「process step」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

The process comprises a step of providing an amine reactant and a step of reacting the amine reactant with a stream of phosgene in a reaction zone to form a product containing the corresponding isocyanate, the stream of phosgene having an average CO content of 0.5 wt.% or more.例文帳に追加

アミン反応物質を提供する工程、および反応帯域においてアミン反応物質をホスゲンの流れと反応させて、相当するイソシアネートを含んでなる生成物を形成する工程を含んでなり、該ホスゲンの流れが平均ＣＯ含有量０．５重量％以上を有する、方法。 - 特許庁

The process for producing resol type phenol resin comprises a step where phenols and aldehydes react with each other in the presence of an organic phosphonic acid to synthesize a phenol novolak resin and the following step where the resultant phenol novolak resin is reacted with aldehydes and converted into the resol form by an alkaline catalyst.例文帳に追加

フェノール類とアルデヒド類とを有機ホスホン酸を用いて反応してノボラック型フェノール樹脂を合成する工程、その後、該ノボラック型フェノール樹脂とアルデヒド類とを反応してアルカリ性触媒を用いてレゾール化する工程を有するレゾール型フェノール樹脂の製造方法。 - 特許庁

The process for purifying the gallium solution comprises a step wherein the alkaline solution containing gallium and a group 5 metal is stirred and cooled and a step wherein solid-liquid separation is performed to separate the solid containing the group 5 metal and the residual liquid containing gallium.例文帳に追加

すなわち、本発明は、ガリウムと５族金属を含むアルカリ溶液に撹拌と冷却を施す工程と、５族元素を固化したものに含まれ、残液にガリウムが含まれ、ついで固液分離を施す工程を含むことによりガリウム溶液を精製することを特徴とする。 - 特許庁

The process comprises (i) a step of contacting a raw food material with the stabilizer to provide a food intermediate and (ii) a step of fermenting the food intermediate, wherein the stabilizer comprises a depolymerized pectin and the raw food material comprises a protein.例文帳に追加

このプロセスは、（ｉ）食品中間体を提供するために、食品原料と安定剤とを接触させる工程；および（ｉｉ）その食品中間体を発酵させる工程を包含し、ここで、この安定剤は解重合ペクチンを含み、そしてこの食品原料はタンパク質を含む。 - 特許庁

The manufacturing equipment of the cellulose triacetate film is equipped with a device to cut curled parts generated at web ends and a subsequent device to dry the web while conveying by the tenter between an exfoliating step from a support and a roll-up step of the web during the film forming process.例文帳に追加

ウエブを支持体から剥離する工程から巻き取り工程までの間の製膜工程において、ウエブ端部に発生するカール部分を裁断する装置、ついでテンターによって搬送しながら乾燥する装置を有することを特徴とするセルローストリアセテートフィルムの製造装置。 - 特許庁

The method for producing flash memory cell is provided with steps such as step for sequentially forming a pad oxide film 22 and a pad nitride film 23 on a wafer 21, and step for performing a source ion implantation process after the pad nitride film in the area planned to form a source S is removed.例文帳に追加

本発明に係るフラッシュメモリ素子の製造方法は、半導体基板２１上にパッド酸化膜２２及びパッド窒化膜２３を順次形成し、ソースＳ形成予定領域の前記パッド窒化膜を除去した後、ソースイオン注入工程を行う段階等の段階を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

The process for modifying a fluoropolymer comprises a step (A) of melting and kneading a melt processable fluoropolymer having an unstable group in the presence of an oxygen-containing gas and a step (B) of melting and kneading the fluoropolymer treated with an oxygen-containing gas, in the presence of oxygen and water.例文帳に追加

不安定基を有する溶融加工可能な含フッ素重合体を酸素を含むガスの存在下に溶融混練する工程（Ａ）、および酸素を含むガスで処理された含フッ素重合体を酸素および水の存在下に溶融混練する工程（Ｂ）からなる含フッ素重合体の改質法。 - 特許庁

To provide an array substrate of a liquid crystal display device, etc., which can omit mask patterns for forming channel protective films and an aligning process step for the same and can prevent the occurrence of step cutting at points where signal lines intersect with scanning lines and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

液晶表示装置等のアレイ基板及びその製造方法において、チャネル保護膜の形成のためのマスクパターン及びその位置合わせ工程を省くことができるとともに、信号線が走査線と交差する個所での段切れの発生を防止できるものを提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device having the step of flattening the semiconductor substrate front surface by buffing on the way of the wafer process, the shape of a hole-like marker for the alignment formed before the above flattening step inverse tapered shape-like cross-sectional shape.例文帳に追加

ウエハプロセスの途中で半導体基板表面をバフ研磨により平坦化する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記平坦化工程の前に形成されるアライメント用ホール状マーカーの形状を逆テーパー状断面形状にする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an annealed wafer which can easily reduce DNN defects without changing conditions the crystal growing step or heat treating conditions of a heat treating process in a step of manufacturing the annealed wafer.例文帳に追加

アニールウエーハを製造する工程において、結晶成長工程の条件や熱処理プロセスの熱処理条件の変更を行うことなく、ＤＮＮ欠陥の発生を容易に低減することができるアニールウエーハの製造方法及びＤＮＮ欠陥の低減したアニールウエーハを提供する。 - 特許庁

In a CT non-winning, one of non-winning directions 1-7 selected by the CT direction lottery process in a step 162 performs non-winning CT direction using respective back lamps 57a-57c of first, second, and third reels 3, 4, 5 and a back lamp 65 of a fourth reel (step 126).例文帳に追加

ＣＴ不当選の場合には、ステップ１６２のＣＴ演出用抽選処理で選択された不当選演出１〜７のいずれかで、第１，第２，第３リール３，４，５の各バックランプ５７ａ〜ｃおよび第４リールのバックランプ６５を用いて不当選用ＣＴ演出が行われる（ステップ１２６）。 - 特許庁

In a process comprising subjecting the glass substrate to necessary processing, roughly polishing a surface thereof, and then conducting finish polishing thereof, a super-fine polishing step of polishing the surface using a polishing liquid (slurry) containing colloidal silica abrasive grains produced by hydrolysis of an organic silicon compound is provided in the finish polishing step.例文帳に追加

ガラス基板に必要な加工処理を施し、表面を粗研磨した後に仕上研磨を行う方法において、その仕上研磨工程の中に、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液（スラリー）を用いて研磨する超精密研磨工程を設ける。 - 特許庁

A generalization controller 89 studies the change of the amount of total demand of steam 61 on or after the optional point from the necessary amount of steam at each desorption step of the adsorption units 55, 82 and 83, and the termination timing and process period of the previous desorption step of the adsorption equipment.例文帳に追加

吸着ユニット５５，８２，８３のそれぞれの脱着工程で必要な蒸気量と吸着装置の前回の脱着工程の終了タイミング及び工程周期とに基づき、統括コントローラ８９は任意の時点以降における蒸気６１の総需要量の変化を調べる。 - 特許庁

The manufacturing method for the inkjet recording medium includes; a step in which a first liquid containing vapor phase process silica, a water-soluble resin and a crosslinking agent is applied on a supporting body; and a step in which a second liquid containing an amphoteric surfactant having an alkyl group originated from coconut oil is imparted on the supporting body.例文帳に追加

気相法シリカと水溶性樹脂と架橋剤とを含む第１液を支持体上に塗布する工程と、ヤシ油に由来するアルキル基を有する両性界面活性剤を含む第２液を支持体上に付与する工程と、を有するインクジェット記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The electronic equipment 3 decides whether update timing is reached or not in a step S110, the process proceeds to a step S120 when the update timing is reached, the electronic equipment 3 transmits product information to the server 1, and the server 1 transmits update information corresponding to the received product information to the electronic equipment 3.例文帳に追加

ステップＳ１１０では、電子機器３が、更新タイミングになったかを判断し、更新タイミングになっていれば、ステップＳ１２０に進み、電子機器３が製品情報をサーバ１に対して送信し、サーバ１は受信した製品情報に対応する更新情報を電子機器３に対して送信する。 - 特許庁

A CPU 21 discriminates any delay in a process end schedule by referring to a work schedule day's program from a day's program file by ordered constructions/on-site constructions (step S71), discriminates whether delay occurs in the start of the schedule, determines a delay term thereof and displays guidance on a display section 25 (step S73).例文帳に追加

ＣＰＵ２１は、受注建築現場建築別日程ファイルから作業スケジュール日程を参照して工程終了日程の差を判別し（ステップＳ７１）、スケジュール入りに遅延が発生しているか否かを判別してその遅延期間を求めてガイダンスを表示部２５に表示する（ステップＳ７３）。 - 特許庁

A process for preparing the highly concentrated antibody compositions includes: a step of subjecting a first antibody preparation to a first ultrafiltering, thereby providing a second antibody preparation; and a step of diafiltering the second antibody preparation; and then subjecting the second antibody preparation to second ultrafiltering, wherein one or more of the steps are accomplished at about 30°C to about 50°C.例文帳に追加

第一抗体調製物に第一限外濾過を施して第二抗体調製物を提供し、当該調製物をダイアフィルトレーション、及び第二限外濾過を施し、上記プロセスの一以上が約３０℃〜約５０℃で行なわれる抗体組成物の濃縮方法。 - 特許庁

The process for producing an optical article includes acid treatment step of dipping a workpiece including an antireflection layer formed on an optical substrate directly or via another layer interposed therebetween and an antifouling layer formed on a surface of the antireflection layer in an acidic liquid; a step of rinsing the work; and annealing the rinsed work.例文帳に追加

光学基材上に、直にまたは他の層を挟んで反射防止層が形成され、その反射防止層の表面に防汚層が形成されたワークを酸性の液に浸漬する酸処理工程と、ワークを洗浄する工程と、洗浄されたワークをアニールする工程とを有する。 - 特許庁

When a terminal-status detecting means detects a prescribed terminal status (a step S403; Yes)at a state in which communication over a first radio communication system being enabled by a first radio communication means (a step S401), a second radio communication means starts a process of obtaining a second radio communication system (a step S406) to shift communication via second radio communication system in an enabled status (a step S408).例文帳に追加

第一の無線通信手段による第一の無線通信システムを介した通信が可能な状態（ステップＳ４０１）において、端末状態検出手段によって所定の端末状態が検出されたときに（ステップＳ４０３；Ｙｅｓ）、第二の無線通信手段により第二の無線通信システムの捕捉処理を開始して（ステップＳ４０６）、第二の無線通信を介した通信を可能な状態（ステップＳ４０８）に移行させる。 - 特許庁

If the downlink component carriers are not present in the activated carriers, the mobile station device sets the ACK in step S102, and then, determines that the uplink grant is not detected in step S103, determines that the ACK is set in the HARQ feedback in step S105, and does not transmit the PUSCH and retains the contents of an HARQ buffer corresponding to an HARQ process in step S107.例文帳に追加

下りリンクコンポーネントキャリアがアクティベートされているキャリア中にない場合は、移動局装置は、ステップＳ１０２でＡＣＫをセットした後に、ステップＳ１０３において上りリンクグラントを検出しなかったと判定し、ステップＳ１０５においてＨＡＲＱフィードバックにＡＣＫがセットされていると判定し、ステップＳ１０７において、ＰＵＳＣＨの送信を行なわず、ＨＡＲＱプロセスに対応するＨＡＲＱバッファの内容を保持する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming an electrode 16 on a substrate 10, a step for forming an electrode hole opening to the substrate surface in the electrode 16, a step for forming a substrate hole communicating substantially coaxially with the electrode hole in the substrate 10, and a step for filling the electrode hole and the substrate hole with a conductive member 24.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、基板１０上に電極１６を形成する工程と、電極１６に対し基板面まで開口する電極孔を形成する電極孔形成工程と、基板１０に対し、電極孔と略同軸にて連通する基板孔を形成する基板孔形成工程と、電極孔及び基板孔内部に導電部材２４を充填する導電部材充填工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing activated carbon by subjecting a carbonaceous material to an activation treatment with the aid of an alkali metal activator comprises a step of preparing a mixture of the carbonaceous material and the alkali metal activator, a step of heat treating the mixture, a step of using the mixture to obtain a molded product by pressure molding, and a step of using the molded product to perform the heating process of the activation treatment.例文帳に追加

炭素質材料に、アルカリ金属系賦活剤を用いた賦活処理を施して活性炭を製造する方法は、前記炭素質材料と前記アルカリ金属系賦活剤との混合物を調製する工程と、前記混合物に加熱処理を施す工程と、前記混合物を用いて加圧成形を行うことにより成形体を得る工程と、その成形体を用いて前記賦活処理の加熱過程を行う工程とを有する。 - 特許庁

The process for producing liquid immersion exposure liquid for use in a liquid immersion exposure device or method performing exposure through liquid filling a space between the lens of a projection optical system and a substrate comprises a step for containing a hydrocarbon compound becoming the material of the liquid immersion exposure liquid in a container, a step performing sulfuric acid treatment of the hydrocarbon compound, and a step performing distillation refining following to the sulfuric acid treatment step.例文帳に追加

投影光学系のレンズと基板との間に満たされた液体を介して露光する液浸露光装置または液浸露光方法に用いられる液浸露光用液体の製造方法であって、該液浸露光用液体の原料となる炭化水素化合物を容器内に収容する工程と、該炭化水素化合物を硫酸洗浄する工程とを含み、上記硫酸洗浄する工程後に蒸留精製する工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical deflecting element has a process of forming the optical waveguide layer 4 on the substrate and a process of forming electrodes for exciting or detecting the elastic waves on the optical waveguide layer and a process step of directly forming the diamond-like carbon film 5 on the optical waveguide layer 4 covering the electrode.例文帳に追加

また、本発明光偏向素子の製造方法は、基板上に光導波層４を形成する工程と、該光導波層上に、弾性波を誘起または検出するための電極を形成する工程と、該電極を覆って前記光導波層上にダイヤモンド様炭素膜５を直接形成する工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

This method for accumulating the carbon nano-material comprises a dropping process of dropping a liquid containing a carbon nano-material onto the surface of a solid and an irradiation process of irradiating the surface of the solid with a light beam, where the irradiation process further comprises a step of condensing the light beam on the surface or at the vicinity of the surface of the solid.例文帳に追加

カーボンナノ物体を含有する液体を、固体表面に滴下する滴下工程と、光線を前記固体表面上に照射する照射工程からなり、前記照射工程が、前記光線を前記固体表面上又は該固体表面近傍で集光する段階を含むことを特徴とするカーボンナノ物体の集積方法である。 - 特許庁

A collar 150 is provided on the circumference of a substrate to be treated in at least one process step by micromachining, and a marking 210 for positioning is formed in the collar part 150, whereby the unique matching of the substrate can be performed even during the process treatment of the thin film process or even in the incorporation of the sensor element to a body.例文帳に追加

マイクロマシニング技術による少なくともひとつのプロセスステップにおいて処理される基板の外周に鍔１５０を設け、かつこの鍔１５０部に位置決めのためのマーキング２１０を形成することで、薄膜プロセスのプロセス処理中においてもあるいはセンサエレメントの、本体への組み立て時においても基板の一義的な整合を可能とする。 - 特許庁

The process for preparing a polyolefin nanocomposite, more particularly, a process capable of preparing a polyolefin nanocomposite more simply, efficiently and economically by preparing the polyolefin nanocomposite in a single step without a pretreatment process for modification of a polyolefin resin used as a matrix of the nanocomposite, is provided.例文帳に追加

本発明はポリオレフィンナノ複合体製造方法に関するものであって、より詳しくは、ナノ複合体のマトリックスとして使用されるポリオレフィン樹脂の材質のための前処理過程なしに単一段階でポリオレフィンナノ複合体を製造することにより、より簡単で効率的であり経済的にポリオレフィンナノ複合体を製造することができる方法に関するものである。 - 特許庁

On the other hand, at least the inside of the wiring groove 22 is plasma-treated in a process doubling as the mask layer 21 removing step, then processed with a process liquid which can dissolve the second insulating film 16 to selectively remove an altered crown fence 25 altered by the plasma-treatment.例文帳に追加

これに対しマスク層２１の除去工程を兼ねるなどの処理において、少なくとも配線溝２２の内部にプラズマ処理を施した後、第２絶縁膜１６を溶解可能な処理液で処理し上記のプラズマ処理で変質したクラウンフェンス２５を選択的に除去する。 - 特許庁

Successively, at a step 322, on the basis of the wafer grid derived from the process and the correction map stored by in accordance with the degree of the wafer grid derived from the process, the superposition exposure is performed by correcting a relative position in a two-dimensional plane of an image of a pattern on reticle, and a wafer.例文帳に追加

そして、ステップ３２２では、プロセスに起因のウエハグリッドと、そのプロセスに起因するウエハグリッドの次数と対応付けされて記憶され補正マップとに基づいて、レチクル上のパターンの像とウエハとの２次元平面内の相対位置を補正しつつ、重ね合わせ露光を行う。 - 特許庁

In a molding process (step S3) after the wire-bonding process, the interposer 1 whereon the IC chip 3 is mounted via the die-bonding material 2, with the pad 8 wire-bonded to the pad 8 of the IC chip 3 by the wires 4, is transferred into a molding metal die.例文帳に追加

ワイヤーボンディング工程が終了すると、続いてステップＳ３のモールド工程にて、ダイボンド材２を介してＩＣチップ３が実装され、インターポーザ１のパッド８とＩＣチップ３のパッド８との間にワイヤー４によってワイヤーボンディングされたインターポーザ１をモールド成形金型内へ配置する。 - 特許庁

Even during the time any of processing from the control process steps "0"-"3" is being carried out, power failure or the like occurs and the induction heating control circuit 9 is initialized, when the power supply is returned and the program is started again, operation can be started again from the process step before the power failure.例文帳に追加

制御工程ステップ“０”〜“３”までのいずれかの処理を実行中に、停電等が発生し、誘導加熱制御回路９が初期化された場合でも、電源が復帰しプログラムが再起動した時には、停電発生前の工程ステップから運転を再開することができる。 - 特許庁

The method for producing the short fiber-containing rubber includes a step for kneading a mixed material containing the short fiber having the surface covered with a process oil and/or a plasticizer, and obtained by kneading the process oil and/or the plasticizer with the short fiber in a closed kneader, and the base rubber by the closed kneader.例文帳に追加

プロセスオイル及び／又は可塑剤と短繊維とを密閉式ミキサーで混練して、プロセスオイル及び／又は可塑剤で表面被覆された短繊維と、ベースゴムとを含む混練材料を密閉式混練機により混練する工程を備える短繊維含有ゴムの製造方法。 - 特許庁

The method comprises: a film deposition process for depositing an SiC epitaxial film 2 on an off-cut SiC single crystal substrate 1; and a heating process for reducing crystal defects by heating the deposited SiC epitaxial film 2 so as to generate step bunching 3 on the surface of the SiC epitaxial film 2.例文帳に追加

オフカットされたＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル膜２を成膜する成膜工程と、ＳｉＣエピタキシャル膜２を加熱することでＳｉＣエピタキシャル膜２の表面にステップバンチング３を発生させて結晶欠陥を減少させる加熱工程とからなる。 - 特許庁

The manufacturing method of the multilayer-structured board comprises a process of disposing the electronic component on the surface such that terminals of the electronic component are directed upward, and a first inkjet process of providing a first insulating pattern on the surface so as to embed any step caused by the thickness of the electronic component.例文帳に追加

多層構造基板の製造方法が、電子部品の端子が上側を向くように前記電子部品を表面上に配置する工程と、前記電子部品の厚さに起因する段差を埋めるように第１絶縁パターンを前記表面上に設ける第１インクジェット工程と、を包含している。 - 特許庁

To solve the problems of high cost, the complication and time-lengthening of a manufacturing process, deterioration in the quality of a film or the like in the self-organized nano-thin film formation technique using an etching step or a bottom-up system performed in the existing thin film manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、既存の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程又はボトム-アップ方式を用いた、自己組織化ナノ薄膜形成技術の問題点である、高コスト、製造工程の複雑化や長時間化、膜の質の低下などを解決することを課題とする。 - 特許庁

To provide a composition for forming a p-type diffusion layer, which allows formation of a p-type diffusion layer without causing internal stress in a silicon substrate and warpage of the substrate during the step of producing a solar battery cell using the silicon substrate, to provide a process for forming a p-type diffusion layer, and to provide a process for producing a solar battery cell.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a process for producing a liquid crystal display device, which is equipped with a step to dispose spacer particles on a substrate with an ink jet method, especially the process for producing the liquid crystal display device, in which a spacer particle dispersion liquid and a construction of a liquid contact part of an ink jet device are improved.例文帳に追加

インクジェット方式によってスペーサ粒子を基板上に配置する工程を備えた液晶表示装置の製造方法、特に、スペーサ粒子分散液及びインクジェット装置の接液部の構成が改良された液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxide film forming step combines a process of depositing a silicon oxide on the thin film 5 with a process of thermally oxidating the thin film 5 in a pressured atmosphere containing a gas having an oxidation power to form a silicon oxide film, thereby reducing the heating time.例文帳に追加

ここで、酸化膜形成工程は、半導体薄膜５の上にシリコンの酸化物を堆積する堆積処理と、酸化能力が有る気体を含む加圧雰囲気下で半導体薄膜５を熱酸化してシリコンの酸化膜を生成する熱酸化処理とを組み合わせて行い、加熱時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal phthalocyanine, by which the inhibition in the crystal growth of the metal phthalocyanine at a synthesis step, the production of the uniformly fine metal phthalocyanine at a lower temperature than those by conventional methods, and the large reduction in the load of a graphitising process after the synthesis process can be achieved.例文帳に追加

合成段階で金属フタロシアニンの結晶成長を抑制し、均一で微細な金属フタロシアニンを従来法に比べて低い温度で製造し、合成工程後の顔料化工程の負荷を大幅に低減する金属フタロシアニンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The process comprises, as main components, 1) a process for manufacturing a removable side wall for manufacturing the ultra-short channel and the side wall control gate with or without a step structure, and 2) the formation of the control gate, by self-alignment, on a storage nitride film and the impurity film.例文帳に追加

本プロセスで用いられる主要素は、１）ステップ構造を有するか、または無しで、超短チャネルおよびサイドウォール制御ゲートを製造するための、除去可能なサイドウォールの製造プロセス、および２）蓄積窒化膜および不純物膜上の制御ゲートの自己整合による形成である。 - 特許庁

To provide an MEMS (Micro-Electro Mechanical Systems, hereinafter referred to as "MEMS") device employing such an SOI (Silicon on Insulator) wafer as the ground hole of the device and a handle wafer are coupled electrically through a simple process without requiring any extra step, and also to provide its fabrication process and grounding method.例文帳に追加

ＳＯＩ(Silicon on Insulator)ウェーハを用いるＭＥＭＳ(Micro-Electro Mechanical Systems, 以下「ＭＥＭＳ」と略す)デバイスにおいて、特別な工程を追加せずとも簡単な工程によりデバイスの接地孔とハンドルウェーハ(handle wafer)とを電気的に連結させるＳＯＩウェーハを用いたＭＥＭＳデバイス, その製造及び接地方法を提供する。 - 特許庁

This is a plastic optical fiber (POF) manufacturing method in which a POF drawn in a drawing step is subjected to a heat relaxing process in a heating furnace, wherein the heat relaxing process is performed by transporting the POF in the heating furnace while holding the POF with a holding member.例文帳に追加

延伸工程で延伸処理されたプラスチック光ファイバを加熱炉内で熱緩和処理するプラスチック光ファイバの製造方法であって、プラスチック光ファイバを支持部材により支持しながら加熱炉内を搬送して熱緩和処理を行うことを特徴としたプラスチック光ファイバの製造方法。 - 特許庁

When the target track position is calculated in the process S2, a target yaw angle α of the head is calculated (step S4, target yaw-calculating process) before or after the driving of the actuator for rough movement begins is started.例文帳に追加

この粗動用アクチュエータの駆動開始と前後して、目標トラック位置算出工程Ｓ２にて算出された目標トラック位置が算出された時に当該目標トラック位置に基づいて前記ヘッドの目標ヨー角αを算出する（ステップＳ４，目標ヨー角算出工程）。 - 特許庁

The printer, equipped with a print engine capable of performing the cleaning process, is configured to perform the cleaning process, when print contents prescribing data cannot be prepared within a standby time (steps S111: time-out) and when reception of next-page data has not started (step S111: "NO").例文帳に追加

クリーニング処理を実行可能な印刷エンジンを備えた印刷装置を、待機時間内に印刷内容規定データが用意できなかった場合（ステップＳ１１３；タイムアウト）と、次ページデータの受信が開始されていなかった場合（ステップＳ１１１；ＮＯ）とに、クリーニング処理が行われるように、構成しておく。 - 特許庁

To provide a cationic polymerization process by which a desired polymer can be efficiently produced in one step without used of previous preparation of a catalyst and at the same time a polymer having a narrow molecular weight distribution can be produced; and a catalyst for cationic polymerization for use in the process.例文帳に追加

触媒をあらかじめ調製しておく必要なく１段で効率よく目的の重合体を得ることができ、しかも、狭い分子量分布を有する重合体を得ることができるカチオン重合方法およびそれに使用するカチオン重合用触媒を提供する。 - 特許庁