thinnerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 3655件
A two element mixed crystal underlying layer 12 of silicon/ germanium having a thickness not thinner than that of one atomic layer is formed on a silicon substrate 11, a three element mixed crystal layer 13 of silicon/germanium/carbon is formed thereon and a three element mixed crystal film of silicon/germanium/carbon is formed utilizing preferential bonding of silicon atom and carbon atom and substitution of germanium atom and carbon atom.例文帳に追加
シリコン基板11上に、少なくとも1原子層分の厚さを有するシリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層12を形成し、この下地層12上に、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層13を形成し、シリコン原子とカーボン原子との優先結合及びゲルマニウム原子とカーボン原子との置換を利用することにより、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を作製する。 - 特許庁
The nitride semiconductor laser element has a nitride semiconductor layer including a first nitride semiconductor layer, and an active layer, a second nitride semiconductor layer; and a protective film in contact with a cavity end face of the nitride semiconductor layer, wherein the protective film in contact with at least the active layer of the cavity end face has a region thinner than the maximum thickness of the first protective film.例文帳に追加
第1窒化物半導体層、活性層、第2窒化物半導体層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層の共振器面に接触する保護膜とを有する窒化物半導体レーザ素子であって、少なくとも共振器面の活性層に接触する保護膜が、前記保護膜の最大膜厚よりも薄い領域を有する窒化物半導体レーザ素子。 - 特許庁
To allow an indoor unit body to be thinner and smaller in the case of making the indoor unit body as thin as possible by disposing, for example, small laminated heat exchangers having high heat exchanging efficiency on right and left sides of a centrifugal fan and blowing air sucked from a front face side center part forward from air blowout ports on right and left sides.例文帳に追加
例えば小型で熱交換効率の高い積層型の熱交換器を遠心ファンの左右に配置し、前面側中央部から吸込んだ空気を左右両側の空気吹出口から前方に吹き出すようにすることによって、可能な限り室内機本体の薄型化を図るようにした場合において、さらなる室内機本体の薄型化とコンパクト化を可能とする。 - 特許庁
To make a semiconductor device smaller/thinner by detour-wiring without heightening the height of a neck of each bonding wire, even when at least a plurality of first bonding points (pads) are arrayed in one straight line, and there is the possibility that the bonding wires for bonding these first bonding points and second bonding points (leads) are brought into contact with adjacent wires.例文帳に追加
少なくとも複数個の第1ボンディング点(パッド)が直線上に一列に並んで配置され、これら第1ボンディング点と第2ボンディング点(リード)との間を結ぶボンディングワイヤが隣り合うワイヤ同士で接触するおそれがあるような場合でも、各ボンディングワイヤのネック部高さを高くすることなしに迂回配線することができ、半導体装置の小型化・薄型化を図る。 - 特許庁
In the transparent laminated film, a metal oxide film containing an organic component and a silver based film containing silver (Ag) as a main component and bismuth (Bi) are laminated on at least one side of a transparent polymer film, and a metal oxide film which is thinner than the metal oxide film containing the organic component is formed on at least one side of the silver based film.例文帳に追加
透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、有機分を含有する金属酸化物薄膜と、銀(Ag)を主成分とし、ビスマス(Bi)を含有する銀系薄膜とが積層されており、銀系薄膜の少なくとも一方面には、有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜が形成されている透明積層フィルムとする。 - 特許庁
A semiconductor device 1 is equipped with a first gate insulating film 7 and a second gate insulating film 34 on the same substrate 4, where a first polycrystalline silicon gate electrode 20 is formed on the first gate insulating film 7, the second gate insulating film 34 is thinner than the first gate insulating film 7 and set larger in electric capacity per unit area.例文帳に追加
同一基板4上に少なくとも第1ゲート絶縁膜7及び第2ゲート絶縁膜34を有する半導体装置1において、前記第1ゲート絶縁膜7上に多結晶シリコンからなる第1ゲート電極20が形成され、前記第2ゲート絶縁膜34は前記第1ゲート絶縁膜7よりも薄く、単位面積あたりの電気容量が大きく形成されている。 - 特許庁
To provide a method for producing a semiconductor device, and the semiconductor device in which high strain relaxation rate is attained even in a strained SiGe film having thickness equal to or thinner than critical film thickness and high Ge concentration formed on a semiconductor substrate, through dislocation density is reduced, undulation of a second SiGe film surface formed on it is inhibited and smoothness can be enhanced.例文帳に追加
半導体基板上に形成された高濃度のGe濃度を有する臨界膜厚以下の歪SiGe膜においても高い歪緩和度を達成し、貫通転位密度を低減し、その上に形成される第2のSiGe膜表面のうねりを抑制し、平滑性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供。 - 特許庁
In a printed circuit board 1 in which the semiconductor element 3 with lead terminals 16 is mounted on the surface of the printed wiring board 2 having a wiring pattern on its surface, a buffer substrate 4 having a thickness thinner than that of the printed wiring board 2 absorbs the strains of the wiring board 2 and semiconductor element 3 in between the board 2 and the element 3.例文帳に追加
配線パターンが形成されたプリント配線基板2上にリード端子16付き半導体素子3が表面実装されるプリント回路板1において、プリント配線基板2と半導体素子3との間に、プリント配線基板2の厚さよりも薄い厚さを有するプリント配線基板2と半導体素子3との歪みを吸収する緩衝基板4が介在されている。 - 特許庁
To provide a composite substrate capable of making thinner a dense electrolyte layer and enhancing characteristics of a solid oxide fuel cell, a manufacturing method of the composite substrate, a solid oxide fuel battery cell formed by using the composite substrate, a solid oxide fuel cell, and a manufacturing method of the solid oxide fuel cell.例文帳に追加
緻密電解質層を薄く形成することができるとともに固体酸化物形燃料電池の特性も向上させることができる複合基板、その複合基板の製造方法、その複合基板を用いて形成された固体酸化物形燃料電池セル、固体酸化物形燃料電池およびその固体酸化物形燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁
The image forming apparatus 10 includes a moisture supplying part 48 supplying moisture onto a magnetic drum 12, and a CPU 60 controlling the moisture supplying part 48 to supply moisture onto the magnetic drum 12, when the film thickness on the magnetic drum 12 of a developing liquid supplied onto the magnetic drum 12 by a developing device 16 is thinner than the predetermined thickness.例文帳に追加
画像形成装置10が、磁気ドラム12上に水分を供給する水分供給部48と、現像装置16により磁気ドラム12上に供給された現像液の磁気ドラム12上における膜厚が予め定められた膜厚以下のときに磁気ドラム12上に水分を供給するように水分供給部48を制御するCPU60と、を備える。 - 特許庁
To provide a paste composition not deteriorating mechanical strength nor adhesiveness of electrodes even if a silicon semiconductor board is made thinner, capable of substantially attaining a desired BSF effect, and capable of restraining deformation (warping) of the silicon semiconductor board after baking, as well as an electrode formed with the use of the composition and a solar battery element equipped with the electrode.例文帳に追加
シリコン半導体基板を薄くした場合でも、電極の機械的強度と密着性を低下させることがなく、所望のBSF効果を十分達成することができ、かつ焼成後のシリコン半導体基板の変形(反り)を抑制することが可能なペースト組成物、その組成物を用いて形成された電極、および、その電極を備えた太陽電池素子を提供することである。 - 特許庁
To avoid undesirable adhesion of underfill resin to a part except for a prescribed part even if thickness of a first semiconductor chip is 150μm or thinner and to improve efficiency and reliability of a process in a semiconductor device in which second and subsequent semiconductor chips are sequentially mounted on a first semiconductor chip which is bump-connected to a circuit board.例文帳に追加
回路基板にバンプ接続される第1の半導体チップ上に第2ないしそれ以降の半導体チップを順次積載して成る半導体装置に関し、第1の半導体チップの厚さが150μm ないしそれ以下の範囲においても、所定の部位以外に対するアンダーフィル樹脂の好ましくない付着を回避可能とし、工程の能率ならびに信頼性を向上することを目的とする。 - 特許庁
To provide a golf club head and its manufacturing method, in which weight is easily distributed on a complicatedly curved surface or an angle by using a weight distributing material, the surface area to distribute the weight can be increased with a thinner weight distributing material, and the weight distributing material is widely utilized for weight adjustment and decoration.例文帳に追加
複雑な曲面または曲り角の位置においても容易に重量配分材を用いて重量の配分ができ、且つより薄い厚さの重量配分材にて重量を配分する表面積を増加可能であると共に、重量配分材を融通性を有して広範に活用運用して重量調整と装飾を施し得るゴルフクラブヘッド及びその製法を提供する。 - 特許庁
This rear projection type display device is structured so that an angle between a reflection mirror 4 and a diffusion screen 5 approaches to be in parallel as a cabinet 6 for housing an optical system is being decreased in the depth, and allowed to be easily made thinner by only pushing the display in the direction of making the front frame 61 approach to the rear frame 62 and reducing the depth of the device.例文帳に追加
光学系を収容するキャビネット6の奥行を小さくするのにともなって、反射ミラー4と拡散スクリーン5とのなす角度が平行に近づくように変位する構成とし、表示装置外側から前面フレーム61と背面フレーム62とを近づける方向に押し込むだけで、容易に表示装置の奥行を短くして薄型化することが可能となる。 - 特許庁
Power saving is carried out by controlling current conduction of the cord since electricity flowing in an extension cord is turned on or off by a switch connected with a magnet type switch using a magnet such as a relay and a magnet switch through a different circuit wire thinner than the extension cord and mounted on the socket while the magnet type switch using a magnet such as the relay and the magnet switch is mounted on the plug.例文帳に追加
延長コ−ドのコ−ドの部分に流れている電気を、さし込み部分に、リレ−、マグネットスイッチなどの磁石を使ったマグネット式のスイッチを取り付け、延長コ−ドより細い別の回路線で、リレ−、マグネットスイッチなどの磁石を使ったマグネット式のスイッチとつながれた、コンセント部分に取りつけたスイッチの入り切りにより、コ−ドの通電を操作する事により、省電力化を行なう。 - 特許庁
The optical fiber 1 consisting of a core 1a and a clad 1b is coated by a reinforcing film 2 which is formed of the UV curing resin cured by allowing the transmission of the UV rays of the wavelength used for writing of the grating and absorbing the UV rays of the wavelength shorter or longer than the wavelength used for writing of the grating and is thinner in thickness than 37.5 μm.例文帳に追加
グレーティングの書き込みに使用される波長の紫外線を透過すると共に、グレーティングの書き込みに使用される波長より短い波長又は長い波長の紫外線を吸収して硬化する紫外線硬化型樹脂により形成された厚さが37.5μmより薄い補強被膜2によって、コア1aとクラッド1bとからなる光ファイバ素線1を被覆する。 - 特許庁
A tongue type instrument of which the lens adhesion portion is thinner than a finger and which is formed from a material having frictional force against a lens material and having flexibility, can be used from both sides, and has a stopper for preventing the breakage of lenses on the inside of grip portions so as to perform removal operation of the soft contact lens simply, safely and sanitarily.例文帳に追加
レンズ接着部分が指より細く、レンズ素材に対する摩擦力を有し柔軟性のあるある素材で作られたトング型の器具であって、両面どちらからも使え、且つグリップ部分の内側にレンズ破損を防止するストッパーのある器具を提供することによって、ソフトコンタクトレンズの取り外し作業を簡便に安全に且つ衛生的に行えるようにする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a roller for OA equipment, a method which improves heat conductivity by making thinner the thickness of a surface layer made of a fluororesin layer, which excels in mold releasability as well as prevents deterioration of a rubber layer, and which has no sticking of foreign objects on the inner face of a cylindrical mold if it is used, and also to provide a roller for OA equipment.例文帳に追加
フッ素樹脂層からなる表層の厚みを薄くして熱伝導性の向上を図ることができ、更に離型性にも優れ、しかも、ゴム層の劣化を防止することができると共に円筒状金型を用いた場合であっても円筒状金型の内面に異物が付着することのないOA機器用ローラーの製造方法及びOA機器用ローラーを提供することを課題とする。 - 特許庁
The secondary coated optical fiber is at least equipped with an optical fiber, a first and a second covering layer for covering this optical fiber, and an overcoat layer for further covering these first and second covering layers, and is characterized in that it is provided with a suppressing layer having a layer thickness t thinner than that of the overcoat layer on the outer side face of the overcoat layer.例文帳に追加
本発明の光ファイバ心線は、光ファイバと、この光ファイバを被覆する第1及び第2の被覆層と、この第1及び第2の被覆層を更に被覆するオーバーコート層を少なくとも備える光ファイバ心線であって、オーバーコート層の外側面にこのオーバーコート層の層厚よりも薄い層厚tを有する抑圧層を備えることを特徴とする。 - 特許庁
A thin type lithium ion secondary cell having a high output property of a 5-volt class and easy to be made in a thinner film, can be achieved by manufacturing through application and calcination of coating liquid including lithium ion, manganese ion, nickel ion or cobalt ion, with a composition ratio of (1+y):(2-x-y):x on a current collector body having gold or gold base alloy on the outermost face.例文帳に追加
最表面に金または金基合金を有してなる集電体上に、リチウムイオン、マンガンイオン、ニッケルイオンまたはコバルトイオンを(1+y):(2−x−y):xの組成比で含有する塗工液を、該集電体上に塗布・焼成処理して作製することにより、5ボルト級の高出力特性を有しかつ薄膜化が容易な薄型リチウムイオン二次電池を実現することができる。 - 特許庁
Further, since the wire formed on the sacrifice layer is formed of a same conductive layer with an upper driving electrode of a movable electrode, it becomes thinner, but since the new wire is formed on a structural layer having a round-shaped step covered by a CVD film and since a film thickness is formed in 200 nm to 1 μm, the wire thinning and wire breakage or the like are prevented furthermore.例文帳に追加
また、犠牲層上に形成された配線は、可動電極である上部駆動電極と同一の導電膜で形成される為、薄膜化されているが、上述した新たな配線は、CVD膜によって丸みを帯びた段差を有する構造層上に形成され、かつその膜厚は、200nm〜1μmで形成されるため、配線細りや配線の断切れ等をさらに防ぐことができる。 - 特許庁
The semiconductor device has: a lead frame 70 formed by using materials including at least one atom from those with atomic numbers 1 through 13; a silicon substrate 11 that is provided on this lead frame 70 and has a film thickness thinner than the largest range of a particle 30 caused by a nuclear reaction between the fast neutron 20 and silicon; and a semiconductor element 14 formed on the surface of the silicon substrate 11.例文帳に追加
半導体装置は、原子番号が1から13までの原子のうち少なくとも1つの原子を含む材料で形成されたリードフレーム70と、このリードフレーム70上に設けられ、高速中性子20とシリコンとの核反応により発生する粒子30の最大飛程よりも薄い膜厚を有するシリコン基板11と、このシリコン基板11の表面に形成された半導体素子14とを具備する。 - 特許庁
To realize thinner apparatus, in a disk storage apparatus combining a lump load system and negative pressure system by stabilizing amount of float of slider through generation of sufficient negative pressure during the operation and by preventing the contact with disk, during unloading condition, through improvement of stabilization of floating attitude of the slider due to control of negative pressure and also conducting the unload operation in the minimum lump height.例文帳に追加
ランプロード方式と負圧式スライダとを組み合わせたディスク記憶装置において、動作時には十分な負圧を発生させてスライダの浮上量を安定化させて、アンロード時には負圧の抑制によりスライダの浮上姿勢の不安定化を改善してディスクに接触するような事態を防止すると共に、必要最小限のランプ高さでアンロード動作を行うことにより装置の薄型化を実現できる。 - 特許庁
In the solid state image sensor where a plurality of light receiving portions 12 are arranged in two-dimensional array in the light receiving region of a semiconductor substrate and a top microlens 19 is placed above each light receiving portion 12 in correspondence therewith, the top microlens 19 provided on the periphery of the light receiving region is made thinner than the top microlens 19 provided in the center of the light receiving region.例文帳に追加
半導体基板の受光領域に複数の受光部12が2次元アレイ状に配列形成されると共に各受光部12の上にトップマイクロレンズ19が各受光部12対応に積層される固体撮像素子において、受光領域の中央部に設けられるトップマイクロレンズ19の厚さに対して受光領域の周辺部に設けられるトップマイクロレンズ19の厚さを薄くする。 - 特許庁
To provide a power generation film having a high output density even at a low temperature of approx, 800°C, a method of manufacturing the power generation films at low cost by simplified processes, and a solid oxide fuel cell using this power generation film by making the electrolyte film thinner without damage such as peels and cracks or faults such as trapping of air bubbles in the interface between the electrode and the electrolyte.例文帳に追加
電極と電解質との間の界面で剥離や割れ等の損傷や気泡のかみ込み等の欠陥がなく、電解質膜を薄くすることにより約800℃の低温でも高い出力密度を有する発電膜および該発電膜を簡素化された製造工程により低コストで製造する製造方法ならびにこの発電膜を用いた固体酸化物形燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁
The semiconductor device 1 is provided with a semiconductor chip 10; a front side resin layer 11 formed using a first resin material on a front surface 10a of the semiconductor chip 10; and a backside resin layer 12 formed so as to be thinner than the resin layer 11 using a second resin material having a thermal expansion coefficient larger than that of the first resin material on a backside 10b of the semiconductor chip 10.例文帳に追加
半導体装置1は、半導体チップ10と、半導体チップ10の表面10aに第1樹脂材料を用いて形成された表面側樹脂層11と、半導体チップ10の裏面10bに第1樹脂材料よりも大きな熱膨張係数を有する第2樹脂材料を用いて表面側樹脂層11よりも薄く形成された裏面側樹脂層12とを備えている。 - 特許庁
In the multilayer insulated wire having a conductor, and two or more of insulating layers for coating the conductor, the outermost layer among the insulating layers is formed by a polymer material including a resin composition consisting of 75-95 mass% base resin made of crystal resin and a 5-25 mass% liquid crystal polymer, and a film thickness of the outermost layer is thinner than that of the other insulating layer.例文帳に追加
導体と、前記導体を被覆する2層以上の絶縁層とを有する多層絶縁電線であって、前記絶縁層のうち、最外層が、結晶性樹脂からなるベース樹脂75〜95質量%と液晶ポリマー5〜25質量%とからなる樹脂組成物を含む高分子材料から形成され、前記最外層の膜厚が他の絶縁層の膜厚よりも薄い多層絶縁電線。 - 特許庁
Examples of the building substrate are foamed polystyrene processed to a prescribed form, a material produced by spraying a lacquer thinner to the foamed polystyrene processed to a prescribed form to roughen the surface of the foamed polystyrene, and a material produced by applying a water-based coating material containing a sealer base composed mainly of an acrylic acid ester-styrene copolymer, portland cement and silica sand to the foamed polystyrene processed to a prescribed form.例文帳に追加
建築用基材としては、所定形状に調製したポリスチレン発泡体、所定形状に調製したポリスチレン発泡体に、ラッカー系シンナーを吹付け、粗面化処理を施してなるもの、所定形状に調製したポリスチレン発泡体にアクリル酸エステル・スチレン共重合体を主成分とするシーラベース、ポルトランドセメント及び珪砂を含む水系塗材を塗装してなるものを用いることができる。 - 特許庁
To provide an exposure method for forming a first columnar spacer and a second columnar spacer thinner than the first columnar spacer, the method for forming the second columnar spacer with excellent uniformity of film thickness and line width without changing an aperture ratio of a photomask or subjecting a photomask to a process of reducing the transmittance for light, and to provide an exposure device and a method for manufacturing a liquid crystal display device.例文帳に追加
第1の柱状スペーサーと、この第1の柱状スペーサーよりも厚さの薄い第2の柱状スペーサーを形成するための露光方法であって、フォトマスクの開口率を変更したり、光透過率の低減処理を施すことなく、膜厚及び線幅の均一性に優れた第2の柱状スペーサーを形成することを可能とする露光方法、露光装置、及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The aqueous resin solution consists of polyepoxide, or is obtained mixing a base compound part consisting of the polyepoxide and a monoepoxy reactive thinner, a curing agent component consisting of an amine compound partially neutralizing a denatured polyamine compound having a primary and/or secondary amino group obtained from a polyamine compound and an epoxide, and if necessary, additives for maintaining the curing agent component.例文帳に追加
前記水系樹脂液は、ポリエポキシ化合物からなるか、またはポリエポキシ化合物及びモノエポキシ系反応性希釈剤からなる主剤部分と、ポリアミン化合物とエポキシ化合物とから得られる1級および/または2級アミノ基を有する変性ポリアミン化合物を部分中和したアミン系化合物からなる硬化剤成分と、さらに必要に応じてこれを保全する添加剤を混合して得られるものである。 - 特許庁
The piezoelectric oscillator 10 comprises a piezoelectric vibrator 11 and an IC 42 for controlling the oscillation thereof covered with a mold material 52 wherein the mold material 52 covering the surface of the lid 16 of the piezoelectric vibrator 11 is formed thinner than the mold material 52 covering the periphery.例文帳に追加
上記課題を解決するための圧電発振器10は、少なくとも圧電振動子11と当該圧電振動子11の発振を制御するIC42とをモールド材52により被覆した圧電発振器であって、前記圧電振動子11のリッド16の表面を被覆するモールド材52の厚みを、他の周囲を覆ういずれのモールド材52の厚みよりも薄く形成して透光性を持たせたことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor element having a first element, including a first electrode formed on a semiconductor substrate via an insulation film with a predetermined thickness, and a second element including a second electrode, formed on the semiconductor substrate via an insulation film that is thinner than the insulation film with the predetermined thickness, which is capable of preventing deterioration of characteristics of the second element.例文帳に追加
半導体基板上に所定の厚みの絶縁膜を介して形成された第一の電極を含む第一の素子と、半導体基板上に所定の厚みの絶縁膜よりも薄い絶縁膜を介して形成された第二の電極を含む第二の素子とを有する半導体素子の製造方法であって、第二の素子の特性劣化を防ぐことが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The turbine impeller 10 mounted on a turbine discharging fluid flowing in from the radial direction perpendicular to the rotary shaft 11 into the direction of the rotary shaft 11 has the plurality of turbine blades 12 arranged around the rotary shaft 11, the thickness of the wings of the turbine blades 12 becomes thinner from the hub face 15 to the tip face 16, the rear end 14 of the turbine blades 12 has a semielliptic crosssectional shape.例文帳に追加
回転軸11に直角な半径方向から流入する流体を回転軸11の方向に放出するタービンに搭載されるタービンインペラ10であって、回転軸11回りに複数設置されるタービン翼12を備え、タービン翼12の羽根の厚さがハブ面15からチップ面16に向けて薄くなっており、タービン翼12の後縁14形状は断面が半楕円形状になっている。 - 特許庁
The deposition method contains a step where plural layers in which each layer is thinner than the final thickness of the film to be deposited are deposited by PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) in a reactor to deposit a dielectric film; and a step where the above reactor is subjected to cleaning between deposition for one layer and deposition for the next layer.例文帳に追加
上記課題を解決するため、本発明は、反応器中でPECVD(プラズマ促進化学蒸着)により、複数の層で、その各層がデポジットすべきフィルムの最終的厚さよりも薄い厚さを有する複数の層をデポジットすることにより誘電体フィルムを形成するステップ、及び、前記反応器を、一つの層のデポジションと次の層のデポジションの間でクリーニングするステップ、を含む、デポジション法を提供する。 - 特許庁
A substrate having a display electrode and an address electrode formed on a glass substrate is provided with a surface treatment with a siloxane oxide thin film 131 or a titanium oxide thin film 181 of a few hundreds angstroms or less to retain a breakdown voltage even if a dielectric glass layer is formed thinner, furthermore, the discharge voltage is prevented from increasing, and a plasma display panel with high brightness can be obtained.例文帳に追加
ガラス基板上に形成されてきた表示電極やアドレス電極を含む基板上を数百オングストローム以下のシロキサン系酸化物薄膜(131)、もしくはチタン系酸化物薄膜(181)で表面処理を行うことにより、誘電体ガラス層を薄く形成しても絶縁耐圧を確保し、加えて放電電圧の上昇を抑え、かつ、高輝度のプラズマディスプレイパネルを得ることができる。 - 特許庁
Most stores use straight narrow square noodles (the Daiichi-Asahi main store uses 1.8mm-thick noodles, and most other ramen stores in Kyoto use noodles which are the same thickness or thinner. In comparison, the Shinpuku-saikan main store, which is a giant source of Kyoto ramen, uses 2.0mm-thick noodles but currently very few Kyoto ramen stores use noodles with this thickness), and cook them until relatively soft (allegedly because they more easily absorbe the soup). 例文帳に追加
麺は、細めのストレート角麺(第一旭本店では、1.8mmの麺を使っており、ほとんどの京都のラーメン店では、同じ太さの麺か、やや細めの麺を使っている。ちなみに、京都ラーメンの一大源流といわれる新福菜館本店では、2.0mmの麺を使っているが、現在の京都ラーメンの店で、この太さの麺を使っている店は少ない)で、比較的柔らかめに茹でる店が多い(スープに絡みやすいからと言われる)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A mesa diode comprises: a first semiconductor layer formed by a nitride semiconductor having a first conductivity type different from the first conductivity type; a second semiconductor layer formed by a nitride semiconductor having a second conductivity type and having, at an edge, a thin film region of a thickness thinner than that of another part; and an upper electrode formed on at least a part above the second semiconductor layer other than the thin film region.例文帳に追加
第1導電型を有する窒化物半導体で形成された第1半導体層と、第1半導体層上に、第1導電型と異なる第2導電型を有する窒化物半導体で形成され、端部に他の部分より厚さが薄い薄膜領域を有する第2半導体層と、薄膜領域以外の第2半導体層の上方の少なくとも一部に形成された上部電極と、を備えるメサ型ダイオードを提供する。 - 特許庁
The peripheral circuit region 63 comprises second semiconductor regions 9 formed on a semiconductor substrate 50, a second gate insulation film 12 which is formed thinner thin a first gate insulation film 13, a second gate electrode 15 formed on the second gate insulation film 12, and source and drain regions 31, doped with an impurity of the first conductivity type, formed in the second semiconductor regions 9 in both sides of the second gate electrode 15.例文帳に追加
周辺回路領域63は、半導体基板50に形成された第2半導体領域9と、第1のゲート絶縁膜13よりも薄い厚みを有する第2のゲート絶縁膜12と、第2のゲート絶縁膜12上に形成された第2のゲート電極15と、第2のゲート電極15の両側で第2半導体領域9に形成され、第1導電型の不純物がドープされたソースおよびドレイン領域31とを含む。 - 特許庁
To lessen a particle size of a resin in an aqueous emulsion in order to form a thin coating surface with good appearance using an aqueous emulsion material of a small amount since that a coarse particle in an aqueous emulsion is removed, and thereby a uniform coating surface can be formed by a thinner thickness comparing with an aqueous emulsion containing a coarse particle, and an amount of an emulsion which coating requires can be reduced.例文帳に追加
水性エマルジョン中の粗大粒子を除去することにより、粗粒子を含有する水性エマルションと比較して、より薄い厚さで均一な塗工面を形成することが可能となり、塗工に要するエマルションの量を減らすことが可能であるので、より少ない量の水性エマルション材料を用いてより薄く外観の良い塗工面を形成するために、水性エマルション中の樹脂の粒子サイズを小さくすることが求められる。 - 特許庁
In the connection method of a superconducting wire rod where the terminal portions of two tape-shaped superconducting wire rods are connected while overlapping with a solder layer interposed therebetween, one sides of both terminal portions are inclined in the thickness direction of the superconducting wire rod so that the terminal portions become thinner toward the tip, and the superconducting wire rods are connected by overlapping both terminal portions so that the inclined surface becomes the outside.例文帳に追加
2本のテープ形状の超電導線材の双方の端末部を、半田層を介してオーバーラップさせて接続する超電導線材の接続方法であって、端末部が先端に近いほど薄くなるように双方の端末部の片面を超電導線材の厚さ方向に対して傾斜させ、傾斜面を外側にして、双方の端末部をオーバーラップさせて接続することを特徴とする超電導線材の接続方法。 - 特許庁
The glazing for a solid imaging device package is made of fluorophosphate glass or phosphate glass containing CuO and has a plate thickness of a peripheral edge part thereof thinner than the plate thickness of an optical effective surface, so that the glazing allows a solid imaging device to be efficiently assembled though having the near infrared cut function because the glazing can be quickly stuck to the package using the UV curable adhesive.例文帳に追加
本発明に係る固体撮像素子パッケージ用窓ガラスは、CuOを含有するフツリン酸塩系ガラスもしくはリン酸塩系ガラスからなり、周縁部の板厚が光学有効面の板厚に比べて薄いことで、近赤外線カット機能を有する固体撮像素子パッケージ用窓ガラスであっても、紫外線硬化型接着剤を用いてパッケージと迅速に貼り付けることができるため、これにより固体撮像素子デバイスの組立てを効率的に行うことが可能である。 - 特許庁
To peel a plurality of sets of semiconductor layer groups from one semiconductor substrate by laminating a buffer layer right on the semiconductor device and a peel layer having a selective etching property with respect to the buffer layer, to obtain the semiconductor layer groups of high crystal quality, to save the labor for a substrate recycling stage by eliminating the need for a surface treatment for recycling the semiconductor substrate, and to make the semiconductor substrate not thinner.例文帳に追加
半導体基板直上のバッファ層と、該バッファ層と選択的なエッチング性を備える剥(はく)離層とを積層することによって、1枚の半導体基板から複数組の半導体層群を剥離することができ、高い結晶品質の半導体層群を得ることができ、半導体基板を再利用するために表面処理を行う必要がなく、基板再利用工程を省力化することができ、半導体基板の厚さが薄くなることがないようにする。 - 特許庁
The manufacturing method of silicon carbide substrate is characterized in manufacturing a substrate including a single crystal layer formed on a polycrystal substrate with the steps of preparing at least for single crystal silicon carbide substrate having density of micropipe of 30 pieces/cm^2 or less and polycrystal silicon carbide substrate and then bonding the single crystal silicon carbide substrate and the polycrystal silicon carbide substrate, and thereafter making thinner the single crystal silicon carbide substrate.例文帳に追加
炭化珪素基板の製造方法であって、少なくとも、マイクロパイプの密度が30個/cm^2以下の単結晶炭化珪素基板と多結晶炭化珪素基板を準備し、前記単結晶炭化珪素基板と前記多結晶炭化珪素基板とを貼り合わせる工程を行い、その後、前記単結晶炭化珪素基板を薄膜化する工程を行い、多結晶基板上に単結晶層を形成した基板を製造することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。 - 特許庁
As a result, thickness dx of the liquid crystal layer 11 corresponding to the region can surely be made not to be thicker than d0 of the liquid crystal layer thickness corresponding to the vicinity of the center of the pixel, consequently can be made thinner than the upper limit of the gap length to suppress a yellow-tinged display and the display color can surely be prevented from being yellowed with reflected light.例文帳に追加
TFT基板20の上を縦横に並走するバス配線5と対向するCF基板40の領域に、色層41、42を重ねて形成するので、その領域に対応する液晶層11の厚さd_Xを、確実に画素中央近傍に対応する液晶層の厚さd_O以下とすることができ、従って、黄色付き表示を抑制できる上限ギャップ長よりも薄くすることができ、反射光による表示色の黄変を確実に防止することが可能となる。 - 特許庁
This method comprises the steps of forming a thinner antireflection film 5 than 150 nm on a semiconductor substrate 1, coating a resist 6 on the antireflection film 5, exposing the resist 6 by the use of radiation rays, developing the resist 6 exposed, injecting impurities into the semiconductor substrate 1 through the antireflection film 5 using the developed resist 6 as a mask, and eliminating the resist 6 and antireflection film 5 with the same etchant.例文帳に追加
150nmよりも薄い反射防止膜5を半導体基板1の上に形成する工程と、前記反射防止膜5の上にレジスト6を塗布する工程と、放射線を使用して前記レジスト6を露光する工程と、露光された前記レジスト6を現像する工程と、現像された前記レジスト6をマスクに使用して前記反射防止膜5を通して前記半導体基板1に不純物を注入する工程と、前記レジスト6と反射防止膜5を同じエッチャントによって除去する工程とを含む。 - 特許庁
Charge transferring electrodes which constitute the horizontal charge transfer path are arrayed through an insulating film between electrodes, while the insulating films between electrodes are arrayed and formed so that the thickness thereof becomes thinner alternately between neighboring charge transfer electrodes.例文帳に追加
半導体基板上に2次元状に配置された複数の光電変換部と、前記光電変換部で生起された信号電荷を受け取り、垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部により転送された信号電荷を受け取り、水平方向に転送する水平電荷転送部とを備えた固体撮像素子であって、前記水平電荷転送路を構成する電荷転送電極は、電極間絶縁膜を介して配列されており、前記電極間絶縁膜が、隣接する電荷転送電極間で、交互に膜厚が薄くなるように配列形成される。 - 特許庁
In the rotor, a thin part 15a, which is thinner than the magnetic plate 11a, is formed at the side of the hole 12a for embedding the magnets of the magnetic plate 11a, and the permanent magnet 13 is fixed to the rotor stacked core 11 by the elastic transformation of the thin part 15a.例文帳に追加
円周方向に等間隔に磁石埋め込み用穴12aが形成された磁性板11aを軸方向に複数個積層した回転子積層鉄心11と、各磁石埋め込み用穴12aに装着された永久磁石13を備えた永久磁石埋め込み型回転子において、磁性板11aの磁石埋め込み用穴12aの側面に当該磁性板11aの肉厚よりも肉厚が薄い薄肉部15aが形成され、薄肉部15aの弾性変形により永久磁石13が回転子積層鉄心11に固定されることを特徴とする。 - 特許庁
The cited invention 1 provides the device for attaching transformers, in which it becomes thinner by devising a method of attaching terminal pins. Applying the structure of the cited invention 2 to the terminal pins in the cited invention 1 is an idea that contradicts the purpose of the thin device even by deliberately providing by-bass ports for devising a method of attaching terminal pins. Accordingly, the claimed invention is not considered to be an art which a person skilled in the art could easily conceive, although both inventions provide the same aspect that the members are attachable on plane surfaces. 例文帳に追加
引用発明1は、ターミナルピンの設け方を工夫することにより薄型化を図る事を目的とするトランスの取り付け装置であるが、引用発明1のターミナルピンに引用発明2の構成を適用すると、折角逃がし穴まで設けた上で設け方を工夫して薄型化を図ったターミナルピンを考案の目的に反する方向に変更することになるから、両者が平面取り付け可能という点で共通することを考慮しても、当業者が容易に想到することができたものとは認められない。 - 特許庁
The seal member 13 comprises a rigid pad 13a structured to be thick, at least, on an open side of the annular groove 11, and a flexible extension part 13b communicated with the rigid pad 13a and structured to be thinner than the rigid pad 13a so as to be extended/contracted inside the annular groove 11.例文帳に追加
開口部2を有する壁部3と開口部2を閉塞する扉5とを備えた構造を対象として、開口部2を扉5で閉塞した状態において壁部3と扉5との互いに対抗する面のいずれか一方又は双方に開口部2を囲繞する環状溝部11が形成され、該環状溝部11内に内部が流体Aの封入部13sとされた封止部材13が配置され、流体Aを制御することにより封止部材13を変形せしめて、開口部2の封止を行う封止機構において、封止部材13は、少なくとも環状溝部11開放側に肉厚に構成された剛性パッド部13aを備えると共に該剛性パッド部13aに連設し該剛性パッド部13aよりも肉薄に構成されて環状溝部11内で伸縮可能な可撓伸縮部13bを備えていることを特徴とする。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
| 本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。 |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|