「のうていいこていそうち」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体装置の製造方法は、トランジスタが形成される半導体基体１上に、ゲート絶縁膜となる酸化マンガン膜１２を形成する工程と、前記酸化マンガン膜１２上に、ゲート電極となる導電体膜１３を形成する工程と、前記導電体膜１３及び前記酸化マンガン膜１２を加工し、ゲート電極１３及びゲート絶縁膜１２を形成する工程と、を具備する。例文帳に追加

The manufacturing method includes steps of: forming a manganese oxide film 12 serving as a gate insulating film on a semiconductor substrate 1 on which a transistor is formed; forming a conductive film 13 serving as a gate electrode on the manganese oxide film 12; and forming a gate electrode 13 and a gate insulating film 12 by forming the conductive film 13 and the manganese oxide film 12. - 特許庁

アレイ導波路格子の実効的な導波路数をＮａとし、導波路番号をｉ（ｉ＝−Ｎ〜Ｎ：Ｎ＝Ｎａ／２）とし、３次関数Ｌ３（ｉ）＝ａ３×ｍ^３＋ａ２×ｍ^２＋ａ１×ｍ＋ａ０（但し、ｍ＝ｉ／Ｎ）を満たす形状の開口部２０１を有する位相調整マスク２００を作製する。例文帳に追加

Expressing the effective waveguide of the arrayed waveguide grating by Na, and numbering the waveguides as i (i=-N to N, N=Na/2), a phase adjusting mask 200 with an aperture 201 satisfying a cubic function L3(i)=a3×m^3+a2×m^2+a1×m+a0 (however, m=i/N) is manufactured. - 特許庁

導体又は半導体から成る微粒子２１と、該微粒子２１と結合した有機半導体分子２２とによって構成された導電路２０が基体１３上に形成された半導体装置において、該微粒子２１は、基体１３の表面と略平行な面内において２次元的に規則的に、且つ、充填状態にて配列されている。例文帳に追加

In a semiconductor device having a conduction path 20 formed on a substrate 13, the conduction path 20 consisting of fine particles 21 composed of a conductor or a semiconductor, and organic semiconductor molecules 22 connected with the fine particles 21, the fine particles 21 are two-dimensionally and regularly arranged in a surface, in approximately parallel to the surface of the substrate 13 and in a filled state. - 特許庁

帝国議会と政府との関係、資金面の問題、校舎建設の問題、前身となる高等教育機関と新設各帝国大学との関係から、この時期の帝国大学の設立経緯は複雑であり、原敬と同じ盛岡藩出身で藩校作人館修文所で同級生だった佐藤昌介（札幌農学校最後の校長、東北帝国大学農科大学初代学長、北海道帝国大学初代総長）も関係している。例文帳に追加

The details of establishment of Imperial University in this period were complicated due to the relationship between Imperial Diet and the government, problem of funding and constructing school buildings, and the relations between the predecessor institutions of high education and newly established Imperial Universities; and it was associated with the relationships with Shosuke SATO (last master of Sapporo Agricultural School, first president of the College of Agriculture, Tohoku Imperial University, first president of Hokkaido Imperial University), who was from Morioka Domain like Takashi HARA and a class mate in hanko Sakujinkan Shubunjo (domain school, Sakujinkan Shubunjo).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

取り出し位置５ａに搬送されたトレイストッカー３から、第１のピックアップ機構７により目的の半導体パッケージ１を取り出し、画像処理検査装置９に移動させ、ボール端子頂点位置の平坦度を計測する。例文帳に追加

A method for regulating the flatness of the ball terminal of the semiconductor package comprises the steps of taking out the object package 1 from a tray stocker 3 conveyed to a taking-out position 5a by a first pickup mechanism 7, moving the package 1 to an image processing inspecting unit 9, and measuring the flatness of the ball terminal vertex position. - 特許庁

パラメータ記憶手段２０とパラメータ設定装置４０からパラメータ設定を行うための第１の通信手段Ａ５０と、オプションユニット３０からパラメータ設定を行うための第２の通信手段Ｂ６０を具備したサーボドライバ１０に対して、予めパラメータ設定装置４０から１つの代表的なパラメータ設定値を設定し、後にオプションユニット３０からオプションユニット毎に固有のパラメータ設定値を再設定するものである。例文帳に追加

One representative parameter setting value is preset from the parameter setting device 40 to a servo driver 10 with a parameter storage means 20, a first communication means A 50 to set parameters from the parameter setting device 40 and a second communication means B 60 to set the parameters from an option unit 30, and intrinsic parameter setting values are reset by every option unit from the option unit 30 later. - 特許庁

導電性透明層に電気的に接触する接触構造体を備えた、可能な限り優れたエッチング挙動を達成し、同時に、良好な耐腐食性及び他の耐性を有し、可能な限り高い導電性と同時に可能な限り低い移動抵抗を有し、個々の層における機械的応力の段階的変化により生じる不利な影響を可能な限りに回避するタッチセンサ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a touch sensor device having a contact structure coming into electrical contact with a conductive transparent layer, achieving superior etching behavior, at the same time, having a good corrosion resistance and other resistance, high conductivity, a low moving resistance, and avoiding a disadvantageous effect occurring due to a stepwise change of mechanical stress in individual layers. - 特許庁

落射照明装置３３の全反射照明用光学系Ｔは、レーザ台１０１から光ファイバ３５を介して導入される全反射照明光を、対物レンズ２８の像側焦点面の所定の範囲に集光することにより、標本２０１を保護するカバーガラス２０４の標本２０１側の面でレーザ光による平行光束を全反射させる。例文帳に追加

A total reflection illuminating optical system T of an epi-illumination device 33 totally reflects a parallel light flux by laser light on the side of a sample 201 of cover glass 204 protecting the sample 201 by collecting total reflection illumination light guided from a laser stand 101 through optical fiber 35 within a predetermined range on an image side focal plane of an objective lens 28. - 特許庁

水素が充填されるタンク本体１０と、タンク本体１０の外側に設けられた絶縁層２１と、絶縁層２１の外側に設けられ、変形に対応して抵抗値が変化し、変形を検出するセンシング部となる導電層３１と、外部から保護する保護層４１と、を備える水素タンク１である。例文帳に追加

A hydrogen tank 1 includes: a tank body 10 filled with hydrogen; an insulating layer 21 provided on the outside of the tank body 10; a conductive layer 31 provided on the outside of the insulating layer 21, and changed in resistance value corresponding to deformation to serve as a sensing part for detecting the deformation; and a protective layer 41 for protecting from the outside. - 特許庁

洗浄槽４内に収容された食器類１６に洗浄ノズル６から洗浄水５等を噴射して前記食器１６を洗浄する本洗浄運転を実行するものにおいて、前記洗浄ノズル６とは別に、円盤１１と、前記円盤１１の上面に水道水あるいはアルカリ電解水を供給する散水用給水口１３と、前記円盤１１を回転駆動する円盤モータ１２と、前記円盤モータ１２を所定の回転速度に制御する制御装置１４とからなる散水装置を具備し、前記散水装置により前記本洗浄運転の前に水道水あるいはアルカリ電解水を前記食器類に噴射する湿潤行程を設けた。例文帳に追加

A wetting process for jetting the city water or the alkaline electrolytic water to the dishes before the main washing operation by the sprinkler is provided. - 特許庁

前記目的を達成するために、本発明にかかるグラジェント液体クロマトグラム測定装置２は、送液用ポンプ４、６と、少なくとも１回の測定に用いられるグラジェント溶媒の全容量を収納可能なグラジェント溶媒充填管８を備える送液系１０と、試料注入機構１４と、分離カラム１６と、検出器１８とを備える分離検出系２０からることを特徴とする。例文帳に追加

To attain the purpose, this device 2 for measuring gradient liquid chromatogram comprises a liquid feeding system 10 provided with liquid feed pumps 4, 6 and a gradient solvent filling pipe 8 that can store the whole capacity of a gradient solvent used for at least one measurement; and a separating and detecting system 20 provided with a sample filling mechanism 14, a separating column 16 and a detector 18. - 特許庁

上記課題を解決するために、偏極イオンビーム発生装置は、無偏極のイオンビームを発生するイオン源と、当該イオン源からの無偏極イオンビームを標的に入射するビーム輸送手段と、この標的表面の原子から弾性散乱された偏極イオンを取り出すイオン取出し手段とからなることを特徴とする手段を採用した。例文帳に追加

This polarized ion beam generating device adopts a means comprising an ion source to generate a non-polarized ion beam, a beam transporting means to enter the non-polarized ion beam from the ion source in a target, and an ion extracting means to extract a polarized ion elastically scattered from an atom on this target surface. - 特許庁

本発明の光軸調整装置は、複数の光を集光する集光レンズと、該集光レンズによって集光した光の集光点に配置され、略Ｖ字形に配置された２つの直線状のナイフエッジを有するナイフエッジユニットと、ナイフエッジユニットにおける第１、第２のナイフエッジの間を通過した光を受光する受光素子とを有している。例文帳に追加

The optical axis adjusting device is composed of a condensing lens for converging a plurality of light beams, a knife edge unit which is placed at a point where the light beams are converged by the condensing lens and which is provided with two linear knife edges arranged nearly into a V shape, and a photodetector which receives the light beams passing between the first and second knife edges in the knife edge unit. - 特許庁

半導体装置又メモリマクロは、１つの入力及び出力ポートを持つメモリ回路及び第１タイミング信号に対応して入力又は出力動作を行う第１ポートと、上記第１タイミング信号とは非同期の第２タイミング信号に対応して入力又は出力動作を行う第２ポートを有する調停回路を備える。例文帳に追加

The semiconductor device and the memory macro have a memory circuit which has an input and output port, and an arbitration circuit which has a first port that performs input or output operation in response to a first timing signal and a second port that performs input or output operation in response to a second timing signal which is asynchronous with the first timing signal. - 特許庁

現像動作を緊急停止させるときには第１のバイアス電圧よりも非画像領域の電位に近い第２のバイアス電圧を印加するように電源部を制御し、かつ、緊急停止からの復帰動作時、トナーの所定量を補給するようにトナー供給部を制御する制御部とを備えることを特徴とする画像形成装置。例文帳に追加

The image forming apparatus includes a control part which controls a power source part so as to apply second bias voltage nearer to potential in a non-image area than first bias voltage when carrying out the emergency stop of developing operation, and controls a toner supply part so as to supply the predetermined amount of toner when performing restoring operation from the emergency stop. - 特許庁

音声調整装置１０は、入力された複数の音声信号の音量などをそれぞれ調整して出力する複数の音声調整手段(11a〜11n)を備え、これらの音声調整手段は、その入力回路１１ａ〜１１ｎの入力利得調整を、各々の音声入力レベルを検出して自動的に調整する機能を備える。例文帳に追加

The sound adjustment apparatus 10 has a plurality of sound adjustment means (11a-11n) for adjusting and outputting volume of the plurality of inputted sound signals, etc. and the sound adjustment means have functions for automatically performing input gain control of their circuits 11a-11n by detecting sound input levels of each. - 特許庁

この中間ファイル２３に基づき、引数チェックブロック１４が、定義記述中の第２引数を切り出して重複チェックを行い、重複する場合、その第２引数の存在位置が特定できるように、対象ファイルのファイル名、行番号、定義記述が対応させて記述された結果出力ファイル２４を、記憶ユニット２０に保存する。例文帳に追加

An argument check block 14 segments a 2nd argument in the definition description on the basis of the intermediate file 23, checks duplication, and when duplication exists, stores a result output file 24 in which the file name of the target file, the line number and definition description are correspondingly described in a storage unit 20 so as to specify the existing position of the 2nd argument. - 特許庁

スピーカアレイ装置１は、室内に設置する際に、聴取者Ｕの聴取位置にマイクロフォン２を設置して、スピーカアレイ１０からテスト音声を出力して音声ビームを自動的に、垂直方向に旋回させて、このときにマイクロフォン２で音声ビームを集音することで、音声ビームを放音させる仰角を設定する。例文帳に追加

In the speaker array apparatus 1, a microphone 2 is installed on a listening position of a listener U when it is installed inside a room, so that a test sound is output from a speaker array 10 and an audio beam is automatically made to circle in a vertical direction, and the microphone 2 collects the audio beam at this time, thereby setting an elevation angle for emitting the audio beam. - 特許庁

記録媒体を装填したディスクトレイ１をシャーシケース１０内で前進後退させてロード／アンロードするようにしたディスク装置において、前記ディスクトレイ１に配設したイジェクト／ロック機構Ｂの作動を司るピン３２をディスクトレイの移送機構を構成する保持レールと一体に成形する。例文帳に追加

In the disk drive in which a recording medium loaded disk tray 1 is moved back and forth in a chassis case 10 to be loaded/unloaded, a pin 32 for operating an ejecting/locking mechanism B arranged in the disk tray 1 is formed integrally with a holding rail constituting the transfer mechanism of the disk tray. - 特許庁

摺動部に樹脂製外皮を備えたローラなどの転がり摺動部材において、樹脂製外皮の耐摩耗性、耐クリープ性、耐熱変形性、耐薬品性を向上させ、長寿命化と信頼性の向上、長期間の静粛性維持を可能にすると共に、外装条件にも好適に使用できる転がり摺動部材を提供する。例文帳に追加

To provide a rolling sliding member such as a roller including a resin made outer skin in a sliding part, which can be suitably utilized even in exterior conditions while materializing enlargement of service life, enhancement of reliability and securement of long term quietness by improving abrasion resistance, creep resistance, thermal deformation resistance and chemical resistance. - 特許庁

板状に形成された予備成形体１４を、成形型を用いてプレス成形することによって作成される燃料電池用セパレータにおいて、予備成形体１４が、膨張黒鉛に繊維質充填材が加えられて成る原料を用いての抄造によって得られるシート状体にフェノール樹脂を含浸させて成る第１シート１４Ａを、黒鉛にフェノール樹脂を塗して成る第２シート１４Ｂの一対の間に介装するサンドイッチ構造に構成する。例文帳に追加

In the separator for the fuel cell manufactured by press-molding the plate-shaped preform 14 with a mold, the preform 14 is formed in sandwich structure interposing a first sheet 14A formed by impregnating phenol resin in a sheet body obtained in the paper manufacturing method of a raw material formed by adding a fibrous filler to expansion graphite between a pair of second sheets 14B. - 特許庁

第六十八条の二の三　内国法人の行う合併が特定グループ内合併（次の各号のいずれにも該当する合併をいい、被合併法人の合併前に営む主要な事業のうちのいずれかの事業と合併法人の当該合併前に営む事業のうちのいずれかの事業とが相互に関連することその他の政令で定める要件に該当するものを除く。）に該当する場合における法人税法その他の法令の規定の適用については、法人税法第二条第十二号の八イからハまでの規定中「その合併」とあるのは、「その合併（租税特別措置法第六十八条の二の三第一項（適格合併等の範囲に関する特例）に規定する特定グループ内合併に該当するものを除く。）」とする。例文帳に追加

Article 68-2-3 (1) Where a merger implemented by a domestic corporation falls under the category of specified intra-group merger (meaning a merger which falls under all of the following items; excluding a merger which satisfies the requirement that any of the major businesses conducted by the merged corporation before the merger is interrelated with any of the businesses conducted by the merging corporation before the said merger, and any other requirements specified by a Cabinet Order), with regard to the application of the provisions of the Corporation Tax Act and any other laws and regulations, the term "merger" in Article 2(xii)-8(a) to (c) of the Corporation Tax Act shall be deemed to be replaced with "merger (excluding a merger that falls under the category of specified intra-group merger prescribed in Article 68-2-3(1) of the Act on Special Measures Concerning Taxation (Special Provisions Concerning the Scope of Qualified Merger, etc.))":  - 日本法令外国語訳データベースシステム

制御装置２３は、第２塗料タンク２２から第１塗料タンク２１に塗料を充填する場合には、第２塗料タンク２２のピストン２２２を所定トルクで前進させるとともに、第１塗料タンク２１のピストン２１２を所定速度で後退させることで、第２塗料タンク２２に収容された塗料を第１塗料タンク２１に移動させる。例文帳に追加

The controller 23 moves the coating material housed in the second coating material tank 22 to the first coating material tank 21 by moving the piston 222 of the second coating material tank 22 forward by a prescribed torque and moving the piston 212 of the first coating material tank 21 backward at a prescribed speed in the case of filling the coating material in the first coating material tank 21 from the second coating material tank 22. - 特許庁

本発明の気体溶解装置によれば、容器体内を流下する液体は、第１整流板によって整流された結果、略螺旋状に流下するので、容器体内の天井から底部へ向かう方向に直下する流下する場合に比べて、容器体内に充填される気体と該容器体内を流下する液体との接触時間を増やすことができる。例文帳に追加

In this device, the liquid flows down spirally in a container body because of rectification by a first rectifying plate, and as a result, the time of contact between the gas filled in the container body and the liquid flowing down in the container body is increased as compared with the liquid flowing down vertically in a direction toward the bottom part from the ceiling of the container body. - 特許庁

ＩＥＥＥ１３９４ネットワークに接続されたＡＶ機器を、ＩＰネットワークに接続されたプレイヤー機器から自動的に検出して、操作し、ＡＶ機器に格納されているコンテンツをプレイヤー機器で視聴することのできるＩＥＥＥ１３９４ネットワークとＩＰネットワークを接続するゲートウェイ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a gateway device connecting an IEEE 1394 network and an IP network in which a player device connected with the IP network automatically detects an AV device connected to the IEEE 1394 network, operates it, and listen to the contents stored in the AV device with the player device can view. - 特許庁

ガス拡散陰極８を備えた塩化アルカリ電解槽１の運転を停止する際、陰極ガス室４への酸素含有ガスの供給を停止するとともに、陰極ガス室を実質的に酸素含有ガス雰囲気から苛性アルカリ水溶液に置換することによって、電解槽停止中に発生する陰極ガス室の腐食を防止し、電解槽本来の高い電解性能を長期間維持できる塩化アルカリ電解槽の保護方法および保護装置。例文帳に追加

When stopping the operation of the alkali chloride electrolytic cell 1 equipped with the gas diffusion cathode 8, the supply of an oxygen-containing gas to the cathode gas chamber 4 is stopped, and the oxygen-containing gas atmosphere in the cathode gas chamber is substantially replaced by an aqueous caustic alkali solution. - 特許庁

半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３に埋め込まれた導電膜１０９を含み且つ半導体基板１０１に達するコンタクト１１０と、半導体基板１０１及び第１絶縁膜１０３のそれぞれと、導電膜１０９との間に形成され、高融点金属を含む第１バリア層１０７とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device 100 includes: a first insulating film 103 formed on a semiconductor substrate 101; a contact 110 including a conductive film 109 buried in the first insulating film 103 and reaching the semiconductor substrate 101; and a first barrier layer 107 containing a high-melting-point metal and formed between the conductive film 109 and each of the semiconductor substrate 101 and the first insulating film 103. - 特許庁

硝酸ウラニル含有原液の液滴を、アンモニアガス中を通過させてアンモニア水溶液中に滴下することにより、重ウラン酸アンモニウムを含有する固形粒子を生成し、前記固形粒子を連続的に第二工程に移送する第一工程と、前記固形粒子の洗浄及び乾燥を連続的に行う第二工程とを有する重ウラン酸アンモニウム粒子の連続製造方法および重ウラン酸アンモニウム粒子の連続製造装置。例文帳に追加

The method and the apparatus for continuously manufacturing ammonium diuranate particles has the first process in which droplets of an undiluted solution containing uranyl nitrate are passed through an ammonia gas and dropped into an aqueous ammonia solution to form solid particles containing ammonium diuranate and then the solid particles are continuously transported to the second process, and the second process in which the solid particles are continuously washed and dried. - 特許庁

図１に示すように、本実施の形態１に係る半導体装置は、金属板２４と低融点金属２５と絶縁層２６と埋込スルーホール１７と半田ボール２０と配線パターン２２と金属バンプ２３と封止樹脂１９と絶縁体カバーレジスト２１と半導体チップ１８とで概略構成される。例文帳に追加

The semiconductor device in an embodiment generally includes a metallic plate 24, a low melting-point metal 25, an insulating layer 26, a buried through-hole 17, a solder ball 20, a wiring pattern 22, a metallic bump 23, a sealing resin 19, an insulator cover resist 21, and a semiconductor chip 18. - 特許庁

原稿画像を読み取る読み取り手段と、読み取った画像データを一旦格納する第１の記憶手段と、前記第１の記憶手段に格納した画像データを第２の記憶手段に転送させ格納させる制御手段と、を備える画像形成装置であって、長尺読み取り時は、スワップアクセスによるリードデータよりも、画像データの転送を優先させるよう調停する調停手段を備えることを特徴とする。例文帳に追加

The image forming device includes: a reading means for reading a document image; a first storage means for storing the read data temporarily; a control means that allows the image data stored in the first storage means to be transferred and stored to and in a second storage means; and an adjustment means that carries out arbitration for prioritizing transfer of the image data over the read data by swap access when reading the long length document image. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas. - 特許庁

一　差止請求に係る判決（確定判決と同一の効力を有するもの及び仮処分命令の申立てについての決定を含む。以下この項において同じ。）又は民事訴訟法（平成八年法律第百九号）第七十三条第一項の決定により訴訟費用（和解の費用、調停手続の費用及び仲裁手続の費用を含む。）を負担することとされた相手方から当該訴訟費用に相当する額の償還として財産上の利益を受けるとき。例文帳に追加

i) When a qualified consumer organization receives property benefits, as reimbursement equivalent to the court cost, from the opposite party who has been ruled to bear the court cost (including costs of settlement, conciliation and arbitration proceedings) under the judgment pertaining to a demand for an injunction (including anything with the same effect as a final and binding judgment, and rulings on the provisional disposition orders. Hereinafter the same shall apply in this paragraph) or rulings on para. (1) of Article 73 of the Code of Civil Procedure (Act No. 109, 1996  - 日本法令外国語訳データベースシステム

着色工程＃１００で着色されたカラーフィルタ基板に対して、欠陥の有無を検査する欠陥検査装置１１と、欠陥検査装置１１で検査した結果、カラーフィルタ基板に欠陥がある場合に、その欠陥部分を修正する欠陥修正装置１４とを備えるカラーフィルタ欠陥修正一貫ラインである。例文帳に追加

The continuous line for correcting the defect in the color filter is provided with a defect inspecting device 11 to inspect presence or absence of any defect with respect to a color filter substrate colored in a coloring step 100 and a defect correcting device 14 to correct a defective part in the case the defect is present in the color filter substrate as a result of inspection with the defect inspecting device 11. - 特許庁

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。例文帳に追加

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system. - 特許庁

また、光電変換装置１０の製造方法は、有機溶媒と、金属塩と、カルコゲン元素含有化合物と、有機オニウム塩と、を含む原料溶液を作製する工程と、支持体Ｂを原料溶液に接触させ、支持体Ｂ上に金属カルコゲン化物を含む第１の半導体層４を析出させる工程と、を具備する。例文帳に追加

A method for manufacturing the photoelectric converter 10 has steps of: making a source solution containing an organic solvent, metal salt, a chalcogen-element-containing compound, and organic onium salt; and bringing a support B into contact with the source solution to let the first semiconductor layer 4 containing the metal chalcogenide deposit on the support B. - 特許庁

チャンバ内に所望の処理により汚染された半導体基板を設置した後、この半導体基板を加熱しながら、その半導体基板にフッ化水素および水の蒸気を含む第１ガスを供給して洗浄する工程と、同一チャンバ内で半導体基板に水およびアルコールから選ばれる少なくとも１つの蒸気を含む第２ガスを供給したリンスする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor includes: a step of installing a semiconductor substrate contaminated by desired treatment in a chamber, of heating this semiconductor substrate, of supplying first gas containing the steam of hydrogen fluoride and water to the semiconductor substrate for cleaning it; and a rinsing step of supplying second gas containing at least one steam to be selected from the water and alcohol to the semiconductor substrate in the same chamber. - 特許庁

そしてチップＣＰ、第１及び第２補強用金属板ＭＰ１，ＭＰ２、並びに第２封止用樹脂（封止用樹脂部ＳＰ）が一体構造とされた半導体集積回路チップ装置ＣＰＤを半導体集積回路カードの外装樹脂基板ＯＰ,ＯＰ内に装填する。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit chip device CPD of an integrated structure of the chip CP, first and second reinforcing metal plates MP1 and MP2 and second sealing resin (sealing resin part SP) is packaged in jacket resin boards OP of a semiconductor integrated circuit card. - 特許庁

ディスク装置（１）は、ディスクを内包するカートリッジ（２）が装置本体に搬入されてからディスク装填位置まで移送される間に、カートリッジ（２）に対して相対移動するシャッタ開閉部材（７０）が、カートリッジ（２）のピックアップ用開口部（２１）のシャッタ（２０）をラッチ部材（３０）を解除して開放させる。例文帳に追加

In the disk device 1, while a cartridge 2 housing a disk is conveyed to a device main body and moved to a disk loading position, a shutter opening/closing member 70 moved relatively to the cartridge 2 releases a latch member 30 to open the shutter 20 of the pickup opening 21 of the cartridge 2. - 特許庁

第55条の規定の適用上，パリ条約又は世界貿易機関加盟国の紋章(国旗は除く)及び公の標識又は印章は，次の場合又は範囲に限り，パリ条約又は世界貿易機関協定(場合によって)に基づいて保護されるものとみなす。当該国はパリ条約第6条の規定に従い，ブルネイ・ダルサラーム国に対して，その紋章，標識又は印章を保護するよう求める旨を通知した場合，その通達が有効である場合，及び，第6条の規定に従い，基づき，ブルネイ・ダルサラーム国が，その通達に異議を申し立てていない又は当該異議が取り下げられている場合，第56条の規定の適用上，同条に適用する機関の紋章，略称と名称は，次の場合又は範囲に限り，パリ条約又は世界貿易機関協定に基づき保護されるものとみなす。当該機関がパリ条約第6条の3の規定に従い，その紋章，略称又は名称を保護するよう求める旨をブルネイ・ダルサラーム国に対し通達した場合，その通達が有効である場合，及び，パリ条約第6条の3の規定に従い，ブルネイ・ダルサラーム国がその通達に異議を申し立てていない又は当該異議が取り下げられている場合。例文帳に追加

For the purpose of section 55, state emblems of a Paris Convention country or a World Trade Organisation country (other than the national flag), and official signs or hallmarks, shall be regarded as protected under the Paris Convention or the World Trade Organisation Agreement (as the case may be) only if, or to the extent that ? that country has notified Brunei Darussalam in accordance with Article 6 of that Convention that it desires to protect that emblem, sign or hallmark; the notification remains in force; and Brunei Darussalam has not objected to it in accordance with Article 6 or any such objection has been withdrawn. For the purpose of section 56, the emblems, abbreviations and names of an organisation to which that section applies shall be regarded as protected under the Paris Convention or the World Trade Organisation Agreement only if, or to the extent that that organisation has notified Brunei Darussalam in accordance with Article 6 of that Convention that it desires to protect that emblem, abbreviation or name; the notification remains in force; and Brunei Darussalam has not objected to it in accordance with Article 6 or any such objection has been withdrawn.  - 特許庁

半導体基板上に形成された素子分離溝内および第１絶縁層上にシリコン膜を形成し酸化すること、または、分離マスク開口部および第１絶縁層上にシリコン膜を形成した後に素子分離溝を形成し、素子分離溝内およびシリコン膜を酸化することを特徴とする半導体装置製造方法により、シリコン膜が酸化膜除去工程でのエッチングストッパーとなりディボットを軽減できる。例文帳に追加

As a result, the silicon film becomes an etching stopper in an oxide film removal process and thus the divot can be reduced. - 特許庁

磁性粉と、バインダー樹脂とを含有するトナー粒子を含み、その動抵抗が２００ＭΩ以下、現像スリーブの現像剤層の表面電位の最大値と最小値の差ΔＶの絶対値が５Ｖ以下である現像剤を使用することにより、画像濃度が良好でかぶりの少ない画像を形成する。例文帳に追加

By using the developer including toner particles incorporating magnetic powder and binder resin and set so that the dynamic resistance of the developer is ≤200 MΩ and the absolute value of the difference ΔV between the maximum value and the minimum value of the surface potential of a developer layer on a developing sleeve is ≤5 V, the image having excellent image density and less fogging is formed. - 特許庁

半導体装置の内部で発生する低電源電位依存性、低温度依存性を有する基準電位を、外部からの制御により、あるいは、電源投入後に自動的に、使用素子のバラツキの影響が少ない基準電位となるように調整でき、調整用の外付素子の不要化、テストコストの削減、低消費電力化、チップ面積の削減を図る。例文帳に追加

To eliminate the need for external element for adjustment, reduce test costs, and reduce consumption power and chip area by adjusting a reference potential with low power supply potential dependency and low-temperature dependency which are generated in a semiconductor device by external control or automatically after power is turned on, so that the potential becomes a value for reducing the influence of the scattering of a used element. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板上の層間絶縁膜１０１に形成されたトレンチ１０２と、トレンチ１０２の底部及び側壁を覆うように形成され、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜１０３と、トレンチ１０２において、第１のバリアメタル膜１０３上に形成された金属膜１０５とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device has a trench 102 formed in the interlayer insulating film 101 on a semiconductor substrate, a first barrier metal film 103 formed to cover a bottom portion and a sidewall of the trench 102 and made of a conductor containing a platinum group element, high-melting-point metal and nitrogen, and a metal film 105 formed in the trench 102 on the first barrier metal film 103. - 特許庁

キャパシタ及びその製造方法に関し、半導体装置の配線層形成工程を適用して作製した配線層の上方或いは配線層間に希土類イオン、或いは、アルカリ土類元素を添加して分極特性を安定化したＰＺＴを主成分とする誘電体膜の形成を可能にしようとする。例文帳に追加

To form a dielectric film whose principal component is PZT stabilizing a polarization property by adding rare earth ion or alkaline earth element to an upper part of wiring layers or between wiring layers made by applying a wiring layer forming process of a semiconductor device in a capacitor and a method of manufacturing the capacitor. - 特許庁

生涯苦心致され候中にも、古史伝は最初文化の末頃より草稿取り掛かり、文政の始め頃に、成文一二巻程は、ざっと稿本成り候ところ、段々見識博くあいなり、殊に故鈴屋大人の御遺教をも相伺れ候て、いよいよ以って、世界悉く我が皇大神達の御鎔造（ツクリカタメ）なされたる事を感得致され候に付、古史伝は先ず差し置き、赤縣州を始め、印度及び西洋の古伝をも悉く皆探索網羅して、其の上にて、充分に古史の註解をと存し込まれ候て、文政の半ば頃より、専ら外国の学に困苦致され、凡そ廿余年も歳月を過ごされ候て、赤縣太古傳を初め、即ち今此れある丈の著述は出来候へ共、中々もって先人の心底に叶ひ候事には此れ無く候へ共、大抵は見当も付き候に依っては、私を始め門人の中の所存にも、段々時節後れ、先人も老年に成られ候に付き、先ず先ず外国の所は大抵にして差し置かれ、古史伝の清撰をしきりて、相願い催促致し候て、天保10年頃より、漸々と其の方にも趣かれ候所、言語規則の書之無きに付き、余儀なく五十音義の撰にかかり、凡そ一ヵ年ほど打ち過ぎられ候所、旧幕府の命に依って秋田へ放逐、尤も同所は本国の事、親族共も少なからず、第一旧君侯より厚く恩遇も之有りて会計の辛苦は薄らぎ候へ共、著述致す可き遑なく、此処両三年心配致され候内に病を発し入幽致され候次第にて残念至極にて御座候。例文帳に追加

Our teacher dedicated his life to the study requiring great pains; as to "Koshi-den", at the end of the Bunka era (1804-1818), he began to write the draft, and by the early Bunsei era (1818-1830), about 12 volumes had been completed; however, by that time, he had also gradually gained an insight into the study and understood the teachings of the master of Suzunoya (Norinaga MOTOORI), then he realized that this world was the product of our great gods of Japan, so he decided to suspend "Koshi-den" temporarily, and first explore and read through all the past annotations of the histories of our country as well as those of India and Europe to use new knowledge to his advantage in writing "Koshi-den"; therefore, since the middle of the Bunsei era, he intensly studied foreign literature and culture mainly, and during a period of over 20 years, he completed almost all his works, which he left for us, including "Sekiken Taiko-den" (Japanese Early History); although he was never satisfied with his works, his students, of course, including myself, with a feeling of gratitude, thought that our master had succeeded in completing most his researches and studies, and were concerned about the delay in completing "Koshi-den" and because of our master's age, we repeatedly begged him to restart the writing, then thankfully at about the 10th year of the Tenpo era (1839), he restarted; however, he was requested to write on linguistic methods so he began to write "Goju Ongi" (Pronunciation and Meaning of 50 Kana) and suspended "Koshi-den" again; after a year, he was banished to Akita Province by order of the former bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun), fortunately since Akita was his hometown and there were many relatives of his, besides the former load treated him very kindly, they relieved him off poor living, although under those conditions, he had no time to finish the remaining works; he was always concerned about those unfinished works, and after only a few years, he became sick and regrettably died.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス