripheral driving circuit and to be lower than the height of the photospacer Ps by using the above photomask.例文帳に追加

透明導電膜５４が形成されたガラス基板５０上に、フォトレジスト塗膜２０を設け、露光・現像によりフォトスペーサーを形成する工程を具備し、前記フォトマスクを用い周辺駆動回路と対向する部位に絶縁膜５７をフォトスペーサーＰｓの高さより低く、フォトスペーサーの形成と同時に形成する。 - 特許庁

The tension of the running belt 4 is periodically changed by a deflecting element 31, and the deflecting element 31 is combined with the suction roller 7 and set to move between two limited locations of a location placed on the outside of the outer surface 20 of the suction roller 7 and the other location placed inside, in an interval matching to a frequency of the cutting steps.例文帳に追加

進行する帯４の張力は偏向要素３１によって周期的に変えられ、偏向要素３１は吸引ローラ７に組み合わされると共に、切断行程の周波数と一致する間隔でもって、吸引ローラ７の外表面２０の外側に位置する一位置と内側に位置する他位置との２つの限界位置の間を動くことができる。 - 特許庁

The process of producing the π-conjugated conductive polymer film includes steps of: applying a coating agent containing a π-conjugated conductive polymer on a substrate; drying the coating agent having been applied on the substrate; treating the dried substrate at temperatures of 10°C or higher and under high humidity atmosphere of 70% or more, or in hot water of 30°C or higher.例文帳に追加

本発明のπ共役系導電性高分子膜の製造方法は、基材に、π共役系導電性高分子を含有するコーティング剤を付与する工程；該基材に付与された該コーティング剤を乾燥させる工程；および該乾燥後の基材を、１０℃以上の温度でかつ７０％以上の湿度を有する高湿度雰囲気下で処理、または３０℃以上の温水中で処理する工程を包含する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: forming an Si layer 20 on an upper surface of a nitride semiconductor layer 11 including a channel layer of an FET; performing heat treatment during or after the step of forming the Si layer 20; and forming an SiN layer 22 on an upper surface of the Si layer after the step of forming the Si layer 20.例文帳に追加

本発明は、ＦＥＴのチャネル層を含む窒化物半導体層１１の上面にＳｉ層２０を形成する工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程において、又はＳｉ層２０を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程の後にＳｉ層の上面にＳｉＮ層２２を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In the method comprising the steps to shrink the foamed plastic foundation plate by heating the panel with the adherend sticking to the face of the foundation plate and separate the foundation plate from the adherend, a mass material formed of a plurality of panels hardened after thermal processing is crushed with the use of a shearing force and at the same time, the foamed plastic foundation plate and the adherend are separated from each other.例文帳に追加

発泡プラスチック台板の表面に被着体が貼着されたパネルを加熱して、発泡プラスチック台板を収縮させ、発泡プラスチック台板と被着体とを分離する方法において、加熱処理後のパネルが複数固った塊状物に剪断力を作用させてこの塊状物を砕くと同時に発泡プラスチック台板と被着体とを分離させる。 - 特許庁

A service request reception control method for reception control in a server device which receives a processing request from a plurality of client devices performs following steps; calculating an average time required for a series of processing for the request from the client devices; determining a loaded condition of service by comparing the average time with a target service processing time; and rejecting request reception from the client devices based on the loaded condition.例文帳に追加

複数クライアント装置からの処理要求を受け付けるサーバ装置における受付制御のためのサービス要求受付制御方法は、クライアント装置からの要求に対する一連の処理に要した平均時間を算出し、平均時間を目標サービス処理時間と比較することでサービスの負荷状態を判定し、該負荷状態に基づいて、クライアント装置からの要求受付を拒否する。 - 特許庁

On the other hand, when the vehicle possibly collides with at least one obstacle even if the evasion control is performed (positive decision in step S15), each ECU sets a damage reduction running trajectory 55 (step S19), and performs posture control to reduce the damage so that an actual vehicle running trajectory approaches the damage reduction running trajectory 55 (steps S20, S21).例文帳に追加

一方、各ＥＣＵは、回避制御を実行しても車両が少なくとも１つの障害物に接触する可能性があるとき（ステップＳ１５が否定判定）には、損傷低減走行軌跡５５を設定し（ステップＳ１９）、該損傷低減走行軌跡５５に車両の実際の走行軌跡が接近するように損傷低減姿勢制御を実行する（ステップＳ２０，Ｓ２１）。 - 特許庁

A method for producing a brick-blocked body includes the steps of: selecting sludge containing an adhesive or tacky adhesive component from industrial waste materials as a principal raw material; mixing various kinds of clumpy, granular or powdery industrial waste materials in the sludge as fillers; kneading them; deaerating the obtained mixture by vacuum suction; subjecting the deaerated mixture to extrusion molding; drying the obtained molding.例文帳に追加

産業廃棄物のうち、接着性又は粘着性を有する成分を含有する汚泥を主原料とし、これに塊状又は粒状又は粉状の各種産業廃棄物を充填剤として混合、混練し、この混合物を真空吸引によって脱気したものを押し出し成型し、その後乾燥してレンガブロック体を製造する。 - 特許庁

A method for examining the piping comprises the steps of: examining the piping based on the detected result of the leakage magnetic flux from a faulted part C of the magnetized piping A, generating a magnetic field in a circumferential direction of the pipe at a part B to be examined of the piping, detecting the leakage magnetic flux D from the faulted part by a magnetic sensor 7, and thereby examining the piping.例文帳に追加

磁化させた配管Ａの欠陥部Ｃからの漏洩磁束の検出結果に基づいて、その配管を検査する配管検査方法であって、配管における検査対象部Ｂで、管周方向に磁界を発生させ、欠陥部からの漏洩磁束Ｄを磁気センサ７によって検出して、配管を検査する。 - 特許庁

The manufacture of this ceramic manifold for a solid electrolyte type fuel cell comprises such steps as manufacturing a dispersion liquid by adding a dispersion medium to a powder of castable fire-resistant material, pouring the dispersion liquid in a die having a specific shape for molding, heat treating the material upon taking out of the die, subjecting it to a surface treatment using ceramic sol, and a step to dry.例文帳に追加

また、本発明は、キャスタブル耐火物の粉体に分散媒を添加し分散液を製造するステップと、該分散液を所定形状の型に流し込んで成形するステップと、該型から取り出して熱処理するステップと、セラミックスのゾルを用いて表面処理を施すステップと、乾燥ステップとを含む固定電解質型燃料電池用セラミックスマニホールドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor thin film comprises steps of forming at least a semiconductor thin film on a substrate, forming an anti-reflection film pattern and a reflection film pattern on the semiconductor thin film to be adjacent to each other, and forming direction-aligned semiconductor grains in the lower part of the anti-reflection film pattern by applying a first laser beam from the above side of the substrate.例文帳に追加

この発明による半導体薄膜の製造方法は、基板上に少なくとも半導体薄膜を形成し、半導体薄膜上に反射防止膜パターン及び反射膜パターンを互いに隣接するように形成し、基板上方から第１レーザを照射して反射防止膜パターンの下部に方向性の揃った半導体粒を形成する工程を備える。 - 特許庁

The method includes steps of downloading, via a communication line, the firmware of the electronic appliance which has been bought by the user in a sales outlet of the electronic appliance to provide the electronic appliance with the firmware installed therein to the user, acquiring information on the user who has bought the electronic appliance, and transmitting the information on the sold electronic appliance and the user who has bought it to the server.例文帳に追加

電子機器の販売店において、顧客が購入した電子機器のファームウェアを通信回線を介してサーバよりダウンロードして、このファームウェアをインストールした電子機器を顧客に提供し、電子機器を購入したユーザに関する情報を獲得し、販売した電子機器に関する情報と電子機器を購入したユーザに関する情報とをサーバに送信する販売管理方法である。 - 特許庁

An initial setting/control section drives a program of a communication parameter setting section for setting parameters including encrypted communication parameters in order to set communication parameters (step S21d), transfers such program to a location that cannot easily be found (step S21e), and deletes operation and transfer logs of the same program (steps S21f, step S21g).例文帳に追加

初期設定制御部は、暗号化された通信パラメータを含む通信パラメータ設定部のプログラムを起動して通信パラメータを設定させ（ステップＳ２１ｄ）、そのプログラムを容易に発見できない位置に移動し（ステップＳ２１ｅ）、上記プログラムの動作及び移動のログを削除する（ステップＳ２１ｆ、ステップＳ２１ｇ）。 - 特許庁

The manufacturing method thereby realizes not only forming the films each having different hardness in each region but also simplifying a manufacturing process by eliminating the need of preparing a special member such as a masking material, enhancing working efficiency by making similar steps so as not to intermittently repeat, and eliminating such possibility as to peel off the film along with an operation like the removal of the masking material.例文帳に追加

これにより、部位毎に硬度の異なる被膜を形成することは勿論、マスキング材等の特別な部材の準備等を不要として、製造工程の簡素化図ること、同種の工程が時間をおいて繰り返されることがないようにして作業効率を高めること、マスキング材の取り外しのようにそれに伴って被膜が剥がれるおそれが生じることをなくすこと、を実現する。 - 特許庁

A control of starting and stopping the dryer by an operating unit has the steps if reading a detected value detected by a grain residue sensor (step 1), reading the detected value detected by a filling amount sensor (step 3) when the presence or absence of the grain in a drying chamber is detected (step 2), and the filling grain amount is detected (step 4).例文帳に追加

穀粒残量センサと、張込量センサと、水分センサとを備え、穀粒残量センサが穀粒有り検出し、張込量センサが最低張込量以上の穀粒量を検出し、かつ水分があらかじめ設定した乾燥停止水分以下であることを検出することにより貯留部の穀粒を排出可と判定する制御手段を設ける。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a recess 5 or a protrusion on the upper surface of a semiconductor substrate 1, then performing a homoepitaxy on the upper surface of the substrate 1 to form a homoepitaxial film 4 and a defect layer 6, and measuring the thickness of the film 4 based on the measurement of the length dimension of the layer 6 in the off direction.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上面に凹部５または凸部を形成した後、半導体基板１の上面にホモエピタキシーを実行してホモエピタキシャル膜４と欠陥層６とを形成し、そして、欠陥層６のオフ方向の長さ寸法を測定することに基づいてホモエピタキシャル膜４の膜厚を測定するように構成したものである。 - 特許庁

This monitoring method of the activity patterns is characterized in including steps for: sensing an inertia movement by the moving of a user using a sensor part worn by the user; detecting the direction of the sensor part from the inertia movement and detecting the wearing position of the sensor part using the inertia movement and the direction; and determining the activity pattern of the user from the inertia movement with the wearing position reflected therein.例文帳に追加

ユーザーに着用されたセンサー部を利用して、ユーザーの動きによる慣性運動を感知するステップと、慣性運動からセンサー部の方向を検出し、慣性運動及び方向を利用してセンサー部の着用位置を検出するステップと、着用位置を反映して慣性運動からユーザーの活動パターンを判断するステップと、を含むことを特徴とする活動パターンの監視方法である。 - 特許庁

The processing method of a photosensitive planographic printing plate and the automatic developing apparatus include steps of scanning exposure of a photosensitive planographic printing plate having a photopolymerizable photosensitive layer on a support with laser light and carrying the plate to a developing unit 10 to develop, wherein developing brush rollers 141, 142 as a rubbing member are rotated in an opposite direction to the developing direction while the developing process is not carried out.例文帳に追加

支持体上に光重合性感光層を有する感光性平版印刷版をレーザーにより走査露光した後、現像処理部１０へ搬送して現像する平版印刷版の処理方法及び自動現像装置であって、現像処理を行わない間は、擦り部材である現像ブラシローラ１４１、１４２を現像処理する方向とは逆方向に回転させるようにした。 - 特許庁

Image data of parameter estimation target are input, a feature vector is extracted from the digital image data, a group of partial spaces at the step 104 are read to project the feature vector to it, the parameter estimation function at the step S106 is read to estimate parameters in the respective areas, an optimal parameter is selected from among them, and the result is output (steps S107 to 112).例文帳に追加

パラメータ推定対象の画像データを入力し、そのデジタル画像データから特徴ベクトルを抽出し、ステップ１０４の部分空間群を読み出してそれに特徴ベクトルを射影し、ステップＳ１０６のパラメータ推定関数を読み出して各領域のパラメータを推定し、その中から最適なパラメータを選択し、その結果を出力する（ステップＳ１０７〜１１２）。 - 特許庁