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surface processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9599件
To provide a method for removing the volatile component of a UV curing resin which is capable of removing the volatile component near the surface of an optical fiber leaked outside a UV curing furnace, does not affect ordinary production conditions without entailing the increase in the size of the device and without depending on other devices, such as UV lamps, and is suitable for a drawing process for the optical fiber.例文帳に追加
UV硬化炉の外部に漏出する光ファイバの表面近傍の揮発成分を除去でき、また装置の大型化を招くことや、UVランプなどの他の装置にも依存せずに通常の製造条件に影響を与えることも無く、光ファイバの線引工程に適したUV硬化型樹脂の揮発成分の除去方法および装置を提供する。 - 特許庁
To provide an electrophotographic photoreceptor which permits easy formation of a uniform particle dispersion surface layer even after manufacture of a photoreceptor and can thereby improve durability performance, does not cause an adverse effect in electrophotographic characteristics, and reduces the change in the electrophotographic characteristics particularly under high-temperature and high-humidity environment, and to provide a process cartridge and an electrophotographic device.例文帳に追加
容易に感光体作製後も均一な粒子分散表面層を形成することができ、これによって耐久性能に優れ、更に電子写真特性に弊害が生じず、特に高温高湿の環境下での電子写真特性の変化が少ない電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供すること。 - 特許庁
Further, in the process for producing the objective surface-treated pigment, a pigment is dispersed in the reaction solvent, heated together with ferrocene in the presence of aluminum chloride and aluminum to form the pigment bearing cyclopentadienyliron complex sites on the pigment surfaces, finally an acidic or basic functional group is introduced into the cyclopentadienyliron complex site of the pigment bearing the cyclopentadienyl ring.例文帳に追加
反応溶剤中で顔料を分散させ、塩化アルミニウムとアルミニウム存在下、フェロセンとともに加熱して顔料表面にシクロペンタジエニル鉄錯体部位を有する顔料とし、次にこのシクロペンタジエニル鉄錯体部位を有する顔料のシクロペンタジエニル環に酸性または塩基性官能基を導入する表面処理顔料の製造方法。 - 特許庁
Ammonium hydrogencarbonate is added in a process for forming a precipitate by adding an alkali to an aq. soln. of a salt of a rare earth element and the resultant cake is separated by solid-liquid separation and fired at 300-900°C to produce the objective rare earth oxide having ≤0.5 μm Fischer diameter, ≥30 m2/g specific surface area and ≤250 Å crystallite size.例文帳に追加
フィッシャー径が0.5μm以下、比表面積が30m^2 /g以上、且つ結晶子サイズが250Å以下の希土類酸化物、および希土類元素の塩の水溶液に、アルカリを添加して沈殿を生成する過程で重炭酸アンモニウムを添加して得られるケーキを固液分離し、300℃以上900℃以下で焼成する希土類酸化物の製造方法。 - 特許庁
The insulating resin with the copper foil is manufactured through a process such that an insulating resin layer is formed on the single surface of the copper foil to form the insulating resin with the copper foil which is, in turn, cut into a necessary size and at least the cut of the insulating resin with the copper foil is treated with a liquid not dissolving the insulating resin with the copper foil.例文帳に追加
銅箔付き絶縁樹脂の製造方法において,銅箔の片面に絶縁樹脂層を形成し,必要なサイズに切断した後に,少なくとも銅箔付き絶縁樹脂の切断部を,前記銅箔付き絶縁樹脂を溶解しない液体にて処理する工程を経ることを特徴とする銅箔付き絶縁樹脂の製造方法。 - 特許庁
To provide a mold for injection molding usable in manufacturing a resin molded article wherein a first sheet material having no rigidity is embedded under holding in a predetermined shape at a pre-determined position and further a resin molded article wherein a second sheet material is formed in a surface at the same time with injection molding, and also provide a manufacturing process of the resin molded articles using the mold for injection molding.例文帳に追加
それ自体に剛性のない第1シート体が所定の形状・位置に維持されながら埋設された樹脂成形品、更に射出成形と同時に第2シート体が表面に形成される樹脂成形品の製造に用いられる射出成形用金型及びこれを用いた樹脂成形品の製造方法を提供する。 - 特許庁
A pair of grinding wheels are moved toward the center of the spectacle lens, by allowing the pair of rotating grinding wheels to abut on an outer peripheral end surface of the spectacle lens L from the respective directions of the direction along a vertical reference line of the spectacle lens L before the lens shape grinding and the direction along a horizontal reference line orthogonal to the vertical reference line (a rough grinding process).例文帳に追加
玉型加工前の眼鏡レンズLの垂直基準線に沿った方向及び垂直基準線に直交する水平基準線に沿った方向の各方向から、眼鏡レンズLの外周端面に、回転する一対の砥石を当接させ、この一対の砥石を眼鏡レンズの中心に向かって移動させる(粗加工工程)。 - 特許庁
A ball 3 is made of silicon nitride and a shot blasting process for introducing dislocation into a ceramic crystal formed on the surface of the ball 3 is carried out by blasting a shot comprising particles having specific gravity of ≥3.0, Vickers hardness of ≥400 and an average particle diameter of ≥200 μm and ≤1,000 μm and after that, a polish finishing work is carried out.例文帳に追加
玉3を窒化珪素製とし、その表面に、比重が3.0以上で、ビッカース硬さが400以上で、平均粒径が200μm以上1000μm以下の粒子からなるショットを投射することにより、前記表面をなすセラミックス結晶に転位を導入するショットブラスト工程を行った後に、仕上げ研磨加工を行う。 - 特許庁
In the process for producing an electronic component, an Sn-Bi alloy plating layer constituting a connection conductive layer 8 formed on the surface of a lead 2 is melted by immersing it, for a very short time of 0.2-5 sec, into a fluorine based inactive chemical liquid heated at 220-280°C which is higher than the melting point of the Sn-Bi alloy plating layer.例文帳に追加
開示される電子部品の製造方法は、リード2の表面に形成した接続用導電層8を構成するSn−Bi合金めっき層を、Sn−Bi合金めっき層の融点以上である220〜280℃に加熱したフッ素系不活性化学液内に0.2〜5秒間のごく短時間浸漬することで溶融させる。 - 特許庁
In the steel tapping process from the converter 1 into the ladle 4, after forming cover-slag 3b on the surface of molten steel 2c in the ladle by adding slag-making agent 7a, deoxidation is performed by adding aluminum 9 and successively, the desulfurization of the molten steel is performed by adding a desulfurizing agent 7b having ≥90 mass% constituting ratio of ≤15 mm grain size.例文帳に追加
転炉1から取鍋4への出鋼工程において、造滓剤7aを添加し取鍋内溶鋼2cの表面にカバースラグ3bを形成した後、アルミニウム9の添加により脱酸し、次いで、15mm以下の粒度の構成比率が90質量%以上の脱硫剤7bを添加することによって溶鋼の脱硫を行う。 - 特許庁
The method for producing the paper or the paperboard including a step for coating a sizing liquid 2 at least on one surface of the wet paper 1 under papermaking process of the paper or the paperboard includes: coating the sizing liquid 2 in 10-25 wt.% concentration on the wet paper 1 having the water content in a range of 10-25 wt.%, and subjecting the resultant wet paper 1 to post drying treatment.例文帳に追加
紙又は板紙の抄紙工程中で湿紙1の少なくとも一方の表面にサイズ液2を塗布する工程を含む紙又は板紙の製造方法において、湿紙1の水分量が10〜25重量%の領域で湿紙1に濃度が10〜25重量%のサイズ液2を塗布し、その後湿紙1を後乾燥処理する。 - 特許庁
The method for producing Hishio comprises a process of making rice malt where a mixture comprising grain milling wheat soaked in water and roasted soybeans is steamed, and thereafter, Aspergillus oryzae is inoculated in the steamed mixture; wherein (1) white having 30-80% of cleaned yield, and (2) soybeans roasted under such condition as to cause overmodulation on only the surface of its cotyledon tissue.例文帳に追加
水浸漬した精白小麦と、炒熱した大豆との混合物を蒸煮し、次いで蒸煮後の混合物に、麹菌を接種する製麹工程を含むひしおの製造方法であって、1)精白歩留まりが30〜80%である精白小麦2)子葉組織の表面のみ過変性される条件で炒熱された大豆を使用することを特徴とするひしおの製造方法。 - 特許庁
The uniformity of the film thickness of a BARC is improved by a process for embedding a structure in which an organic material different from the BARC is applied at least once so that flatness is assured to an extent that does not influence lithography and the organic material is etched once and planarizing the organic material by removing the organic material so that the surface of an embedded layer is exposed by etching back.例文帳に追加
さらに、リソグラフィへの影響が無い程度の平坦性が確保できるようにBARCとは異なる有機材料を少なくとも一回塗布して一度エッチングした構造を埋め込み、エッチバックによって被埋込み層の表面が出るように有機材料を除去して平坦化する工程により、BARCの膜厚の均一性を改善する。 - 特許庁
To provide a process cartridge and an image forming apparatus that can suppress deterioration of image quality caused by passage of residual toner after transfer through a latent image formation area during latent image formation and minimize a potential quantity varying before a latent image carrier surface charged by a charging means reaches a development area.例文帳に追加
転写残トナーが潜像画像形成中に潜像形成領域を通過することによって生じる画質劣化を抑制するとともに、帯電手段により帯電された潜像担持体表面が現像領域に到達するまでに変化する電位量を最小にすることができるプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供すること。 - 特許庁
A nonwoven fabric comprising heat resistant fibers and fibrillation liquid crystal polymer fibers is subjected to at least one surface treatment selected from low temperature plasma processing, surfactant processing, grafting, sulfonation, fluorination, hydroentaglement process, and resin coating thus producing a separator for an electrochemical element, e.g. a capacitor.例文帳に追加
少なくとも耐熱性繊維と、フィブリル化液晶性高分子繊維とを含有する不織布に、低温プラズマ処理、界面活性剤処理、グラフト処理、スルホン化処理、フッ素処理、水流交絡処理、樹脂コーティング処理から選ばれる少なくともひとつの表面処理が施されていることを特徴とする、キャパシタ等の電気化学素子に用いることができるセパレータ。 - 特許庁
The manufacturing method of the optical film at least includes a process of preparing a coating solution by dissolving and/or dispersing a mesomorphism compound in a solvent and a process of applying the coating solution onto the surface of a first optical anisotropic layer containing non-liquid crystalline polymer to form a second optical anisotropic layer on the first optical anisotropic layer.例文帳に追加
少なくとも液晶化合物を溶剤に溶解及び/又は分散させて塗布液を調製する工程、及び該塗布液を非液晶性ポリマーを含有する第1の光学異方性層の表面に塗布して、該層上に第2の光学異方性層を形成する工程を少なくとも含む光学フィルムの製造方法であって、前記塗布液の調製に用いられる溶剤が、該溶剤のみを第1の光学異方性層の表面に塗布した場合に、下記式(1)及び(2)を満足する溶剤から選択されることを特徴とする光学フィルムの製造方法である。 - 特許庁
The method for separating a semiconductor substrate, with a low-dielectric material deposited thereon, into individual chips comprises a first process wherein a blade using resin as its main binder cuts into the surface covered by a dielectric material at least to a level where the semiconductor material is exposed, and a second process wherein the blade cuts off the exposed semiconductor material.例文帳に追加
低誘電体絶縁材料が半導体物質上に積層された基板を個々のチップに分割する,低誘電体絶縁材料を積層した基板のダイシング方法において;レジンを主結合剤として使用したブレードによって,基板の低誘電体絶縁材料層が積層された面側から,少なくとも半導体物質が露出する深さまで,基板を切削する,第1の工程と;露出した半導体物質を切断する,第2の工程と;を含むことを特徴とする,低誘電体絶縁材料を積層した基板のダイシング方法が提供される。 - 特許庁
Concerning colloidal solution of metal nanoparticles having at least one of surface enhanced Raman activity function, the metal nanoparticle colloidal solution containing a detection sample is dropped onto a substrate having or setting a higher electrode potential than a metal electrode potential of a colloidal metal, and molecules adsorbed on the metal nanoparticle surface is irradiated with prescribed laser light in an aggregation process on the substrate of the metal nanoparticles, to thereby measure Raman scattered light generated from adsorbed molecules.例文帳に追加
少なくとも1種の表面増強ラマン活性機能を有する金属ナノ粒子のコロイド溶液を、コロイド金属の金属電極電位より高い電極電位を有するまたは設定される基板上に被検出試料を含む金属ナノ粒子コロイド溶液を滴下し、金属ナノ粒子の基板上での凝集過程で金属ナノ粒子表面に吸着させた分子に所定のレーザ光を照射し吸着分子から発生するラマン散乱光を測定することを特徴とする。 - 特許庁
A powder of hydrogen storage alloy provided with a surface layer containing at least nickel metal or nickel compound is mixed with a water solution containing lithium salt and subjected to a heating process so that the surface layer containing lithium-containing nickel oxide is formed on the surfaces of the powder, and a hydrogen storage alloy electrode 2 is fabricated using this alloy powder and used in the negative electrode of the alkaline storage battery.例文帳に追加
少なくともニッケル金属又はニッケル化合物を含む表面層が形成された水素吸蔵合金粉末をリチウム塩を含む水溶液と混合させた後、この水素吸蔵合金粉末を加熱処理して、水素吸蔵合金粉末の表面にリチウム含有ニッケル酸化物を含む表面層を形成し、このようにリチウム含有ニッケル酸化物を含む表面層が形成された電極用水素吸蔵合金粉末を用いて水素吸蔵合金電極2を作製し、この水素吸蔵合金電極をアルカリ蓄電池の負極に使用した。 - 特許庁
In the process of flattening the surface of the semiconductor layer, when the minimum irradiating energy density required for completely melting the semiconductor layer by irradiation of the laser beam is 100%, the irradiating energy density of the laser beam for irradiating the semiconductor layer is 72-98%, preferably 85-96%.例文帳に追加
そして、前記半導体層の表面を平坦化する工程において、前記レーザ光の照射により前記半導体層が完全溶融するのに必要な最小の照射エネルギー密度を100%としたとき、前記半導体層に照射する前記レーザ光の照射エネルギー密度を72%以上98%以下とし、好ましくは85%以上96%以下とする。 - 特許庁
Before the coating process, particulates for speeding up settling velocity are adhered at least on the surface of phosphor particles of the kind which have the slowest settling velocity in the solvent.例文帳に追加
複数種類の蛍光体粒子を溶媒に懸濁させてなる懸濁液を、略鉛直状態に保持した直管状のガラス管の内面に塗布する塗布工程を含む蛍光ランプの製造方法において、前記塗布工程前に、少なくとも前記溶媒中における沈降速度の最も遅い種類の蛍光体粒子の表面に、沈降速度を速めるための微粒子を付着させることを特徴とする - 特許庁
Flowable chips are a polycrystalline silicon piece group which comprises polycrystalline silicon pieces prepared by a chemical vapor deposition process and having bulk impurities at a level not exceeding 0.03 ppma and surface impurities at a level not exceeding 15 ppba, and which moreover has a controlled particle size distribution and generally has nonspherical morphology.例文帳に追加
本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ0.03ppmaを超えないレベルのバルク不純物と15ppbaを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 - 特許庁
To provide a plating pretreatment method and plating method which do not undergo a surface roughening process in plating the surfaces of polymeric materials having carbon-hydrogen bonds in molecular structures, i.e., plastic products, fibrous or textile products and obviate the discharge of environmentally burdening emission materials, such as discharge of heavy metals.例文帳に追加
この発明は、分子構造中に炭素−水素結合を有する高分子材料、すなわちプラスチック製品、繊維又は繊維製品等の表面にめっきをするに当たって、表面粗化工程を経ることなく、また、重金属の排出などの環境に負荷のかかる排出物を排出することのない、めっき前処理方法およびめっき方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
This tool has a support 11 which has rigidity to prevent the deformation by an external environmental change during process stage conveyance and supports the work substrates 1 on its front surface, a plurality of through-holes 11a for vacuum suction for attracting and supporting the substrates 1 on the support 11 and silicone rubber 12 for supporting the substrates 1 by tacky adhesive force at all times to the support 11.例文帳に追加
工程搬送時に外的な環境変化によって変形しない剛性を有し、且つ、表面にワーク基板1を支持する支持体11と、上記ワーク基板1を、上記支持体11に吸着支持するための複数の真空吸引用の貫通孔11aと、上記ワーク基板1を、上記支持体11に粘着力で常時支持するためのシリコーンゴム12とを有する。 - 特許庁
The electrophotographic apparatus and the process cartridge include an electrophotographic photoreceptor, having a photosensitive layer on a substrate and a contact charging device for charging the surface of the electrophotographic photoreceptor by a contact charging member, disposed in contact with the electrophotographic photoreceptor, where the dynamic friction coefficient μ of between the electrophotographic photoreceptor and the contact charging member is 0.04-0.25.例文帳に追加
支持体上に感光層を有する電子写真感光体と、該電子写真感光体に接触配置された接触帯電部材によって該電子写真感光体の表面を帯電するための接触帯電手段とを有し、該電子写真感光体と該接触帯電部材との動摩擦係数μが0.04以上0.25以下である電子写真装置およびプロセスカートリッジ。 - 特許庁
To provide a fish culture feed additive having as the main raw material squid guts, easily usable for sea surface fish culture, especially when added to a shrimp feed, supplying nutrient balance naturally, and most suitable energy and amino acid each necessary for shrimp growth, and further supplying suitable amount of cholesterol to promote prompt growth of shrimp during a molting process, and to provide a method for producing the additive.例文帳に追加
イカ内臓を主原料とし、海水面養魚において活用が容易であり、特にエビ飼料に添加した場合、栄養素の均衡は勿論のこと、エビが成長するのに必要な最適のエネルギーとアミノ酸とを供給し、さらに脱皮過程においては適量のコレステロールを供給してエビの速やかな成長を促す養魚飼料添加剤及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
Then, an annealing process is performed, where the cathode and anode electrodes 6, 7 are annealed by applying laser beams LB of monochromatic light as light having energy smaller than the band gap energy of the multilayer semiconductor layer 10 from the other surface side of the transparent crystal substrate 1 to the cathode and anode electrodes 6, 7 through the multilayer semiconductor layer 10 as shown in Fig.1(d).例文帳に追加
その後、図1(d)に示すように、透明結晶基板1の他表面側から多層半導体層10のバンドギャップエネルギよりも小さなエネルギの光として単色光のレーザ光LBを多層半導体層10を通してカソード電極6およびアノード電極7それぞれに照射することでカソード電極6およびアノード電極7をアニールするアニール工程を行う。 - 特許庁
To provide an insulation wire that reduces damage to an insulation layer of the insulation wire and sufficiently follows excessive bending and extension even when the insulation wire is inserted into a slot part in an overcrowded state in a coil processing process for the insulation wire by imparting superior lubricity to an insulation layer surface of the insulation wire and also greatly improving flexibility of the insulation layer.例文帳に追加
絶縁電線の絶縁層表面に優れた潤滑性を付与し、かつ絶縁層の可とう性を大幅に向上させることにより、絶縁電線のコイル加工工程において、絶縁電線をスロット部に過密に挿入しても絶縁電線の絶縁層の損傷を低減させることができ、また過度の曲げや伸びに対し十分に追従する絶縁電線を提供する。 - 特許庁
To provide an electrophotographic photoreceptor excellent in surface mechanical durability and oxidation resistance, suppressing an image defect caused by deposition of a discharge product, while having excellent sensitivity, having low friction against sliding and high water repellency, and easily maintaining the characteristics at a high level with time, and to provide a process cartridge and an image forming apparatus using the photoreceptor.例文帳に追加
表面の機械的耐久性や耐酸化性に優れ、放電生成物の付着に起因する画像欠陥も抑制できると共に感度にも優れ、摺動に対する低摩擦や高撥水性、さらにこれらの特性を経時的に高いレベルで維持することが容易な電子写真用感光体、並びに、これを用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することである。 - 特許庁
In the growing process, Ga element is supplied from the GaN substrate 10 in a solution of Ga element and the flux, consequently lowering of the Ga concentration in the flux associated with the growth in the surface side can be suppressed, the ratio of Ga element in the flux can be made constant, and flux-constituting elements such as Na or Li can be prevented from being taken into the crystal.例文帳に追加
成長工程において、Ga元素とフラックスとの溶液では、Ga元素がGaN基板10から供給されるので、表面側成長に伴うフラックス中のGa濃度の低下を抑制でき、フラックス中のGa元素比を一定にすることができ、NaやLiなどのフラックス構成元素が結晶中に取り込まれるのを防止することができる。 - 特許庁
In a manufacturing method of a capacitance type touch panel 7 with a transparent conductive layer 2 on at least one face of a transparent substrate 1, comprising a heating step in the manufacturing process, a laminate partially including a configuration that has a coat 12 containing polyamide-imide resin and with a thickness of 30-120 nm on the surface of a transparent plastic film 11 is used as the transparent substrate 1.例文帳に追加
製造工程に加熱工程を含んでなる、透明基板1の少なくとも片面に透明導電層2を有してなる静電容量式タッチパネル7の製造方法において、前記透明基板1として、透明プラスチックフィルム11の表面に、ポリアミドイミド樹脂を含有する厚みが30〜120nmの被膜12を有する構成を一部に含む積層体、を用いる。 - 特許庁
The process for producing a light transmitting electromagnetic wave shielding film subjected to uneven gloss prevention treatment comprises a step for forming a mesh-like metal conductive layer 12 on a transparent film 11, a step for forming a blackening treatment layer at least on the surface of the metal conductive layer 12 by blackening the metal conductive layer 12, and a step for coating the blackening treatment layer with adhesive transparent resin.例文帳に追加
透明フィルム11上にメッシュ状の金属導電層12を形成する工程、該金属導電層12を黒化処理することによって該金属導電層12の少なくとも表面を黒化処理層とする工程、前記黒化処理層上に、接着性透明樹脂を塗布する工程、を含む、光沢ムラ防止処理された光透過性電磁波シールド性フィルムを製造する方法。 - 特許庁
A process liquid supply nozzle 104 comprises a mixing chamber 21 comprising a cylindrical inside wall surface 29 whose lateral cross section is circular, a sulphuric acid introducing path 122 for introducing sulphuric acid to the mixing chamber 21, a hydrogen peroxide solution introducing path 123 for introducing hydrogen peroxide solution to the mixing chamber 21, and a discharge opening 24 for discharging SPM generated in the mixing chamber 21.例文帳に追加
処理液供給ノズル104は、横断面が円状の円筒状内壁面29を有する混合室21と、混合室21に硫酸を導入する硫酸導入経路122と、混合室21に過酸化水素水を導入する過酸化水素水導入経路123と、混合室21で生成されたSPMを吐出する吐出口24とを備えている。 - 特許庁
This method of polishing an optical connector ferrule formed by a resin molding method comprises a dry polishing process of pressing an optical connection face of the optical connector ferrule 1 to a polishing tape 10, and allowing the optical connector ferrule 1 to meander on the surface of the polishing tape 10 to dry-polish the optical connection face of the optical connector ferrule 1.例文帳に追加
本発明の光コネクタフェルールの研磨方法は、樹脂成形法によって形成された光コネクタフェルールを研磨する方法であって、光コネクタフェルール1の光接続面を研磨テープ10に押圧させると共に、光コネクタフェルール1を研磨テープ10の表面に対して蛇行させて、光コネクタフェルール1の光接続面を乾式研磨する乾式研磨工程を有することを特徴としている。 - 特許庁
In one aspect, a method of cleaning an electronic device manufacturing process chamber part is provided, including (a) spraying an unintentional coating 106 on the uppermost surface of the chamber part with an acid; (b) pressure spraying the residual coating 106 with deionized water; and (c) treating an intentional coating 104 being an under layer of the coating 106 with potassium hydroxide.例文帳に追加
一態様において、電子装置製造処理チャンバの構成部分をクリーニングするための方法であって、a)上記部分の最表面の意図していない被覆層106を酸でスプレーしてエッチングし、b)残っている被覆層106を脱イオン化水で加圧洗浄し、c)被覆層106の下層の意図的被覆層104を水酸化カリウムで処理する、ことを含む方法が提供される。 - 特許庁
The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a resist 6 containing a thermally crosslinking material on the surface of a semiconductor substrate 5, a step for pressing a mold 1 provided with a pattern 4 against the resist 6, a step for heating the resist 6 while pressing the mold 1 against the resist 6, and a step for patterning the resist 6 by removing it.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板5の表面上に、加熱により架橋する材料を含むレジスト6を形成する工程と、パターン4の形成されたモールド1をレジスト6に押し付ける工程と、モールド1をレジスト6に押し付けた状態で、レジスト6を加熱する工程と、レジスト6を除去することにより、レジスト6をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁
A process for fabricating a sensor 10 is disclosed that bonds a first device wafer to an etched second device wafer to create a suspended structure, the flexure of which is determined by an embedded sensing element 310 that is in electrical communication with an outer surface of the sensor 10 through an interconnect 400 embedded in a device layer 110 of the first device wafer.例文帳に追加
第1のデバイスウエハーをエッチングされた第2のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー10を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第1のデバイスウエハーのデバイス層110に埋め込まれた相互接続部400を通じてセンサー10の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子310によって決定される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor, by which the generation of partial image defects along an axial direction of an electrophotographic photoreceptor can be suppressed, the image defects resulting from the wear of a cleaning blade in the same portion during forming images, which is caused by polishing of the surface of the electrophotographic photoreceptor, and to provide a process cartridge and an image forming apparatus using the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加
電子写真感光体の表面の研磨に起因して、画像形成時にクリーニング用ブレードの同一部分が摩耗し、電子写真感光体の軸方向に沿って部分的な画質欠陥が発生するのを抑制することが可能な電子写真感光体の製造方法、並びに、この電子写真感光体を用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供。 - 特許庁
The color-developing structure 1 arranged with a plurality of pillar-like bodies 2 equipped with uneven forms 2r at one of both end surfaces periodically is obtained by: forming the pillar-like bodies 2 by a vacuum process on the fine uneven surface of a substrate material B consisting of a soluble material and equipped with a plurality of fine unevenness 3 arranged periodically; and then dissolving the substrate material B to remove it.例文帳に追加
可溶性材料から成り、周期的に配置された複数の微細凹凸3を備えた基材Bの微細凹凸表面上に、真空プロセスにより柱状体2を形成した後、基材Bを溶解して除去することにより、両端面の一方に凹凸形状2rを備えた複数の柱状体2を周期的に配して成る発色構造体1を得る。 - 特許庁
In the quartz-based glass optical waveguide with the electronic active element and the method for manufacturing the waveguide by which the quartz-based glass optical waveguide 10 and the electronic active element 20 are integrated, a thin film transistor 20 functioning as the electronic active element is formed on the surface of the clad 12 of the quartz-based glass optical waveguide 10 after forming the quartz-based glass optical waveguide 10 in a thermal process.例文帳に追加
石英系ガラス光導波路10と電子能動素子20とを一体化する電子能動素子付き石英系ガラス光導波路及びその製造方法において、熱プロセスにより上記石英系ガラス光導波路10を形成した後、上記石英系ガラス光導波路10のクラッド12表面に電子能動素子としての薄膜トランジスタ20を形成する。 - 特許庁
In a superfine particle material-based film formation method for forming a film 2 of an ultrafine particle material 7 from a deposited material of the superfine particle material formed by supplying the superfine particle material to the substrate 3, the film is formed by carrying out a leveling process one or more times to level the surface of the deposited material 2a of the superfine particle material supplied to the substrate.例文帳に追加
超微粒子材料7を基板3上に供給して形成した前記超微粒子材料の堆積物から前記超微粒子材料の膜2を形成する超微粒子材料成膜方法において、前記基板上に供給された前記超微粒子材料の堆積物2aの表面を平坦にする平坦化工程を一回以上加えて前記膜を形成する - 特許庁
To provide a polyimide film which exhibits a high modulus and is excellent in flexibility, low moisture expansion coefficient, thermal dimensional stability and film formability, when employed for a substrate for metal wiring boards for flexible printed circuits on the surface of which metal wiring is provided, CSP's, COF's, BGA's or tape automated bonding tapes, its manufacturing process and a metal wiring board using it as a substrate.例文帳に追加
表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路,CSP,COF、BGAまたはテープ自動化接合テープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、柔軟性、低湿度膨張係数、熱寸法安定性および製膜性にも優れたポリイミドフィルム、その製造方法及びそれを基材としてなる金属配線板を提供する。 - 特許庁
In a manufacturing method to forge a hollow component of the hard-to-work material such as bearing steel, the hollow component is forged by discharging a lubricating oil from an outer circumferential surface of a tip of a punching pin in implementing the punching and the extrusion or the swaging of a center excess material portion of a cup-like member by the punching pin in the same working process.例文帳に追加
素材として軸受鋼などの難加工材で中空部品を鍛造により製造する方法において、同一加工工程内で、打抜きピンによるカップ状部材の中央余肉部の打抜き加工と押出しもしくは据込み加工を行うに際し、前記打抜きピンの先端部外周面から潤滑油を排出することにより実施する中空部品の鍛造方法。 - 特許庁
The method and apparatus for producing a staple fiber comprises processes of identifying an abnormal tow by virtue of a displacement sensor and an acceleration sensor attached to the upstream side of a crimping machine, spraying ink that dries super quickly onto the surface of the tow, detecting the ink sprayed onto the tow at the upstream side of a cutting process, and downgrading the tow having been cut, by automatically switching a damper.例文帳に追加
トウを捲縮機の上流側に取り付けた変位センサ及び加速度センサにより異常トウを検出させ、トウの表面に超速乾性のインクを吹き付け、前記のトウに塗付されたインクを切断工程の上流側で検知し、カットされたトウを、自動的にダンパーを切り替えて格下げ処理を行うことを特徴とする短繊維製造方法と装置とする。 - 特許庁
A manufacturing method of permanent magnets is used for taking out permanent magnets 11 fixed to the interior of magnet housing holes 8 formed in a rotor 2 and includes a process where the rotor 2 is heated by passing a current through an induction heating coil 3 to fuse a portion between an outer peripheral surface of the rotor 2 and the magnet housing part 8, i.e., a joint 12 of the magnet housing hole 8.例文帳に追加
回転子2に形成された磁石収容孔8の内部に固定された永久磁石11を取り出す永久磁石の製造方法であって、誘導加熱コイル3に通電することにより回転子2を加熱し、回転子2の外周面と磁石収容孔8との間の部位、即ち、磁石収容孔8の継ぎ目12を溶断する工程を備えた。 - 特許庁
In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron.例文帳に追加
バルク層13に形成された高濃度ボロン層14に1×10^13/cm^2以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板10の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、SIMOX基板20の内部の金属不純物cが十分にゲッタリングされる。 - 特許庁
In the solid-state imaging apparatus 10 whereon a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in its peripheral circuit region are loaded together, a reflection preventing film 7 of a photodiode surface and a sidewall 9 provided to a side wall of a gate electrode 3 of the MOS transistor are formed simultaneously in the same process, by photolithograpy and dry etching by laminating three layers of insulating films 4 to 6.例文帳に追加
撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各MOSトランジスタが混載された固体撮像装置10において、フォトダイオード表面の反射防止膜7と、MOSトランジスタのゲート電極3の側壁に設けられるサイドウォール9とを、3層の絶縁膜4〜6を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。 - 特許庁
To settle the problem that when a process of contact-bonding a plurality of ceramic green sheets in each laminating is repeated to obtain a laminate, the sheets laminated earlier, out of those constituting the laminate, are subjected to the contact-bonding processes in more numbers and the degree of elongation thereof in the direction of the main surface is increased accordingly, which causes an undesirable deformation in the laminate.例文帳に追加
各セラミックグリーンシートを積層する毎に圧着する工程を繰り返して積層体を得ようとするとき、積層体を構成する複数枚のセラミックグリーンシートのうち、より前に積層されたものほど、より多くの回数の圧着工程を受けることになり、したがって、主面方向での伸びの度合いがより高くなり、積層体において不所望な変形が生じる。 - 特許庁
To greatly improve productivity of semiconductor package assembling step by simultaneously conducting assembling of a number of printed circuit board units for every unit process and to remove an excessive hardened resin sealing material on a mode runner gate and on a mold runner between gates, without the possibility of damaging the surface of the printed circuit board.例文帳に追加
単位工程毎に多数の印刷回路基板ユニットに対する組立を同時に遂行し半導体パッケージ組立工程の生産性を大幅に向上させ、モールドランナーゲート上及びゲート間のモールドランナー上に硬化した余剰の樹脂封止材を印刷回路基板表面への損傷の心配なく除去する半導体パッケージ用マトリックスタイプ印刷回路基板を提供する。 - 特許庁
The process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser comprises a step for forming a plurality of semiconductor layers composed of a group III nitride based compound semiconductor on a substrate, a step for forming an electrode narrower than the semiconductor layer on the surface thereof, and a step for forming a ridge by etching the semiconductor layer using the electrode as a mask.例文帳に追加
III族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法において、基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る複数の半導体層を形成する工程と、前記半導体層の表面に、前記半導体層よりも狭い幅を有する電極を形成する工程と、前記電極をマスクとして前記半導体層をエッチングし、リッジ部を形成する工程とを含む。 - 特許庁
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