「Less and Less」に関連した英語例文の一覧と使い方(720ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a detachable device that is less likely to generate contact failure due to poor positioning of a connector of an image forming apparatus body to a main body-side terminal even when a contact-type information storage device is installed to a detachable device that is detachably installed to an image forming apparatus body, as well as a developer container, and an image forming apparatus.例文帳に追加

画像形成装置本体に対して着脱可能に設置される着脱可能装置に、接触式の情報記憶装置を設置した場合であっても、画像形成装置本体のコネクタの本体側端子との位置決め不良による接触不良が生じにくい、着脱可能装置、現像剤容器、及び、画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a slow-acting coated fertilizer using efficiency a highly water-absorbing resin, with less generation of fine foreign particles derived from the resin, capable of obtaining a uniform coating film on the fertilizer and enabling the fertilizer ingredient to constantly run out at a normal temperature to a relatively low temperature in a short period particularly even at relatively low temperatures.例文帳に追加

高吸水性樹脂をロスなく使用して、高吸水性樹脂由来の微粒物の生成が少なく、かつ、水中に入れた時の浮遊物が少なく、均一な被膜を得ることができ、常温から低温、特に低温でコンスタントに短期間に肥料成分を溶出させることができる緩効性被覆肥料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The group III-V quantum dots are grown and formed on the group III-V compound semiconductor having the lattice constant in the lattice mismatching rate of 3% or less to the lattice constant of the group III-V quantum dots, by irradiating molecular beams of group V elements forming the group III-V dots under the condition of 10^-7Torr in terms of the number of digits.例文帳に追加

ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットの格子定数に対して３％以下の格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体上に、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを構成するＶ族元素の分子線を桁数にして１０^-7Ｔｏｒｒの条件において照射することによって、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを成長させて形成する。 - 特許庁

Erroneous detection by adoption of a differential pressure method can be restrained by adopting the deposit quantity determined by the other method as a result, by setting the deposit quantity by the differential pressure method as zero, by determining as a reliability low area without sufficiently producing differential pressure, when the particulate deposit quantity determined on the basis of the differential pressure before and behind a DPF is the limit value or less.例文帳に追加

DPF前後の差圧に基づいて求められるパティキュレート堆積量がリミット値以下であるときは、差圧が十分に出ず信頼性が低い領域であると判断して、差圧法による堆積量をゼロとし、結果的に他の方法によって求められる堆積量を採用するので、差圧法の採用による誤検知を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a multiply-bent type quadrupole time-of-flight mass spectrometer in which resolution can be improved, while taking the advantage of a feature that a quadrupole type is reduced in size, and the data acquisition time for a single measurement can be shortened to several milliseconds or less, regarding the multiply-bent type quadrupole time-of-flight mass spectrometer.例文帳に追加

本発明は、多屈曲型四重極飛行時間型質量分析装置に関し、四重極型が小型である特長も活かしつつ分解能も改善可能であり、測定１回のデータ取得時間を数ミリ秒或いはそれ以下に短縮できる多屈曲型四重極飛行時間型質量分析装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To obtain responses equal to or more than a predetermined number within a short time while avoiding congestion or collision caused by the responses by appropriately updating a response probability to suppress the number of responses equal to or less than an allowable value in a communication system wherein the response probability is transmitted to a plurality of terminals and each of the terminals reports terminal information in accordance with the response probability.例文帳に追加

複数の端末に応答確率を送信し、各端末は応答確率に応じて端末情報を報告する通信システムにおいて、応答確率を適切に更新して、応答数を許容値以下に抑制することで、応答による輻輳や衝突を回避しかつ短い時間で所定数以上の応答数を得る。 - 特許庁

The novolac type phenolic resin (b) is manufactured by reacting, substantially in the absence of a catalyst, an aldehyde (F_2) with a novolac type phenolic resin (a) obtained by reacting a trifunctional phenol (P) and an aldehyde (F_1) using an aqueous phosphoric acid solution containing not less than 0.2 mole of the phosphoric acid per 1 mole of the trifunctional phenol (P).例文帳に追加

３官能性フェノール類（Ｐ）とアルデヒド類（Ｆ_１）とを、前記３官能性フェノール類（Ｐ）１モルに対して、リン酸類０．２モル以上を含有するリン酸類水溶液を用いて反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂（ａ）に、さらに実質的に無触媒下でアルデヒド類（Ｆ_２）を反応させてなることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂（ｂ）。 - 特許庁

When the level change ΔF1 of a video signal level of a pixel to be processed after a prescribed pixel detected by a step S2 is less than a correction processing decided value TH2 as to pixels other than the pixels of the edge part, the strength of noise correction to respective pixels are increased in each pixel in a step S70 and fixed at a prescribed value L.例文帳に追加

一方、エッジ部以外の画素については、Ｓ２で検出した所定画素後に処理する画素の映像信号レベルのレベル変化ΔＦ_1 が、補正処理判定値ＴＨ_2 未満のときは、レベル変化ΔＦ_1 か補正処理判定値ＴＨ_2 未満のときは、Ｓ７０で各画素に対するノイズ補正の強さが、各画素毎に増加し、所定値Ｌで一定になるようにする。 - 特許庁

Drive frequencies of a plurality of inductors are changed periodically so that the period of a drive cycle multiplied by the prescribed integral number of times of the plurality of inductors having magnetic bodies built in a power factor improvement circuit 33, a step-up circuit 10, and an inverter circuit 11 may become almost the same as every prescribed cycle established at an audible cycle or less.例文帳に追加

力率改善回路３３、昇圧回路１０及びインバータ回路１１にそれぞれ内蔵される磁性体を有する複数のインダクタの駆動周期を所定の整数倍した期間が、可聴周期以下に設定された所定周期毎に略同じになるように複数のインダクタの駆動周波数を周期的に変化させるものである。 - 特許庁

The semiconductors are transferred from the first location to the second location with use of the first end effector 46 and, when empty individual support areas in the second location or the first location are less than the maximum number of support areas on the first end effector 46, the substrates are transferred from the first location to the second location with use of the second end effector 48.例文帳に追加

該半導体は該第１位置から該第２位置へと該第１エンドエフェクタ４６によって搬送され、該第２位置又は該第１位置における空の個別的支持領域が該第１エンドエフェクタ４６上の支持領域の該最大数よりも小さいときは、該第１位置から該第２位置へと該第２エンドエフェクタ４８を用いて基板を搬送する。 - 特許庁

Furthermore, rising of temperature inside the toner container is suppressed by controlling by a controller so that the time difference between time which is accumulated time of image forming action multiplied by a first weighing factor and the time which is accumulated time for action which is other than image forming action multiplied by a second weighing factor is equal to or less than a specified threshold value.例文帳に追加

また、コントローラによって、前記画像形成動作の累積時間に第１の重み係数を掛けた時間と前記画像形成動作以外の動作の累積時間に第２の重み係数を掛けた時間との時間差が所定閾値以下になるように制御することによって、トナー容器内の温度上昇を抑えるようにしている。 - 特許庁

This method for producing the fiber-enriched snacks comprises a process of introducing to a final product 1-30 wt.% of branched maltodextrin having 1→6 glucosidic bond of 15-35%, reducing sugar content of less than 10%, molecular weight Mw of 4,000-6,000 g/mol and mean molecular weight of 2,000-4,000 g/mol.例文帳に追加

１５乃至３５％の１→６グルコシド結合、１０％未満の還元糖含量、４０００乃至６０００g/molの分子量Ｍｗ、及び２０００乃至４０００g/molの数平均分子量を有する分枝状マルトデキストリンを、最終生成物に対して１乃至３０重量％導入する工程を含む製造方法を実行する。 - 特許庁

In the case of executing status request to a printer connected through a communication network interface (S301), a client computer measures the traffic quantity of data on the network, and at the time of judging that the traffic quantity is more than prescribed quantity in S302, requests the transmission of status data to the printer in S303 after reducing the traffic quantity to be less than the prescribed quantity.例文帳に追加

クライアントコンピュータは、通信ネットワークインタフェースを介して接続されたプリンタに対してステータス要求を実行する際（Ｓ３０１）、そのネットワーク上のデータのトラフィック量を測定し、Ｓ３０２にてトラフィック量が所定量より多いと判断した場合には、所定量より少なくなったときに、Ｓ３０３にて当該プリンタにステータスデータの送信を要求する。 - 特許庁

The recessed portions 16 formed by being cut corresponding to the shape of the bolt head are formed in a state of partially remaining the circumference of the through hole 15, and thus the recessed portions 16 can allow the bolt head to be rotated in the nut fastening direction or the nut unfastening direction at an angle of less than 180 degrees on the shaft center of the bolt shaft.例文帳に追加

ボルト頭部形状に対応させて切り欠くことにより形成する凹部１６が貫通孔１５の周りの一部を残すように切り欠いたものであって、凹部１６はボルト軸部の軸心を中心としてボルト頭部をナット締め付け方向またはナット緩め方向に１８０゜未満の角度で回転させることが可能である。 - 特許庁

In the semiconductor multilayer film comprising an Si single crystal substrate, and an Si_1-XGe_X (0<X≤1) film formed thereon, the Si_1-XGe_X film is preferably formed by magnetron sputtering method such that the surface defect density on the Si_1-XGe_X film becomes 10^4/cm^2 or less.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板と、このＳｉ単結晶基板上に形成されたＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜Ｘ≦１）膜とを具えた半導体積層膜において、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜の表面欠陥密度が１０^４／ｃｍ^２以下となるようにする。 - 特許庁

The transmission cable with a characteristic impedance of 75Ω or less is connected directly to the output terminal thereby, a current sending to the MOS transistor of the low output impedance of the output portion is consumed by an external resistance, and the heating of the solid imaging element is controlled because the switch is turned on only when an output signal is taken out.例文帳に追加

これにより、出力端子に特性インピーダンスが７５Ω以下である伝送ケーブルに直接接続できるとともに、出力部の低出力インピーダンスのＭＯＳトランジスタに流れる電流を外部の抵抗で消費させ、かつ、出力信号を取り出す時のみスイッチをオンさせるので固体撮像素子の発熱を抑制することができる。 - 特許庁

The joint forming method includes processes for setting an inclination angle of the joint lower edge part in a horizontal direction to an obtuse angle when finishing the decorative surface having a joint structure using a decorative paint material, and applying a finish coating material with a contact angle of a formed paint film to water being 70° or less, to at least the joint lower edge part.例文帳に追加

本発明の目地形成方法は、装飾塗材を用いて、目地構造を有する化粧面を仕上げる際に、水平方向の目地下縁部の傾斜角を鈍角にする工程、形成塗膜の水に対する接触角が７０度以下である上塗材を、少なくとも該目地下縁部に塗付する工程、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The anneal wafer discrimination method is a method to discriminate wafers treated under not less than 1000 °C in reducing atmosphere in which a defect density in 5 μm of the wafer surface layer is not greater than 300/cm^2 and an average scattered light intensity is not greater than 300 (a.u) when measuring with laser wavelength of 680 nm.例文帳に追加

本アニールウェーハの判別方法は、１０００℃以上の還元雰囲気で熱処理するアニールウェーハの判別方法であって、アニールする前のウェーハが、６８０ｎｍのレーザ波長による測定で、ウェーハ表層５μｍ中に観察される欠陥密度が３００個／ｃｍ^２以下であり、かつ、平均散乱光強度が３００（ａ．ｕ）以下である。 - 特許庁

The recording paper for inkjet of a form that supplies an ink-fixing agent onto the recording paper before printing has at least one layer of coated layer essentially comprising a pigment and a binder disposed on at least one surface of a sheet-like substrate, wherein a standard deviation of the Smooster air permeability is 6.0 or less when the number of samples is 21.例文帳に追加

印刷前にインク定着剤を記録紙に供給する形式のインクジェット用記録紙において、シート状基材の少なくとも片面に顔料とバインダーを主体とした塗工層を少なくとも一層以上設けた記録紙であり、スムースター透気度の標本数が２１での標準偏差が６．０以下であることを特徴とするインクジェット用記録紙。 - 特許庁

The long polarizing film of which the absorption axis of the polarizing film is neither parallel nor vertical to a longitudinal direction, the polarization degree is 80% or higher at 550 nm, the transmittance of each individual plate is 35% or more at 550 nm and further the surface roughness Ra of the polarizing film is 10 μm or less is provided.例文帳に追加

偏光膜の吸収軸が長手方向に平行でも垂直でもなく、偏光度が５５０ｎｍで８０％以上及び単板透過率が５５０ｎｍで３５％以上であり、且つ偏光膜の表面粗さＲａが１０μm以下であるか又は偏光膜の表面粗さＲａが１０μm以下である長尺の偏光膜。 - 特許庁

After forming a silver image at least on the one surface of a supporting body, a plating treatment is conducted on the silver image in a first plating bath in which a dissolved oxygen density in the electroless copper plating liquid is 4 ppm or more, and thereafter, a plating treatment is conducted in a second plating bath in which the dissolved oxygen density in the electroless copper plating liquid is less than 4 ppm.例文帳に追加

支持体上の少なくとも一方の面に銀画像を形成させた後、該銀画像に無電解銅めっき液中の溶存酸素濃度が４ｐｐｍ以上である第一めっき浴にてめっき処理を施し、その後無電解銅めっき液中の溶存酸素濃度が４ｐｐｍ未満である第二めっき浴にてめっき処理を施す。 - 特許庁

A plurality of times of concentration measurement are performed from a period during which pressure in a purge device is rising due to generation of fuel vapor after stop of operation of an engine 1, stable concentration period during which change of fuel vapor concentration get to reference value or less is defined based on results of the plurality of times of concentration measurement, and leakage diagnosis is performed during the stable concentration period.例文帳に追加

エンジン１の運転が停止された後であって、燃料蒸気の発生によりパージ装置内の圧力が上昇している時期から、複数回の濃度計測を実行し、その複数回の濃度計測結果に基づいて、燃料蒸気濃度の変化が基準値以下となる濃度安定時期を求め、この濃度安定時期に、漏れ診断を実施する。 - 特許庁

A modified diene rubber is obtained by modifying a diene rubber having not less than 80% repeating units of a cis-1,4-structure, a Mooney viscosity (ML1+4, 100°C) of 20-80 and, a weight-average molecular weight, measured by gel permeation chromatography, of 200,000-1,000,000 with an aliphatic hydrocarbon having two amino groups.例文帳に追加

繰り返し単位の８０％以上がシス−１，４構造で、ムーニー粘度（ＭＬ_1+4,１００℃）が２０〜８０の範囲にあり、かつゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した重量平均分子量が２０００００〜１００００００の範囲にあるジエン系ゴムが、アミノ基を二個有する脂肪族炭化水素によって変性されていることを特徴とする変性ジエン系ゴム。 - 特許庁

The packaging bag for keeping freshness of a mango fruit is made of a polymer film, wherein the moisture vapor permeability of the packaging bag for keeping freshness of the mango fruit is 80 g/(m^2 day)(40°C, 90%RH) or less, and the oxygen permeability P is 120 cc/(100 g day atm) or more, when the mango fruit is stored.例文帳に追加

高分子フィルムからなるマンゴー類の鮮度保持用包装袋であって、マンゴー類保存時の該鮮度保持用包装袋の透湿度が８０ｇ／ｍ^2・ｄａｙ（４０℃、９０％ＲＨ）以下であり、酸素透過量Ｐが１２０ｃｃ／１００ｇ・ｄａｙ・ａｔｍ以上であることを特徴とするマンゴー類の鮮度保持用包装袋である。 - 特許庁

In an intermediate process where the water content in the laundry is reduced by a prescribed amount by the initial drying process, the laundry is dried till a substantially dried state by defining a second drying temperature lower than the limit temperature, at which the laundry is subjected to the thermal damage, as the air blowing temperature and by defining a second air volume equal to or less than the first air volume.例文帳に追加

中間乾燥工程は、初期乾燥工程により洗濯物中の水分が一定量減少した段階で洗濯物が熱損傷を受ける限界温度よりも低い第２の乾燥温度とし、第１風量と同じかそれ以下の第２風量として該洗濯物が実質的に乾燥状態となるまで乾燥する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 9, a first layer 8 comprised of a group III nitride is formed by a sputtering method, and upon forming a second layer 7 comprising a group III nitride, on the first layer 8 by an MOCVD method, the first layer 8 is formed under the condition that the arrival degree of vacuum in a chamber of a sputtering apparatus is 3.5×10^-5 Pa or less.例文帳に追加

サファイア基板９上に、スパッタ法によってＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を成膜し、該第１の層８の上に、ＭＯＣＶＤ法によってＩＩＩ族窒化物からなる第２の層７を成膜する際に、第１の層８を、スパッタ装置のチャンバの到達真空度が３．５×１０^−５Ｐａ以下の条件で成膜する。 - 特許庁

A mobile communication system permits the mobile phone 2 located at a position with a reference altitude or over to acquire a base station 3 whose distance from the mobile phone 2 is less than a reference distance to be a communication base station and inhibits the mobile phone 2 to acquire a base station 3 whose distance from the mobile phone 2 is a reference distance or more to be the communication base station.例文帳に追加

携帯電話機２は、基準高度以上の位置に存在していると、携帯電話機２からの距離が基準距離未満にある基地局３を通信基地局として捕捉する旨を許可すると共に、携帯電話機２からの距離が基準距離以上にある基地局３を通信基地局として捕捉する旨を禁止する。 - 特許庁

By this, excessive or too less control oil pressure due to the anomaly of the input shaft rotational frequency sensor 19 for detecting an input shaft rotational frequency Nt or the output shaft rotational frequency sensor 21 for detecting an output shaft rotational frequency No during shifting by the automatic transmission 1 is prevented, for satisfactorily causing oil pressure control to continue and suppress shifting shocks to be suppressed.例文帳に追加

これにより、自動変速機１による変速中に入力軸回転数Ｎｔを検出する入力軸回転数センサ１９または出力軸回転数Ｎｏを検出する出力軸回転数センサ２１の異常による制御油圧の過大または過少が防止され、油圧制御を好適に継続させ変速ショックを抑制することができる。 - 特許庁

When a specific color mode in which an image is formed only with a specific color is selected, the switching means 72 is controlled to switch a state to the first state when a surface friction coefficient of the intermediate transfer body 8 is equal to or less than a predetermined threshold, and to the second state when the surface friction coefficient of the intermediate transfer body 8 is greater than the predetermined threshold.例文帳に追加

そして、特定色のみによって画像形成をおこなう特定色モードが選択されている場合に、中間転写体８の表面摩擦係数が所定の閾値以下になるときには第１の状態になり、中間転写体８の表面摩擦係数が所定の閾値を超えるときには第２の状態になるように、切替手段７２を制御する。 - 特許庁

In a laminated material wherein an anchor coat layer 2, a deposited thin film layer 3 composed of an inorganic oxide and a gas-barrier coating layer 4 are laminated in turn at least on one face of a base material film 1 composed of a polyamide resin, a surface roughness Rz (ten points average roughness) of a laminated face side of the base material 1 is 0.25 μm or less.例文帳に追加

ポリアミド系樹脂からなるな基材フイルム１の少なくとも一方の面に、アンカーコート層２、無機酸化物からなる蒸着薄膜層３、ガスバリア性被覆層４を順次積層した積層体において、該基材フイルム１の積層面側の表面粗さＲｚ（十点平均粗さ）が０．２５μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the exhaust emission control device 101 capable of PM regenerating DPFs 14a, 14b by removing collected particulate matter (PM), an ECU 50 calculates a remaining deposition amount of the PM collected by the DPFs 14a, 14b during PM regeneration, and determines whether the calculated remaining deposition amount is equal to or less than a first reference amount α.例文帳に追加

捕集した粒子状物質（ＰＭ）を除去することによりＤＰＦ１４ａ，１４ｂをＰＭ再生することが可能な排気ガス浄化装置１０１において、ＥＣＵ５０は、ＰＭ再生時にＤＰＦ１４ａ及び１４ｂに捕集されたＰＭの残存堆積量を算出し、算出した残存堆積量が第一基準量α以下であるかを判定する。 - 特許庁

Since polyether ether ketone is used as a resin base material of the diaphragm and an object to be molded can be molded at a very low temperature, i.e. not less than 145°C; a charge preventing agent is not thermally decomposed in molding the diaphragm, the charge preventive agent hardly adheres to a die for molding the diaphragm, thus, the die for molding the diaphragm can be prevented from being contaminated.例文帳に追加

振動板の樹脂素材としてポリエーテルエーテルケトンを用い、極めて低い温度、即ち、約１４５℃以上の低温で被成形物を成形できるので、振動板の成形時に、帯電防止剤等が熱分解せず、その帯電防止剤等が振動板成形用の金型に付着することは少く、振動板成形用の金型は汚れ難い。 - 特許庁

The automatic ticket examination machine is constituted of a reading means recorded in an SF card, an extracting means extracting an amount recorded in the SF card from data which is read and an entrance permitting means permitting entrance/exit into/from a limited express platform when the extracted amount is not less than a prescribed amount with which a person can enter into/exit from the limited express platform.例文帳に追加

ＳＦカードに記録されている読取手段と、読取られたデータ中から前記ＳＦカードに記録されている金額を抽出する抽出手段と、抽出された金額が特急列車線ホームに入出場できる所定の金額以上のときに、その特急列車線ホームへの入出場を許可する入場許可手段とからなる。 - 特許庁

The resistor 122 is connected to the semiconductor light emitting element 121 in parallel, and the resistance value of the resistor 122 is set to a such value that a current flowing to the resistor 122 when a light emitting operation voltage for making the semiconductor light emitting element 121 emit light is applied to the semiconductor light emitting element 121 is 1/50 or less of a current flowing to the semiconductor light emitting element 121.例文帳に追加

抵抗１２２は、半導体発光素子１２１に並列に接続され、抵抗１２２の抵抗値は、半導体発光素子１２１を発光させる発光動作電圧を半導体発光素子１２１に印加したときに、抵抗１２２に流れる電流が半導体発光素子１２１に流れる電流の５０分の１以下となる値に設定されている。 - 特許庁

This database search system is provided with a search formula division part 32, which divides a search formula to create a plurality of divided search formulas processed in a fixed or less response time by specification of a search area, and an execution control part 33 feeding the search formulas divided by the search formula division part 32 sequentially to a search execution part for execution of search.例文帳に追加

検索式を分割して、検索範囲を特定することによって一定以下の応答時間で処理される複数の分割後検索式を作成する検索式分割部３２と、検索式分割部３２によって分割された検索式を逐次的に検索実行部に送り検索を実行させる実行制御部３３とを備える。 - 特許庁

To provide an improved hydraulic line for an automobile which has sufficient bursting strength up to 130°C, as small volume change as possible in a temperature range from -40 to 130°C, water intrusion from the outside to a hydraulic oil of less than 2 to 3%, no decomposition reaction by the hydraulic oil, high-temperature stability and low-temperature impact strength at -40°C.例文帳に追加

１３０℃までの破裂強度が十分、−４０℃から１３０℃までの温度範囲における体積変化が可能な限り小さい、外側からの油圧油への水の浸透が２−３％未満、油圧油による分解反応なし、高温安定性および−４０℃に対する低温衝撃強さを有する改良された自動車用油圧ラインを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the functionally gradient material, in which the volume fraction of fine precipitate particles or the GP zones diagonally varies in every position, comprises dissolving an A-B alloy, forming a concentration gradient in a range of equal to or less than the maximum dissolving quantity of the B element into the A element, by applying a centrifugal force on it during melting, and using heat treatment together.例文帳に追加

Ａ−Ｂ合金を溶解し、溶解中に遠心力を印加することによりＢ元素のＡ元素への最大固溶量以内の範囲内で濃度勾配を生じせしめ、熱処理とを組み合わることにより微細析出粒子あるいはＧＰゾーンの体積分率が位置ごとに傾斜的に変化している傾斜材料を製造する。 - 特許庁

A semiconductor chip 2 is sucked and held by a collet 7A wherein a plurality of suction holes 7b of about 1mm or less in diameter are formed in a suction part 7a having almost the same area as the semiconductor chip 2, or a collet 7B wherein the suction part 7a is entirely made of porous material 7c, e.g. ceramic-based material or synthetic resin or the like.例文帳に追加

半導体チップ２とほぼ同程度の面積を有する吸着部７ａに直径が約１ｍｍ以下の複数の吸着穴７ｂが設けられたコレット７Ａ、または吸着部７ａの全面が多孔質材７ｃ、たとえばセラミック系材料または合成樹脂などによって構成されたコレット７Ｂによって、半導体チップ２を吸着、保持する。 - 特許庁

When the initial copper concentration in the aqueous solution of lithium bromide is 240 ppm or less, the aqueous solution of hydrogen peroxide is added so that the equivalent weight of hydrogen peroxide to the contained copper is 0.5 or more, and when the initial copper concentration is 240 ppm or more, the aqueous solution of hydrogen peroxide is added so that the equivalent weight of hydrogen peroxide to the contained copper is 1 or more.例文帳に追加

前記過酸化水素水溶液は、臭気リチウム水溶液中の初期銅分濃度が２４０ｐｐｍ以下のときは、含有する銅分に対して過酸化水素を０．５当量以上となる量で添加し、初期銅分濃度が２４０ｐｐｍ以上のときは、含有する銅分に対して過酸化水素を１当量以上となる量で添加する。 - 特許庁

Twisting angle of the burner ports 31 is set so that input quantity per a unit area to be obtained by dividing a rated input quantity of a burner with a total area of the peripheral surface of the virtual flame pillar Fa and the virtual flame surface Fb becomes large as much as possible in a range wherein concentration of carbon monoxide contained in the combustion exhaust is restricted to an allowable upper limit concentration or less.例文帳に追加

仮想火炎柱Ｆａの外周面と仮想火炎面Ｆｂとの合計面積でバーナの定格インプット量を除して求められる単位面積当りインプット量が、燃焼排気中の一酸化炭素濃度を所定の許容上限濃度以下に抑えられる範囲で可及的に大きくなるように、炎孔３１の振り角を設定する。 - 特許庁

A first shutdown gas feeding means 22 for feeding the humidified gas which is passed through the humidifier 19 at a flow rate which is more than at idling time to the fuel cell 1, and a second shutdown gas feeding means 22 for feeding the non-humidified gas bypassing the humidifier 19 at a flow rate which is less than that of the humidified gas to the fuel cell 1, are provided.例文帳に追加

加湿器１９を通過した加湿ガスをアイドル時よりも多い流量で前記燃料電池１に供給する第１の停止ガス供給手段２２と、加湿器１９をバイパスした非加湿ガスを前記加湿ガスよりも少ない流量で前記燃料電池１に供給する第２の停止ガス供給手段２２とを備えている。 - 特許庁

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁

The decorative glass article for building 10 is composed of a glass sintered compact in which glass tubes 10b consisting of glass having the amount of alkali elution based on JIS R-3502 of 0.3 mg or less are welded together, and has a wavelike uneven pattern 10c with a height difference originated from the shapes of glass tubes 10b of 1.0 mm or more on a design surface 10a.例文帳に追加

本発明の建築用装飾ガラス物品１０は、ＪＩＳ Ｒ−３５０２に基づくアルカリ溶出量が０．３ｍｇ以下であるガラスからなるガラス管１０ｂが互いに熔着したガラス焼結体よりなり、意匠面１０ａにガラス管１０ｂの形状に起因する高低差が１．０ｍｍ以上の波型凹凸模様１０ｃを有する。 - 特許庁

Grinding is executed by using a resin bond grinding wheel using abrasive grains of which the ratio of including diamond abrasive grains is 25-45% (55-75% in DLC ratio), and/or the X-ray diffraction intensity of diamond {311} crystal face of abrasive grain powder is 4,900-6,250 count under the condition of 70% or less of abrasive grains smoothing ratio.例文帳に追加

砥粒のダイヤモンドを含む比率が２５％〜４５％（ＤＬＣ比率では５５％〜７５％）およびまたは砥粒粉のダイヤモンド｛３１１｝結晶面のＸ線回折強度が４９００カンウト〜６２５０カンウトである砥粒を用いたレジンボンド砥石とそれを用いて砥粒の平滑化率が７０％以下となる条件で研削する。 - 特許庁

To provide an optical disk mounting mechanism of an optical disk device capable of stabilizing the write-in or read-out of data with respect to the optical disk with less surface wobbling of the optical disk at a low cost by figuring for improving the verticality of the optical disk mounting surface to a rotary shaft of a motor with the simple structure and the simple process.例文帳に追加

簡単な構成及び簡単な工程で、モータ回転軸に対する光ディスク装着面の垂直度を向上させる面出しを行い、もって低コストで光ディスク面振れが少なく光ディスクに対するデータ書き込み又は読み取りの安定化を図ることが可能な光ディスク装置の光ディスク装着機構を提供する。 - 特許庁