| 意味 | 例文 |
Process Areaの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2252件
This information transmission network generating method is provided with a means for investigating an information transmitting process between nodes in an objective area, a network forming means for forming a network between the nodes by a biased net model logic including time concept from this obtained data, and a simulation forming means for expressing the information transmitting process successively transmitted and spread from an optional information transmitting source as a network forming process.例文帳に追加
対象域のノード間の情報伝達過程を調査してそのデータを取得する手段と、この取得されたデータを時間概念を含む偏ネットモデル理論によってノード間ネットワークを形成するネットワーク形成手段と、任意の情報発信源から順次伝え広められる情報伝達過程を、ネットワーク形成過程として表現するシミュレーション形成手段とを具備してなる情報伝達ネットワークの生成方法である。 - 特許庁
A fabrication method of semiconductor device includes a process for pressing a mold 1 having a pattern formed thereon to a negative-type photoresist 2, a process for selectively irradiating an irradiated light 7 to the photoresist 2 by pressing the mold 1 to the photoresist 2 through the mold 1, and a process for patterning the photoresist 2 by removing an area of the photoresist 2 where the irradiated light 7 is not irradiated by developing the photoresist 2.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、パターンの形成されたモールド1をネガ型のフォトレジスト2に押し付ける工程と、モールド1をフォトレジスト2に押し付けた状態で、照射光7をモールド1を通じてフォトレジスト2に選択的に照射する工程と、フォトレジスト2を現像することによりフォトレジスト2の照射光7が照射されていない領域を除去してフォトレジスト2をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁
In the hot rolling process of bar material, a billet as a raw material is sequentially reduced in its cross-section area by respective rolling process of passing through calibers of rollers disposed plurally and is finished to a prescribed size.例文帳に追加
素材ビレットから、複数配置した圧延機のロールに設けた孔型によるそれぞれの圧延方式で断面積を順次減少させ、所要の製品寸法に仕上げる条材の熱間圧延方法であって、前記それぞれの圧延方式の孔型での圧延材周方向の圧縮ひずみが−0.5以上となるように圧延材の断面積を減少させるようにしたのである。 - 特許庁
To provide an air conditioning system capable of improving effective utilization of vaporization heat and vaporizing efficiency in a vaporizing process of an evaporator, preventing dangerousness to a person caused by poor visibility because of fog generated in the vaporizing process, reducing costs necessary for changing a duct system accompanying the change of a supply place, and optimally saving energy in the whole air conditioned area.例文帳に追加
蒸発器の気化過程での気化熱の有効活用及び気化効率の向上を図ることができ、気化過程で発生する靄による視界悪化が及ぼす人への危険性を防止することができ、吹出し場所変更に伴うダクト系統変更に掛かるコストを低減することができ、空調対象となる全領域の最適な省エネルギー化を図ること。 - 特許庁
Since this image processing method is contrived in such a way that, when a retouching process is performed on a pixel editer image 162, an image processing area 169 is displayed as an inverted image before executing the retouching process and made to follow the movement of a pointer 168, the initial positioning becomes easier and the occurrence of such misoperation that a different image is erroneously retouched can be reduced.例文帳に追加
ピクセルエディター画面162において、レタッチ処理をする場合に、レタッチ処理の実行前に画像処理領域169を反転画像として表示し、ポインタ168の移動に追従させるようにしたため、初期の位置決めが容易となり、誤って異なる画像に対してレタッチ処理をするといった誤操作を軽減することができる。 - 特許庁
To provide a voltage controlled variable capacitor that can be its manufactured without changing the conventional manufacture process, or adding any new process, preventing the circuit from being largely scaled or integrated into a high voltage, preventing the maximum value and minimum value of the capacitance per the unit area of an electrode from being fluctuated, and arbitrarily selecting high frequency C-V characteristics.例文帳に追加
従来の製造プロセスを変更したり、新たなプロセスを追加したりすることなく製造でき、回路が大型化及び高電圧化することがなく、電極の単位面積あたりの容量の最大値及び最小値が変動することがなく、高周波C−V特性を任意に選択できる電圧制御可変容量素子を提供する。 - 特許庁
The system and the method provide a unified set of model parameter values that result in better accuracy and robustness of simulations at nominal process conditions, as well as the ability to predict lithographic performance at any point continuously throughout a complete process window area without a need for recalibration at different settings.例文帳に追加
システムおよび方法は、公称プロセス条件でのシミュレーションのよりよい精度および堅固性、ならびに、異なる設定での再キャリブレーションの必要なく、完全なプロセスウィンドウ領域全体に連続的にわたるいずれかの点でリソグラフィの性能を予測する能力を結果としてもたらす、統合された1組のモデルパラメータ値を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the substrate for microarray 100, equipped with a substrate 10, a bulkhead 20 partitioning surface of the substrate 10 and an area 30 partitioned by the bulkhead, includes the process to form the first film by using the composition containing compound (A) such as C.I. pigment red 254, and the process to form the bulkhead through patterning of the first film.例文帳に追加
基板10とその表面を区画する隔壁20と隔壁により区画された領域30とを有するマイクロアレイ用基板100の製造方法において、C.I.ピグメントレッド254等の化合物(A)を含む組成物を用いて第1膜を形成する工程と、第1膜をパターニングして隔壁を形成する工程と、を備える。 - 特許庁
To provide a slot machine using game balls capable of preventing a fraudulent program from being resident in an unused area of a storage means of a microcomputer controlling a game, surely executing a power recovery process by a sub-control means and, when erroneously detecting a power cut, preventing the erroneous execution of the power recovery process.例文帳に追加
遊技の制御を行うマイクロコンピュータの記憶手段の未使用領域に不正プログラムが常駐することを防止できるとともに、サブ制御手段の停電処理を確実に行うことができ、更に、電断を誤って検出した際に、誤って停電処理が行われてしまうことを防止できる遊技球を用いたスロットマシンを提供すること。 - 特許庁
In the method by which fine wiring is formed through a lift-off process, a deposited-film removing process is performed one or more times in the course of forming a thin film composed of a wiring material on a substrate 1 for widening the planar area of the opening 3 of a resist pattern 2 by partially or wholly removing a film 7 deposited on a resist pattern 2.例文帳に追加
リフトオフプロセスにより、微細配線を形成する方法において、基板1上に配線材料からなる薄膜を形成する成膜工程の途中に、レジストパターン2上の堆積膜7の一部又は全部を除去してレジストパターン2の開口部3の平面面積を広くする堆積膜除去工程を一回以上実施する。 - 特許庁
Thus, when the wiring dividing process or adjustment of slit areas is carried out to maintain the limitation of wiring occupation rate, the wiring intersection and the other portions can be independently processed to enable an optimum process while allowing for the wiring occupation rates, area losses, etc., at the different portions.例文帳に追加
これにより、配線占有率の制約を遵守するために配線分割処理あるいはスリット面積の調整を行う際に、配線交差部とそれ以外の部分に対して独立に処理を行うことが可能になり、それぞれの部分において配線占有率と面積損失等を考慮して最適な処理を行うことが可能になる。 - 特許庁
A data density calculating process part 4 shifts the detection range of layout data of the input process part 3 along an X or Y axis from the position where pattern data are calculated last, calculates the pattern density in the detection range having been moved, and decides whether or not the pattern density is ≥50%, thereby deciding a temporary error area when the pattern data density is ≥50%.例文帳に追加
データ密度計算処理部4は、入力処理部3のレイアウトデータを直前にパターンデータを演算した位置から、X軸方向又はY軸方向の何れかに検出範囲をずらし、移動後の検出範囲のパターン密度の計算を行い、パターンデータ密度が50%以上か否かの判定を行い、50%以上を仮エラー領域とする。 - 特許庁
The particle is preferably manufactured by a method including a process for producing silica having a specific surface area ratio (Ss/Ss_0) of 2 or less by calcining a silica particle obtained by a hydrolysis-condensation reaction of an alkoxysilane at 650-1,180°C and a process for forming a surface layer containing a fluorine-containing polymer on the surface of the silica.例文帳に追加
該粒子は、アルコキシシランの加水分解・縮合反応により得られたシリカ粒子を650〜1180℃で焼成することによって、比表面積比(Ss/Ss_0)が2以下であるシリカを製造する工程と、該シリカにフッ素含有ポリマーを含む表面層を形成させる工程とを有する製造方法により製造することが好ましい。 - 特許庁
A super-resolution process executing unit performs a production process of the difference image using a motion compensation image which is produced by applying a detected object corresponding motion vector to each object area after detecting the object corresponding motion vector for each object indicating motion between images of the object commonly included in the low-resolution image and the high-resolution image.例文帳に追加
超解像処理実行部は、低解像度画像と高解像度画像に共通に含まれるオブジェクトの画像間動きを示すオブジェクト対応動きベクトルをオブジェクト単位で検出して、検出したオブジェクト対応動きベクトルを各オブジェクト領域に適用して生成した動き補償画像を利用して差分画像の生成処理を行う。 - 特許庁
The fault supervisory system of a plasma processing apparatus is characterized in comprising a particle measuring means for measuring the amount of particle generated by the plasma process at the area near the plasma processing portion, and a fault detecting means for detecting the occurrence of the fault in the plasma process on the basis of the result of measurement by the particle measuring means.例文帳に追加
プラズマ処理装置の異常監視システムであって、プラズマ処理部近傍において、プラズマ処理により発生するパーティクル量を計測するパーティクル計測手段と、前記パーティクル計測手段による計測結果に基づいて、プラズマ処理における異常発生を検出する異常検出手段とを備えていることを特徴とするシステム。 - 特許庁
In a method for manufacturing an aluminium alloy substrate for magnetic disk comprising a punching process manufacturing an aluminium alloy substrate by punching an aluminium alloy plate in a doughnut shape, and a press annealing process for performing annealing this aluminium alloy substrate with a load applied on it, the punched aluminium alloy substrate has plate thickness area sum of the prescribed value or less.例文帳に追加
アルミニウム合金板をドーナツ形状に打抜いてアルミニウム合金基板を作製する打抜工程と、このアルミニウム合金基板に荷重を加えながら焼鈍を施す加圧焼鈍工程を含む磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、前記打抜かれたアルミニウム合金基板が所定値以下の板厚面積和を有する。 - 特許庁
To increase an operating efficiency by solving the problem of improving an interface characteristic and a hole-filling material characteristic in a manufacturing process based on an existing phase change memory technique, making small a contact surface area of layer materials different in simple manufacturing processes, stabilizing a component characteristic, simplifying the manufacturing process, and decreasing an operational current.例文帳に追加
既存の位相変化メモリ技術が持つ製造プロセスでインターフェイスの特性と穴込め材料の特性を改良する問題を解決し、簡単な製造プロセス条件で異なる層材料における接触面積を小さくし、部品特性の安定化を図り、製造プロセスを簡略化し、使用電流を少なくし操作効率を高めることを目的とする。 - 特許庁
Also, in the case of using a laser as the high energy light source, since the exposure process is performed by exposing a laser light source to the photosensitive material of an area where the microlens is scheduled to be formed and irradiating it with a laser beam, the exposed photosensitive material surface is fused by the heat treatment and the microlens is formed, a mask can be omitted at the time of the exposure process.例文帳に追加
また、高エネルギー光源としてレーザーを使用する場合、マイクロレンズが形成される予定領域の感光材にレーザー光源を当ててレーザービームを照射することにより露光工程を行い、熱処理で露光された感光材表面を溶融させてマイクロレンズを形成できるので、露光工程時にマスクを省略できる。 - 特許庁
This method includes a first process in which Al or a material layer primarily composed of Al is patterned and a prescribed pattern wiring is formed, and a second process in which a photoresist 100, having a prescribed size of aperture on the wiring is formed and a prescribed area of the wiring is etched with an etching solution including at least nitric acid.例文帳に追加
AlまたはAlを主成分とする材料層をパターニングして所定のパターンの配線を形成する第1の工程と、上記配線上に所定の大きさの開口を有するマスク用フォトレジスト100を形成して、上記配線の所定の領域を少なくとも硝酸を含むエッチング液でエッチングする第2の工程とを含む。 - 特許庁
The method for manufacturing the plated substrate is based on an electroless plating method and includes a process for forming a catalyst layer on an area except a prescribed pattern on a substrate and a process for forming a metal layer having the prescribed pattern by depositing a metal on the substrate by dipping the substrate in an electroless plating solution.例文帳に追加
本発明にかかるめっき基板の製造方法は、無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、基板上の所定のパターン以外の領域に触媒層を設ける工程と、無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、基板上に金属を析出させて前記所定のパターンの金属層を設ける工程と、を含む。 - 特許庁
The partial strengthening method of the metallic material comprises a first press process of forming an uneven surface by imparting plastic strain through a plastic flow of the material to the top and bottom surfaces of the area to be strengthened of the metallic material, and a second press process of forming a flat surface by imparting plastic strain through an additional plastic flow on the uneven surface formed before.例文帳に追加
本発明の金属材料の部分強化方法は、金属材料の被強化部位の表裏面に材料の塑性流動による塑性ひずみを付与して凹凸面を形成する第1プレス工程と、形成された凹凸面にさらに塑性流動による塑性ひずみを付与して平面を形成する第2プレス工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
This operation is repeated till the RZone is recorded on whole surplus areas 110 in data areas 105, and when the outside diameter of the data area 105 attain the sector corresponding to 70 mm by the user's data and dummy data, a DVD-R disk is (after recording the read-in/read-out area) made to the reproducible state, then the finalizing process is finished.例文帳に追加
そしてデータ領域105内の余分な領域110全てにRZoneが記録されるまで繰り返され、ユーザデータ及びダミーデータによってデータ領域105の外径が70mmに該当するセクタに達すると、DVD−Rディスクを(リードイン/リードアウト領域の記録して)再生可能な状態としてファイナライズ処理を終了する。 - 特許庁
This method of manufacturing display device includes a step of patterning a resist layer 2 having a thickness excluding the thickness of the thickest resist film of a plurality of resist films having different film thicknesses in an area 13 other than a display area in a photoengraving process in which the plurality of resist films are provided for forming the pattern of the display device on the surface of a substrate 5.例文帳に追加
基板5表面上に表示装置のパターンを形成するために、複数のレジスト膜厚を設ける写真製版工程において、表示領域以外の領域13に、前記複数のレジスト膜厚のうち、最も厚いレジスト以外の厚さを有するレジスト層2をパターン形成する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 特許庁
The image is next inputted to a classification object image inputting part 109, a characteristic quantity extracting part extracts the characteristic quantity of each area divided by an area dividing part 110, classifies the characteristic quantity by using a learned classification parameter, and an attaching part 112 gives a category name decided by a category deciding part 111 to the image and finishes the classification process.例文帳に追加
次に画像を分類対象画像入力部109に入力し、領域分割部110で分割した各領域の特徴量を特徴量抽出部で抽出し、学習済みの分類パラメータを用いて分類し、カテゴリ決定部111で決定のカテゴリ名を付与部112で画像に与えて分類工程を終る。 - 特許庁
In roll changing process of a first roll 100b, a control server 3 controls the roll shop P so that the first roll 100b for supplying to a ZM rolling mill 2 is supplied from a ZM supply area 61 to a changer 69 and also the first roll 100b which is recovered from the ZM rolling mill is recovered from the changer 69 to the ZM recovery area 62.例文帳に追加
ファーストロール100bのロール交換処理では管理サーバ3は、ZM圧延機2に供給するファーストロール100bをZM供給エリア61からチェンジャー69に供給するとともに、ZM圧延機2から回収されたファーストロール100bをチェンジャー69からZM回収エリア62に回収するようにロールショップPを制御する。 - 特許庁
To provide an array substrate capable of optimizing test conditions of a self-test functional circuit, (BISAT)(built in self array test), for every substrate by disposing a dummy pixel area in the vicinity of a display area and arranging a defective dummy pixel therein in order to avoid the erroneous determination or the increase of a measurement time required for test in the substrate created according to an NMOS process.例文帳に追加
NMOSプロセスで作成された基板の場合、誤判定または検査に要する測定時間の増大を回避するために、表示領域近傍にダミー画素領域を設けその中に不良ダミー画素を配置することにより、基板毎に自己検査機能回路(BISAT)の検査条件の最適化をし得るアレイ基板の提供を目的とする。 - 特許庁
A plurality of capacitors having different areas are formed in an active area in a semiconductor element manufacturing process, voltages are applied to the respective capacitors to detect respective capacitor currents, and pattern conversion differences of the active area are calculated from the areas of the capacitors corresponding to detected current values, thereby determining the manufacture precision based upon the pattern conversion differences.例文帳に追加
複数の異なる面積を有するキャパシタを、半導体素子生成工程においてアクティブエリアに形成し、各キャパシタに電圧を印加して、夫々のキャパシタ電流を検出し、検出された電流値と対応するキャパシタの面積とからアクティブエリアのパターン変換差を算出し、パターン変換差に基づき製造精度を判定する。 - 特許庁
The technology of the semiconductor element manufacturing method includes a process, especially, of burying the insulating film between gate patterns in place of the photo-sensitive film when implanting the ions into the semiconductor substrate of lower portion of the bit line contact area, etching it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, preventing the leakage current of the cell transistor.例文帳に追加
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる技術である。 - 特許庁
A form of the heat exchanger copes with erosion of a tube of an inlet area by providing a sacrifice part having the tube length so that the dead zone and a stay area are substantially minimized or eliminated, and an eroded portion of the tubes is substantially further inexpensively and easily repaired and replaced by minimal process interruption.例文帳に追加
デッドゾーンおよび滞留域が実質的に最少化されるかまたは排除され、チューブの侵蝕部分の修理および交換が、実質的により安価に、より容易に、且つプロセスの中断を最少にしてなされるよう、チューブ長さの犠牲部分を提供することによって、入口領域のチューブの侵蝕に対処する熱交換器の形態。 - 特許庁
A first exposure to shot areas including at least one die area on a wafer W is performed using an illuminative light that is allowed to pass through the reticle R, and a second exposure process to the die area adjacent to an edge region of the wafer W is performed by the illustrative light that has passed through a light transmitting member 102 disposed adjacent to the reticle.例文帳に追加
ウエハーW上の少なくとも一つのダイ領域を含む複数のショット領域に対する第1露光工程はレチクルRを通した照明光を用いて遂行され、ウエハーWのエッジ部位と隣接するダイ領域に対する2次露光工程はレチクルに隣接して配置される光透過部材102を通過した照明光によって遂行される。 - 特許庁
To preferably bend a flexible film wiring substrate without affecting a wiring pattern on the substrate in an ink-jet recording head having a flexible film wiring substrate with a bending process into a predetermined state with the substrate width in a terminal connection part provided wider than the other part and a wiring pattern formed from an area with a narrow substrate width to an area with a wide substrate width.例文帳に追加
端子接続部の基板幅が他よりも広く、基板幅の狭い領域から広い領域に配線パターンが形成され、所定の状態に折り曲げ加工されているフレキシブルフィルム配線基板を持つインクジェット記録ヘッドにおいて、フレキシブルフィルム配線基板を当該基板上の配線パターンに影響を及ぼすことなく、良好に折り曲げる。 - 特許庁
An unevenness of a density differently generated in response to an area of a density can be effectively corrected by preparing a table group for correction making the correction process different depending on a area of the density, recording a test pattern corresponding to a plurality of the densities according to a test pattern of a predetermined density and making possible to select the table group for correction used for correction.例文帳に追加
濃度域に応じて補正を異ならせた補正テーブル群を用意し、予め所定の濃度のテストパターンに従って、複数の濃度に対応したテストパターンを記録し、濃度域毎のむらの発生に応じて、補正に用いる補正テーブル群を選択可能とすることにより、濃度域に応じて発生が異なる濃度むらを効果的に補正可能にする。 - 特許庁
Whether or not each pixel to be generated after the color conversion process constituting each intermediate image by each color component of the CMYK colorimetric system is an edge area pixel is determined, and dots are allocated so that the dots having a predetermined size are formed according to distance from the edge at the positions on the printing medium corresponding to the edge area pixels for every color component.例文帳に追加
色変換処理後に生成される各色成分毎の中間画像を構成する画素についてエッジ領域画素であるか否かの判定を行い、色成分毎に、エッジ領域画素に対応する印刷媒体上の位置に、エッジからの距離に応じて所定サイズのドットが形成されるように、ドットの割り当てを行う。 - 特許庁
The resin is a phenol resin or an epoxy resin, and the carbon material is exposed so that the upper face becomes an area ratio of 10 to 90% to the whole surface area of the upper face by at least one of blast process mechanical polishing processing, heating processing, plasma processing, and oxidant processing after forming the composition in a separator shape.例文帳に追加
また樹脂はフェノール樹脂またはエポキシ樹脂であり,上記の導電性樹脂組成物をセパレータ形状に成形した後,隔壁の上面を,ブラスト処理機械的研磨処理,加熱処理,プラズマ処理及び酸化剤処理の少なくとも1つにより隔壁上面の全表面積に対して10〜90%の面積比になるように炭素材料を露出させる。 - 特許庁
The discharge device generates a volume flow manually by a discharge process, and is provided with at least one medium tank for a medium, an opening for discharge, a pump device, and an operating area which is related to the pump device and is securely connected to a holding area by a locking device so that it can be detached when at a non-operational position.例文帳に追加
吐出装置が、吐出行程によって体積流を手動で発生させる吐出装置であって、少なくとも1つの媒体用の媒体タンクと、吐出開口と、ポンプ装置と、ポンプ装置に関連する動作領域であって、不作動位置にある時、ロック装置によって保持領域に離脱可能に確実連結される動作領域とを備える。 - 特許庁
The evaluation test device of the silicide film manufacturing process provided with a first pattern A comprising the crossing resistance pattern of a polycide layer formed on the field area 500 of the semiconductor board 500 and a second pattern B comprising the bridge resistance pattern of the polycide layer and the silicide layer formed on the active area 500a of the semiconductor board 500 is constituted.例文帳に追加
半導体基板500のフィールド領域500b上に形成されたポリサイド層の交叉抵抗パターンから成る第1パターンAと、半導体基板500のアクティブ領域500a上に形成されたポリサイド層及びシリサイド層のブリッジ抵抗パターンから成る第2パターンBと、を備えたシリサイド膜製造工程の評価試験装置を構成する。 - 特許庁
The technology for the semiconductor element manufacturing method includes a process of forming the epitaxial layer on the upper portion of the element separating structure of the recess gate area, designing the semiconductor element of the SOI tunnel structure, thereby, reducing the ion implantation concentration in the channel area and improving characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にリセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、SOIチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、tWR及びLTRAS特性を改良することができる技術である。 - 特許庁
In the apparatus 70 for coding an image information, a dead zone calculator 71 calculates a dead zone of an input range of a quantized output '0' at each component of an orthogonal transformation coefficient so that the higher the area orthogonal transforming coefficient is, the wider the area is, for example, by considering a virtual weight process for a quantizing step size in the case of the quantization.例文帳に追加
画像情報符号化装置70において、デッドゾーン算出部71は、量子化の際の量子化ステップサイズに対する仮想的な重み付け処理を考慮して、例えば高域直交変換係数ほど広くなるように、直交変換係数の成分毎に、量子化出力を0とする入力の範囲であるデッドゾーンを算出する。 - 特許庁
When the master medium 10 and the slave medium 20 exist in a predetermined communication area at the same time, the noncontact medium processing machine 30 obtains through noncontact communication the information described in a predetermined memory area or a file of the master medium 10 and performs a predetermined process on the slave medium 20 according to the information obtained, e.g., issues a card as a key card.例文帳に追加
非接触媒体処理機30は、親媒体10と子媒体20とが予め決められた通信エリア内に同時に存在するときに、親媒体10の所定のメモリエリアやファイルに記述された情報を非接触通信により取得し、この取得した情報に基づいて子媒体20に所定の処理、例えばキーカードとしてカード発行を行う。 - 特許庁
A mobile telephone set 90 selects the location area ID of the section pattern, in correspondence with mobile characteristics of such a mobile telephone set 90 which has been previously set to the mobile telephone set 90 out of the plurality of location areas ID included in the control signal received from the base station, and performs positional registration process by using this location area ID.例文帳に追加
携帯電話機90は、基地局から受信した制御信号に含まれる複数のロケーションエリアIDのうち、当該携帯電話機90に対して予め設定された当該携帯電話機90の移動機特性に応じた区分パターンのロケーションエリアIDを選択し、このロケーションエリアIDを用いて位置登録処理を行う。 - 特許庁
In this manufacturing method for the full area air-fuel ratio sensor 2, a talc ring 108 is deformed to contract a cross-sectional area of an element through hole 115 by impressing pressure, in a manufacturing process of an element unit 7, and then the talc ring 108 is burnt to conduct work for assembling the talc ring 108 integrally to the detecting element 4.例文帳に追加
全領域空燃比センサ2の製造方法では、素子ユニット7の製造工程において、圧力印加により素子挿通孔115の断面積が縮小するよう滑石リング108を圧縮変形させた後、滑石リング108を焼成することで、検出素子4に対して滑石リング108を一体に組み付ける作業を行う。 - 特許庁
As the EPAs / FTAs among countries in East Asia proceed economic integration and systemic harmonization of the area, and as the logistics infrastructures that supports business activities improve, the business environment of the area is getting favorable for Japanese companies. Japanese companies are setting up operating bases strategically through a cross-border division of manufacturing process, concentration of production functions, and strengthening of overall sales control functions aimed at intra-regional integration.例文帳に追加
我が国企業は、東アジアにおけるEPA / FTAによる域内経済のシームレス化、企業行動を支える物流インフラの改善などによって向上しつつある事業環境の下で、多国間工程分業、生産機能の集約化や、域内を一体として捉えた販売統括機能の強化といった戦略的な拠点配置を進めてきている。 - 経済産業省
This device determines whether all of the diagnosis objects are in a normal condition with no indication of abnormality by performing the diagnosis process (S220), and if it is determined as the normal condition, the data in the DTC storage area are rewritten by data different from the initial value for allowing storage of the DTC to the DTC storage area (S230).例文帳に追加
そして、この装置では、診断処理の全診断対象が該診断処理によって異常と判断されない正常状態か否かを判定し(S220)、正常状態と判定すると、DTC記憶領域のデータを初期値からDTCとは違うデータに書き換えて、DTC記憶領域へのDTCの記憶が許可されるようにする(S230)。 - 特許庁
Every time a memory acquisition request from an arbitrary memory request process 9 is performed, an area acquisition processing part 11 determines the size of the subsegment based on requested area size with respect to the unused segment 4, generates the subsegment 5 of the size, allocates one or more subsegments 5, and makes the segment 4 in use.例文帳に追加
領域取得処理部11は、任意のメモリ要求プロセス9からのメモリ取得要求がある毎に、未使用のセグメント4に関しては、要求された領域サイズに基づいてサブセグメントのサイズを決定して、このサイズのサブセグメント5を生成して、1又は複数のサブセグメント5を割り当てると共に、このセグメント4を使用中とする。 - 特許庁
Apparatus installation areas 3e and 3f, where an apparatus body 14 for processing the object to be processed, a process area 4 where an object to be processed is loaded or unloaded by the apparatus body 14, and an operation area 2, where operation on the apparatus is effected are brought into a state to be aligned horizontally in the order via partitions 42 and 43.例文帳に追加
処理対象物を処理するための機器本体14が設置された機器設置エリア3e,3fと、処理対象物が上記機器本体14にロード又はアンロードされるプロセスエリア4と、上記機器14に対する操作が行われるオペレーションエリア2とを、この順に間仕切り42,43を介して水平方向に並んだ状態に有する。 - 特許庁
To provide a process cartridge and an image forming apparatus that can suppress deterioration of image quality caused by passage of residual toner after transfer through a latent image formation area during latent image formation and minimize a potential quantity varying before a latent image carrier surface charged by a charging means reaches a development area.例文帳に追加
転写残トナーが潜像画像形成中に潜像形成領域を通過することによって生じる画質劣化を抑制するとともに、帯電手段により帯電された潜像担持体表面が現像領域に到達するまでに変化する電位量を最小にすることができるプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the surface area of a conductive part of solder is increased while suppressing the concentration of a stress to a solder part on the ball surface when a semiconductor chip is bonded to a substrate through a ball, and to provide its manufacturing process.例文帳に追加
ボールによって基板に半導体チップを接合する際にボール表面のハンダ部分に応力が集中するのを抑制すると共に、ハンダの導通部分の表面積を増加させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing process of an imprint roll for a double-width roll type nanoimprint apparatus for manufacturing, in the state enlarged to much larger area than an original edition, a structure having a minute pattern below the wave length (380 nm) of a visible light.例文帳に追加
可視光の波長(380nm)以下の微小パタンを有する構造体を、原版よりもはるかに大面積に拡大されている状態で製造する、広幅のロール式ナノインプリント装置用のインプリントロールの製造方法を提供する。 - 特許庁
When the contacts 35 are formed, in addition, the misalignment margin is increased in a photographic process for forming the contacts 35 by arranging the contacts 35 zigzag so that the contacts 35 may be deviated as much as possible to the outside of each active area.例文帳に追加
また、ストレージ電極用コンタクトを形成する時、各活性領域の外側にできるだけ最大限偏向するようにジグザグに配置することによって、ストレージ電極用コンタクト形成のための写真工程時にミスアラインマージンをふやす。 - 特許庁
In the same contaminant ions introducing process, a p-type semiconductor region 10 and a p-type field limiting ring 11 are collectively formed in a gate line area GLA while integrating them so as to be in contact with a groove 5, in which a gate lead out electrode 8 is formed.例文帳に追加
同一の不純物イオン導入工程にて、ゲート配線領域GLAでp^−型半導体領域10およびp^−型フィールドリミッティングリング11をゲート引き出し電極8の形成された溝5と接するように一括して、形成する。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|