s Pitとは 意味・読み方・使い方

The slurry S is produced in a mud-producing device 12 installed near a pit mouth of a tunnel 10 to be constructed.例文帳に追加

スラリーＳは、構築するトンネル１０の抗口近傍に作泥装置１２を設置して、ここで作製される。 - 特許庁

This synchronous mark S has a type different (identified) from a pit formed corresponding to the recording of data in the pregrooove 2.例文帳に追加

この同期マークＳは、プリグルーブ２内にデータの記録に対応して形成されるピットとは異なる（識別できる）形態とされる。 - 特許庁

The earth and sand pit 14 is used for temporarily storing the excavated earth and sand S to be accumulated, and it is provided inside a soundproof house 18.例文帳に追加

土砂ピット１４は、掘削土砂Ｓを堆積して一時的に収容するものであって、防音ハウス１８内に設けられている。 - 特許庁

When scums S stored with water in a scum pit 4 are discharged to other place such as a sludge treatment factory by using a pump P_1, water in the scum pit 4 is absorbed, and a pump P_2 under water is disposed for ejecting absorbed water from the under water in the scum pit 4 toward water surface to make the mixture of scum S and water.例文帳に追加

スカムピット４内に水と一緒に収容されているスカムＳをポンプＰ_1を用いて汚泥処理工場等の他の場所に排出する際、そのスカムピット４内の水を吸引し、その吸引した水をそのスカムピット４の水中から水面に向けて噴出させる水中ポンプＰ_2を設けて、スカムＳと水との混合物を作ることを特徴とする。 - 特許庁

After writing starts, S/H 204 samples the output signal WRF' of an LPF 203 at specific time intervals corresponding to a specific pulse width part of recording data RD to find the pit level LVP.例文帳に追加

Ｓ／Ｈ２０４では、書き込み開始後、所定の時間間隔をもって、ＬＰＦ２０３の出力信号ＷＲＦ′を、記録データＲＤの所定のパルス幅部分に対応してサンプリングして、ピットレベルＬＶＰを求める。 - 特許庁

The upward spraying of the cleaning flow P from the nozzle 30 and the clearance S formed between the inside surface of the pit H and the tip of the nozzle 30 facilitate detachment and removal of dirt D.例文帳に追加

このように、噴射ノズル３０から脈動洗浄流Ｐが上向きに噴射され、袋穴Ｈの内面と噴射ノズル３０の先端部との間に隙間Ｓが形成されているので、汚れＤが脱落しやすくかつ除去しやすくなる。 - 特許庁

To provide an optical reproducing method and an optical reproducing device, by which the information is reproduced with a high S/N from an optical recording medium including a minute mark or a pit in the reproduction limit or smaller.例文帳に追加

再生限界以下の微小なマーク又はピットを含む光記録媒体から高い信号対雑音比で情報を再生することのできる光再生方法および光再生装置を提供する。 - 特許庁

On the assumption that a fist group III nitride compound semiconductor layer 31 having a pit P is formed by any small region S (a), a wafer temperature is lowered, the quantity of sources to be supplied is switched, and a second group III nitride compound semiconductor layer 4 of high aluminum composition is formed.例文帳に追加

何等かの小領域Ｓが原因となり、ピットＰを有する第１のIII族窒化物系化合物半導体層３１が形成されているとする（ａ）。 - 特許庁