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該当件数 : 509



例文

少なくとも1種類の不物を含む多結晶シリコン系の材料からなるとともに、この多結晶シリコン系の材料からゲート絶縁膜5への不物の移動を抑制する物質がゲート絶縁膜5との界面付に設けられているゲート電極6が、ゲート絶縁膜5の表面上に設けられている。例文帳に追加

On the surface of the gate insulation film 5, the gate electrode 6 is formed of a polycrystalline silicon-based material containing at least one kind of impurity, and is formed with a substance for suppressing the movement of the impurity (or impurities) from the polycrystalline silicon-based material into the gate insulation film 5 near the boundary with the gate insulation film 5. - 特許庁

第一導電型の半導体層(1)及び第二導電型の不物拡散層(2)を含む光検出器に微小開口(3)を有する貫通孔(4)を設けた、本発明の接場光プローブは、第一導電型の半導体層(1)に、貫通孔(4)の内周に沿って、第二導電型の不物拡散領域(5)を設けた。例文帳に追加

In this near field light probe provided with a through hole 4 having the micro-opening 3 in the photodetector including the first conductive type semiconductor layer 1 and a second conductivity type impurity diffusion layer 2, the second conductivity type impurity diffusion area 5 is provided along an inner circumference of the through-hole 4 in the first conductivity type semiconductor layer 1. - 特許庁

エッチング液、水および窒素ガスは、ウエハWの回転半径外方に向かうにつれてウエハWにづくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウエハWの表面のエッチング液供給位置Pe、水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnに供給される。例文帳に追加

The etchant, pure water, and nitrogen gas are discharged in a direction sloped so as to come closer to a wafer W as it goes outward in the turning radius of the wafer W and are supplied to an etchant supplying position Pe, a pure water supplying position Pd, and a nitrogen gas supplying position Pn, respectively, on the surface of the wafer W. - 特許庁

パワーMOSFETのゲート電極7とn^+型ドレイン領域15との間に介在するオフセットドレイン領域を二重オフセット構造とし、ゲート電極7に最もいn^−型オフセットドレイン領域9の不物濃度を相対的に低く、ゲート電極7から離間したn型オフセットドレイン領域13の不物濃度を相対的に高くする。例文帳に追加

An offset drain region disposed between a gate electrode 7 and an n^+-type drain region 15 of a power MOSFET is made to be dual offset structure, the impurity concentration of an n^--type offset drain region 9 closest to the gate electrode 7 is made relatively low, and the impurity concentration of an n-type offset drain region 13 spaced apart from the gate electrode 7 is made relatively high. - 特許庁

例文

この開口領域7bは、半導体基板1の主面に対して斜めに入射される不物がシャドウィング効果により半導体基板1に導入されないように形成され、半導体基板1の主面に対して垂直またはその傍の角度で入射する不物が半導体基板1に導入されるように形成されている。例文帳に追加

The opening area 7b is formed in such a way that the impurity made incident to the substrate 1 obliquely to the main surface of the substrate 1 is not introduced to the substrate 1 by a shadowing effect and the impurity made incident to the substrate 1 perpendicularly or nearly perpendicularly to the main surface of the substrate 1 can be introduced to the substrate 1. - 特許庁


例文

上記不物導入されない領域をうまくパターニングすることによって、ウェル領域とソース領域、及び、ウェル領域とドレイン領域それぞれの、境界傍のチャネル形成領域における、ウェル領域と同じ導電型の不物濃度を濃くし、逆短チャネル効果を誘起させることができる。例文帳に追加

A conductive type impurity concentration same to a well area is concentrated in each channel forming area in the vicinity of a boundary, respectively in the well area and a source area, and the well area and a drain area, by patterning favorably the area not introduced with the impurity, so as to induce a reverse short channel effect. - 特許庁

しかし年の規制緩和の一環として、この規定は2004年(平成16年)1月1日以降削除され、米だけで造ってあれば、たとえ普通酒なみの精米歩合であっても米酒の名称を認め、評価は消費者の選択に任せるようになった。例文帳に追加

As a part of easing of the regulations in recent years, this provision was deleted as of January 1, 2004, and, for sake produced only from rice, even if the polishing ratio is same as for futsushu, use of name "junmaishu" is allowed and the evaluation is left to the choice of the consumers.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

親王の邸宅は桃園親王と呼ばれた貞親王の邸宅で、後に源保光(桃園中納言)、藤原師氏(桃園大納言)、藤原信、藤原伊尹家へ移り、その後藤原行成(親王の曾孫にあたる)の邸宅となり、行成はその邸内に寺を建立した。例文帳に追加

The Imperial Prince's Palace belonged to Imperial Prince Sadazumi who was called Imperial Prince Momozono, later on the Palace was passed to MINAMOTO no Yasumitsu (Momozono Chunagon (vice-councilor of state)), FUJIWARA no Morouji (Momozono Dainagon (chief councilor of state)), FUJIWARA no Chikanobu, FUJIWARA no Koretada, after that it became FUJIWARA no Yukinari's (the Imperial Prince Yoshiakira's great grandchild) Palace and he built a temple within the Palace.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

晩年は、戦乱の収束により本多正などの若く文治に優れた者(吏僚派)が家康・徳川秀忠の側として台頭してきたため、忠勝のような武功派は次第に江戸幕府の中枢から遠ざけられ、不遇であったと言われる。例文帳に追加

Due to the end of the wars and those from the younger generation who were good at civil administration (civilian party), such as Masazumi HONDA, gaining power as close advisors to Ieyasu and Hidetada TOKUGAWA, military exploit party members such as Tadakatsu were distanced from the center of the Edo bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun) and it is said that he was unhappy in his later years.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

現在でもトンネルは第二種鉄道事業区間(神戸高速鉄道)を除くと全線で3か所しか存在せず、そのうち2か所は西院~河原町間と天六付の地下線へ通じる入口で、出入口がある粋なトンネルは千里線の千里トンネルただ一つである。例文帳に追加

Even today there are only three tunnels in all lines except for the section designated as a second-class railway business (Kobe Rapid Transit Railway), and moreover, two of them serve as entrances toward underground lanes, one between Saiin and Kawaramachi and the other, near Tenroku; therefore, Senri Tunnel on the Senri Line is the only tunnel that in fact has a beginning and an end.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

そのため、当初、海軍兵学校(日本)へ出仕していた蘭学者である藤真琴へ歌詞を書かせたが、海軍内で異論があり、海軍海補であった川村義が郷里で祝言歌として馴染みのあった歌詞を採用したというものである。例文帳に追加

According to this view, therefore, Makoto KONDO, who was a rangakusha (a person who studied Western sciences by means of the Dutch language) entered the service of the Naval Academy (Japan), was ordered at first to create the words, but there was an objection in the Imperial Japanese Navy, therefore, Sumiyoshi KAWAMURA, who was a 海軍, adopted words familiar to him as a song for celebration of his home town.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

且元は駿府の家康への銘文の選定や大仏開眼供養の導師や日時の報告などを逐次行い上棟は間であったが、7月29日(旧暦)、家康は家臣の本多正を通じて、梵鐘銘文の文中に不吉な語句があるとして、大仏供養を延期させた。例文帳に追加

Katsumoto successively reported the selection of the inscription, the doshi (master priest) of the ceremony to consecrate the Great Buddha, the date and time of the ceremony and so on, however, on July 29 (the old calendar) when the framework was nearly completed, Ieyasu postponed the ceremony, saying through Masazumi HONDA that there were ill-omend phrases in the bonsho inscription.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

交渉は18日より徳川方の京極忠高の陣において、家康側の本多正、阿茶局と、豊臣方の使者として派遣された淀殿の妹である常高院との間で行われ、19日には講和条件が合意、20日に誓書が交換され和平が成立した。例文帳に追加

The negotiations took place in Tadataka KYOGOKU's camp on Tokugawa side between Masazumi HONDA and Acha-no-tsubone from Tokugawa side and Joko-in, who was Yodo-dono's sister and had been dispatched as a messenger of the Toyotomi side; on 19th peace terms were agreed and pacification was made with an exchange of written vows (the old calendar).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ただし、年では物部氏の居住跡から氏寺(渋川廃寺)の遺構などが発見され、物部氏を単な廃仏派として分類することは難しく、個々の氏族の崇拝の問題でなく、国家祭祀の対立であったとする見方もある。例文帳に追加

However, due to the recent discovery of the remains of former Shibukawa-ji Temple, which was an Uji-dera Temple (temple built for praying for clan's glory) from the Mononobe clan's place of dwelling, it became difficult to categorize the clan as simply anti-Buddhist, and some say that it was a confrontation not over the matters of each clan's reverence, but over religious services over a national scale.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

すると持氏の叔父にあたる足利満隆、満隆の養子で持氏の弟である足利持仲らと接し、氏憲の婿にあたる岩松満、長尾氏春、千葉氏、宇都宮氏、小田氏、相模三浦氏、武田氏や地方の国人衆なども加えて1416年に持氏に対して反乱する。例文帳に追加

Ujinori then approached Mitsutaka ASHIKAGA (Mochiuji's uncle) and Mochinaka ASHIKAGA (adopted child of Mitsutaka and younger brother of Mochiuji), also gained Mitsuzumi IWAMATSU (Ujinori's son in-law), Ujiharu NAGAO, the Chiba clan, the Utsunomiya clan, the Oda clan, the Sagami Miura clan, the Takeda clan and Kokujin-shu (local samurai) over to his side and revolted against Mochiuji in 1416.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

シリコンウェーハの表面から指定されたレーザー光を照射し、デバイス活性層内の微小欠陥をスリップフリーにて消滅させ、同時にレーザー照射面傍の不物取り込みを制御する事でデバイス特性歩留を向上させる。例文帳に追加

A device specific yield is improved by applying a specified laser beam from a silicon wafer surface, thereby eliminating minute defects in a device active layer to be slip-free and controlling impurity intake in the vicinity of the laser irradiation surface. - 特許庁

第2フィールドプレートのうちp不物領域3に最もい第2フィールドプレートは配線30の下方において切断箇所を有しており、当該切断箇所の下方における第1フィールドプレート間の間隙にはそれらと離れて電極56が形成されている。例文帳に追加

The second field plate nearest to the p-type impurity region 3 of the second field plate has a cut under the wiring 30, and an electrode 56 is formed in the gap between the first field plates under the cut position. - 特許庁

形態・構造が単な粒子と、形態・構造が複雑な粒子もしくは粒子の接通過とを区別するためのパラメータとして光検出信号波形の差分積分値を算出し、分類精度を向上させた粒子分析装置を提供する。例文帳に追加

To calculate a differential integral value of a photodetection signal waveform as a parameter for discriminating a particle of simple shape and structure from a particle of complicated shape and structure or close passing of the particle to enhance classification precision. - 特許庁

露光装置において供給するガスに含まれる不物の除去効率を高め、露光光照射領域及びその傍への堆積物を防ぐことで、露光装置の結像性能低下を防ぎ、露光装置の長寿命化を達成する。例文帳に追加

To attain long lifetime for an aligner, by enhancing the efficiency of removing impurities contained in gas being supplied to the aligner and preventing deposition of impurities in the exposure light irradiated region or on the periphery thereof, thereby preventing deterioration in image formation performance of the aligner. - 特許庁

ウエル境界とトランジスタの活性領域との実効的な距離Deff_iを用いることで、非常に単で高精度なモデリングが可能になり、LSIレベルでウエル接効果を考慮に入れたゲートレベルのシミュレーションを実施することが可能になる。例文帳に追加

Very simple and high precision modeling is enabled, and the simulation of the gate level considering the well proximity on the LSI level is enabled by using the effective distance Deff_i between the well boundary and the active region of the transistor. - 特許庁

ジャックの離脱のタイミングを変えずに、比較的単な構成により、ハンマーが弦にい状態で、ストッパがハンマーシャンクに当接した場合でも、ハンマーが打弦するのを確実に阻止することができる消音ピアノの消音装置を提供する。例文帳に追加

To provide a muting device for a muting piano which can surely stop a hammer from striking strings even when a stopper abuts against a hammer shank while the hammer is close to strings with a relatively simple constitution without changing the timing of the separation of a jack. - 特許庁

本発明は、紫外線露光装置において供給するガスに含まれる不物の除去効率を高め、紫外線照射領域及びその傍への堆積物を防ぐことで、露光装置の結像性能低下を防ぎ、露光装置の長寿命化を達成することを目的とする。例文帳に追加

To attain long lifetime for an UV-ray exposure device, by enhancing the efficiency of removing impurities contained in gas being supplied to the UV-ray exposure device and preventing deposition of impurities in the UV-ray irradiated region or on the periphery thereof, thereby preventing deterioration in the image formation performance of the exposure device. - 特許庁

クリプトンやキセノンを使用する各種プロセスの排ガスに含まれる微量不物を効率よく除去でき、半導体製造装置の直に設置して希ガスを連続的に分離・回収して再利用する希ガス分離回収装置の前処理として最適なガス精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gas purification method capable of efficiently removing trace impurities contained in a waste gas from various processes using krypton or xenon and suitable for a pretreatment of a rare gas separation and recovery apparatus for continuously separating/recovering/recycleing a rare gas by being installed direct near a semiconductor manufacturing apparatus. - 特許庁

安全性・経時安定性に優れ、室温付でも10^-3S/cm以上の高いイオン導電性を発揮し、成形性にも優れ、簡便に、且つ不物の出来るだけ少ない状態で製造した高分子固体電解質を提供する。例文帳に追加

To provide a high polymer solid electrolyte having an excellent safety, stability with age, and displaying a high ion conductivity of 10^-3 S/cm or more, which is excellent in moldability and is simply manufactured in a condition wherein impurities are lessened as far as possible. - 特許庁

紫外LEDや白色LEDを封止する場合に使用される封止剤の原料として有用なアダマンタン骨格を有するエポキシ化合物を製造する方法であって、従来の方法と比べて短時間で高度品を高収率で得ることができる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of producing an adamantane skeleton-having epoxy compound useful as a raw material for a sealant used when sealing a near-ultraviolet LED and a white LED, whereby a product with high purity can be obtained at a high yield in a short time in comparison with a previous method. - 特許庁

本発明における半導体レーザチップ1は、共振器端面傍に形成される不物拡散領域16と、共振器端面の表面に形成されるとともに共振器端面からレーザチップ1の内側に延在する端面保護膜14、15と、を備える。例文帳に追加

The semiconductor laser chip 1 includes an impurity diffusion region 16 formed near a resonator end surface, and end surface protective films 14 and 15 which are formed on the surface of the resonator end surface and extended from the resonator end surface to the inside of the laser chip 1. - 特許庁

チャンバー1内に、その引上筒1aの上端部からるつぼ3内のSi融液10面傍に及ぶ長さを有し、育成中のSi単結晶13を囲繞する高度石英ガラス製の円筒管14を配設した。例文帳に追加

A cylindrical tube 14 made of high purity quartz glass, which has a length ranges from the upper end of a pulling tube 1a to the vicinity of the surface of Si melt 10 in a crucible 3 and surrounds the Si single crystal 13 being grown, is arranged in a chamber 1. - 特許庁

本発明の目的は、電子走行層内のキャリアが、移動度の小さいヘテロ界面傍に集中し、電子移動度を高くすることができないという問題を解決し、さらに、不物散乱により移動度が高められないという問題を解決する電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor solving the problem that carriers in an electron transit layer concentrate on the vicinity of a heterointerface of small mobility to make it difficult to increase electron mobility and also solving the problem that the mobility cannot be made high because of impurity scattering. - 特許庁

素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護用のN型MOSトランジスタにおいて、ESD保護用のN型MOSトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に接する部分には、他のチャネル領域より高濃度のP型の不物領域を配置した。例文帳に追加

In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a P-type impurity region having a higher concentration than any other region is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection. - 特許庁

の長いつけまつげやまつげエクステでもメイクしたまつげが押し潰さない十分な空間が形成され、構造が単で量産に適し、使い捨てが可能な日々の使用に供することができ、簡単に折り畳め携帯性に優れたアイマスクを提供する。例文帳に追加

To provide an eye mask, forming enough space not to crush down an eyelash made up by using recent long false eyelashes or eyelash extensions, simple in structure to be suitable for mass production, disposable to be supplied for daily use, and easily folded up to achieve excellent portability. - 特許庁

食品へドロ回収装置1は排液槽内底部傍の沈殿ヘドロ含有排液を輸送するシリンダーポンプ35と沈殿ヘドロ含有排液の沈殿物53bを除去する沈殿物除去フィルター31を有する沈殿物回収手段と、高度油回収手段と、を備える。例文帳に追加

The food sludge recovery apparatus 1 includes a precipitate recovery means having a cylinder pump 35 for transporting precipitate sludge-contained drainage near an inner bottom of a drainage tank and a precipitate removing filter 31 for removing precipitate 53b of the precipitate sludge-contained drainage, and a high-purity oil recovery means. - 特許庁

天然正由来の樟芝菌株(Antrodia cinnamomea)を、野生の樟芝が生育する自然環境に似せ、人工固体培養を用い、天然の樟芝にもっともい高品質の菌糸体を大規模製造する。例文帳に追加

Mycelia of Antrodia cinnamomea having high quality nearest to that of the natural one are produced in large scale by culturing the Antrodia cinnamomea originated from a natural pure kind in the environment resembled to a natural environment in which the wild Antrodia cinnamomea grow by using an artificial solid culture. - 特許庁

使用する蒸気によって不物が発電装置に付着することがなく、高温・高圧の蒸気が得られるため大容量の発電が可能であり、地熱帯付における環境に悪影響を及ぼすことのない地熱発電装置を提供する。例文帳に追加

To provide a geothermal power generator without a risk of adhesion of impurities to a power generator due to steam used, enabling large capacity power generation owing to capability in obtaining high temperature and high pressure steam, without a risk of posing an adverse effect to the environment in the vicinity of a geothermal region. - 特許庁

光電変換素子は、主表面を有する半導体基板1と、上記主表面1aに配置された電極層4と、主表面1aの一部に設けられた多孔質層10とを備え、半導体基板1のうち主表面1aの傍には不物が拡散された拡散層3が形成されている。例文帳に追加

The photoelectric conversion device includes the semiconductor substrate 1 with a main surface, the electrode layer 4 arranged on the main surface 1a, and a porous layer 10 provided at a part of the main surface 1a, and the diffusion layer 3 with dopant diffused is formed near the main surface 1a of the semiconductor substrates 1. - 特許庁

従来のように簡略な似式を用いることなく、半導体の拡散過程における半導体内部の電界分布をポアソン方程式を用いて正確に求め、これによって得られた電界値を拡散方程式内の電界効果項に用いて不物分布のシミュレーション計算を行なう。例文帳に追加

The electric field distribution in the semiconductor in the course of diffusing the impurities in the semiconductor is found accurately by using the Poisson equation, without having to use the conventionally used simple approximate expression, and the distributions of the impurities are simulated by using electric field values, obtained from the electric field distribution in the electric-field effect term of a diffusion equation. - 特許庁

電気光学パネル50は搬送ベルト40上に載せられて搬送されてくるので、搬送途中に水噴射ノズル10から超水を噴射して端子52を洗浄し、水噴射ノズル10の下流側直に配置したブローノズル20でこれを乾燥させる。例文帳に追加

While the electro-optics panel 50 is transported by a conveyance belt 40 as mounted thereon, a super-pure water is jetted out of the water-jet nozzle 10 to wash the terminal 52, followed by drying the same using the blowing nozzle 20 disposed near the down stream side of the water-jet nozzle 10. - 特許庁

このとき、高濃度エクステンション用イオン注入層6の不物ピーク濃度が、第1のRTA処理の固溶限界濃度を超えない濃度で、かつ、第1のRTA処理温度における固溶限界濃度に似した濃度になるようにする。例文帳に追加

The peak impurity concentration of the high concentration ion implanted layer 6 for extension is set to such a one that is very close to the solution limit concentration of a first RTA treatment, but not exceeding it. - 特許庁

半導体基板内の半導体基板と素子分離領域との境界傍における導電型不物の拡散に起因する耐電圧特性や耐リーク特性の劣化を抑制する半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that suppresses deterioration in electric endurance characteristics and leak resistance characteristics caused by diffusion of a conductivity type impurity nearby a boundary in a semiconductor substrate between the semiconductor substrate and a device isolation region, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

鏡面研磨された石英ガラス板2枚を水の流水中で接合面を接させて相対的に動かして気泡、異物を接合面間から除去し、位置合わせをおこない、0.01MPa、500℃で一昼夜真空乾燥して強固に接合する。例文帳に追加

In this connecting method, connecting surfaces of two sheets of mirror-ground quartz glass plate are approached in a pure flowing water and foam and foreign materials are removed from in between the connecting surfaces by moving relatively, then positioning is carried out, and firmly connected by vacuum drying for 24 hours at 0.01 MPa and 500°C. - 特許庁

そして、回収溝42内に仕切壁43の上端傍まで水が溜められると、スプラッシュガード5が回収位置(図2(b)に仮想線で示す位置)と最下方の退避位置(図2(b)に実線で示す位置)との間で上下に往復動される。例文帳に追加

When the deionized water collected to the recovery groove 42 reaches to the level near the upper end of a partition wall 43, the splash guard 5 vertically reciprocates between a recovery position (position indicated by a virtual line in Fig. 2 (b)) and a lowermost escape position (position indicated by a solid line in Fig. 2 (b)). - 特許庁

そのため、転がりにい運動をし、転動体16のすべりが抑制されるので、外輪14と転動体16との間の接線力が低下し、接線力に起因する表面起点型はく離を防止でき、ベルト式無断変速機用転がり軸受の寿命を向上することができる。例文帳に追加

Thus, since sliding of a rolling body 16 is restraining by making motion near to pure rolling, the tangent force between the outer ring 14 and the rolling body 16 is reduced, and the surface starting point type separation caused by the tangent force can be prevented, and the service life of a rolling bearing for a belt type continuously variable transmission can be improved. - 特許庁

この半導体装置では、有機SOG膜14の下層配線12とプラグ19aおよび19bとの接触面傍における領域に、選択的に不物が導入されることによって、有機SOG膜14が選択的に改質された改質SOG膜15が形成されている。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a modified SOG film 15 which results from selective modification of an organic SOG film 14 by allowing impurities to be selectively directed into areas in the vicinities of contact surfaces between lower wirings 12 of the organic SOG film 14 and plugs 19a and 19b. - 特許庁

前記エミッタ領域6と前記コレクタ領域とは前記第2導電型の不物拡散層5を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板1の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最接して配置されている。例文帳に追加

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall. - 特許庁

剛体芯ロールの周面に固着形成したゴム層の端面部およびその傍のゴム層が剛体芯ロールの周面から剥離するのを防止するとともに、単な工程にして、また、製法不安定要因を排除して安価に製造する。例文帳に追加

To prevent peeling of a rubber layer stuck to the periphery surface of a rigid core roll in an end surface part and the rubber layer in the vicinity from the periphery surface of the rigid core roll, to make the process simple and to manufacture at low cost by eliminating any factor to be a cause of instability in the manufacturing. - 特許庁

構造も単で、価格も廉価で、故障しにくく、更に、既設の直接読取り式の液体燃料タンクの液面計にも取付け可能な、液体燃料タンクの残油量が空タンク傍になった時に警報表示可能となる液体燃料タンクの液面計を提供すること。例文帳に追加

To provide an inexpensive liquid-level meter for a liquid fuel tank of a simple structure, hardly failed, and capable of being mounted on a liquid-level meter of an existing direct reading-type liquid fuel tank, and displaying the warning notification when the remaining amount in the liquid fuel tank becomes almost empty. - 特許庁

つまり、欠陥データと鋳造品の形状とを単に重ね合わせて表示するのではなく、欠陥が接していると特に問題が生じるであろう部位であると考えられる加工部と欠陥との間の関係に着目している。例文帳に追加

In other words, the defect data is not shown by simply being overlapped with the shape of the cast product, but the attention is payed to the relation between the defect and the machining portion to be especially considered to cause a problem if the defect exists near the machining portion. - 特許庁

固体潤滑膜と相手材との接触部以外の摩擦による影響を小さくし、ローラ単体の試料を転がり状態で評価するとともに、ローラのスピン滑りを減らし、より粋に転がり状態にい状態での評価を行う。例文帳に追加

To reduce an influence of friction other than that in a contact part between a solid lubricating film and a mating material to evaluate a sample of a roller single body under a rolling condition, and to reduce spin slip of the roller to evaluate the sample under a condition close to a pure rolling condition. - 特許庁

隣り合うトレンチ25の間の領域にn^+ソース領域24を形成する際に、トレンチ間の領域の中央部分をマスクして不物を注入し、n^+ソース領域24の、隣り合うトレンチ25の間の中央部分の深さを、トレンチ傍部分の深さよりも浅くする。例文帳に追加

In forming an n^+ source region 24 on a region between adjacent trenches 25, an impurity is injected using a center portion of the region between the trenches as a mask, and the depth of the region of the adjacent trenches 25 of the n^+ source region 24 is made shallower than the depth of a portion near the trenches. - 特許庁

単一キャリア走行型半導体受光装置において、p^+型光吸収層とn^-型キャリア走行層との界面傍に、n^+型領域を形成し、もって光吸収層からキャリア走行層へのp型不物の拡散を抑制する。例文帳に追加

In the semiconductor photodetector of the single-carrier traveling type, n+type area is formed in the neighborhood of the interface of a p+ type photoabsorption layer and an n-type carrier traveling layer, thereby suppressing the diffusion of p type impurities to the carrier traveling layer from the photoabsorption layer. - 特許庁

例文

複数のコンピュータが接して設置されている状況において、1つのワイヤレスマウスを、これら複数のコンピュータの共用の入力用周辺装置として使用することができ、しかも、そのために複雑な手順をほとんど必要とせず、単な操作だけで可能とする。例文帳に追加

To permit the use of one wireless mouse as a common peripheral device for input for a plurality of computers, in a situation where the plurality of computers are adjacently installed, and to permit the use by only simple operation almost without requiring complicated procedures therefor. - 特許庁

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本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。
  
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